1.产品特点
低电压和标准电压工作
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至5.5V ）
内设机构
– 64 x 16
三线串行接口
2 MHz的时钟速率（ 5V ）的兼容性
自定时写周期（ 5 ms以下）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
8引脚PDIP ， 8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装
无铅/无卤设备
三线
串行EEPROM
1K （ 64 ×16 ）
2.描述
该AT93C46E提供1024位的串行电可擦除可编程只读的
只有组织为每16位64字存储器（EEPROM） 。该装置进行了优
在许多工业和商业应用而得到优化的情况下使用的低功耗和
低电压操作是必不可少的。该AT93C46E可在节省空间的8
引脚PDIP ，8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装。
该AT93C46E通过片选引脚（ CS ）功能的，并通过一个三访问
线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ） ，和移位时钟
（SK） 。在接收到一个READ指令在DI中，地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出DO引脚。写周期是完全自定时
而在写入前不需要单独的擦除周期。写周期时，才会启用
当该部分是在擦/写使能状态。当CS变为高电平继
写周期开始时， DO引脚输出部分的Ready / Busy状态。
该AT93C46E可在1.8V （ 1.8V至5.5V ）版本。
AT93C46E
8引脚PDIP
表2-1 。
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
NC
引脚配置
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
无连接
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
NC
GND
8引脚SOIC
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
NC
GND
8引脚TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
NC
GND
牧师5207D - SEEPR - 1月8日
绝对最大额定值*
工作温度......................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度
.........................................65°C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
........................................ 1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有评级，并
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
图2-1 。
框图
存储阵列
64 X 16
地址
解码器
数据
注册
产量
卜FF器
模式
解码
逻辑
时钟
发电机
表2-2 。
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= + 5.0V （除非另有说明）
符号
C
OUT
C
IN
注意：
测试条件
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ）
这个参数的特点，而不是100％测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
2
AT93C46E
5207D–SEEPR–1/08
AT93C46E
表2-3 。
DC特性
推荐参数的适用工作条件：T已
AI
=
40°C
+ 85℃ ，V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V ， （除非另有说明）
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
IL2(1)
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意：
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电流
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
2.7V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=
0.4
mA
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
=
100
A
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.6
2.0
0.6
V
CC
x 0.7
读得1.0 MHz
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
民
1.8
2.7
4.5
0.5
0.5
0.4
6.0
10.0
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
1.0
10.0
15.0
1.0
1.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考，未经测试。
3
5207D–SEEPR–1/08
表2-4 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
A
=
40°C
至+ 85°C ，V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V ，
CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明）
符号
f
SK
参数
SK时钟频率
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
相对于SK
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
民
0
0
0
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
50
50
200
100
100
400
0
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
0.1
1M
3
100
100
400
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
100
150
400
5
典型值
最大
2
1
0.25
单位
兆赫
t
圣公会
SK高时间
ns
t
SKL
SK低电平时间
ns
t
CS
最低CS低电平时间
ns
t
CSS
CS建立时间
ns
t
DIS
t
CSH
t
DIH
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
相对于SK
相对于SK
相对于SK
ns
ns
ns
t
PD1
输出延迟为“1”
AC测试
ns
t
PD0
输出延迟为“0”
AC测试
ns
t
SV
CS为有效状态
AC测试
ns
t
DF
t
WP
耐力
(1)
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ，25°C
AC测试
CS = V
IL
ns
ms
写周期
注意：
1.此参数为特征。
3.功能描述
该AT93C46E通过一个简单而通用的三线串行通信接口访问
脸上。设备的操作是由主机处理器发出七个指令控制。
一个有效的
指令开始在CS的上升沿
它由一个起始位（逻辑' 1' ），接着的
适当的操作码和所需的存储器地址位置。
4
AT93C46E
5207D–SEEPR–1/08
AT93C46E
表3-1 。
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
EWDS
指令集的AT93C46E
地址
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
00
x 16
A
5
A
0
11XXXX
A
5
A
0
A
5
A
0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
评论
读取存储在内存中的数据，在指定地址
写使能必须在前面所有的编程模式
擦除存储单元中的
n
A
0
写入存储单元中的
n
A
0
删除所有存储位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V
将所有内存位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V
禁用所有的程序指令
读（READ ） ：
读（读出）的指令包含用于存储器地址的地址的代码
灰被读取。指令和地址之后被解码时，从所选择的存储器中的数据
位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化都与同步
串行时钟SK上升沿。但是应当注意的是，一个虚拟位（逻辑“0”）之前的16位
位数据输出字符串。
擦除/写使能（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，器件自动进入
擦除/写禁止（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写使能（ EWEN ）
指令必须首先被执行的任何编程指令可被执行之前。
请注意，在EWEN状态一次，编程保持启用状态，直到EWDS指令
化执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）指令的程序在指定的内存中的所有位
位置为逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始，一旦擦除指令和
地址进行解码。 DO引脚输出部分的准备/繁忙状态，如果CS被拉高
在被保持低至少250纳秒（T
CS
） 。为逻辑“1”，引脚DO表明，
选择的存储位置已删除，部分是准备执行下一条指令。
WRITE （写） ：
写入（ WRITE）指令包含的数据的16位被写入到
指定的存储单元。自定时编程周期，T
WP
中，最后一个位后开始
数据在串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出部分的准备/繁忙状态
如果CS正在保持低了至少250纳秒（T之后变为高电平
CS
） 。在DO indi-逻辑“ 0 ”
盖茨认为编程工作仍在进行中。为逻辑“ 1”表示在该存储器位置
指定的地址已经写入与包含在指令和部分中的数据模式
是准备作进一步的说明。
如果CS被带到准备/繁忙状态无法得到
自定时编程周期结束后高，T
WP
.
全部清除（ ERAL ） ：
擦除所有（ ERAL ）指令的程序存储器阵列中的每一位
到逻辑“1”状态，并且主要用于测试目的。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的Ready / Busy状态被保持低了至少250纳秒后拉高
(t
CS
） 。 ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入（ WRAL ） ：
写所有（ WRAL ）指令程序的所有内存位置
在指令中指定的数据模式。 DO引脚输出部分，如果的Ready / Busy状态
CS正在保持低了至少250纳秒（T之后变为高电平
CS
） 。 WRAL指令是
只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
5
5207D–SEEPR–1/08
QQ：2880707522 复制
