【特点单电压读/写操作： 2.65V至3.3V （ BV ）， 3.0V至3.6V （ LV ）访问】,IC型号AT49LV161T-70TI,AT49LV161T-70TI PDF资料,AT49LV161T-70TI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压读/写操作： 2.65V至3.3V （ BV ）， 3.0V至3.6V （ LV ）

访问时间 - 70纳秒

扇区擦除架构

- 三十一32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定

- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定

快字编程时间 - 20微秒

快速扇区擦除时间 - 300毫秒

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除

不同的行业

- 支持读取任何字节/字，暂停了其他编程

字节/字

低功耗工作

- 30毫安活动

- 10 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

TSOP和CBGA封装选项

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

16-megabit

（ 1M ×16 / 2M ×8 ）

3伏只

FL灰内存

AT49BV160

AT49BV160T

AT49BV161

AT49BV161T

AT49LV161

AT49LV161T

描述

该AT49BV / LV16X （ T）是组织为1,048,576 3.0伏16兆位闪存

也就是说，每行16位或2,097,152字节，每字节8位。在X16的数据出现在I / O0

- I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该存储器被分成39扇区为

擦除操作。该器件采用48引脚TSOP ， 45球和48球CBGA

包。该设备具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。

此设备可被读取或使用单一2.65V电源重新编程，使得

它非常适合用于在系统编程。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A19

RESET

RDY / BUSY

VPP

I / O0 - I / O14

I / O15 （ A- 1 ）

字节

VCCQ

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

READY / BUSY输出

写保护和电源的加速编程/擦除

操作

数据输入/输出

I / O15 （数据输入/输出，字模式）

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

选择字节或字模式

无连接

输出电源

牧师1427J -FLASH - 01/02

TSOP顶视图

类型1

A15

A14

A13

A12

A11

A10

RESET

VPP

A19

A18

A17

A16

VCCQ

GND

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图

A13

A11

A10

A12

I/O14

I/O5

I/O6

I/O13

I/O11

I/O12

I/O4

I/O2

I/O3

VCC

VPP

RST

A18

A19

A17

I/O8

I/O9

I/O10

I/O0

I/O1

GND

A14

A15

A16

AT49BV160(T)

VCCQ I / O15

GND

I/O7

TSOP顶视图

类型1

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

RESET

VPP

RDY / BUSY

A18

A17

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图

A7 RDY / BUSY我们

A17

I/O0

I/O8

I/O9

I/O1

A18

I/O2

I/O10

I/O11

I/O3

RESET

VPP

A19

I/O5

I/O12

VCC

I/O4

A10

A11

I/O7

I/O14

I/O13

I/O6

A13

A12

A14

A15

A16

字节

I/O15

/A-1

VSS

AT49BV/LV161(T)

VSS

AT49BV160(T)/161(T)

1427J–FLASH–01/02

AT49BV160(T)/161(T)

在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于

其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力

任何行业的数据。（参见“行业锁定”一节）。

为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停

功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让

用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该

一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或由检测出的

触发位。

VPP引脚提供数据保护和更快的编程。当V

输入低于

0.8V的编程和擦除功能被禁止。当V

是在1.65V以上，正常

程序和擦除操作可以被执行。随着V

在5.0V或12.0V ，程序和

擦除操作被加速。

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求

进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。

进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线

写入到器件中。此模式（单脉冲字节/ Word程序）由供电退出

关闭该设备，或者通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把

回至V

。擦除，擦除挂起/恢复，并计划暂停/恢复命令

会不会在此模式下工作时，如果输入它们将导致数据被编程到

装置。这是不建议的6个字节的代码驻留在最终产品中的软件

但仅在外部编程代码存在。

当使用AT49BV160 （T）的引脚排列配置，所述设备总是在字操作

模式。在AT49BV / LV161 （T ）配置， BYTE引脚控制是否将设备数据

I / O引脚工作在字节或字配置。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，设备

在Word中的配置， I / O0 - I / O15是活动的，由CE和OE控制。

如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节构成，并且仅数据I / O引脚

I / O0 - I / O7是活动的，由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14是三 -

说明，并在所述的I / O15引脚用作输入端，用于LSB的（ A-1）地址的功能。

1427J–FLASH–01/02

框图

I / O0 - I / O15 / A- 1

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A19

输入

卜FF器

数据

识别码

状态

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

字节

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

主

内存

AT49BV160(T)/161(T)

1427J–FLASH–01/02

AT49BV160(T)/161(T)

设备

手术

阅读：

该AT49BV / LV16X （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低，

WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚来确定是

上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE或OE

高。这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备首次通电时，它会被复位到读或

待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它

设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令

序列示于表中的“十六进制命令定义”一节第13 （I / O 8 - 的I / O15是

不关心输入的命令代码）。命令序列被写入通过应用

在WE或CE输入与CE或WE低脉冲低（分别）和OE高。地址

被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据由锁存

CE或WE的第一个上升沿。标准的微处理器写定时被使用。地址

在命令序列中使用的位置不会受到输入命令

序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或

待机模式下，根据控制输入的状态。

删除：

前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM

命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除

软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除

操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据

这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，

设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成39仲

器（ SA0 - SA38 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线

循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘

在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始

第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。擦除扇区的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当节

