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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第601页 > AT93C46A-10PC
特点
低电压和标准电压工作
– 5.0 (V
CC
= 4.5V至5.5V )
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V )
– 2.5 (V
CC
= 2.5V至5.5V )
3线串行接口
2 MHz的时钟速率( 5V )的兼容性
自定时写周期(最大10 ms )
高可靠性
- 耐力: 100万次擦写循环
- 数据保存:100年
- ESD保护: > 4,000V
提供汽车级和扩展级温度装置
8引脚PDIP , 8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装
3-Wire
串行EEPROM
1K ( 64 ×16 )
描述
该AT93C46A提供1024位的串行电可擦除可编程的读
只有组织为每16位64字存储器(EEPROM) 。该装置进行了优
在许多工业和商业应用而得到优化的情况下使用低的功率和
低电压操作是必不可少的。该AT93C46A是节省空间的8引脚
PDIP , 8引脚JEDEC和8引脚TSSOP封装。
该AT93C46A通过片选引脚( CS )通过3-启用,并访问
线串行接口,包括数据输入( DI ) ,数据输出( DO ) ,和移位时钟
(SK) 。在接收到一个READ指令在DI中,地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出引脚DO 。写周期是完全独立
定时的写操作之前,没有单独的擦除周期是必需的。写周期
只有当启用该部分是在擦/写使能状态。当CS为
带来“高”下面写周期的开始, DO引脚输出
零件的READY / BUSY状态。
AT93C46A
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
NC
DC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源
无连接
不连接
CS
SK
DI
DO
CS
SK
DI
DO
8引脚PDIP
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
3线, 1K
串行ê
2
舞会
8引脚SOIC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
8引脚TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
牧师0539C - 07 / 98
1
该AT93C46A是4.5V至5.5V , 2.7V至5.5V可用,
和2.5V至5.5V的版本。
绝对最大额定值*
工作温度.................................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面.....................................- 1.0V至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ...........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
框图
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= + 5.0V (除非另有说明) 。
测试条件
C
OUT
C
IN
注意:
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI )
1.此参数的特点,而不是100%测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
2
AT93C46A
AT93C46A
DC特性
推荐参数的适用工作条件:T已
AI
= -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V ,
T
AC
= 0 ° C至+ 70 ° C,V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V (除非另有说明) 。
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
V
CC4
I
CC
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电压
电源电流
V
CC
= 5.0V
读得1.0 MHz
写在1.0兆赫
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
IL2(1)
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意:
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 2.5V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
4.5V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
2.7V
4.5V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
= -100
A
V
CC
- 0.2
2.4
0.2
-0.6
2.0
-0.6
V
CC
x 0.7
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
1.8
2.5
2.7
4.5
0.5
0.5
14.0
14.0
35.0
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
20.0
20.0
50.0
1.0
1.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考,未经测试。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V ,
CL = 1的TTL门和100pF的(除非另有说明) 。
符号
参数
测试条件
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
0
0
0
0
250
250
500
1000
250
250
500
1000
250
250
500
1000
典型值
最大
2
1
0.5
0.25
单位
f
SK
SK时钟频率
兆赫
t
圣公会
SK高时间
ns
t
SKL
SK低电平时间
ns
t
CS
最低CS低电平时间
ns
3
AC特性(续)
适用在推荐的工作范围从T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V ,
CL = 1的TTL门和100pF的(除非另有说明) 。
符号
参数
测试条件
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
50
50
100
200
100
100
200
400
0
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
4.5V
V
CC
2.7V
V
CC
2.5V
V
CC
1.8V
V
CC
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
5.5V
0.1
t
WP
耐力
(1)
写周期时间
4.5V
V
CC
5.5V
1M
1
100
100
200
400
250
250
500
1000
250
250
500
1000
250
250
500
1000
100
100
200
400
10
典型值
最大
单位
t
CSS
CS建立时间
相对于SK
ns
t
DIS
DI建立时间
相对于SK
ns
t
CSH
CS保持时间
相对于SK
ns
t
DIH
DI保持时间
相对于SK
ns
t
PD1
输出延迟为“1”
AC测试
ns
t
PD0
输出延迟为“0”
AC测试
ns
t
SV
CS为有效状态
AC测试
ns
t
DF
CS为高阻抗DO
AC测试
CS = V
IL
ns
ms
ms
周期
5.0V , 25°C时,页面模式
注意:
1.此参数的特点,而不是100%测试。
指令集为AT93C46A
地址
指令
EWEN
抹去
ERAL
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
00
x 16
A
5
- A
0
11XXXX
A
5
- A
0
A
5
- A
0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
评论
读出存储在存储器中的数据,在指定的地址。
写使能必须在前面所有的编程模式。
擦除存储单元中的
n
- A
0
.
