特点
集成了ARM7TDMI
ARM
拇指
处理器内核
- 高性能32位RISC架构
- 高密度的16位指令集
- 领先的MIPS /瓦
- 嵌入式ICE (在线仿真)
256K字节的片上SRAM
- 32位数据总线,单时钟周期访问
1024K字的16位闪存( 2M字节)
- 单电压读/写,
扇区擦除架构
- 擦除挂起功能
低功耗运行
- 数据查询,触发位和程序循环检测就绪/忙结束
- 复位输入的设备初始化
- 部门方案解锁指令
128位保护寄存器
- 工厂编程AT91闪存上传软件
完全可编程的外部总线接口( EBI )
- 最多8个片选,最大外部地址的64M字节空间
- 软件可编程的8位/ 16位外部数据总线
8个优先级,独立可屏蔽的向量中断控制器
- 4个外部中断,包括高优先级的低延时中断请求
32个可编程I / O线
3通道16位定时器/计数器
- 3个外部时钟输入,2个多用途I /每通道O引脚
2个USART
- 2专用外设数据控制器( PDC ),每个USART通道
可编程看门狗定时器
先进的省电功能
- CPU和外设可德激活独立
全静态操作:
- 0 Hz至75 MHz的内部频率范围在VDDCORE = 1.8V , 85°C
2.7V到3.6VI / O操作范围, 1.65V至1.95V的核心工作范围
-40 ° C至85° C的温度范围内
可在121球10 ×10× 1.2毫米BGA封装与0.8毫米球间距
AT91 ARM
拇指
微控制器
AT91FR40162S
摘要
初步
1.描述
该AT91FR40162S是Atmel公司AT91 16位/ 32位微控制器系列中的一员,
这是一款基于ARM7TDMI处理器内核。该处理器具有高性
曼斯32位RISC体系结构具有高密度的16位指令集和非常低的
功耗。
该AT91FR40162S ARM微控制器具有2 Mbits的片上SRAM和2
闪存在一个紧凑的121球BGA封装字节。其高的水平
整合和非常小的足迹使该器件非常适用于空间受限的应用程序
阳离子。高速片上SRAM可以为多达74精神上无行为能力的表现
有显著降低功耗和提高EMC在一个典型的条件
外部SRAM实现。
Flash存储器可以通过JTAG / ICE接口或出厂编程
使用一个单一的设备供应,使得编程闪存上传( FMU )的
AT91FR40162S适合在系统可编程的应用程序。
6174AS–ATARM–25-May-05
2.引脚配置
图2-1 。
AT91FR40162S引脚的121球BGA封装(顶视图)
A1角
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
P21/TXD1
NTRI
P22
RXD1
P19
P16
P15
RXD0
GND
P11
P8
VDDCORE
IRQ2
TIOB2
P10
IRQ1
P9
IRQ0
P7
TIOA2
P3
TCLK1
P6
TCLK2
P4
TIOA1
GND
P2
TIOB0
B
P20
SCK1
P18
P17
P12
FIQ
nBusy
VDDIO
GND
P1
TIOA0
C
VDDIO
GND
NUB
NWR1
P14
TXD0
P13
SCK0
P5
TIOB1
A16
D15
P0
TCLK0
D
P23
MCKI
NRST
VPP
NRSTF
A14
A15
D12
D14
VDDIO
E
P24
血粉
P25
NWDOVF
MCK0
A3
A8
D11
D10
D13
NC
NC
D3
F
GND
TMS
GND
TCK
诺埃
NRD
D9
A11
D7
D8
NC
NC
G
TDO
NWE
NWR0
A2
TDI
NCS0
D2
D5
D4
D6
GND
NC
H
P26
VDDCORE VDDIO
NCS2
NC
NCSF
NC
D0
D1
P31/A23
CS4
NC
NC
J
NWAIT
GND
P27
NCS3
A5
NC
VDDIO
GND
GND
A19
P30/A22
VDDIO
CS5
K
NCS1
NLB
A0
GND
A7
VDDIO
A10
A13
GND
A17
P29/A21
VDDCORE
CS6
L
GND
A1
A4
A6
VDDIO
A9
A12
GND
VDDIO
A18
A20
2
AT91FR40162S
6174AS–ATARM–25-May-05