特点
16兆位闪存和2兆位/ 4兆位的SRAM
单66球珠8毫米×10毫米× 1.2毫米CBGA的封装
2.7V至3.3V工作电压
FL灰
2.7V至3.3V的读/写
访问时间 - 85纳秒
扇区擦除架构
- 三十一32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 20微秒
快速扇区擦除时间 - 300毫秒
双平面组织，允许并行读取，而编程/擦除
- 内存平面A ：八4K Word和七32K字扇区
- 内存面B ：24只32K字部门
擦除挂起功能
- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除
不同的行业
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 30毫安活动
- 10 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
VPP引脚用于加速编程/擦除操作
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
顶部/底部模块配置
128位注册保护
16-megabit
闪光灯和
2-megabit/
4-megabit
SRAM堆栈
内存
AT52BR1672(T)
AT52BR1674(T)
初步
SRAM
2兆位（ 128K ×16 ） / 4兆位（ 256K ×16 ）
2.7V至3.3V的V
CC
工作电压
70 ns访问时间
完全静态的操作和三态输出
1.2V （最小值）数据保留
工业温度范围
设备号
AT52BR1672(T)
AT52BR1674(T)
闪光飞机
架构
12M + 4M
12M + 4M
FL灰
CON组fi guration
16M （ 1M ×16 ）
16M （ 1M ×16 ）
SRAM
CON组fi guration
2M（ 128K ×16）个
4M （ 256K ×16 ）
牧师2604B - STKD ， 9月2日
1
AT52BR1672(T)/1674(T)
描述
该AT52BR1672 （T）的结合了一个16兆位闪存（1M ×16）和一个2兆比的SRAM （奥尔加
认列如128K ×16）以层叠的CBGA封装;而AT52BR1674 （T）的结合了-16-
兆位闪存（1M ×16）和一个4兆位的SRAM （组织成256K ×16）以层叠CBGA
封装。这两款器件在2.7V至3.3V的工业温度范围。该MOD-
ULES使用16兆比特的闪存具有双平面架构为并行读/写操作。
分别的Flash组织成12M + 4M的飞机B和A 。
框图
地址
OE WE
国有企业SWE
RESET
CE
FL灰
RDY / BUSY
SRAM
SCS1
数据
绝对最大额定值
高温下偏置.................................. -40 ° C至+ 85°C
存储温度..................................... -55 ° C至+ 150°C
所有输入电压
除V
PP
和RESET
（包括NC引脚）
相对于地面.....................................- 0.2V至+ 3.3V
在V电压
PP
相对于地面..................................- 0.2V至+ 6.25V
在复位电压
相对于地面...................................- 0.2V至+ 13.5V
所有输出电压
相对于地面.....................................- 0.2V至+ 0.2V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
直流和交流工作范围
AT52BR1672(T)/1674(T)
工作温度（外壳）
V
CC
电源
产业
-40°C - 85°C
2.7V至3.3V
3
2604B–STKD–09/02
16-megabit
FL灰
描述
16兆位闪存存储器，为每个16位1,048,576字。在X16数据
出现在I / O0 - I / O15 。该存储器被分成39扇区擦除operations.The
设备具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。这种装置可被读出或
重新规划使用单一2.7V电源供电，因此非常适合于系统
编程。
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力
在任何扇区的数据（见部门锁定部分） 。
该装置被分成两个存储器平面。从内存面B读取可能per-
即使在编程或擦除功能在内存中平面A和副执行形成
反之亦然。这个操作允许改进的系统性能由于不需要系统等待
用于编程或擦除操作完成执行读取之前。为了进一步增加
该装置的灵活性，它包含一个擦除挂起功能。此功能将把
清除搁置任何的时间，让用户读取数据或程序数据的任何
同一存储器平面内的剩余扇区。没有理由暂停
擦除操作，如果要读取的数据是在另一存储器平面。节目结束时或
擦除周期由就绪/忙管脚，数据轮询或由触发位检测。
VPP引脚提供更快的编程/擦除次数。随着V
PP
在5.0V或12.0V ，程序和
擦除操作被加速。
一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求
进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。
进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线
写入到器件中。此模式（单脉冲Word程序）是由断电退出
设备，或通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它背
到V
CC
。擦除和擦除挂起/恢复命令将无法正常工作，而在这种模式下，如果
根据输入它们将导致数据被编程到器件中。我们不建议
6字节代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于外部编程
明的代码。
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AT52BR1672(T)/1674(T)
2604B–STKD–09/02
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