特点
2.7V至3.3V的读/写
访问时间 - 90纳秒
扇区擦除架构
- 三十32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
- 两个16K字（ 32K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 20微秒
快速扇区擦除时间 - 200毫秒
双平面组织，允许并行读取，而编程/擦除
内存平面A ：八4K字，两个16K Word和六32K字扇区
内存面B ：24只32K字部门
擦除挂起功能
- 支持从任何扇区读/编程数据，暂停的擦除
有什么不同部门
低功耗工作
- 25毫安活动
- 10 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
可选VPP引脚用于快速编程
RESET输入的设备初始化
部门方案解锁指令
TSOP ， CBGA和μBGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
16-megabit
（ 1M ×16 / 2M ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV1604
AT49BV1604T
AT49BV1614
AT49BV1614T
推荐使用
AT49BV160(T)/161(T)
可用于新设计
描述
该AT49BV16X4 （ T）是组织为2.7 3.3伏16兆位闪存
1048576字的每个16位或2,097,152字节，每字节8位。在X16数据
出现在I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。所述存储器被划分
成40个扇区擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和
48球μBGA封装。该装置具有CE及OE控制信号，以避免任何总线
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A19
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
VPP
I / O0 - I / O14
I / O15 （ A- 1 ）
字节
NC
VCCQ
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
选购电源的更快
编程/擦除操作
数据输入/输出
I / O15 （数据输入/输出，字模式）
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
选择字节或字模式
无连接
输出电源
不连接
牧师0925K -09 / 00
1
AT49BV1604(T)/1614(T)
一个VPP引脚提供，以提高编程/擦除次数。
该引脚可以连接到V
CC
。为了充分利用更快的优势
编程和擦除，该引脚应供给4.5 5.5
在程序伏和擦除操作。
一个6字节的命令（旁路解锁）序列删除
进入三字节的程序的要求
序列提供了进一步提高编程时间。
进入六字节码，只有单个脉冲的后
写控制线都需要写入到器件中。
此模式（单脉冲字节/ Word程序）是由退出
，或通过脉冲RESET引脚器件断电
低了至少50毫微秒，然后把它放回至V
CC
.
擦除和擦除挂起/恢复命令不会
时工作在这种模式下;如果输入它们将导致数据
正被编程到器件中。所以不推荐
该6个字节的代码驻留在最终的软件
产品，但只有在外部编程代码存在。
为AT49BV1614 （T）是否BYTE引脚控制
该设备的数据I / O引脚在字节或字config-操作
uration 。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，该装置是在
字配置， I / O0 - I / O15活跃和受控
通过CE和OE 。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节CON-
成形，并且只有数据I / O管脚I / O0 - I / O7是活性和
通过CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14
为三态，并在I / O15引脚作为输入的
LSB （ A- 1 ）地址的功能。
框图
I / O0 - I / O15 / A- 1
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
A0 - A19
输入
卜FF器
数据
注册
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
地址
LATCH
数据
比较
CE
WE
OE
RESET
字节
RDY / BUSY
写状态
机
y解码器
Y型GATING
编程/擦除
高压开关
VPP
VCC
GND
X解码器
B面
扇区
平面点扇区
设备操作
阅读：
该AT49BV16X4 （ T）被访问像一个EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制为设计人员提供灵活性，避免总线
争。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上，它会被复位到读或待机模式时，
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。
3
命令序列被写入通过应用低
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在一个高阻抗状态输出。当
高水平重新生效的RESET引脚，该装置
返回到读取或待机模式时，根据
的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V输入
信号RESET引脚，任何部门可以重新编程
即使部门锁定功能已启用（见
行业规划锁定覆盖部分） 。
删除：
前一个字节/字可以被重新编程，它
必须擦除。存储位的擦除状态是的Logical
卡尔“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除
擦除命令或单个部门可以通过删除
使用扇区擦除命令。
芯片擦除：
整个装置可以同时被擦除
通过使用六字节擦除芯片的软件代码。后
芯片擦除已经启动，该装置将内部的时间
擦除操作，使得无需外部时钟是必需的。
擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果扇区锁定已启用，芯片擦除操作会
未擦除那个已被锁定的扇区中的数据;它会
仅删除未受保护的部门。芯片擦除后，
该设备将返回到读或待机模式。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，则
设备分为40个扇区（ SA0 - SA39 ），可以
单独擦除。扇区擦除命令是一个六
总线周期操作。扇区地址被锁存的
第六周期而30H数据输入的下降沿WE边缘
命令锁存WE的上升沿。部门
