特点
智能卡接口
- 与标准的兼容性
ISO / IEC 7816-1 ，2，3和4
EMV 2000
- CB
Mondex电子钱
，质子， ZKA ，其他：联系金普斯
- 支持的智能卡
智能卡支持的数量： 1
异步卡： T = 0和T = 1
同步/存储卡使用命令解释器
EMV和非EMV卡
电气接口
传输速率： 9.6 Kbps到115 Kbps的
卡电源： 1.8V / 3V / 5V
ESD保护卡销： 4 KV - 人体模型
卡存在或插入检测
- 短路电流限制
主机接口
- 物理层
串行异步链路
可编程的传输速度从1200 bps到115200
格式： 8位，无奇偶校验， 1个停止位
可调电压信号
- 协议
金普斯块协议（ GBP ）
英镑界面库套件源代码
芯片电源
- 电压： V
CC
- 2.85V至5.4V
- 消费：8 mA典型150 mA最大 - 智能卡供电
·掉电模式
100 μA最大掉电电流
掉电/上电由host命令
附加功能
- 工作温度范围： 0 °至+ 70° （ -40 ° + 85 °
C
C
C
C)
- 包装： SS0P24 ， QFN32
- LED管理：指示灯亮时卡上电
的GemCore系列
精简版PRO
AT83C21GC
摘要
描述
AT83C21GC旨在简化在elec-智能卡接口的集成
TRONIC装置。
它管理的电气接口，并与ISO 7816的通信-1/2/3/4的COM
兼容智能卡和存储卡。
图1 。
一个智能卡读卡器的基本架构
主持人
处理器
AT83C21GC
智能卡
智能卡
连接器
4247DS–SCR–03/07
这是一个总结性文件。一个完整的文档
可在Gemplus公司的网站。 www.gemplus.com
与主处理器的连接是通过一个串行异步链路实现;能率
从一个范围内选择1200至115200 。
所述的GemCore芯片内的软件处理与主机系统的通信协议
所谓的金普斯块协议（ GBP ） 。
一套完整的文档可在Gemplus公司网站：
http://www.gemplus.com 。
英镑的界面库套件可提供根据请求。它包含的源代码
主机和的GemCore之间英镑的通信层。它是用C语言。看
金普斯开发者的网站www.gemplus.com 。如有查询，也可以发布到
cardreader@atmel.com 。
为设备上的一般信息，请参阅AT83C5121数据表可
爱特梅尔网站， www.atmel.com 。
2
AT83C21GC
4247DS–SCR–03/07
AT83C21GC
表1中。
端口信号说明（续）
国内
PORT
P1.3
信号
名字
CC4
动力
供应
CV
CC
ESD
4千伏
TYPE
I / O
描述
智能卡接口功能
卡接触4 - 拉介质必须小于20KΩ
智能卡接口功能
卡时钟
智能卡接口功能
卡复位 - 拉中必须小于20KΩ
UART功能
接收数据输入
UART功能
发送数据的输出。
输入/输出功能
P3.2是一个双向I / O和内部上拉端口。
输入/输出功能
P3.3是一个双向I / O和内部上拉端口。
输入/输出功能
P3.4是一个双向I / O和内部上拉端口。
备用卡功能
卡I / O ：拉中必须小于20K
LED功能
P3.6
CCLK1
DV
CC
O
这些引脚可以直接连接到标准的阴极不带LED
外部限流电阻。每个输出的典型电流可
通过软件编程以2,4或10毫安（ LEDCON寄存器）。
输入/输出功能
P3.7是一个双向I / O和内部上拉端口。
复位输入
持该引脚为低64个振荡周期，而oscillatoris运行重置
装置。端口引脚被驱动到它们的复位状态时比V的电压低
IL
被应用，是否振荡器运行。该引脚具有内部上拉
电阻器，其允许装置通过该引脚之间连接一电容器来复位
和VSS 。断言RST当芯片处于空闲模式或掉电模式返回
在芯片正常操作。至少12个振荡周期时，输出有效
内部复位。
XTAL1
V
CC
I
输入到芯片上振荡器反相放大器
要使用内部振荡器，晶体/谐振电路连接
此引脚。如果外部振荡器，其输出端连接到该引脚。
XTAL2
V
CC
O
的片上振荡器反相放大器的输出端
要使用内部振荡器，晶体/谐振电路连接
此引脚。如果使用外部振荡器， XTAL2可悬空。
V
CC
PWR
电源电压
V
CC
用于电源内部电压调节器和内部I / O的。
LI
PWR
直流/直流输入
李必须连接到V
CC
通过外部线圈（通常4,7
H)
并提供
当前用于泵充电的DC / DC转换器的。
P1.4
CCLK
CV
CC
4千伏
O
P1.5
CRST
CV
CC
4千伏
O
P3.0
RXD
EV
CC
I
P3.1
TXD
EV
CC
O
P3.2