编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门

擦除命令）。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试

ATION终止在2微秒。

字节/字编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（向的Logical

卡尔“0”）上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该装置将automati-

美云生成所需的内部编程脉冲。

1427J–FLASH–01/02

特点

单电压读/写操作： 2.65V至3.3V （ BV ）， 3.0V至3.6V （ LV ）

访问时间 - 70纳秒

扇区擦除架构

- 三十一32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定

- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定

快字编程时间 - 20微秒

快速扇区擦除时间 - 300毫秒

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除

不同的行业

- 支持读取任何字节/字，暂停了其他编程

字节/字

低功耗工作

- 30毫安活动

- 10 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

TSOP和CBGA封装选项

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

16-megabit

（ 1M ×16 / 2M ×8 ）

3伏只

FL灰内存

AT49BV160

AT49LV160

AT49BV160T

AT49BV161

AT49LV161

AT49BV161T

AT49LV161T

描述

该AT49BV / LV16X （ T）是组织为1,048,576 3.0伏16兆位闪存

也就是说，每行16位或2,097,152字节，每字节8位。在X16的数据出现在I / O0

- I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该存储器被分成39扇区为

擦除操作。该器件采用48引脚TSOP ， 45球和48球CBGA

包。该设备具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。

此设备可被读取或使用单一2.65V电源重新编程，使得

它非常适合用于在系统编程。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A19

RESET

RDY / BUSY

VPP

I / O0 - I / O14

I / O15 （ A- 1 ）

字节

VCCQ

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

READY / BUSY输出

写保护和电源的加速编程/擦除

操作

数据输入/输出

I / O15 （数据输入/输出，字模式）

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

选择字节或字模式

无连接

输出电源

牧师1427L -FLASH - 02/03

TSOP顶视图

类型1

A15

A14

A13

A12

A11

A10

RESET

VPP

A19

A18

A17

A16

VCCQ

GND

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图

A13

A11

A10

A12

I/O14

I/O5

I/O6

I/O13

I/O11

I/O12

I/O4

I/O2

I/O3

VCC

VPP

RST

A18

A19

A17

I/O8

I/O9

I/O10

I/O0

I/O1

GND

A14

A15

A16

AT49BV/LV160(T)

VCCQ I / O15

GND

I/O7

TSOP顶视图

类型1

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

RESET

VPP

RDY / BUSY

A18

A17

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图

A7 RDY / BUSY我们

A17

I/O0

I/O8

I/O9

I/O1

A18

I/O2

I/O10

I/O11

I/O3

RESET

VPP

A19

I/O5

I/O12

VCC

I/O4

A10

A11

I/O7

I/O14

I/O13

I/O6

A13

A12

A14

A15

A16

字节

I/O15

/A-1

VSS

AT49BV/LV161(T)

VSS

AT49BV/LV160(T)/161(T)

1427L–FLASH–02/03

AT49BV/LV160(T)/161(T)

在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于

其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力

任何行业的数据。（参见“行业锁定”一节）。

为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停

功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让

用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该

一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或由检测出的

触发位。

VPP引脚提供数据保护和更快的编程。当V

输入低于

0.8V的编程和擦除功能被禁止。当V

是在1.65V以上，正常

程序和擦除操作可以被执行。随着V

在5.0V或12.0V ，程序和

擦除操作被加速。

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求

进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。

进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线

写入到器件中。此模式（单脉冲字节/ Word程序）由供电退出

关闭该设备，或者通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把

回至V

。擦除，擦除挂起/恢复，并计划暂停/恢复命令

会不会在此模式下工作时，如果输入它们将导致数据被编程到

装置。这是不建议的6个字节的代码驻留在最终产品中的软件

但仅在外部编程代码存在。

当使用AT49BV / LV160 （T）的引脚排列配置，所述设备总是在工作

字模式。在AT49BV / LV161 （T ）配置中， BYTE引脚控制设备是否

数据I / O引脚工作在字节或字配置。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1” ，则

设备在字配置， I / O0 - I / O15是活动的，由CE和OE控制。

如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节构成，并且仅数据I / O引脚

I / O0 - I / O7是活动的，由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14是三 -

说明，并在所述的I / O15引脚用作输入端，用于LSB的（ A-1）地址的功能。

1427L–FLASH–02/03

框图

I / O0 - I / O15 / A- 1

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A19

输入

卜FF器

数据

识别码

状态

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

字节

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

主

内存

AT49BV/LV160(T)/161(T)

1427L–FLASH–02/03

AT49BV/LV160(T)/161(T)

设备

手术

阅读：

该AT49BV / LV16X （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低，

WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚来确定是

上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE或OE

高。这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备首次通电时，它会被复位到读或

待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它

设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令

序列示于表中的“十六进制命令定义”一节第13 （I / O 8 - 的I / O15是

不关心输入的命令代码）。命令序列被写入通过应用

在WE或CE输入与CE或WE低脉冲低（分别）和OE高。地址

被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据由锁存

CE或WE的第一个上升沿。标准的微处理器写定时被使用。地址

在命令序列中使用的位置不会受到输入命令

序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或

待机模式下，根据控制输入的状态。

删除：

前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM

命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除

软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除

操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据

这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，

设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成39仲

器（ SA0 - SA38 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线

循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘

在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始

第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。擦除扇区的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当节

编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门

擦除命令）。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试

ATION终止在2微秒。

字节/字编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（向的Logical

卡尔“0”）上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该装置将automati-

美云生成所需的内部编程脉冲。

1427L–FLASH–02/03