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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第343页 > AT49F8011T-70CC
特点
4.5V至5.5V的读/写
访问时间 - 70纳秒
扇区擦除架构
- 十四32K字( 64K字节)部门与独立的写锁定
- 两个16K字( 32K字节)部门与独立的写锁定
- 两个8K字( 16K字节)部门与独立的写锁定
- 四个4K字( 8K字节)部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 10微秒
快速扇区擦除时间 - 200毫秒
双平面组织,允许并行读取,而编程/擦除
- 内存平面答:四4K字,两个8K字和两个16K字部门
- 内存B面:14 32K字扇区
擦除挂起功能
- 支持从任何扇区读/编程数据,暂停的擦除
有什么不同部门
低功耗工作
- 40毫安活动
- 10 μA待机
数据轮询,触发位,就绪/忙的检测程序结束
RESET输入的设备初始化
部门方案解锁指令
TSOP和CBGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
8-megabit
( 512K ×16 /
1M ×8 )
5伏只有
FL灰内存
AT49F8011
AT49F8011T
不推荐
可用于新设计
描述
该AT49F8011 ( T)是组织为524,288字的5.0伏8兆位闪存
的每个16比特或1,048,576字节,每个字节8比特。在X16的数据出现在I / O0 -
I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该内存被分为22个部门为
擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球CBGA封装。
该设备具有的CE和OE控制信号,以避免任何总线争用。该装置
可以读取或使用单一5.0V电源重新编程,使其理想地
适用于在系统编程。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
I / O0 - I / O14
I / O15 ( A- 1 )
字节
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
数据输入/输出
I / O15 (数据输入/输出,字模式)
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
选择字节或字模式
无连接
不连接
1264D–FLASH–5/03
1
TSOP顶视图
类型1
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RDY / BUSY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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12
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48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
I/O15/A-1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
CBGA顶视图
1
A
A3
A7 RDY / BUSY我们
A17
A6
A5
I/O0
I/O8
I/O9
I/O1
NC
A18
NC
I/O2
I/O10
I/O11
I/O3
RESET
NC
NC
I/O5
I/O12
VCC
I/O4
A9
A8
A10
A11
I/O7
I/O14
I/O13
I/O6
A13
A12
A14
A15
A16
字节
I/O15
/A-1
VSS
2
3
4
5
6
B
A4
C
A2
D
A1
E
A0
F
CE
G
OE
H
VSS
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式,如编程和擦除。该设备具有保护能力
任何行业的数据。一旦对于给定的扇区中的数据保护被启用,在该数据
扇区不能使用地面和V之间的输入电平变
CC
.
该装置被分成两个存储器平面。从内存面B读取可能per-
即使在编程或擦除功能在内存中平面A和副执行形成
反之亦然。这个操作允许改进的系统性能由于不需要系统等待
用于编程或擦除操作完成执行读取之前。为了进一步增加
该装置的灵活性,它包含一个擦除挂起功能。此功能将把
清除搁置任何的时间,让用户读取数据或程序数据的任何
同一存储器平面内的剩余扇区。没有理由暂停
擦除操作,如果要读取的数据是在另一存储器平面。节目结束时或
一个擦除周期由就绪/忙管脚,数据查询,或者通过切换位检测。
一个6字节的命令(旁路解锁)序列,以去除进入的要求
3字节的程序序列提供给进一步提高编程时间。进入后
六个字节码,需要进行写入唯一的单个脉冲的写控制线
装置。此模式(单脉冲字节/字方案)是由设备断电退出,或
通过脉冲RESET引脚为低最小为50ns ,然后把它回V
CC
。抹去
和擦除挂起/恢复命令将无法正常工作,而在这种模式下,他们如果进入会