INT0
DV
CC
I / O
P3.3
INT1
EV
CC
I / O
P3.4
EV
CC
I / O
P3.5
CIO1
DV
CC
I / O
P3.7
RST
CRST1
DV
CC
V
CC
I / O
I / O
5
4247DS–SCR–03/07
特点
工作电压： 3.3V
访问时间：
- 15纳秒（ AT60142F ）
非常低的功耗
- 活动： 650毫瓦（最大） @ 15纳秒， 540毫瓦（最大） @ 25纳秒
- 待机： 3.3毫瓦（典型值）
宽温度范围： -55 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.25微米抗辐射工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
500密耳宽FP36包
ESD优于4000V
质量等级： ESCC与9301/052 ， QML -Q或V带SMD 5962-05208
描述
该AT60142F是组织为524 288 ×8位的一个非常低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案，应用快速计算是强制性低
消费，如航天电子，便携式仪器，或者开始
系统。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述AT60142F结合了
极低的待机电流（典型值= 1 mA），其中以快速的存取时间
15纳秒或更好的在整个军用温度范围内。在6T单元的高稳定性
提供出色的保护，防止由于噪声软错误。
该AT60142F是根据MIL的最新版本的处理方法
PRF 38535或ESCC 9000 。
其上产生一个辐射硬化为0.25μm的CMOS工艺。
抗辐射
512K ×8
极低的功耗
CMOS SRAM
AT60142F
牧师4408G - AERO - 4月9日
1
引脚说明
表1中。
引脚名称
名字
A0 - A18
I / O1 - I / O8
CS
WE
OE
VCC
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
表2中。
真值表
(1)
CS
H
L
L
L
注意：
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
H
输入/输出
Z
数据输出
DATA IN
Z
模式
取消/
掉电
读
写
输出禁用
1， L =低， H =高， X = L或H， Z =高阻抗。
3
AT60142F
4408G–AERO–04/09
AT60142F
电气特性
绝对最大额定值*
电源电压GND电位： ....................... -0.5V + 4.6V
电压范围上的任何输入： ...................... GND -0.5V至4.6V
电压范围内的任何输出中： ..................... GND -0.5V至4.6V
存储温度： ................................... -65C至+ 150C
输出电流从输出引脚： ................................ 20毫安
静电放电电压： ............................... > 4000V
（ MIL STD 883D方法3015.3 ）
*注意：
强调超越那些"Abso-下上市
琵琶最大值“，可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个应力
值仅为的功能操作
设备在这些或任何其他条件
超越那些在操作说明
本规范的部分将得不到保证。
推荐的DC之间的接触
操作和绝对最大额定值
长时间条件下可能
影响器件的可靠性。
军事工作范围
工作电压
军事
3.3
+
0.3V
工作温度
-55 ° C至+ 125°C
建议的直流工作条件
参数
VCC
GND
V
IL
V
IH
描述
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
民
3
0.0
GND - 0.3
2.2
典型值
3.3
0.0
0.0
–
最大
3.6
0.0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
电容
参数
C
in(1)
C
out(1)
注意：
描述
输入电容
输出电容
民
–
–
典型值
–
–
最大
12
12
单位
pF
pF
1.保证，但未经测试。
4
4408G–AERO–04/09
QQ：2881677436 复制
