特点
32兆位闪存和4兆位/ 8兆位的SRAM
单66球（8毫米×10毫米× 1.2毫米） CBGA的封装
2.7V至3.3V工作电压
FL灰
2.7V至3.3V的读/写
访问时间 - 70纳秒
扇区擦除架构
- 六十三32K WordSectors有独立的写锁定
- 八4K字部门有独立的写锁定
快字编程时间 - 15微秒
扇区擦除时间 - 300毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除
不同的行业
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 12毫安活动
- 13 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
32-megabit
FL灰
+ 4兆位/
8-megabit
SRAM
堆栈存储器
AT52BR3224A
AT52BR3224AT
AT52BR3228A
AT52BR3228AT
SRAM
4兆位（ 256K ×16 ） / 8兆位（ 512K ×16 ）
2.7V至3.3V的V
CC
70 ns访问时间
完全静态的操作和三态输出
1.2V （最小值）数据保留
工业温度范围
设备号
AT52BR3224A
AT52BR3224AT
AT52BR3228A
AT52BR3228AT
闪存启动
位置
底部
顶部
底部
顶部
闪光飞机
架构
32M
32M
32M
32M
SRAM
CON组fi guration
256K ×16
256K ×16
512K ×16
512K ×16
初步
牧师3338B - STKD - 6月3日
1
AT52BR3224A(T)/3228A(T)
框图
地址
OE WE
国有企业SWE
RESET
CE
RDY / BUSY
32-Mbit
FL灰
4/8-Mbit
SRAM
SCS1
SCS2
数据
描述
该AT52BR3224A （ T）结合了32兆闪存（ 2M ×16 ）和4兆位的SRAM （奥尔加
认列如256K ×16）中的堆叠66球CBGA的封装。该AT52BR3228A （ T）结合了
32兆位闪存（2M ×16）和一个8兆位的SRAM中的堆叠（组织成512K ×16）个
66球CBGA封装。堆叠模块可在2.7V工业temper-运行至3.3V
ATURE范围。
绝对最大额定值
偏压下的温度.................................. -40 ° C至+ 85°C
存储温度.................................... -55 ° C至+ 150°C
所有输入电压
除V
PP
和RESET
（包括NC引脚）
相对于地面.....................................- 0.2V至+ 3.3V
在V电压
PP
相对于地面..................................- 0.2V至+ 6.25V
在复位电压
相对于地面...................................- 0.2V至+ 13.5V
所有输出电压
相对于地面.....................................- 0.2V至+ 0.2V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
直流和交流工作范围
AT52BR3224A(T)/3228A(T)-70
工作温度（外壳）
V
CC
电源
产业
-40° C - 85° C
2.7V至3.3V
3
3338B–STKD–6/03
32-megabit
FL灰内存
描述
32兆位闪存是组织为每个16位字2,097,152 AA 2.7伏内存。
该存储器被分成71扇区擦除操作。该设备具有CE和OE CON-
控制信号，以避免任何总线争用。此设备可被读取或使用重新编程
单电源供电，因此非常适合在系统编程。
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力
在任何扇区的数据（参见“行业锁定”一节） 。
为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停
功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让
用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该
一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或通过检测
切换位。
VPP引脚提供数据保护。当V
PP
输入低于0.4V时，该程序并
擦除功能被禁止。当V
PP
是在0.9V以上，正常的编程和擦除操作
令可以被执行。
一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求
进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。
进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线
写入到器件中。此模式（单脉冲Word程序）是由断电退出
设备，或通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它背
到V
CC
。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令不会
时工作在这种模式下;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它
不建议6字节代码驻留在最终产物中，但仅在软件
存在于外部编程代码。
4
AT52BR3224A(T)/3228A(T)
3338B–STKD–6/03
特点
32兆位闪存和4兆位/ 8兆位的SRAM
单66球（8毫米×10毫米× 1.2毫米） CBGA的封装
2.7V至3.3V工作电压
FL灰
2.7V至3.3V的读/写
访问时间 - 70纳秒
扇区擦除架构
- 六十三32K WordSectors有独立的写锁定
- 八4K字部门有独立的写锁定
快字编程时间 - 15微秒
扇区擦除时间 - 300毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除
不同的行业
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 12毫安活动
- 13 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
32-megabit
FL灰
+ 4兆位/
8-megabit
SRAM
堆栈存储器
AT52BR3224A
AT52BR3224AT
AT52BR3228A
AT52BR3228AT
SRAM
4兆位（ 256K ×16 ） / 8兆位（ 512K ×16 ）
2.7V至3.3V的V
CC
70 ns访问时间
完全静态的操作和三态输出
1.2V （最小值）数据保留
工业温度范围
设备号
AT52BR3224A
AT52BR3224AT
AT52BR3228A
AT52BR3228AT
闪存启动
位置
底部
顶部
底部
顶部
闪光飞机
架构
32M
32M
32M
32M
SRAM
CON组fi guration
256K ×16
256K ×16
512K ×16
512K ×16
初步
牧师3338B - STKD - 6月3日
1
AT52BR3224A(T)/3228A(T)
框图
地址
OE WE
国有企业SWE
RESET
CE
RDY / BUSY
32-Mbit
FL灰
4/8-Mbit
SRAM
SCS1
SCS2
数据
描述
该AT52BR3224A （ T）结合了32兆闪存（ 2M ×16 ）和4兆位的SRAM （奥尔加
认列如256K ×16）中的堆叠66球CBGA的封装。该AT52BR3228A （ T）结合了
32兆位闪存（2M ×16）和一个8兆位的SRAM中的堆叠（组织成512K ×16）个
66球CBGA封装。堆叠模块可在2.7V工业temper-运行至3.3V
ATURE范围。
绝对最大额定值
偏压下的温度.................................. -40 ° C至+ 85°C
存储温度.................................... -55 ° C至+ 150°C
所有输入电压
除V
PP
和RESET
（包括NC引脚）
相对于地面.....................................- 0.2V至+ 3.3V
在V电压
PP
相对于地面..................................- 0.2V至+ 6.25V
在复位电压
相对于地面...................................- 0.2V至+ 13.5V
所有输出电压
相对于地面.....................................- 0.2V至+ 0.2V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
直流和交流工作范围
AT52BR3224A(T)/3228A(T)-70
工作温度（外壳）
V
CC
电源
产业
-40° C - 85° C
2.7V至3.3V
3
3338B–STKD–6/03
32-megabit
FL灰内存
描述
32兆位闪存是组织为每个16位字2,097,152 AA 2.7伏内存。
该存储器被分成71扇区擦除操作。该设备具有CE和OE CON-
控制信号，以避免任何总线争用。此设备可被读取或使用重新编程
单电源供电，因此非常适合在系统编程。
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力
在任何扇区的数据（参见“行业锁定”一节） 。
为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停
功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让
用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该
一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或通过检测
切换位。
VPP引脚提供数据保护。当V
PP
输入低于0.4V时，该程序并
擦除功能被禁止。当V
PP
是在0.9V以上，正常的编程和擦除操作
令可以被执行。
一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求
进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。
进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线
写入到器件中。此模式（单脉冲Word程序）是由断电退出
设备，或通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它背
到V
CC
。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令不会
时工作在这种模式下;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它
不建议6字节代码驻留在最终产物中，但仅在软件
存在于外部编程代码。
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AT52BR3224A(T)/3228A(T)
3338B–STKD–6/03
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