结果在数据正被编程到器件中。我们不建议在6字节码
驻留在最终产品中的软件,但只存在于外部的编程代码。
BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字的配置操作
化。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时,该装置是在字结构中, I / O0 -I / O15是
积极通过CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时,该装置是在字节构成,并且仅数据I / O引脚
I / O0 -I / O7是活动的,由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 -I / O14处于三态,
和I / O15引脚用作输入端,用于LSB的( A-1)地址的功能。
2
AT49F8011(T)
1264D–FLASH–5/03
AT49F8011(T)
框图
I / O0 - I / O15 / A- 1
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
A0 - A18
输入
卜FF器
数据
注册
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
地址
LATCH
数据
比较
CE
WE
OE
RESET
字节
RDY / BUSY
写状态
y解码器
Y型GATING
编程/擦除
高压开关
VCC
GND
X解码器
B面
扇区
平面点扇区
设备
手术
阅读:
该AT49F8011 ( T)被访问像一个EPROM 。当CE和OE低, WE是
高,存储在由地址引脚确定的存储器位置的数据被上认定
的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这
双线控制给出了防止总线争用设计的灵活性。
命令序列:
当设备首次启动将被重置为读或
待机模式下根据控制线路输入状态。为了执行其它
设备上功能,一系列命令序列将被输入到该设备。命令
顺序列于命令定义表( I / O8 - I / O15都不在乎投入
指令码) 。命令序列被写入通过应用低脉冲上
WE或CE输入与CE或WE低(分别)和OE高。的地址被锁存的
CE或WE的下降沿,最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存
CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置
命令序列不受输入命令序列。
RESET :
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为
一个逻辑高电平时,该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平
停止本装置的操作,并把该装置的输出端处于高阻抗
状态。当一个高级别重申RESET引脚上,该设备返回到读取或
待机模式下,根据控制输入的状态。通过施加12V ±0.5V输入
信号RESET引脚的任何部门能够即使部门锁定功能进行重新编程
已启用(见扇区编程锁定覆盖部分) 。
3
1264D–FLASH–5/03
删除:
前一个字节/字可以被重新编程,它必须被擦除。的擦除状态
存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM
命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。
芯片擦除:
整个装置可一次性使用6字节的芯片擦除擦除
软件代码。之后,芯片擦除已启动,该器件将内部时间擦除
操作,从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果扇区锁定已启用,芯片擦除不会删除该部门的数据
已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后,设备会
返回到读或待机模式。
扇区擦除:
作为替代一全芯片擦除,该设备被组织成22仲
器可单独擦除。扇区擦除命令是六总线周期的操作。
扇区地址被锁存第六周期而30H数据的下降沿WE边缘
输入命令锁存WE的上升沿。之后兴起的扇区擦除开始
第六周期的WE的边缘。擦除操作是内部控制;它会自动
的时间来完成。擦除部分的最大时间为t
美国证券交易委员会
。当扇区编程
明锁定功能未启用,该部门将擦除(来自同一扇区擦除
命令)。一旦一个扇区已被保护,在保护部门的数据不能
改变,除非RESET引脚被送到12V ± 0.5V 。擦除具有一个扇区的尝试
被保护,将导致操作终止于2微秒。
字节/字编程:
一旦一个存储块被删除时,它被编程(向的Logical
卡尔“0”)上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和是4总线周期操作。设备会自动
生成所需要的内部编程脉冲。
在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果
在编程过程中一个硬件复位发生时,在该位置的数据正被编程
将被破坏。请注意,一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除
