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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1510页 > AT49F4096-90TI
AT49F4096
特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 90纳秒
内部擦除/编程控制
部门架构
- 一个8K字( 16K字节)引导块与编程锁定
- 两个8K字( 16K字节)参数块
- 一个232K字( 464K字节)主存储器阵列块
快速扇区擦除时间 - 10秒
字的字编程 - 50
μS/字
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
- 300
A
CMOS待机电流
典型万次擦写循环
4兆位
( 256K ×16 )
5伏只有
CMOS闪存
内存
初步
描述
该AT49F4096是5伏只, 4兆位闪存组织为256K个字
的每个16比特。与Atmel先进的非易失性CMOS技术制造,
该器件提供存取时间为90 ns的只有275毫瓦的功耗。当
取消选择,将CMOS待机电流小于300
A.
(续)
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A17
CE
OE
WE
RESET
I / O0 - I / O15
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
数据
输入/输出
无连接
AT49F4096
SOIC ( SOP )
TSOP顶视图
类型1
0569C
4-219
描述
(续)
为了让简单的系统内可重编程中,
AT49F4096不要求高输入电压为亲
编程。五伏,只命令确定读
和编程的装置的操作。读数据
出器件是相似的,从一个EPROM读取;它
拥有标准CE, OE和WE的投入,以避免公交车conten-
化。重新编程AT49F4096通过首先执行
擦除数据的一个块,然后编程一个字处理
由字的基础。
该设备是通过执行擦除命令擦除
序列;设备内部控制擦除操作
化。所述存储器被划分成三个块进行擦除OP-
操作。有两个8K字参数块段
及一个扇区由引导块和主的
存储器阵列块。该AT49F4096编程上
字由字的基础。
该设备具有保护中的数据的能力
引导块;这个功能是通过一个命令启用SE-
quence 。一旦引导块编程锁定功能
使能时,在所述引导块中的数据不能被改变
在5.5伏或更低的输入电平被使用。典型的
方案的数目和擦除周期是在过量的
10,000次。
可选的8K字引导块部分包括重现
编程锁定功能,以提供数据的完整性。该
引导扇区被设计为包含用户的安全代码,
当启用该功能,引导扇区被保护
被重新编程。
框图
设备操作
阅读:
该AT49F4096访问像EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时,数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态,每当CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性,防止公交车
争。
命令序列:
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式DE-
待处理后的控制线输入的状态。为了
以执行其它功能的装置,一系列命令的
序列被输入到设备中。该命令SE-
quences显示命令定义表中
( I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令
码)。该命令序列写入应用
在WE或CE输入与CE或WE低一低脉冲
(分别)和OE高。的地址被锁存的
CE或WE的下降沿,最后的为准。数据
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
RESET :
复位输入引脚提供一些缓解
系统的应用程序。当Reset为逻辑高电平,
该设备是在它的标准操作模式。在低水平
RESET输入暂停,本设备操作和
使器件的输出处于高阻抗状态。
当一个高级别重申RESET引脚上的
设备返回到读或待机模式时,根据
时的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V的输入信号RESET引脚引导块阵列
即使引导块程序可以被重新编程锁相
从功能已启用(见引导块编程
铭锁定覆盖部分) 。
删除:
前一个字可以被重新编程,就必须
被擦除。的存储器位的擦除状态是一个逻辑
“1”。整个装置可一次性使用擦除
6字节的软件代码。
之后,软件芯片擦除已启动,该装置
将内部时间的擦除操作,使得没有外部
时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间
整个芯片为t
EC
.
(续)
4-220
AT49F4096
AT49F4096
设备操作
(续)
芯片擦除:
如果引导块锁定已恩
禁止时,芯片擦除功能将被禁用;部门擦除
该参数块和主存储器块将仍然
操作。全片擦除后,设备将返回
读取模式。在芯片擦除任何命令将忽略
接异。
扇区擦除:
作为替代一整片擦除,
该设备分为三个部门,可以indi-
vidually删除。有两个8K字参数块
段和一个扇区组成的引导块的和
主存储器阵列块。扇区擦除命令
是六总线周期操作。扇区地址被锁存
在第六个周期,而30H的下降沿WE边缘
数据输入的命令被锁在WE的上升沿。
之后的WE的上升沿扇区擦除开始
第六周期。擦除操作是内部控制;它
会自动完成时间。当引导块
未启用程序锁定功能,开机
框和主存储器块将擦除在一起(从
同一扇区擦除命令) 。一旦启动区
已被保护,只有主存储器阵列部门
将删除发出的扇区擦除命令时。
WORD编程:
一旦一个存储块是
擦除时,它被编程(置为逻辑“0”)上的字逐个
字的基础。编程是通过内部完成
设备命令寄存器和一个4总线周期操作。
该设备将自动生成所需的接口
最终编程脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果一个硬件复位
在编程过程中发生时,该数据在该位置BE-
荷兰国际集团设定将被破坏。请注意,一个数据
“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
令可以转换成“0”到“1” 。编程完成
指定的T后
BP
周期时间。数据查询为特色的
TURE ,也可以用于指示一个节目的结束
周期。
BOOT BLOCK编程锁定:
DE-的
有副,有一个节目一个指定的块
锁定功能。此功能可以防止编程
在一次的特征所指定的块中的数据已
启用。块的大小是8K字。该块,
被称为引导块,可包含安全的代码
用于调出系统。启用锁定为特色的
TURE将允许引导代码停留在该设备的同时数据
在该装置的其余部分被更新。此功能不
有被激活;引导块的使用作为一个写
保护区是任选的给用户。的地址范围
引导块是00000H到01FFFH 。
一旦启用该功能,在引导块中的数据可以
不再被擦除或编程时的输入电平
5.5V或更低的使用。在主存储器中的块的数据可以
还是通过普通的编程方法来改变。
要激活锁定功能,形成六大系列节目
命令与特定数据的特定地址必须
来执行。请参阅命令定义
表。
BOOT BLOCK闭锁检测:
软件
法是可用的,以确定是否进行编程
引导块部被锁定。当该装置处于
软件产品标识模式(请参阅软件的精良
UCT识别进入和退出部分)从AD-读
礼服位置00002H将显示是否编程启动
块被锁定。如果在I中的数据/ O0是低时,引导
