【ANSALDO安萨尔多TRASPORTI股份公司盟“ Semiconduttori通过N.洛伦8 -】,IC型号AT636S18,AT636S18 PDF资料,AT636S18经销商,ic,电子元器件-51电子网

ANSALDO

安萨尔多TRASPORTI股份公司

盟“ Semiconduttori

通过N.洛伦8 - 我16152 GENOVA - 意大利

电话： int类型。 + 39 / （0） 10 6556549 - （ 0）10 6556488

传真诠释。 + 39 / （0） 10 6442510

TX 270318 ANSUSE我 -

相位控制晶闸管

AT636

重复电压可达

意思是通态电流

浪涌电流

1800

1965

最终的特定网络阳离子

二月97 - 问题： 03

符号

特征

条件

[°C]

125

价值

单位

闭塞

RRM

RSM

DRM

RRM

DRM

反向重复峰值电压

非重复性峰值反向电压

重复峰值断态电压

反向重复峰值电流

重复峰值断态电流

V = VRRM

V = VDRM

1800

1900

1800

125

导

T（ AV ）

TSM

意思是通态电流

浪涌通态电流

I吨

通态电压

阈值电压

通态斜率电阻

180 °罪， 50赫兹， TH = 55 ° C，双面冷却

180 °罪， 50赫兹， TC = 85°C ，双面冷却

正弦波， 10毫秒

无反向电压

通态电流=

2900 A

125

1965

1695

6480 x1E3

1.4

0.82

0.180

毫欧

I吨

T（ TO ）

开关

的di / dt

dv / dt的

Q RR

I RR

的通态电流，最小临界上升率。

断态电压，最小的临界上升率。

门控延迟时间，典型的

整流电路关断时间，典型的

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

保持电流，典型

擎住电流，典型

从75％ VDRM高达2200 A ，门10V 5欧姆

线性斜坡上升至VDRM的70％

VD = 100V ，栅源25V ， 10欧姆， TR = 0.5微秒

的dV / dt = 20伏/微秒的线性高达75％ VDRM

的di / dt = -20 A / μs的， I = 1430

VR = 50 V

VD = 5V ，门开路

VD = 5V ， TP =为30μs

125

200

500

250

A / μs的

V / μs的

300

700

门

FGM

RGM

门极触发电压

门极触发电流

非触发栅极电压，最小值。

峰值栅极电压（正向）

栅极峰值电流

峰值栅极电压（反向）

栅极峰值功耗

平均门功耗

VD=5V

VD = VDRM

125

3.5

300

0.25

脉冲宽度为100μs

150

MOUNTING

号（j -h）中

个（ C-H）

热阻抗， DC

热阻抗

工作结温

安装力

块

订购信息： AT636 S18中

标准规格

结到散热片，双面冷却

案件散热器，双面冷却

-30 / 125

22.0 / 24.5

520

C /千瓦

°C

VDRM&VRRM/100

AT636相位控制晶闸管

最终的特定网络阳离子

二月97 - 问题： 03

ANSALDO

分散特性

方波

第[° C]

130

120

110

100

30°

500

1000

1500

F（ AV ）

[A]

2000

2500

3000

60°

90°

120°

180°

F（ AV ）

[W]

3500

3000

2500

2000

30°

60°

120°

90°

180°

1500

1000

500

1000

1500

F（ AV ）

[A]

2000

2500

3000

AT636相位控制晶闸管

最终的特定网络阳离子

二月97 - 问题： 03

ANSALDO

分散特性

正弦波

第[° C]

130

120

110

100

500

1000

1500

F（ AV ）

[A]

2000

2500

3000

30°

60°

90°

120°

180°

F（ AV ）

[W]

3500

180°

3000

90°

120°

2500

60°

2000

1500

1000

500

30°

1000

1500

F（ AV ）

[A]

2000

2500

3000

AT636相位控制晶闸管

最终的特定网络阳离子

二月97 - 问题： 03

ANSALDO

通态特性

TJ = 125°C

6000

通态电流[ A]

4000

3000

ITSM 【嘉]

1000

0.6

1.1

1.6

导通状态电压[ V]

浪涌特性

TJ = 125°C

5000

2000

N°循环

100

瞬态热阻抗

双侧冷却

25.0

20.0

第i个J- H [ ℃/ KW]

15.0

10.0

5.0

0.0

0.001

0.01

0.1

T [ S]

100

阴极端子型DIN 46244 - 4.8 - 0.8

栅极端子类型AMP 60598 - 1

分布式

所有在本数据手册中给出的特性，才能保证均匀

锁模力，清洁和润滑散热片，表面平整度与0.03 <

毫米和粗糙度< 2微米。

在产品的改进而ANSALDO保留更改的权利

在不事先通知的任何时间本数据手册中给出任何数据。

如果没有说明，否则收视率的最大值（ simbols了阴影

背景）和特色报道。

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一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

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全新进口现货库存欢迎咨询洽谈

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全新原装现货原盒原标实拍型号齐全欢迎询价

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