特点
16兆位（ X16 ），闪存和2兆位/ 4兆位的SRAM
2.7V至3.3V工作电压
较低的工作功耗
- 64 mA工作电流（最大）
- 35 μA待机电流（最大）
工业温度范围
FL灰
2.7V至3.3V的读/写
访问时间 - 70纳秒， 90纳秒
扇区擦除架构
- 三十一32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 12微秒
快速扇区擦除时间 - 300毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除
不同的行业
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 12毫安活动
- 13 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
顶部/底部引导块配置
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
16-megabit
闪存+
2-megabit/
4-megabit
SRAM堆栈
内存
AT52BR1662A(T)
AT52BR1664A(T)
SRAM
2兆位（ 128K ×16 ） / 4兆位（ 256K ×16 ）
2.7V至3.3V的V
CC
工作电压
70 ns访问时间
完全静态的操作和三态输出
1.2V （最小值）数据保留
设备号
AT52BR1662A(T)
AT52BR1664A(T)
闪存配置
16M （ 1M ×16 ）
16M （ 1M ×16 ）
SRAM配置
2M（ 128K ×16）个
4M （ 256K ×16 ）
修订版3361A - STKD - 6月3日
1
AT52BR1662A(T)/1664A(T)
描述
该AT52BR1662A （T）的组合在单个平面16兆位闪存和以堆叠66球CBGA封装的2兆比特的SRAM ;
而AT52BR1664A （T）相结合的单一平面的16兆位闪存和以堆叠66球CBGA的4兆位的SRAM
封装。这两款器件在2.7V的工业温度范围内工作，以3.3 。
框图
地址
OE WE
国有企业SWE
RESET
CE
FL灰
RDY / BUSY
SRAM
SCS1
SCS2
子
SLB
数据
绝对最大额定值
偏压下的温度.................................. -40 ° C至+ 85°C
存储温度.................................... -55 ° C至+ 150°C
所有输入电压
除V
PP
和RESET
（包括NC引脚）
相对于地面.....................................- 0.2V至+ 3.3V
在V电压
PP
相对于地面..................................- 0.2V至+ 6.25V
在复位电压
相对于地面...................................- 0.2V至+ 13.5V
所有输出电压
相对于地面.....................................- 0.2V至+ 0.2V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
直流和交流工作范围
AT52BR1662A （ T） / 1664A （T ） -70 ， -90
工作温度（外壳）
V
CC
电源
产业
-40° C - 85° C
2.7V至3.3V
3
3361A–STKD–6/03
AT52BR1662A(T)/1664A(T)
16兆位闪存
描述
16 - Mbit的Flash组织成每个16位1,048,576字。在x16的数据出现在
I / O0 - I / O15 。该存储器被分成39扇区擦除操作。该装置具有CE
和OE控制信号，以避免总线冲突。此设备可读取或重新编程
采用单电源供电，因此非常适合用于在系统编程。
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力
在任何扇区的数据（参见“行业锁定”一节） 。
为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停
功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让
用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该
一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或通过检测
切换位。
VPP引脚提供数据保护。当V
PP
输入低于0.4V时，该程序并
擦除功能被禁止。当V
PP
是在0.9V以上，正常的编程和擦除操作
令可以被执行。
一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求
进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。
进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线
写入到器件中。此模式（单脉冲Word程序）是由断电退出
设备，或通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它背
到V
CC
。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令不会
时工作在这种模式下;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它
不建议6字节代码驻留在最终产物中，但仅在软件
存在于外部编程代码。
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3361A–STKD–6/03
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