特点
组织为2M ×8位
单3.3V电源
16 SRAM 128K X 865609E芯片堆叠
访问时间： 40 ns的
非常低的功耗
- 活动： 100毫瓦（典型值）
- 待机： 1毫瓦（典型值）
TTL兼容的输入和输出
模具设计的0.35微米工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/ cm的LET阈值
2
经测试可达总剂量为200 krads （SI ），符合MIL STD 883方法1019
宽温度范围55 ° C至+ 125°C
建成并通过3D +测试，使用3D +芯片堆叠技术
描述
该AT61162E是一个RAD容错模块，高集成度和低功耗
CMOS静态RAM组织为2M ×8位。这是有组织有1兆16家银行。
每个存储体具有一个8位的接口，并选择具有16个特定的CS： 0 - 15.银行是
通过对8个特定的BS可选： 0 - 7 。
该模块采用了3D +体技术的全部优点，而且组装和
通过3D +测试，采用Atmel 65609E 1兆位的SRAM芯片：它是建立与8层，每一个
房屋2死。 10 nF的去耦电容嵌入每个内存芯片。
该模块带来了解决方案，应用快速计算是强制性
低功耗，例如：空间电子，便携式仪器，或
展开系统。
AT61162E是根据MIL的最新版本的处理方法
PRF 38535 ， QML N（ QML Q对应的塑料） 。
该软件包是一个64鸥翼引脚双列直插式11毫米宽28毫米长， 14.3毫米
高度和0.8毫米针的间距。
抗辐射
2兆位×8
SRAM立方
AT61162E
初步
牧师4157D - AERO - 6月4日
1
AT61162E
电气特性
绝对最大额定值*
电源电压GND电位............................ 0.5 + 5V
直流输入电压GND ........................... GND -0.3到V
CC
0.3V
直流输出电压高阻抗态GND ... GND -0.3到V
CC
+0.3V
存储温度......................................... -65到+ 150°C
输出电流为输出（低） ................................. 20毫安
电静放电电压
（ MIL STD 883D方法3015.3 ） ................................. >1500V
*注意：
强调超越那些在"Absolute马克西上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值仅为运行
该器件在这些或任何其他条件ATION
超出的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
工作范围
工作温度
军事
-55 ° C至125°C
工作电压
3.3V ± 0.3V
建议的直流
工作条件
参数
描述
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
民
3
0
2.2
GND-0.3
典型值
3.3
0
-
0.0
最大
3.6
0
单位
V
V
V
V
V
CC
GND
V
IH
V
IL
V
CC
+0.3
0.8
电容
参数
C
IN(1)
C
出（ 1 ）
描述
输入低电压
输出高电压
民
-
-
典型值
-
-
最大
8
8
单位
pF
pF
注意：
1.保证，但未经测试。
4
4157D–AERO–06/04
DC参数
参数
I
IX
(1)
描述
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
民
-16
-16
-
2.4
典型值
-
-
-
-
最大
16
16
0.4
-
单位
A
A
V
V
I
OZ （1）
V
OL （2）
V
OH （3）
1.
2.
3.
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
， GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
输出禁用。
V
CC
分钟。 IOL = 1毫安。
V
CC
分钟。 IOH = -0.5毫安。
消费
符号
ICCSB
ICCSB
1
ICCOP
(1)
描述
待机电源电流
待机电源电流
动态工作电流
61162E-35
40
32
90
单位
mA
mA
mA
价值
最大
最大
最大
(2)
(3)
1.
2.
3.
CS
0.0
- CS
7.1
＆ GT ; V
IH
或BS
0
- BS7 < V
IL
和CS
0.0
- CS
7.1
＆ LT ; V
IL
.
