AT49BV/LV160(T)/161(T)
设备
手术
阅读：
该AT49BV / LV16X （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚来确定是
上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE或OE
高。这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
命令序列：
当设备首次通电时，它会被复位到读或
待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它
设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令
序列示于表中的“十六进制命令定义”一节第13 （I / O 8 - 的I / O15是
不关心输入的命令代码）。命令序列被写入通过应用
在WE或CE输入与CE或WE低脉冲低（分别）和OE高。地址
被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据由锁存
CE或WE的第一个上升沿。标准的微处理器写定时被使用。地址
在命令序列中使用的位置不会受到输入命令
序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为
一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平
停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗
状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或
待机模式下，根据控制输入的状态。
删除：
前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态
存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM
命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。
芯片擦除：
整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除
软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除
操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据
这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，
设备将返回到读或待机模式。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成39仲
器（ SA0 - SA38 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线
循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘
在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始
第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会
自动完成时间。擦除扇区的最大时间为t
美国证券交易委员会
。当节
编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门
擦除命令） 。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试
ATION终止在2微秒。
字节/字编程：
一旦一个存储块被删除时，它被编程（向的Logical
卡尔“0”）上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该装置将automati-
美云生成所需的内部编程脉冲。
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1427L–FLASH–02/03
