特点
低电压和标准电压工作
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至5.5V ）
用户可选择的内部组织
- 1K ： 128 ×8或64 ×16
三线串行接口
2 MHz的时钟速率（ 5V ）
自定时写周期（ 5 ms以下）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
8引脚PDIP JEDEC ，8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚超薄迷你地图（ MLP 2×3 ） ， 8引脚
TSSOP和8球dBGA2包
模具销售：晶圆形式，磁带和卷轴，以及晶圆凸点
三线
串行
EEPROM
1K （ 128 ×8或64 ×16 ）
描述
该AT93C46D提供1024位的串行电可擦除可编程只读的
只读存储器（ EEPROM），组织成每16位（当ORG引脚为64个字
连接到VCC ） ，字和128各8位（如果ORG引脚连接到
接地）。所述装置被用于许多工业和商业应用优化
系统蒸发散，其中低功率和低电压操作是必不可少的。该AT93C46D是
采用节省空间的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC JEDEC ， 8引脚超薄迷你型可
MAP（ MLP 2×3 ） ， 8引脚TSSOP封装，以及8引脚dBGA2包。
该AT93C46D通过片选引脚（ CS ）启用，并通过访问
三线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ） ，并移
时钟（SK） 。在接收到读指令时的DI ，地址解码和
数据同步输出连续的DO引脚。写周期是完全自定时，
而在写入前不需要单独的擦除周期。写周期时，才会启用
当器件处于擦除/写使能状态。当CS变为高电平以下
一个写周期的开始， DO引脚输出部分的Ready / Busy状态。
该AT93C46D是1.8 （ 1.8V至5.5V ）版本。
表0-1 。
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
ORG
NC
AT93C46D
销刀豆网络gurations
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
内设机构
无连接
CS
SK
DI
DO
CS
SK
DI
DO
8引脚SOIC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
8-lead
dBGA2
VCC
NC
ORG
GND
8
7
6
5
1
2
3
4
CS
SK
D1
D0
底部视图
8-lead
PDIP
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
8-lead
超薄迷你地图（ MLP 2×3 ）
VCC
NC
ORG
GND
8
7
6
5
CS
SK
3
DI
4
DO
1
2
底部视图
8-lead
TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC
ORG
GND
5193F–SEEPR–1/08
1.绝对最大额定值*
工作温度......................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度
.........................................65°C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
........................................ 1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有评级，并
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
图1-1 。
框图
注意事项：
1.当ORG引脚连接到VCC时，“ ×16 ”组织被选中。当它是CON-
连接至接地，在“×8 ”组织被选中。如果ORG引脚悬空而
应用程序不加载输入超出了内部1兆欧姆上拉的能力，那么
在“ ×16 ”组织被选中。
2.对于AT93C46D ，如果“ ×16 ”组织的选择，并且销6（ ORG）的模式是向左
未连接，爱特梅尔
建议使用AT93C46E设备。有关详细信息，请参阅
AT93C46E数据表。
2
AT93C46D
5193F–SEEPR–1/08
表1-3 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
AI
=
40°C
至+ 85°C ，V
CC
= + 2.7V至+ 5.5V ，
CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明）
符号
f
SK
参数
SK时钟
频率
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
相对于SK
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
民
0
0
0
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
50
50
200
100
100
400
0
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
1.8V
≤
V
CC
≤
5.5V
0.1
1M
3
100
100
400
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
100
150
400
5
典型值
最大
2
1
0.25
单位
兆赫
t
圣公会
SK高时间
ns
t
SKL
SK低电平时间
ns
t
CS
最低CS
低电平时间
ns
t
CSS
CS建立时间
ns
t
DIS
t
CSH
t
DIH
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
相对于SK
相对于SK
相对于SK
ns
ns
ns
t
PD1
输出延迟为“1”
AC测试
ns
t
PD0
输出延迟为“0”
AC测试
ns
t
SV
CS为有效状态
AC测试
ns
t
DF
t
WP
耐力
(1)
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ，25°C
AC测试
CS = V
IL
ns
ms
写周期
注意：
1.此参数为特征。
4
AT93C46D
5193F–SEEPR–1/08
AT93C46D
表1-4 。
指令集的AT93C46D
Op
CODE
10
00
11
01
00
00
00
地址
x8
A
6
– A
0
11XXXXX
A
6
– A
0
A
6
– A
0
10XXXXX
01XXXXX
00XXXXX
x 16
A
5
– A
0
11XXXX
A
5
– A
0
A
5
– A
0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
D
7
– D
0
D
15
– D
0
D
7
– D
0
D
15
– D
0
x8
数据
x 16
评论
读出存储在存储器中的数据，在
指定的地址
写使能必须在前面所有
编程模式
擦除存储单元中的
n
– A
0
写入存储单元中的
n
– A
0
删除所有存储位置。有效
只有在V
CC
= 4.5V至5.5V
将所有内存位置。有效
只有在V
CC
= 4.5V至5.5V
禁用所有的程序指令
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
EWDS
注意：
SB
1
1
1
1
1
1
1
对XS在地址栏中代表
不在乎
值，必须提供时钟。
2.功能描述
该AT93C46D通过一个简单而通用的三线串行通信接口访问
脸上。设备的操作是由主机处理器发出七个指令控制。
一个有效的
指令开始在CS的上升沿
它由一个起始位（逻辑' 1' ），接着的
适当的操作码和所需的存储器地址位置。
读（READ ） ：
读（读出）的指令包含用于存储器地址的地址的代码
灰被读取。指令和地址之后被解码时，从所选择的存储器中的数据
位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化都与同步
串行时钟SK上升沿。但是应当注意的是，一个虚拟位（逻辑“0”）之前的8位或
16位的数据输出字符串。
擦除/写使能（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，器件自动进入
擦除/写禁止（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写使能（ EWEN ）
指令必须首先被执行的任何编程指令可被执行之前。
请注意，在EWEN状态一次，编程保持启用状态，直到EWDS指令
化执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）指令的程序在指定的内存中的所有位
位置为逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始，一旦擦除指令和
地址进行解码。 DO引脚输出部分的Ready / Busy状态，如果CS被
正在保持低了至少250纳秒（T后高
CS
） 。为逻辑“1”，引脚DO表明，
选择的存储位置已删除，部分是准备执行下一条指令。
WRITE （写） ：
写入（ WRITE）指令包含将要写入的8位或16位数据的
到指定的内存位置。自定时编程周期T
WP
最后一个位后开始
数据在串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出的读/ Busy状态
部分，如果CS正在保持低了至少250纳秒（T之后变为高电平
CS
） 。在做一个逻辑“0”
表明编程仍在进行中。为逻辑“ 1”表示在该存储器位置
指定的地址已经写入与包含在指令和数据模式
5
5193F–SEEPR–1/08
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