【特点集成了ARM7TDMIARM拇指处理器内核- 高性能32位RISC架构- 高密度的16位指令集-】,IC型号AT91M40400-25AI,AT91M40400-25AI PDF资料,AT91M40400-25AI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

集成了ARM7TDMI

ARM

拇指

处理器内核

- 高性能32位RISC架构

- 高密度的16位指令集

- 领先的MIPS /瓦

- 嵌入式ICE （在线仿真）

4K字节的片内RAM

完全可编程的外部总线接口（ EBI ）

- 对64M字节的最大外部地址空间

- 多达八个芯片选择

- 软件可编程的8位/ 16位外部数据总线

八个级别的优先级，独立可屏蔽的向量中断控制器

- 4个外部中断，包括高优先级的低延时中断请求

32个可编程I / O线

三通道16位定时器/计数器

- 三个外部时钟输入

- 两个多用途I /每通道O引脚

两个USART

- 两个专用外设数据控制器（ PDC ），每个USART通道

可编程看门狗定时器

低功耗待机模式

全静态操作： 0 Hz至33 MHz的

2.7V至3.6V工作电压范围

-40 ° C至85 ° C工作温度范围

采用100引脚TQFP封装

AT91 ARM

拇指

16/32-bit

微控制器

AT91M40400

电气和

机械

特征

描述

该AT91M40400是Atmel公司AT91 16位/ 32位微控制器系列中的一员

这是一款基于ARM7TDMI处理器内核。该处理器具有高性

曼斯32位RISC体系结构具有高密度的16位指令集和非常低的

功耗。此外，大量国内的编组寄存器产生

非常快的异常处理，从而使该器件非常适用于实时控制应用

系统蒸发散。 AT91系列基于ARM的微控制器单元系列还采用了Atmel的高

密度，非易失性存储器技术。片上闪存程序存储器是可以在

系统编程。

该AT91M40400有一个直接连接到片外存储器，包括闪存，

通过外部总线接口（ EBI ）。

该器件采用Atmel的高密度CMOS技术制造。通过的COM

比南的ARM7TDMI处理器内核，片上RAM和广泛的

单片芯片上外设功能，在AT91M40400是一个强大的microcontrol-

LER ，提供了一个灵活的，具有成本效益的解决方案，许多计算密集型的嵌入式

控制应用。

牧师1078C - 12 / 00

1

引脚配置

图1 。

AT91M40400引脚（顶视图）

P21/TXD1/NTRI

P15/RXD0

P20/SCK1

P13/SCK0

P14/TXD0

P6/TCLK2

P3/TCLK1

P8/TIOB2

P7/TIOA2

P11/IRQ2

P10/IRQ1

P12/FIQ

P5/TIOB1

P9/IRQ0

P4/TIOA1

GND

P18

75

74

73

P19

72

71

P17

70

P16

69

68

67

66

65

64

63

62

VDD

61

VDD

60

59

58

57

56

55

54

53

GND

52

P27/NCS3

P26/NCS2

NCS1

NCS0

NWAIT

VDD

NWR0/NWE

NRD / NOE

TCK

TDO

TDI

TMS

GND

P25/MCKO

P24/BMS

P23

MCKI

VDD

NWDOVF

NRST

GND

NWR1/NUB

P22/RXD1

100

99

98

97

96

95

94

93

92

91

90

89

88

87

86

85

84

83

82

81

80

79

78

77

76

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

2

3

4

5

6

7

8

1

9

51

P2/TIOB0

GND

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

P29/A21/CS6

VDD

P30/A22/CS5

P31/A23/CS4

D0

D1

D2

D3

D4

GND

D5

D6

D7

D8

D9

D10

D11

VDD

D12

D13

D14

D15

P0/TCLK0

P1/TIOA0

AT91M40400

100引脚TQFP

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

2

AT91M40400

P28/A20/CS7

A16

GND

A0/NLB

GND

A11

A12

VDD

A10

A13

A14

A15

A17

A18

A19

A5

A6

A1

A2

A3

A4

A7

A8

A9

AT91M40400

表1中。

AT91M40400引脚说明

模块

名字

A0 - A23

D0 - D15

NCS0 - NCS3

CS4 - CS7

