特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V编程
快速读取访问时间 - 70纳秒
内部擦除/编程控制
部门架构
- 一个8K字（ 16K字节）的引导与编程锁定座
- 两个4K字（ 8K字节）参数块
- 一个240K字（ 480K字节）主存储器阵列块
快速扇区擦除时间 - 10秒
逐字节或字的字编程 - 10 μs的典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
4-megabit
（ 512K ×8 /
256K ×16）个
FL灰内存
AT49F4096A
描述
该AT49F4096A是组织为524,288字的5伏， 4兆闪存
每个8位或每16位256K字。与Atmel先进的非制造
挥发性CMOS技术，该器件具有存取时间为70 ns的电源
功耗仅仅275毫瓦。取消选中时， CMOS待机电流小于
100 A.
该器件包含一个用户启用“引导块”保护功能。该AT49F4096A
座落于最低阶地址引导块（ “底部启动”）。
为了让简单的系统内可再编程，该AT49F4096A不需要
高输入电压进行编程。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团从EPROM ;它有标准的CE ， OE和WE的投入，以避免总线冲突。
重新编程AT49F4096A通过首先擦除数据的一个块，并进行
那么编程上的逐字节或字的字的基础。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A17
CE
OE
WE
RESET
I / O0 - I / O15
I/O15(A-1)
字节
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
数据输入/输出
I / O15 （数据输入/输出，字模式）
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
选择字节或字模式
无连接
牧师1604D -FLASH - 01/02
1
AT49F4096A SOIC封装（ SOP ）
AT49F4096A TSOP顶视图
类型1
NC
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
I/O0
I/O8
I/O1
I/O9
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
I/O15/A-1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
NC
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
I / O15 / A- 1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
AT49F4096A
CBGA 7 ×7毫米的顶视图（球下）
AT49F4096A
CBGA 6 ×8毫米的顶视图（球下）
1
A
A3
A7 RDY / BUSY我们
A17
A6
A5
I/O0
I/O8
I/O9
I/O1
NC
NC
NC
I/O2
I/O10
I/O11
I/O3
RESET
VPP
NC
I/O5
I/O12
VCC
I/O4
A9
A8
A10
A11
I/O7
I/O14
I/O13
I/O6
A13
A12
A14
A15
A16
字节
I/O15
/A-1
VSS
1
A
2
3
4
5
6
7
8
2
3
4
5
6
A13 A11
B
C
A15 A12
D
E
A8 VPP NC
NC
A7
A5
A3
A4
A2
A1
A0
B
A4
A14 A10我们首先NC A17
A9
NC
NC
A6
C
A2
D
A1
A16 I / O14 I / O5 I / O11 I / O2 I / O8 CE
F
E
A0
BYTE I / O15 I / O6 I / O12 I / O3 I / O9 I / O0 GND
GND I / O7 I / O13 I / O4 VCC I / O10 I / O1 OE
F
CE
G
OE
H
VSS
注意：
“
“表示白点上的包。
2
AT49F4096A
1604D–FLASH–01/02
AT49F4096A
该设备通过执行擦除命令序列擦除;该设备内部
控制擦除操作。所述存储器被划分成四个块进行擦除操作
系统蒸发散。有两个4K字参数块部分，引导块，以及在主
存储器阵列块。程序的典型数目和擦除周期是在过量的
10,000次。
在8K字引导块部分包括重新编程闭锁功能，以提供
数据的完整性。这个功能是通过一个命令序列启用。一旦引导块
编程锁定功能被使能时，在所述引导块中的数据不能被改变
在5.5伏或更低的输入电平被使用。引导扇区被设计成包含
用户的安全密码。
对于AT49F4096A ， BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚工作在
字节或字的配置。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”或左开，该装置
在Word中的配置， I / O0 - I / O15是活动的，由CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节构成，并且仅数据I / O的
引脚I / O0 - I / O7是活动的，由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14
有三态和I / O15引脚用作输入的LSB （ A- 1 ）地址的功能。
AT49F4096A座
图
VCC
GND
OE
WE
CE
RESET
地址
输入
数据输入/输出
I / O0 - I / O15
控制
逻辑
输入/输出
缓冲器
程序数据
锁存器
Y型GATING
主内存
（ 240K字）
参数
BLOCK 2
4K字
参数
1座
4K字
BOOT BLOCK
8K字
Y译码
X解码器
3FFFF
04000
03FFF
03000
02FFF
02000
01FFF
00000
设备操作
阅读：
该AT49F4096A访问像EPROM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚确定
被置位的输出。的输出被置于高阻抗状态，每当
CE或OE为高电平。这种双行控制为设计师提供了灵活性，防止公交车
争。
命令序列：
当设备首次通电时，它会被复位到
读或待机模式，这取决于控制线输入的状态。为了
执行其他设备的功能，一系列命令序列将被输入到
装置。该命令序列显示命令定义表（ I / O8中 -
I / O15都不在乎投入的命令代码） 。该命令序列令状
10通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE低（分别地）和
OE高。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。
该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准的微处理器写
定时被使用。在命令序列中使用的地址位置不
受输入命令序列。
3
1604D–FLASH–01/02
RESET ：
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当
RESET是处于逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。低水平
在RESET输入暂停，本设备操作，并把的输出
设备在一个高阻抗状态。当一个高级别重申RESET引脚上，
设备返回到读或待机模式时，根据控制的状态
输入。通过施加12V ± 0.5V的输入信号， RESET引脚，引导块阵列
即使在启动时，程序锁定功能已启用重新编程（见
“引导块编程锁定覆盖”一节） 。
删除：
前一个字节或字可以被重新编程，它必须被擦除。擦除
存储器位的状态是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除
擦除命令或单个部门可以通过扇区擦除被删除
命令。
芯片擦除：
整个装置可一次性使用6字节的芯片擦除
擦除软件代码。之后，芯片擦除已启动，该设备将在内部
时间的擦除操作，使得无需外部时钟是必需的。的最大时间
擦除芯片是叔
EC
.