写入存储单元中的
n
- A
0
.
删除所有存储位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
将所有内存位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V 。
禁止所有编程指令。
4
AT93C46A
AT93C46A
功能说明
该AT93C46A通过一个简单而灵活的访问
三线串行通信接口。设备操作
化是由主机发出七个指令控制
处理器。
有效的指令开始于一个上升沿
CS的
它由一个起始位(逻辑' 1' ),接着的
相应的操作码和所需的内存地址
位置。
读(READ ) :
在读( READ )指令包含
要读出的地址代码的存储位置。后
指令和地址被从解码数据
选定的存储单元提供的串行输出
引脚DO 。输出数据的变化都与利培同步
荷兰国际集团的串行时钟SK边缘。但是应当注意的是,一个
虚位(逻辑“0”)之前的16位数据输出字符串。
擦/写( EWEN ) :
为了保证数据的完整性,
部分自动进入擦除/写禁止
( EWDS )状态时,电源首次应用。擦除/写
使能(EWEN )指令必须先执行之前
任何编程指令可以被执行。请
注意,一旦在擦/写使能状态,编程
明保持启用状态,直到擦除/写禁止
( EWDS )指令被执行或V
CC
电源被移除
从零件。
擦除( ERASE ) :
擦除( ERASE )指令亲
克中指定的存储单元中的所有位的逻辑
“1”状态。自定时擦除周期开始后的ERASE
指令和地址进行解码。 DO引脚输出
的一部分,如果CS的READY / BUSY状态,带来了高
在被保持低至少250纳秒(T
CS
) 。逻辑
' 1'在销DO表示选定的存储器位置
已被删除,以及部分已准备好为另一个指令
化。
WRITE (写) :
写(写)指令包含
数据的16位被写入到指定的存储器
位置。自定时编程周期,T
WP
,之后开始
数据的最后位在串行数据输入管脚DI被接收。
DO引脚输出部分,如果的READY / BUSY状态
CS被维持在低水平最少之后变为高电平
250纳秒(T
CS
) 。逻辑' 0' DO表明编程
仍在进行中。逻辑“1”表示该存储器地址
化在指定的地址已被写入与数据
图案中包含的指令和部分准备
进一步的说明。
一个READY / BUSY状态不能
如果是CS的结束后所带来的高所得
自定时编程周期,T
WP
.
