特点
工作电压： 3.3V ， 5V宽容
访问时间：
= 17 ns的
- 15纳秒
非常低的功耗
- 活动： 610毫瓦（最大） @ 17纳秒
(1)
， 540毫瓦（最大） @ 25纳秒
- 待机： 3.3毫瓦（典型值）
宽温度范围： -55 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.25微米抗辐射工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
500密耳宽FP36包
ESD大于2000V更好
质量等级： ESCC与9301/052 ， QML -Q或V带SMD 5962-05208
1. 650万千瓦（最大） @ 15纳秒
注意：
描述
该AT60142FT是组织为512K x 8位非常低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案，应用快速计算是强制性低
消费，如航天电子，便携式仪器，或者开始
系统。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述AT60142FT结合了
极低的待机电流（典型值= 1 mA），其中以快速的存取时间
15 ns的整个军用温度范围内。在6T单元的高稳定性提供了
出色的防噪声引起的软错误。
该AT60142FT根据的最新版本的处理方法
MIL PRF 38535或ESCC 9000 。
其上产生一个辐射硬化为0.25μm的CMOS工艺。
抗辐射
512K ×8
5V容限
极低的功耗
CMOS SRAM
AT60142FT
修订版7726A - AERO - 7月7日
1
引脚说明
表1中。
引脚名称
名字
A0 - A18
I / O1 - I / O8
CS
WE
OE
VCC
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
表2中。
真值表
(1)
CS
H
L
L
L
注意：
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
H
输入/输出
Z
数据输出
DATA IN
Z
模式
取消/
掉电
读
写
输出禁用
1， L =低， H =高， X = L或H， Z =高阻抗。
3
AT60142FT
7726A–AERO–07/07
AT60142FT
电气特性
绝对最大额定值*
电源电压GND电位： .........................- 0.5V + 4.6V
直流输入电压： ........................................... GND -0.5 V到7V
直流输出电压高Z状态： ................ GND -0.5V至4.6V
存储温度： ................................... -65C至+ 150C
输出电流转换成输出（低） ： ............................... 20毫安
电静放电电压： ..... ......... > 2000V （ MIL STD
883D方法3015.3 ）
*注意：
强调超越那些在"Absolute马克西上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值仅为运行
该器件在这些或任何其他条件ATION
超出的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
军事工作范围
工作电压
军事
3.3
+
0.3V
工作温度
-55 ° C至+ 125°C
建议的直流工作条件
参数
VCC
GND
V
IL
V
IH
注意：
描述
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
民
3
0.0
GND - 0.3
2.2
典型值
3.3
0.0
0.0
–
最大
3.6
0.0
0.8
5.5
(1)
单位
V
V
V
V
1. 5.8V瞬态工况。
电容
参数
C
in(1)
C
out(1)
注意：
描述
输入电容
输出电容
民
–
–
典型值
–
–
最大
12
12
单位
pF
pF
1.保证，但未经测试。
4
7726A–AERO–07/07
特点
工作电压： 3.3V ， 5V宽容
访问时间：
= 17 ns的
- 15纳秒
非常低的功耗
- 活动： 610毫瓦（最大） @ 17纳秒
(1)
， 540毫瓦（最大） @ 25纳秒
- 待机： 3.3毫瓦（典型值）
宽温度范围： -55 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.25微米抗辐射工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
500密耳宽FP36包
ESD大于2000V更好
质量等级： ESCC与9301/052 ， QML -Q或V带SMD 5962-05208
1. 650万千瓦（最大） @ 15纳秒
注意：
描述
该AT60142FT是组织为512K x 8位非常低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案，应用快速计算是强制性低
消费，如航天电子，便携式仪器，或者开始
系统。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述AT60142FT结合了
极低的待机电流（典型值= 1 mA），其中以快速的存取时间
15 ns的整个军用温度范围内。在6T单元的高稳定性提供了
出色的防噪声引起的软错误。
该AT60142FT根据的最新版本的处理方法
MIL PRF 38535或ESCC 9000 。
其上产生一个辐射硬化为0.25μm的CMOS工艺。
抗辐射
512K ×8
5V容限
极低的功耗
CMOS SRAM
AT60142FT
牧师7726B - AERO - 4月9日
1
引脚说明
表1中。
引脚名称
名字
A0 - A18
I / O1 - I / O8
CS
WE
OE
VCC
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
表2中。
真值表
(1)
CS
H
L
L
L
注意：
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
H
输入/输出
Z
数据输出
DATA IN
Z
模式
取消/
掉电
读
写
输出禁用
1， L =低， H =高， X = L或H， Z =高阻抗。
3
AT60142FT
7726B–AERO–04/09
AT60142FT
电气特性
绝对最大额定值*
电源电压GND电位： ....................... -0.5V + 4.6V
电压范围上的任何输入： ...................... GND -0.5V至7.0V
电压范围内的任何输出中： ..................... GND -0.5V至4.6V
存储温度： ............... -65° C至+ 150°C
输出电流从输出引脚： ................................ 20毫安
电静放电电压： ............................ > 2000V
（ MIL STD 883D方法3015.3 ）
*注意：
强调超越那些"Abso-下上市
琵琶最大值“，可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个应力
值仅为的功能操作
设备在这些或任何其他条件
超越那些在操作说明
本规范的部分将得不到保证。
推荐的DC之间的接触
操作和绝对最大额定值
长时间条件下可能
影响器件的可靠性。
军事工作范围
工作电压
军事
3.3
+
0.3V
工作温度
-55 ° C至+ 125°C
建议的直流工作条件
参数
VCC
GND
V
IL
V
IH
注意：
描述
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
民
3
0.0
GND - 0.3
2.2
典型值
3.3
0.0
0.0
–
最大
3.6
0.0
0.8
5.5
(1)
单位
V
V
V
V
1. 5.8V瞬态工况。
电容
参数
C
in(1)
C
out(1)
注意：
描述
输入电容
输出电容
民
–
–
典型值
–
–
最大
12
12
单位
pF
pF
1.保证，但未经测试。
4
7726B–AERO–04/09
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