NWR0

NWR1

EBI

NRD

NWE

诺埃

NUB

NLB

NWAIT

血粉

FIQ

AIC

IRQ0-IRQ2

TCLK0-TCLK2

定时器

TIOA0-TIOA2

TIOB0-TIOB2

SCK0-SCK1

USART

TXD0-TXD1

RXD0-RXD1

PIO

WD

时钟

MCKO

NRST

RESET

NTRI

TMS

TDI

ICE

TDO

TCK

VDD

动力

GND

地

测试数据输出

测试时钟

动力

产量

输入

–

施密特触发器，内部上拉

三态模式选择

测试模式选择

测试数据输入

输入

低

–

在复位期间采样

施密特触发器，内部上拉

主时钟输出

硬件复位输入

产量

输入

–

低

施密特触发器，内部上拉

P0-P31

NWDOVF

MCKI

外部中断请求

定时器外部时钟

多功能定时器I / O引脚

多功能定时器I / O引脚B

外部串行时钟

发送数据输出

接收数据输入

并行IO线

看门狗溢流

主时钟输入

输入

I / O

产量

输入

I / O

产量

输入

–

低

–

漏极开路

施密特触发器

PIO - 控制复位后

功能

地址总线

数据总线

芯片选择

低字节0写入信号

高字节1写信号

读信号

写使能

OUTPUT ENABLE

高字节选择

低字节选择

等待输入

引导模式选择

快速中断请求

TYPE

产量

I / O

产量

输入

活跃

水平

–

低

高

低

–

在复位期间采样

PIO - 控制复位后

A23 - A20复位后

使用字节写入选项

用于字节选择选项

复位后，所有有效的

3

绝对最大额定值*

工作温度（商业） ........ 0至+70

°

C

工作温度（工业级） .....- 40

°

C至+ 85

°

C

在任何输入引脚电压

相对于地面........................- 0.5V至+ 5.5V

最大工作电压4.6V ................................

直流输出电流.............................................. 2毫安

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该装置的这些功能操作或

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间会影响器件的条件

可靠性。

DC特性

T

A

= -40

°

C至85

°

C，V

DD

= 2.7V至3.6V ，除非另有规定。所有的焊盘承受5V的电压。

表2中。

DC特性

符号

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

I

OH

I

OL

I

泄漏

I

拉

I

帽

I

SC

参数

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

输出源电流

输出灌电流

输入漏电流

输入上拉电流

输入电容的所有引脚

静态电流

V

DD

= 3.6V ， MCKI = 0赫兹

所有的输入驱动，

TMS ， TDI ， TCK ， NRST = 1

30

条件

民

-0.5

0.7 x

V

DD

典型值

最大

0.3× V

DD

V

DD

+ 0.5

或5.5

0.1

单位

V

2

100

mA

nA

A

pF

A

V

DD

= 2.7V至3.6V

V

DD

= 2.7V至3.6V

I

OL

= 0.8毫安，

V

DD

= 3.0V

I

OH

= 0.8毫安，

V

DD

= 3.0V

V

DD

- 0.1

V

DD

= 3.0V, V

OH

= 2.4V

V

DD

= 3.0V, V

OL

= 0.4V

V

DD

= 3.3V, V

IN

= 0

-400

-80

12

4

AT91M40400

AT91M40400

电源电流

下面的表显示了测量peformed在典型条件下的结果（Ⅴ

DD

= 3.3V和T

A

= 25

°

C).

表3中。

耗电量

模式

RESET

正常

空闲

条件

NRST = 0

取在内部SRAM

–

典型值

1.08

1.42

0.63

单位

毫瓦/兆赫

条件

环境约束

输出延迟是有效的50 pF的电容性负载，如图2 。

图2中。

输出/双向垫容性负载

CL = 50 pF的

PAD

时序结果

输出延迟是为50 pF的电容性负载，如图2所示。

为了获得对其它电容值的定时，用下面的公式中：

t

=

t

数据表

+

""factor

× (

C

负载

–

50 pF的

)

表4 。

降额因子由于容性负载的变化

参数

因素

0.052

产业

0.058

单位

NS / PF

5