块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时,
程序锁定功能已启用,并且该块
不能编程。软件产品identifica-
灰出口代码应使用以返回到标准操作
化。
BOOT BLOCK编程闭锁OVER-
乘车:
用户可以重写引导区规划
锁定通过采取RESET引脚到12伏。通过这样
受保护的引导块中的数据可以通过一个芯片被改变
擦除,扇区擦除或字编程。当RE-
SET引脚被带回TTL电平的引导块亲
编程锁定功能是反复活跃。
产品标识:
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法,以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息,请参阅操作模式(硬件操作)
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询:
该AT49F4096具有数据查询
以指示一个程序循环的结束。在节目
循环加载的最后一个字节的企图读取将导致
在加载的数据上的I / O 7的补码。一旦
程序循环已完成,真正的数据是有效的上
所有输出和下一个周期可能开始。在一个芯片或
扇区擦除操作,试图读取该设备会
在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除周期有
完成时,真正的数据会从设备中读取。数据
轮询可能在程序周期内随时开始。
触发位:
我N A D D I T I O N t个O数据P 2 O L L I N克叔 é
AT49F4096提供了另一种方法,用于确定
一个程序结束或擦除周期。在程序或
擦除操作,连续尝试读取数据
该装置将导致I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成, I / O6会
停止切换,有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
(续)
4-221
设备操作
(续)
硬件数据保护:
硬件特性
防止在无意中程序的AT49F4096
以下方式:(1 )V
CC
意义:若V
CC
低于3.8V
(典型的),程序功能被抑制。 (二)V
CC
动力
延迟:一旦V
CC
已达到在V
CC
层次感,
该设备将自动超时10毫秒(典型值) BE-
前编程。 (三)禁止编程:持有的任何一个
OE低,高CE或WE高抑制方案周期。 (四)
噪声滤波器:在WE小于15纳秒(典型值)的脉冲
或CE输入将不会启动编程周期。
命令定义(十六进制)
(1)
命令
公共汽车
顺序
周期
芯片擦除
1
6
6
4
6
3
3
1
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
5555
xxxx
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
F0
第二巴士
周期
ADDR
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
数据
55
55
55
55
55
55
3公交车
周期
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
5555
数据
80
80
A0
80
90
F0
4公交车
周期
ADDR
5555
5555
ADDR
5555
数据
AA
AA
D
IN
AA
第五公交
周期
ADDR
2AAA
2AAA
数据
55
55
第六届巴士
周期
ADDR
5555
SA
(4, 5)
数据
10
30
扇形
抹去
节目
BOOT BLOCK
(2)
封锁
产品编号
条目
产品编号
(3)
出口
产品编号
(3)
出口
2AAA
55
5555
40
注:1.在每个总线周期的数据格式如下所示:
I / O15 - I / O8 (无所谓) ; I / O7 - I / O0 (十六进制)
2. 8K字引导扇区有地址范围
00000H到01FFFH 。
产品ID退出命令3.任何人能
被使用。
4, SA =扇区地址:
SA = 03XXX的参数块1
SA = 05XXX的参数块2
SA = 3FXXX对主存储器阵列
5.当引导块编程锁定功能
未启用时,引导块和主存储器块
将清除在一起(来自同一扇区擦除命令) 。
一旦启动区已被保护,只有主
存储阵列部门将擦除时,其扇区擦除
命令被发出。
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
(包括NC引脚)
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意:如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
4-222
AT49F4096
AT49F4096
直流和交流工作范围
AT49F4096-90
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT49F4096-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
编程/擦除
(2)
待机/写
抑制
禁止程序
禁止程序
输出禁用
RESET
产品
鉴定
五金
(5)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
X
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
X
RESET
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
X
高Z
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
软件
V
IH
A1 - A17 = VIL , A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IL
A1 - A17 = V
IL
, A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IH
A0 = VIL , A1 - A17 = V
IL
A0 = V
IH
, A1 - A17 = V
IL
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
注:1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
4.制造商代码: 1FH ,设备代码: 92H
5.请参阅下的软件产品标识进入/退出细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC (1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
注意:
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
最大
10
10
300
3
50
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
2.0
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
.45
1.在擦除模式中,我
CC
为90毫安。
4-223
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联系人:朱先生
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