CS
0.0
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或BS
0
- BS7 < GND + 0.3V和CS
0.0
- CS
7.1
＆ LT ; 0.2V
一个活跃的银行（F = 1 / T
AVAV
, I
OUT
= 0 mA时， W = OE = V
IH
, V
IN
= GND / V
CC
, V
CC
最大） ，其他银行支持TTL （注1 ）或CMOS
（注2 ） 。
5
AT61162E
4157D–AERO–06/04
特点
组织为2M ×8位
单3.3V电源
16 SRAM 128K X AT65609E栈模具
访问时间： 40纳秒读取， 35纳秒写入
非常低的功耗
- 活动： 130毫瓦（典型值）
- 待机： 1毫瓦（典型值）
TTL兼容的输入和输出
模具设计的0.35微米工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/ cm的LET阈值
2
经测试可达总剂量为200 krads （SI ），符合MIL STD 883方法1019
宽温度范围-55℃到+ 125℃
内置了3D +公司，使用3D +芯片堆叠技术，并通过爱特梅尔测试
描述
该AT61162E是抗辐射的模块，高集成度和低功耗CMOS
静态RAM组织为2M ×8位。这是有组织有1兆16家银行。每
银行有一个8位的接口，并选择具有16个特定的CS： 0 - 15.银行是
通过对8个特定的BS可选： 0 - 7 。
该模块采用了3D +体技术的全部优点，而且它是由3D +组装
而由Atmel测试，采用Atmel 65609E 1兆位的SRAM芯片：它是建立与8层，
每一个房屋2模具。 10 nF的去耦电容嵌入每个MEM-
储器芯片。
该模块带来了解决方案，应用快速计算是强制性
低功耗，例如：空间电子，便携式仪器，或
展开系统。
AT61162E是根据MIL的最新版本的处理方法
PRF 38535 ， QML N（ QML Q对应的塑料） 。
该软件包是一个64鸥翼引脚双列直插式11毫米宽28毫米长， 14.3毫米
高度和0.8毫米针的间距。
抗辐射
2兆位×8
SRAM立方
AT61162E
4157E–AERO–07/05
电气特性
绝对最大额定值*
电源电压GND电位............................ 0.5 + 5V
直流输入电压GND ........................... GND -0.3到V
CC
0.3V
直流输出电压高阻抗态GND ... GND -0.3到V
CC
+0.3V
存储温度......................................... -65到+ 150°C
输出电流为输出（低） ................................. 20毫安
电静放电电压
（ MIL STD 883D方法3015.3 ） ................................. >1000V
*注意：
强调超越那些在"Absolute马克西上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值仅为运行
该器件在这些或任何其他条件ATION
超出的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
工作范围
工作温度
军事
-55 ° C至125°C
工作电压
3.3V ± 0.3V
建议的直流
操作
条件
参数
描述
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
民
3
0
2.2
GND-0.3
典型值
3.3
0
-
0.0
最大
3.6
0
单位
V
V
V
V
V
CC
GND
V
IH
V
IL
V
CC
+0.3
0.8
4
AT61162E
4157E–AERO–07/05
AT61162E
DC参数
参数
I
IX
(1)
描述
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
民
-10
-10
-
2.4
典型值
-
-
-
-
最大
10
10
0.4
-
单位
A
A
V
V
I
OZ （1）
V
OL （2）
V
OH （3）
1.
2.
3.
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
， GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
输出禁用。
V
CC
分钟。 IOL = 4毫安。
V
CC
分钟。 IOH = -2 mA的电流。
消费
符号
ICCSB
ICCSB
1
ICCOP
(1)
描述
待机电源电流
待机电源电流
动态工作电流
61162E
24
16
60
单位
mA
mA
mA
价值
最大
最大
最大
(2)
(3)
1.
2.
3.
CS
0.0
- CS
7.1
＆ GT ; V
IH
或BS
0
- BS7 < V
IL
和CS
0.0
- CS
7.1
＆ LT ; V
IL
.
CS
0.0
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或BS
0
- BS7 < GND + 0.3V和CS
0.0
- CS
7.1
＆ LT ; 0.2V
一个活跃的银行（F = 1 / T
AVAV
, I
OUT
= 0 mA时， W = OE = V
IH
, V
IN
= GND / V
CC
, V
CC
最大） ，其他银行支持TTL （注1 ）或CMOS
（注2 ） 。
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4157E–AERO–07/05
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