之后的第六个周期的WE的上升沿开始擦除。
擦除操作是内部控制;它会automati-
美云的时间来完成。的最大时间擦除
部分为t
美国证券交易委员会
。当扇区编程锁定为特色的
TURE未启用，该部门将擦除（来自同一
扇区擦除命令） 。一旦部门一直亲
tected ，在受保护的扇区数据不能被改变
除非RESET引脚被送往12V ± 0.5V 。企图
擦除已被保护，将导致一个扇区
操作终止于2微秒。
字节/字编程：
一旦一个存储块是
擦除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节
或上一个字逐个字为基础。编程完成
经内部设备命令寄存器和一个4总线
循环操作。该设备将自动生成
所需的内部程序脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果硬件复位hap-
在编程过程中的笔，在该位置的数据是
编程将被破坏。请注意，一个数据“0”的
不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
可以将“0”到“1” 。编程完成后，
指定的T
BP
周期时间。数据轮询功能或
翻转位特征可以被用于指示一个亲的端
克循环。
行业编程锁定：
每个扇区具有
编程闭锁功能。此功能可以防止亲
在一次指定扇区的数据编程
功能已启用。这些部门可以包含
用于调出系统的安全码。启用
锁定功能将允许引导代码留在
装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。这
功能没有被激活;任何部门的用法
作为一个写保护区是任选的给用户。
一旦启用该功能，在受保护的节中的数据
器可以不再被擦除或编程时输入
的5.5V或更低的水平被使用。在剩下的仲数据
器仍然可以通过正常程序进行更改
方法。要激活锁定功能，形成六大系列亲
克的命令，可与特定数据的具体地址
必须执行。请参考Command Defini-
系统蒸发散表。
行业封锁检测：
软件方法
可用来确定扇区的编程被锁定
出。当该装置是在软件产品identifica-
化模式（请参阅软件产品标识和入口
出口段）从一个地址的位置00002H读
行业将显示是否编程界被锁定。如果
在我的数据/ O0是低，扇区可被编程;如果
在我的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能有
被启用，并且该扇区不能编程。该
软件产品标识的退出代码应当用于
返回到标准操作。
行业编程闭锁控制装置：
该
用户可以通过采取覆盖扇区编程闭锁
RESET引脚至12V
±
0.5V 。通过这样做，被保护的数据
可以通过芯片擦除，扇区擦除被涂改或
字节/字编程。当RESET引脚变为
返回TTL电平，该部门规划锁定功能
是反复活跃。
擦除暂停/删除简历：
擦除可持
挂起命令允许系统中断一个部门
擦除操作，然后程序或从一个昼夜温差读数据
在同一平面内同的扇区。由于该装置具有一个
双平面体系结构，就没有必要使用擦除
4
AT49BV1604(T)/1614(T)
AT49BV1604(T)/1614(T)
暂停功能，而擦除扇区，当你想
从在另一个平面的扇区读取数据。擦除后
暂停指令下达后，该设备需要马克西
15微秒的妈妈时暂停执行擦除操作。后
擦除操作已被暂停，这架飞机是
含有悬浮的扇区进入擦除中止反应
阅读模式。然后，系统可以读取的数据或程序
数据到该设备内的任何其它行业。一个地址是
擦除挂起命令的过程中不是必需的。在一
扇区擦除暂停，另一扇区不能被擦除。对
恢复该扇区擦除操作时，系统必须写
擦除继续命令。擦除恢复的COM
命令是一个单总线循环命令，它确实需要的
面地址（由A18和A19中确定）。该装置
还支持完整的芯片在擦除暂停
抹去。而芯片擦除暂停，用户可以
从受保护的存储器中的任何扇区中读出。
对于芯片擦除暂停和命令序列
扇区擦除暂停是相同的。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅“操作模式”第8页（用于硬
洁具操作）或“软件产品标识
进入/退出“第14页的制造商和设备代码
是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49BV16X4 （T ）功能数据Poll-
荷兰国际集团，以指示一个程序循环的结束。在一
项目周期企图读取的最后一个字节/字
载，否则会导致加载的数据的补
I / O7 。一旦程序循环已完成，真
数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。
在一个芯片或扇区擦除操作，尝试读
该装置将在I / O 7给出一个“0”。一旦程序或
擦除周期结束，真正的将数据从读取
装置。数据轮询可能会亲过程中随时开始
克循环。请参阅“状态位表”第15页上
更多的细节。
触发位：
除了数据轮询，则
AT49BV16X4 （T）提供了另一种方法，用于确定
一个程序或擦除周期的结束。在程序或
擦除操作时，连续尝试读取从数据
同一平面内的内存会导致之间的I / O6切换
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
一个额外的触发位是可用的I / O 2 ，其可以是
配合使用的触发位上可用
I / O6 。当一个部门擦除暂停，一个读或亲
克操作从暂停的扇区将导致
I / O2位切换。请参见第15页上的“状态位表”
了解更多详情。
RDY / BUSY ：
一个开漏就绪/忙输出引脚亲
志愿组织的检测程序的结束的另一种方法或
擦除操作。 RDY / BUSY积极拉低时
内部编程和擦除周期和被释放
完成循环。开漏连接
允许或 - 捆扎的多个装置的相同
RDY / BUSY线。
硬件数据保护：
硬件数据
保护功能可以防止意外的程序
该AT49BV16X4 （T）的以下列方式：（1 ）V
CC
意义：如果
V
CC
低于1.8V （典型值） ，该程序的功能是inhib-
资讯科技教育。 （二）V
CC
上电延时：一旦V
CC
已到达
V
CC
层次感，设备会自动超时
10毫秒（典型值），在编程之前。 （三）禁止编程：
控股OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高
项目周期。 （四）噪声滤波器：脉冲小于15纳秒
（典型值）的WE或CE输入无法启动程序
周期。
输入电平：
同时用2.7V至3.6V的工作
电源，地址输入和控制输入（ OE ，
CE和WE ）可以驱动从0至5.5V无
该装置的操作无不利影响。在I / O
线只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
输出电平：
为49BV1604 （T）输出高
水平（V
OH
）是等于V
CCQ
- 0.2V （而不是V
CC
） 。对于2.7V -
3.6V输出电平，V
CCQ
必须连接到V
CC
。对于1.8V -
2.2V输出电平，V
CCQ
必须调节到2.0V ±10％ ，
而V
CC
必须调节到2.7V - 3.0V （最低
功率）。
5
QQ：2881677436 复制