全部清除( ERAL ) :
擦除所有( ERAL )指令
程序存储器阵列的逻辑在每一个比特“1”状态
与主要用于测试目的。 DO引脚输出
使零件的READY / BUSY状态,如果CS被
正在保持低了至少250纳秒(T后高
CS
) 。该
ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入( WRAL ) :
写所有( WRAL )指令
程序与数据模式的所有内存位置光谱
后指定的指令。 DO引脚输出
的一部分,如果CS的READY / BUSY状态后所带来的高
正在保持低了至少250纳秒(T
CS
) 。该WRAL
指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
擦/写禁止(EWDS ) :
为了防止
数据的意外打扰,擦除/写禁止( EWDS )
指令禁止所有的编程模式和应
所有编程操作后执行。操作
READ指令是独立于EWEN的
和EWDS指令,并可以在任何时间被执行。
5
特点
低电压和标准电压工作
– 2.7 (V
CC
= 2.7V至5.5V )
– 1.8 (V
CC
= 1.8V至5.5V )
三线串行接口
2 MHz的时钟速率( 5V )的兼容性
自定时写周期(最大10 ms )
高可靠性
- 耐力: 100万次擦写循环
- 数据保存:100年
汽车级,扩展级温度和无铅/无卤设备
可用的
8引脚PDIP , 8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装
三线
串行EEPROM
1K ( 64 ×16 )
描述
该AT93C46A提供1024位的串行电可擦除可编程只读的
只有组织为每16位64字存储器(EEPROM) 。该装置进行了优
在许多工业和商业应用而得到优化的情况下使用的低功耗和
低电压操作是必不可少的。该AT93C46A可在节省空间的8
引脚PDIP ,8引脚JEDEC SOIC和8引脚TSSOP封装。
该AT93C46A通过片选引脚( CS )功能的,并通过一个三访问
线串行接口,包括数据输入( DI ) ,数据输出( DO ) ,和移位时钟
(SK) 。在接收到一个READ指令在DI中,地址被译码并且数据是
同步输出串行数据输出DO引脚。写周期是完全自定时
而在写入前不需要单独的擦除周期。写周期时,才会启用
当该部分是在擦/写使能状态。当CS变为高电平继
写周期开始时, DO引脚输出部分的Ready / Busy状态。
该AT93C46A在2.7V至5.5V和1.8V至5.5V的版本。
表1中。
引脚配置
引脚名称
CS
SK
DI
DO
GND
VCC
功能
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源
CS
SK
DI
DO
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
AT93C46A
注意:
不推荐在新
设计;请参阅
AT93C46E数据表。
8引脚PDIP
8引脚SOIC
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
8引脚TSSOP
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
DC
NC
GND
牧师0539K - SEEPR - 2/07
1
绝对最大额定值*
工作温度......................................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度
.........................................65°C
至+ 150°C
任何引脚电压
相对于地面
........................................ 1.0V
至+ 7.0V
最大工作电压6.25V ..........................................
直流输出电流............................................... ......... 5.0毫安
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有评级,并
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
图1 。
框图
存储阵列
64 X 16
地址
解码器
数据
注册
产量
卜FF器
模式
解码
逻辑
时钟
发电机
2
AT93C46A
0539K–SEEPR–2/07
AT93C46A
表2中。
引脚电容
(1)
适用在推荐的工作范围从T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫,V
CC
= + 5.0V (除非另有说明)
符号
C
OUT
C
IN
注意:
测试条件
输出电容( DO)的
输入电容( CS , SK , DI )
这个参数的特点,而不是100%测试。
最大
5
5
单位
pF
pF
条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
表3中。
DC特性
推荐参数的适用工作条件:T已
AI
=
40°C
+ 85℃ ,V
CC
= + 1.8V至+ 5.5V , (除非另有说明)
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
I
IL
I
OL
V
IL1(1)
V
IH1(1)
V
IL2(1)
V
IH2(1)
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
注意:
参数
电源电压
电源电压
电源电压
电源电流
待机电流
待机电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 1.8V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 5.0V
V
IN
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V至V
CC
