特点
低电压和标准电压工作
– 5.0 (V
CC
= 4.5V至5.5V ）
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V ）
– 2.5 (V
CC
= 2.5V至5.5V ）
3线串行接口
施密特触发器滤波输入抑制噪声
2 MHz的时钟速率（ 5V ）的兼容性
自定时写周期（最大10 ms ）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
- ESD保护： > 4000V
提供汽车级和扩展级温度装置
8引脚PDIP和JEDEC SOIC封装
3-Wire
串行EEPROM
1K （ 64 ×16 ）
描述
该AT93C46C提供1024位的串行电可擦除可编程的读
只有组织为每16位64字存储器（EEPROM） 。该装置进行了优
在许多工业和商业应用而得到优化的情况下使用的低功耗和
低电压操作是必不可少的。该AT93C46C是节省空间的8引脚
PDIP和8引脚JEDEC封装。
该AT93C46C通过片选引脚（ CS ）通过3-启用，并访问
线串行接口，包括数据输入（ DI ） ，数据输出（ DO ） ，和移位时钟
（SK） 。在接收到一个READ指令在DI中，地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全独立
定时的写操作之前，没有单独的擦除周期是必需的。写周期
只有当启用该部分是在擦/写使能状态。当CS为
带来“高”下面写周期的开始， DO引脚输出
零件的READY / BUSY状态。
该AT93C46C是4.5V至5.5V ， 2.7V至5.5V ，并以5.5V 2.5V版本可用。
AT93C46C
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
NC
DC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
电源
无连接
不连接
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
CS
SK
DI
DO
8引脚PDIP
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
3线， 1K
串行ê
2
舞会
8引脚SOIC
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
修订版1122A - 07 / 98
1
绝对最大额定值*
工作温度.................................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面.....................................- 1.0V至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ...........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
框图
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= + 5.0V （除非另有说明） 。
测试条件
C
OUT
C
IN
注意：
输出电容（ DO）的
输入电容（ CS ， SK ， DI ）
1.此参数的特点，而不是100％测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
2
AT93C46C
AT93C46C
DC特性
推荐参数的适用工作条件：T已
AI
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V ，
T
AC
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V （除非另有说明） 。
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电流
V
CC
= 5.0V
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 2.5V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
= -100
A
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.6
V
CC
x 0.7
读得1.0 MHz
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
民
2.5
2.7
4.5
0.5
0.5
14.0
14.0
35.0
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
20.0
20.0
50.0
1.0
1.0
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意：
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考，未经测试。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V ，
CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明） 。
符号
f
SK
参数
SK时钟频率
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
相对于SK
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
民
0
0
0
250
250
500
250
250
500
250
250
500
50
50
100
典型值
最大
2
1
0.5
单位
兆赫
t
圣公会
SK高时间
ns
t
SKL
SK低电平时间
ns
t
CS
最低CS低电平时间
ns
t
CSS
CS建立时间
ns
3
AC特性（续）
适用在推荐的工作范围从T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V ，
CL = 1的TTL门和100pF的（除非另有说明） 。
符号
t
DIS
参数
DI建立时间
测试条件
相对于SK
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.7V
≤
V
CC
≤
5.5V
2.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
0.1
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V
耐力
(1)
注意：
5.0V ， 25°C时，页面模式
1M
1.此参数的特点，而不是100％测试。
1
民
100
100
200
0
100
100
200
250
250
500
250
250
500
250
250
500
100
100
200
10
典型值
最大
单位
ns
t
CSH
t
DIH
CS保持时间
DI保持时间
相对于SK
相对于SK
ns
ns
t
PD1
输出延迟为“1”
AC测试
ns
t
PD0
输出延迟为“0”
AC测试
ns
t
SV
CS为有效状态
AC测试
ns
t
DF
CS为高阻抗DO
AC测试
CS = V
IL
ns
t
WP
写周期时间
ms
ms
写周期
指令集的AT93C46C
地址
指令
读
EWEN
抹去
写
ERAL
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
00
x 16
A
5
- A
0
11XXXX
A
5
- A
0
A
5
- A
0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
评论
读出存储在存储器中的数据，在指定的地址。
写使能必须在前面所有的编程模式。
擦除存储单元中的
n
- A
0
.
写入存储单元中的
n
- A
0
.
删除所有存储位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
将所有内存位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
禁止所有编程指令。
4
AT93C46C
AT93C46C
功能说明
该AT93C46C通过一个简单而灵活的访问
三线串行通信接口。设备操作
化是由主机发出七个指令控制
处理器。
有效的指令开始于一个上升沿
CS的
它由一个起始位（逻辑' 1' ），接着的
相应的操作码和所需的内存地址
位置。
读（READ ） ：
在读（ READ ）指令包含
要读出的地址代码的存储位置。后
指令和地址被从解码数据
选定的存储单元提供的串行输出
引脚DO 。输出数据的变化都与利培同步
荷兰国际集团的串行时钟SK边缘。但是应当注意的是，一个
虚位（逻辑“0”）之前的16位数据输出字符串。
擦/写（ EWEN ） ：
为了保证数据的完整性，
部分自动进入擦除/写禁止
（ EWDS ）状态时，电源首次应用。擦除/写
使能（EWEN ）指令必须先执行之前
任何编程指令可以被执行。请
注意，一旦在擦/写使能状态，编程
明保持启用状态，直到擦除/写禁止
（ EWDS ）指令被执行或V
CC
电源被移除
从零件。
擦除（ ERASE ） ：
擦除（ ERASE ）指令亲
克中指定的存储单元中的所有位的逻辑
“1”状态。自定时擦除周期开始后的ERASE
指令和地址进行解码。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的READY / BUSY状态，带来了高
在被保持低至少250纳秒（T
CS
） 。逻辑
' 1'在销DO表示选定的存储器位置
已被删除，以及部分已准备好为另一个指令
化。
WRITE （写） ：
写（写）指令包含
数据的16位被写入到指定的存储器
位置。自定时编程周期T
WP
之后开始
数据的最后位在串行数据输入管脚DI被接收。
DO引脚输出部分，如果的READY / BUSY状态
CS被维持在低水平最少之后变为高电平
250纳秒（T
CS
） 。逻辑' 0' DO表明编程
仍在进行中。逻辑“1”表示该存储器地址
化在指定的地址已被写入与数据
图案中包含的指令和部分准备
进一步的说明。
一个READY / BUSY状态不能
如果是CS的结束后所带来的高所得
自定时编程周期，T
WP
.
全部清除（ ERAL ） ：
擦除所有（ ERAL ）指令
程序存储器阵列的逻辑在每一个比特“1”状态
与主要用于测试目的。 DO引脚输出
使零件的READY / BUSY状态，如果CS被
正在保持低了至少250纳秒（T后高
CS
） 。该
ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入（ WRAL ） ：
写所有（ WRAL ）指令
程序与数据模式的所有内存位置光谱
后指定的指令。 DO引脚输出
的一部分，如果CS的READY / BUSY状态后所带来的高
正在保持低了至少250纳秒（T
CS
） 。该WRAL
指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
擦/写禁止（EWDS ） ：
为了防止
数据的意外打扰，擦除/写禁止（ EWDS ）
指令禁止所有的编程模式和应
所有编程操作后执行。操作
READ指令是独立于EWEN的
和EWDS指令，并可以在任何时间被执行。
5
QQ：2880707522 复制
