特点
16兆位的SRAM多芯片模块
允许32位，16位或8位访问配置
工作电压： 3.3V
+
0.3V
存取时间
- 为20 ns ， 18 ns的为AT68166F
- <18 NS的AT68166G （开发中的原型在2007年第四季度）
耗电量
- 活动： 620毫瓦每字节（最大） @ 18ns - 415毫瓦每字节（最大）为50ns
(1)
- 待机： 13毫瓦（典型值）
军用温度范围： -55 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
死在爱特梅尔0.25微米抗辐射工艺制造
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
ESD优于4000V
质量等级：
- QML -Q或V带SMD 5962-06229
- ESCC
950密耳宽MQFP 68包
质量： 8.5克
1.仅适用于AT68166F - 18 。为450mW的AT68166F - 20 。
抗辐射
16兆位
3.3V
SRAM多
芯片模块
AT68166F
AT68166G
注意：
描述
该AT68166F / G是16Mbit的SRAM封装在一个密闭的多芯片模块
（ MCM ）的空间应用。
该AT68166F / G MCM包括四个4Mbit的SRAM AT60142FT骰子。它可以是
组织为512Kx8的任何一家银行， 512Kx16的两家银行或四银行
512Kx8 。它结合抗辐射的能力，对80MeV.cm / mg的闩锁阈值，一个
多有点不高兴免疫力和300Krads的总剂量耐受性，具有快速访问
时间。
MCM的封装技术允许减少PCB面积的50％以
节省75 ％的重量比4的4Mbit包。
多亏了4Mbit的SRAM芯片的尺寸小， Atmel公司已经能够accommo-
到目前为止，四个骰子的组装上的便利包装的一侧
功耗。
与其它产品的兼容性使设计人员能够轻松地移植到爱特梅尔
AT68166F / G的内存。
该AT68166F / G上电在3.3V 。
该AT68166F / G是根据最新修订的测试方法进行处理
在MIL -PRF- 38535或ESCC 9000 。
7747A–AERO–07/07
框图
图1 。
AT68166F / G结构图
CS3
WE3
CS2
WE2
CS1
WE1
CS0
WE0
A[18:0]
OE
BANK3
512K ×8
BANK2
512K ×8
BANK1
512K ×8
BANK0
512K ×8
I / O [ 31:24]
or
I / O2 [ 31:16 ]
or
I / O3 [7：0 ]
I / O [ 23:16]
or
的I / O 2 [15：0 ]
or
的I / O 2 [7：0 ]
I / O [ 15 ： 8 ]
or
I / O1 [ 31:16 ]
or
I / O1 [7：0 ]
I / O [ 7 ： 0 ]
or
I / O1 [15：0 ]
or
I / O [ 7 ： 0 ]
图2中。
512K ×8银行框图（ AT60142F / G）
A
0
-
-
-
A
10
I /牛
0
I /牛
7
CSX
WEX
OE
套餐
AT68166F和AT68166G装在MQFP68 。
存取时间
20纳秒
AT68166F
AT68166G
YM
18纳秒
YS
YS
<18 NS
引脚分配取决于访问时间。有2个版本：
–
–
YM包，其中3引脚没有连接。
YS包，其中上述引脚3连接到GND或V
CC
.
2
AT68166F/G
7747A–AERO–07/07
AT68166F/G
引脚说明
表2中。
引脚名称
名字
A0 - A18
I / O0 - I / O31
CS0 - CS3
WE0 - WE3
OE
VCC
GND
(1)
注意：
1.封装盖被连接到GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
表3中。
真值表
(1)
CSX
H
L
L
L
注意：
WEX
X
H
L
H
OE
X
L
X
H
输入/输出
Z
数据输出
DATA IN
Z
模式
待机
读
写
输出禁用
1， L =低， H =高， X = H或L，L =高阻态。
5
7747A–AERO–07/07
QQ：2881677436 复制