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
2.7V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=
0.4
mA
I
OL
= 0.15毫安
I
OH
=
100
A
V
CC
0.2
2.4
0.2
0.6
2.0
0.6
V
CC
x 0.7
读得1.0 MHz
写在1.0兆赫
CS = 0V
CS = 0V
CS = 0V
测试条件
1.8
2.7
4.5
0.5
0.5
14.0
14.0
35.0
0.1
0.1
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
2.0
2.0
20.0
20.0
50.0
1.0
1.0
0.8
V
CC
+ 1
V
CC
x 0.3
V
CC
+ 1
0.4
单位
V
V
V
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1. V
IL
分钟和V
IH
最大仅为参考,未经测试。
3
0539K–SEEPR–2/07
表4 。
AC特性
适用在推荐的工作范围从T
A
=
40°C
至+ 85°C ,V
CC
= + 2.5V至+ 5.5V ,
CL = 1的TTL门和100pF的(除非另有说明)
符号
f
SK
参数
SK时钟频率
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
相对于SK
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
0
0
0
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
50
50
200
100
100
400
0
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.7V
V
CC
5.5V
1.8V
V
CC
5.5V
0.1
1M
3
100
100
400
250
250
1000
250
250
1000
250
250
1000
100
100
400
10
典型值
最大
2
1
0.25
单位
兆赫
t
圣公会
SK高时间
ns
t
SKL
SK低电平时间
ns
t
CS
最低CS低电平时间
ns
t
CSS
CS建立时间
ns
t
DIS
t
CSH
t
DIH
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
相对于SK
相对于SK
相对于SK
ns
ns
ns
t
PD1
输出延迟为“1”
AC测试
ns
t
PD0
输出延迟为“0”
AC测试
ns
t
SV
CS为有效状态
AC测试
ns
t
DF
t
WP
耐力
(1)
CS为高DO
阻抗
写周期时间
5.0V ,25°C
AC测试
CS = V
IL
ns
ms
写周期
注意:
1.此参数的特点,而不是100%测试。
4
AT93C46A
0539K–SEEPR–2/07
AT93C46A
实用
描述
该AT93C46A通过一个简单而通用的三线串行通信访问
界面。设备的操作是由主机发出的7指示控制亲
处理器。
有效的指令开始与CS的上升沿
它由一个起始位(逻辑
“1” ),然后加入相应的操作码和所需的存储器地址位置。
表5 。
指令集为AT93C46A
地址
指令
EWEN
抹去
ERAL
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
00
11
01
00
00
00
x 16
A
5
A
0
11XXXX
A
5
A
0
A
5
A
0
10XXXX
01XXXX
00XXXX
评论
读取存储在内存中的数据,在指定地址
写使能必须在前面所有的编程模式
擦除存储单元中的
n
A
0
写入存储单元中的
n
A
0
删除所有存储位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V
将所有内存位置。只适用于V
CC
= 4.5V至5.5V
禁用所有的程序指令
读(READ ) :
在读( READ )指令包含地址码为MEM-
储器位置被读出。之后的指令和地址译码,从数据
选择存储位置可在串行输出引脚DO 。输出数据的变化
用的串行时钟SK的上升沿同步。但是应当注意的是,一个
虚位(逻辑“0”)之前的16位数据输出字符串。
擦除/写使能( EWEN ) :
为了保证数据的完整性,部分自动进入
进入擦除/写禁止( EWDS )状态时,电源首次应用。擦除/写
使能( EWEN )指令必须先前的任何编程指令被执行
就可以进行。请注意,一旦在EWEN状态,编程遗体
启用直到EWDS指令被执行或V
CC
电源从部分除去。
擦除( ERASE ) :
擦除( ERASE )教学计划中规定的所有位
存储单元中的逻辑“1”状态。自定时擦除周期开始后的
擦除指令和地址进行解码。 DO引脚输出就绪/忙状态
的一部分,如果CS被保持低至少250纳秒(T后拉高
CS
). A
逻辑“1”,在销DO表示选定的存储器位置已被删除并且
一部分是准备执行下一条指令。
WRITE (写) :
写(写)指令包含数据的16位被令状
10到指定的存储单元。自定时编程周期,T
WP
,开始
后数据的最后一位的串行数据输入管脚DI被接收。 DO引脚输出
的一部分,如果CS的准备/繁忙状态而保持低了至少后拉高
250纳秒(T
CS
) 。逻辑“ 0” DO表明编程仍在进行中。逻辑“ 1 ”
表明,在指定的地址的存储单元被写入与
数据模式中包含的指令和部分准备作进一步的说明。
A
如果CS是自我结束后所带来的高准备/繁忙状态无法得到
定时编程周期,T
WP
.
全部清除( ERAL ) :
擦除所有( ERAL )教学计划中的MEM-每一位
储器阵列的逻辑“1”状态,并且主要是用于测试目的。 DO引脚
输出部分,如果CS的准备/繁忙状态被保持在较低的后拉高
最低250纳秒(T
CS
) 。 ERAL指令只适用于V
CC
= 5.0V
±
10%.
全部写入( WRAL ) :
写所有( WRAL )指令程序的所有内存位置
与指令指定的数据模式。 DO引脚输出READY / BUSY
5
0539K–SEEPR–2/07
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