如果引导块锁定已启用，芯片擦除不会删除的数据
引导块;它会删除主存储块只有参数块。后
芯片擦除时，设备将返回到读或待机模式。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成四个
扇区可独立擦除。有两个4K字参数块节
系统蒸发散，一个引导块，以及在主存储器阵列块。扇区擦除命令
六总线周期操作。扇区地址被锁存的下降WE边缘
而30H数据输入命令被锁存在WE的上升沿第六周期。该
之后的第六个周期的WE的上升沿扇区擦除启动。擦除操作是
内部控制;它会自动完成时间。每当主存储器
块擦除和重新编程，这两个参数块应该被删除，
重新编程之前，在主存储器的块被再次擦除。每当一个参数
块被擦除和重新编程，其他参数块应该被擦除和
重新编程之前的第一个参数块被再次删除。每当开机
块被擦除和重新编程，主存储器块和参数块
要擦除和重新编程之前，引导块被再次删除。
字节/字编程：
一旦一个存储块被删除时，它被编程（向
在逐字节或字的字依据一个逻辑“0”） 。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该设备将
自动生成所需的内部编程脉冲。
在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令，将
忽略不计。如果一个硬件复位编程期间发生的，在该位置的数据是
编程将被破坏。请注意，数据“0”不能编程回
到一个“1” ;只擦除操作可以转换的“0”到“1” 。编程完成后，
指定的T
BP
周期时间。数据查询功能，也可以用于指示
一个程序循环结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
该器件具有一个指定的块
具有一个编程闭锁功能。此功能可以防止数据的编程
一旦该功能所指定的块已经被启用。该块的大小是8K
话。此块中，被称为引导块，可以包含用于安全码
调出系统。启用锁定功能将使启动代码留在
装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能不会要
激活;引导块的使用情况，在写保护区是任选的给用户。该
引导块的地址范围为00000H到01FFFH 。
4
AT49F4096A
1604D–FLASH–01/02
AT49F4096A
一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被删除或亲
5.5V或更小的编程时的输入电平被使用。在主存储器中的块数据
仍然可以通过普通的编程方法来改变。要激活锁定
特征，一个系列的六个程序命令与特定数据必须的特定地址
来执行。请参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件方法可用于确定
引导块部的节目被锁定。当该装置是在软件
产品标识模式（请参阅软件产品标识出入境节
而言），从下面的地址位置，读取时将显示，如果编程启动
块被锁定 - 00002H 。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是亲
编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能被使能，并
块不能编程。如果软件产品标识的退出代码
用于返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁控制装置：
用户可以覆盖
引导块编程闭锁采取RESET引脚到12伏的整个过程
芯片擦除，扇区擦除或字编程操作。当RESET引脚
带回TTL电平，引导块编程锁定功能是反复活跃。
产品标识：
产品标识模式标识该设备和
厂商爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部编程来识别正确的
规划算法为Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅“操作模式” （硬件操作）或“软件产品Identi-
fication进入/退出“ 13.制造商和设备代码页都是相同的
这两种模式。
数据查询：
该AT49F4096A功能数据轮询，表示亲的结束
克循环。在一个程序循环，企图读取加载会导致最后一个字节
在加载的数据上的I / O 7的补码。一旦程序周期一直的COM
pleted ，真正的数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。在一个芯片或
扇区擦除操作，尝试读取器件将在I / O 7给出一个“0”。一旦
程序或擦除周期完成时，真正的数据将被从设备中读取。数据Poll-
ING可以在计划周期中随时开始。
触发位：
除了数据轮询时， AT49F4096A提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，
连续尝试从设备中读取的数据将导致之间的I / O6肘
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止翻转，有效
读取数据。检查触发位可以在一个程序随时开始
周期。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外亲
克到AT49F4096A以下方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于3.8V
（典型的），程序功能被抑制。 （二）V
CC
上电延时：一旦V
CC
有
达到V
CC
层次感，设备将自动暂停10毫秒（典型值）
前编程。 （三）禁止编程：控股OE低，CE中的任何一个高或WE
高抑制方案周期。 （四）噪声滤波器：脉冲小于15纳秒（典型值）的
WE或CE输入将不会启动编程周期。
5
1604D–FLASH–01/02
QQ：2881677436 复制