操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后,
BP
周期
时间。数据轮询功能或翻转位特征可以被用于指示一个所述端
项目周期。
行业编程锁定:
每个扇区有一个编程锁定功能。这
功能可以防止在指定扇区的数据编程,一旦该功能已
启用。这些部门可以包含用于调出系统的安全码。启用
锁定功能将允许引导代码停留在设备而数据中的其余部分
更新设备。此功能没有被激活;任何部门的用法写
保护区是任选的给用户。
一旦启用该功能,在保护部门的数据不能再被删除或亲
5.5V或更小的编程时的输入电平被使用。在剩余扇区的数据仍然可以是
通过定期的编程方法改变。来激活锁定功能,一系列的
6程序命令与具体数据的具体地址,必须执行。请
参见命令定义表。
行业封锁检测:
软件方法可用于确定是否编程
一个部门的明被锁定。当该装置是在软件产品识别模式
(请参阅软件产品识别进入和退出的部分) ,从地址位置读取
一个扇区内00002H将显示,如果编程界被锁定。如果我的数据/ O0是
低,扇区可被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时,该程序锁定功能
已被启用,并且该扇区不能编程。软件产品标识
退出代码应使用以返回到标准操作。
行业编程闭锁控制装置:
用户可以覆盖领域亲
通过采取RESET引脚为12V ± 0.5V编程锁定。通过这样的受保护数据可以是
通过芯片擦除,扇区擦除或字节/字编程改变。当RESET引脚
带回TTL电平的领域编程锁定功能是反复活跃。
4
AT49F8011(T)
1264D–FLASH–5/03
AT49F8011(T)
擦除暂停/删除简历:
擦除挂起命令允许系统
中断的扇区擦除操作,然后程序或从内不同的扇区读出的数据
同一平面上。由于该装置具有双平面体系结构,就没有必要使用
擦除挂起功能,而擦除扇区,当你想从一个扇区读取数据
另一架飞机。擦除暂停指令下达后,设备需要的最大时间
15微秒的暂停擦除操作。经过擦除操作已被暂停时,
面包含悬浮行业进入擦除暂停阅读的模式。该系统
然后可以读出的数据或程序数据到设备内的任何其它行业。的地址是不
擦除暂停命令时需要。在一个扇区擦除暂停,另一个部门
不能被擦除。要恢复扇区擦除操作时,系统必须写入擦除
恢复命令。擦除恢复命令是做了一个总线周期命令
要求是由A18确定的平面地址 - A16 。该设备还支持一个
在删除一个完整的芯片擦除暂停。而芯片擦除暂停,用户可以
从受保护的存储器中的任何扇区中读出。对于芯片的命令序列
擦除挂起和一个扇区擦除暂停是相同的。
产品标识:
产品标识模式标识该设备和人为
造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件
操作模式可以由外部编程,以确定正确的编程
算法为Atmel的产品。
有关详细信息,请参阅操作模式(硬件操作)或软件产品标识。
的制造商,设备代码是相同的这两种模式。
数据查询:
该AT49F8011 (T )具有数据查询,表示程序的结束
周期。在一个程序循环中的最后一个字节/字的企图读出加载的,将导致
补上的I / O7加载数据。一旦程序循环已完成,真
数据是对所有的输出有效,并且下一个周期可以开始。在一个芯片或扇区擦除操作
化,尝试读取器件将在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除周期有
完成时,真正的数据会从设备中读取。数据轮询可能在随时开始
程序循环。请参阅“状态位表”的更多细节。
触发位:
除了数据轮询AT49F8011 ( T)提供的另一种方法
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作, suc-
cessive企图从同一存储器平面读出的数据,将导致在两者之间的I / O6肘
1和0 。一旦程序周期已经完成, I / O6将停止切换,有效的数据
将被读出。检查触发位可以在一个程序循环随时开始。
一个额外的触发位是可用的I / O 2 ,可配合使用肘节
位, I S阿瓦伊拉布勒在I / O6 。 W往往微不足道的埃克特是时代ê SUS挂起,读取或
从暂停的扇区的程序操作,将导致在I / O 2位切换。请参阅
“状态位表”的更多细节。
RDY / BUSY :
一个开漏READY / BUSY输出引脚提供了另一种检测方法
一个程序或擦除操作的结束。 RDY / BUSY积极拉低期间内
编程和擦除周期,并释放在完成周期。开漏CON-
nection允许或搭售的几台设备,以相同的RDY / BUSY线。
硬件数据保护:
硬件功能防止意外计划
到AT49F8011 (T),在以下方面:(1 )V
CC
意义:若V
CC
低于3.8V (典型值)时,
程序的功能被禁止。 (二)V
CC
上电延时:一旦V
CC
已达到在V
CC
SENSE
水平,设备会自动超时编程前10毫秒(典型值) 。 (三)项目
抑制:控股OE低,高CE或WE抑制高次方案中的任何一个。 (四)噪声滤波器:
小于15纳秒(典型值)的WE或CE输入脉冲不会启动编程周期。
输入电平:
同时用4.5V至5.5V单电源供电,地址输入和操作
控制输入端(OE ,CE和WE )可被驱动为0 5.5V ,而不会不利影响
