特点
工作电压： 3.3V
访问时间：
- 15纳秒（预览版）为仅3.3V偏置（ AT60142E ）
- 17 ns到20 ns的为5V容限（ AT60142ET ）
非常低的功耗
- 活动： 810毫瓦（最大） @ 15纳秒
- 待机： 215 μW （典型值）
宽温度范围： -55 + 125°C
500密耳宽套餐
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.25微米工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
500密耳宽FP36包
ESD优于4000V
抗辐射
512K ×8
极低的功耗
CMOS SRAM
AT60142E
AT60142ET
描述
该AT60142E / ET是非常低的功耗CMOS静态RAM组织为524 288 ×8
位。
爱特梅尔公司带来了解决方案，应用快速计算是强制性低
消费，如航天电子，便携式仪器，或者开始
系统。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述AT60142E / ET结合的
极低的待机电流（典型值= 65
A)
具有快速的存取时间
在15 ns的整个军用温度范围内。在6T细胞亲的高稳定性
国际志愿组织良好的抗噪声引起的软错误。
电子版的偏置电压为3.3 V ，而不是承受5V的电压：它是提供给15
(1)
和20纳秒
特定连接的阳离子。
在ET
(1)
版本是一个变种，允许5V容限：它是在17 ns到20可用
NS规范。
该AT60142E / ET根据最新修订的处理方法
在MIL PRF 38535或ESA SCC 9000 。
其上产生一个辐射硬化为0.25μm的CMOS工艺。
注意：
1.预备：联络厂方。
牧师4156F - AERO - 6月4日
1
引脚说明
表1中。
引脚名称
名字
A0 - A18
I / O1 - I / O8
CS
WE
OE
VCC
VREF
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
内部基准电压输出
地
表2中。
真值表
(1)
CS
H
L
L
L
注意：
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
H
输入/输出
Z
数据输出
DATA IN
Z
模式
取消/
掉电
读
写
输出禁用
1， L =低， H =高， X = H或H， Z =高阻抗。
3
AT60142E/ET
4156F–AERO–06/04
电气特性
绝对最大额定值*
电源电压GND电位： ......................... -0.5V + 4.6V
直流输入电压： ..................................... GND -0.5V至4.6V
(1)
直流输出电压高Z状态： ................ GND -0.5V至4.6V
存储温度： ................................... -65C至+ 150C
输出电流转换成输出（低） ： ............................... 20毫安
电静放电电压： .... > 4001V （ MIL STD 883D
方法3015.3 ）
注意：
1. 7V的ET版本。
*注意：
强调超越那些在"Absolute马克西上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值仅为运行
该器件在这些或任何其他条件ATION
超出的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
军事工作范围
工作电压
军事
3.3
+
0.3V
工作温度
-55 ° C至+ 125°C
建议的直流工作条件
参数
VCC
GND
V
IL
V
IH
注意：
描述
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
民
3
0.0
GND - 0.3
2.2
典型值
3.3
0.0
0.0
–
最大
3.6
0.0
0.8
V
CC
+ 0.3
(1)
单位
V
V
V
V
1. 5.8V的ET版本
电容
参数
C
在（1）
C
out(1)
注意：
描述
输入低电压
输出高电压
民
–
–
典型值
–
–
最大
8
8
单位
pF
pF
1.保证，但未经测试。
5
AT60142E/ET
4156F–AERO–06/04
特点
工作电压： 3.3V
访问时间：
- 15纳秒（预览版）为仅3.3V偏置（ AT60142E ）
- 17 ns到20 ns的为5V容限（ AT60142ET ）
非常低的功耗
- 活动： 810毫瓦（最大） @ 15纳秒
- 待机： 215 μW （典型值）
宽温度范围： -55 + 125°C
500密耳宽套餐
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.25微米工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
2
根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads （SI ）
500密耳宽FP36包
ESD优于4000V
抗辐射
512K ×8
极低的功耗
CMOS SRAM
AT60142E
AT60142ET
描述
该AT60142E / ET是非常低的功耗CMOS静态RAM组织为524 288 ×8
位。
爱特梅尔公司带来了解决方案，应用快速计算是强制性低
消费，如航天电子，便携式仪器，或者开始
系统。
利用六晶体管（ 6T）的存储器单元的阵列，所述AT60142E / ET结合的
极低的待机电流（典型值= 65
A)
具有快速的存取时间
在15 ns的整个军用温度范围内。在6T细胞亲的高稳定性
国际志愿组织良好的抗噪声引起的软错误。
电子版的偏置电压为3.3 V ，而不是承受5V的电压：它是提供给15
(1)
和20纳秒
特定连接的阳离子。
在ET
(1)
版本是一个变种，允许5V容限：它是在17 ns到20可用
NS规范。
该AT60142E / ET根据最新修订的处理方法
在MIL PRF 38535或ESA SCC 9000 。
其上产生一个辐射硬化为0.25μm的CMOS工艺。
注意：
1.预备：联络厂方。
牧师4156F - AERO - 6月4日
1
引脚说明
表1中。
引脚名称
名字
A0 - A18
I / O1 - I / O8
CS
WE
OE
VCC
VREF
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
内部基准电压输出
地
表2中。
真值表
(1)
CS
H
L
L
L
注意：
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
H
输入/输出
Z
数据输出
DATA IN
Z
模式
取消/
掉电
读
写
输出禁用
1， L =低， H =高， X = H或H， Z =高阻抗。
3
AT60142E/ET
4156F–AERO–06/04
电气特性
绝对最大额定值*
电源电压GND电位： ......................... -0.5V + 4.6V
直流输入电压： ..................................... GND -0.5V至4.6V
(1)
直流输出电压高Z状态： ................ GND -0.5V至4.6V
存储温度： ................................... -65C至+ 150C
输出电流转换成输出（低） ： ............................... 20毫安
电静放电电压： .... > 4001V （ MIL STD 883D
方法3015.3 ）
注意：
1. 7V的ET版本。
*注意：
强调超越那些在"Absolute马克西上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值仅为运行
该器件在这些或任何其他条件ATION
超出的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
军事工作范围
工作电压
军事
3.3
+
0.3V
工作温度
-55 ° C至+ 125°C
建议的直流工作条件
参数
VCC
GND
V
IL
V
IH
注意：
描述
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
民
3
0.0
GND - 0.3
2.2
典型值
3.3
0.0
0.0
–
最大
3.6
0.0
0.8
V
CC
+ 0.3
(1)
单位
V
V
V
V
1. 5.8V的ET版本
电容
参数
C
在（1）
C
out(1)
注意：
描述
输入低电压
输出高电压
民
–
–
典型值
–
–
最大
8
8
单位
pF
pF
1.保证，但未经测试。
5
AT60142E/ET
4156F–AERO–06/04
QQ：2881677436 复制