该装置的操作。该I / O线,只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
5
1264D–FLASH–5/03
特点
4.5V至5.5V的读/写
访问时间 - 70纳秒
扇区擦除架构
- 十四32K字( 64K字节)部门与独立的写锁定
- 两个16K字( 32K字节)部门与独立的写锁定
- 两个8K字( 16K字节)部门与独立的写锁定
- 四个4K字( 8K字节)部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 10微秒
快速扇区擦除时间 - 200毫秒
双平面组织,允许并行读取,而编程/擦除
- 内存平面答:四4K字,两个8K字和两个16K字部门
- 内存B面:14 32K字扇区
擦除挂起功能
- 支持从任何扇区读/编程数据,暂停的擦除
有什么不同部门
低功耗工作
- 40毫安活动
- 10 μA待机
数据轮询,触发位,就绪/忙的检测程序结束
RESET输入的设备初始化
部门方案解锁指令
TSOP和CBGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
8-megabit
( 512K ×16 /
1M ×8 )
5伏只有
FL灰内存
AT49F8011
AT49F8011T
不推荐
可用于新设计
描述
该AT49F8011 ( T)是组织为524,288字的5.0伏8兆位闪存
的每个16比特或1,048,576字节,每个字节8比特。在X16的数据出现在I / O0 -
I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该内存被分为22个部门为
擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球CBGA封装。
该设备具有的CE和OE控制信号,以避免任何总线争用。该装置
可以读取或使用单一5.0V电源重新编程,使其理想地
适用于在系统编程。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
I / O0 - I / O14
I / O15 ( A- 1 )
字节
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
数据输入/输出
I / O15 (数据输入/输出,字模式)
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
选择字节或字模式
无连接
不连接
1264D–FLASH–5/03
1
TSOP顶视图
类型1
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RDY / BUSY
A18
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A16
字节
GND
I/O15/A-1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
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I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
CBGA顶视图
1
A
A3
A7 RDY / BUSY我们
A17
A6
A5
I/O0
I/O8
I/O9
I/O1
NC
A18
NC
I/O2
I/O10
I/O11
I/O3
RESET
NC
NC
I/O5
I/O12
VCC
I/O4
A9
A8
A10
A11
I/O7
I/O14
I/O13
I/O6
A13
A12
A14
A15
A16
字节
I/O15
/A-1
VSS
2
3
4
5
6
B
A4
C
A2
D
A1
E
A0
F
CE
G
OE
H
VSS
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式,如编程和擦除。该设备具有保护能力
任何行业的数据。一旦对于给定的扇区中的数据保护被启用,在该数据
扇区不能使用地面和V之间的输入电平变
CC
.
该装置被分成两个存储器平面。从内存面B读取可能per-
即使在编程或擦除功能在内存中平面A和副执行形成
反之亦然。这个操作允许改进的系统性能由于不需要系统等待
用于编程或擦除操作完成执行读取之前。为了进一步增加
该装置的灵活性,它包含一个擦除挂起功能。此功能将把
清除搁置任何的时间,让用户读取数据或程序数据的任何
同一存储器平面内的剩余扇区。没有理由暂停
擦除操作,如果要读取的数据是在另一存储器平面。节目结束时或
一个擦除周期由就绪/忙管脚,数据查询,或者通过切换位检测。
一个6字节的命令(旁路解锁)序列,以去除进入的要求
3字节的程序序列提供给进一步提高编程时间。进入后
六个字节码,需要进行写入唯一的单个脉冲的写控制线
装置。此模式(单脉冲字节/字方案)是由设备断电退出,或
通过脉冲RESET引脚为低最小为50ns ,然后把它回V
CC
。抹去
和擦除挂起/恢复命令将无法正常工作,而在这种模式下,他们如果进入会
结果在数据正被编程到器件中。我们不建议在6字节码
驻留在最终产品中的软件,但只存在于外部的编程代码。
BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字的配置操作
化。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时,该装置是在字结构中, I / O0 -I / O15是
积极通过CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时,该装置是在字节构成,并且仅数据I / O引脚
I / O0 -I / O7是活动的,由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 -I / O14处于三态,
和I / O15引脚用作输入端,用于LSB的( A-1)地址的功能。
2
AT49F8011(T)
1264D–FLASH–5/03
AT49F8011(T)
框图
I / O0 - I / O15 / A- 1
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
A0 - A18
输入
卜FF器
数据
注册
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
地址
LATCH
数据
比较
CE
WE
OE
RESET
字节
RDY / BUSY
写状态
y解码器
Y型GATING
编程/擦除
高压开关
VCC
GND
X解码器
B面
扇区
平面点扇区
设备
手术
阅读:
该AT49F8011 ( T)被访问像一个EPROM 。当CE和OE低, WE是
高,存储在由地址引脚确定的存储器位置的数据被上认定
的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这
双线控制给出了防止总线争用设计的灵活性。
命令序列:
当设备首次启动将被重置为读或
待机模式下根据控制线路输入状态。为了执行其它
设备上功能,一系列命令序列将被输入到该设备。命令
顺序列于命令定义表( I / O8 - I / O15都不在乎投入
指令码) 。命令序列被写入通过应用低脉冲上
WE或CE输入与CE或WE低(分别)和OE高。的地址被锁存的
CE或WE的下降沿,最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存
CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置
命令序列不受输入命令序列。
RESET :
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为
一个逻辑高电平时,该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平
停止本装置的操作,并把该装置的输出端处于高阻抗
状态。当一个高级别重申RESET引脚上,该设备返回到读取或
待机模式下,根据控制输入的状态。通过施加12V ±0.5V输入
信号RESET引脚的任何部门能够即使部门锁定功能进行重新编程
已启用(见扇区编程锁定覆盖部分) 。
3
1264D–FLASH–5/03
删除:
前一个字节/字可以被重新编程,它必须被擦除。的擦除状态
存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM
命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。
芯片擦除:
整个装置可一次性使用6字节的芯片擦除擦除
软件代码。之后,芯片擦除已启动,该器件将内部时间擦除
操作,从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果扇区锁定已启用,芯片擦除不会删除该部门的数据
已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后,设备会
返回到读或待机模式。
扇区擦除:
作为替代一全芯片擦除,该设备被组织成22仲
器可单独擦除。扇区擦除命令是六总线周期的操作。
扇区地址被锁存第六周期而30H数据的下降沿WE边缘
输入命令锁存WE的上升沿。之后兴起的扇区擦除开始
第六周期的WE的边缘。擦除操作是内部控制;它会自动
的时间来完成。擦除部分的最大时间为t
美国证券交易委员会
。当扇区编程
明锁定功能未启用,该部门将擦除(来自同一扇区擦除
命令)。一旦一个扇区已被保护,在保护部门的数据不能
改变,除非RESET引脚被送到12V ± 0.5V 。擦除具有一个扇区的尝试
被保护,将导致操作终止于2微秒。
字节/字编程:
一旦一个存储块被删除时,它被编程(向的Logical
卡尔“0”)上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和是4总线周期操作。设备会自动
生成所需要的内部编程脉冲。
在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果
在编程过程中一个硬件复位发生时,在该位置的数据正被编程
将被破坏。请注意,一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除
操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后,
BP
周期
时间。数据轮询功能或翻转位特征可以被用于指示一个所述端
项目周期。
行业编程锁定:
每个扇区有一个编程锁定功能。这
功能可以防止在指定扇区的数据编程,一旦该功能已
启用。这些部门可以包含用于调出系统的安全码。启用
锁定功能将允许引导代码停留在设备而数据中的其余部分
更新设备。此功能没有被激活;任何部门的用法写
保护区是任选的给用户。
一旦启用该功能,在保护部门的数据不能再被删除或亲
5.5V或更小的编程时的输入电平被使用。在剩余扇区的数据仍然可以是
通过定期的编程方法改变。来激活锁定功能,一系列的
6程序命令与具体数据的具体地址,必须执行。请
参见命令定义表。
行业封锁检测:
软件方法可用于确定是否编程
一个部门的明被锁定。当该装置是在软件产品识别模式
(请参阅软件产品识别进入和退出的部分) ,从地址位置读取
一个扇区内00002H将显示,如果编程界被锁定。如果我的数据/ O0是
低,扇区可被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时,该程序锁定功能
已被启用,并且该扇区不能编程。软件产品标识
退出代码应使用以返回到标准操作。
行业编程闭锁控制装置:
用户可以覆盖领域亲
通过采取RESET引脚为12V ± 0.5V编程锁定。通过这样的受保护数据可以是
通过芯片擦除,扇区擦除或字节/字编程改变。当RESET引脚
带回TTL电平的领域编程锁定功能是反复活跃。
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AT49F8011(T)
擦除暂停/删除简历:
擦除挂起命令允许系统
中断的扇区擦除操作,然后程序或从内不同的扇区读出的数据
同一平面上。由于该装置具有双平面体系结构,就没有必要使用
擦除挂起功能,而擦除扇区,当你想从一个扇区读取数据
另一架飞机。擦除暂停指令下达后,设备需要的最大时间
15微秒的暂停擦除操作。经过擦除操作已被暂停时,
面包含悬浮行业进入擦除暂停阅读的模式。该系统
然后可以读出的数据或程序数据到设备内的任何其它行业。的地址是不
擦除暂停命令时需要。在一个扇区擦除暂停,另一个部门
不能被擦除。要恢复扇区擦除操作时,系统必须写入擦除
恢复命令。擦除恢复命令是做了一个总线周期命令
要求是由A18确定的平面地址 - A16 。该设备还支持一个
在删除一个完整的芯片擦除暂停。而芯片擦除暂停,用户可以
从受保护的存储器中的任何扇区中读出。对于芯片的命令序列
擦除挂起和一个扇区擦除暂停是相同的。
产品标识:
产品标识模式标识该设备和人为
造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件
操作模式可以由外部编程,以确定正确的编程
算法为Atmel的产品。
有关详细信息,请参阅操作模式(硬件操作)或软件产品标识。
的制造商,设备代码是相同的这两种模式。
数据查询:
该AT49F8011 (T )具有数据查询,表示程序的结束
周期。在一个程序循环中的最后一个字节/字的企图读出加载的,将导致
补上的I / O7加载数据。一旦程序循环已完成,真
数据是对所有的输出有效,并且下一个周期可以开始。在一个芯片或扇区擦除操作
化,尝试读取器件将在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除周期有
完成时,真正的数据会从设备中读取。数据轮询可能在随时开始
程序循环。请参阅“状态位表”的更多细节。
触发位:
除了数据轮询AT49F8011 ( T)提供的另一种方法
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作, suc-
cessive企图从同一存储器平面读出的数据,将导致在两者之间的I / O6肘
1和0 。一旦程序周期已经完成, I / O6将停止切换,有效的数据
将被读出。检查触发位可以在一个程序循环随时开始。
一个额外的触发位是可用的I / O 2 ,可配合使用肘节
位, I S阿瓦伊拉布勒在I / O6 。 W往往微不足道的埃克特是时代ê SUS挂起,读取或
从暂停的扇区的程序操作,将导致在I / O 2位切换。请参阅
“状态位表”的更多细节。
RDY / BUSY :
一个开漏READY / BUSY输出引脚提供了另一种检测方法
一个程序或擦除操作的结束。 RDY / BUSY积极拉低期间内
编程和擦除周期,并释放在完成周期。开漏CON-
nection允许或搭售的几台设备,以相同的RDY / BUSY线。
硬件数据保护:
硬件功能防止意外计划
到AT49F8011 (T),在以下方面:(1 )V
CC
意义:若V
CC
低于3.8V (典型值)时,
程序的功能被禁止。 (二)V
CC
上电延时:一旦V
CC
已达到在V
CC
SENSE
水平,设备会自动超时编程前10毫秒(典型值) 。 (三)项目
抑制:控股OE低,高CE或WE抑制高次方案中的任何一个。 (四)噪声滤波器:
小于15纳秒(典型值)的WE或CE输入脉冲不会启动编程周期。
输入电平:
同时用4.5V至5.5V单电源供电,地址输入和操作
控制输入端(OE ,CE和WE )可被驱动为0 5.5V ,而不会不利影响
该装置的操作。该I / O线,只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
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