特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 70纳秒
内部擦除/编程控制
部门架构
- 一个8K字（ 16K字节）的引导与编程锁定座
- 两个4K字（ 8K字节）参数块
- 一个112K字（ 224K字节）主存储器阵列块
快速扇区擦除时间 - 10秒
逐字节或字的字编程 - 50微秒
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 50毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
描述
该AT49F2048A是5伏只， 2兆位闪存存储器，为262,144
也就是说每8位或每16位128K字。爱特梅尔的制造
（续）
2-megabit
（ 256K ×8 /
128K ×16 ）
5伏只有
CMOS闪存
内存
AT49F2048A
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
RESET
I / O0 - I / O14
I / O15 （ A- 1 ）
字节
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
数据输入/输出
I / O15 （数据输入/输出，字模式）
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
选择字节或字模式
无连接
SOIC （ SOP ）
NC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
I/O0
I/O8
I/O1
I/O9
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
I/O15/A-1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
NC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
TSOP顶视图
类型1
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
I/O15/A-1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
牧师1159F - 4月1日
注意：
“ ”表示一个白点标记在
该程序包。
1
先进的非易失性CMOS工艺，设备报价
存取时间为70 ns的与刚刚功耗
275毫瓦。取消选中时， CMOS待机电流
小于100 μA 。
为了让简单的系统内可重编程中，
AT49F2048A不要求高输入电压为亲
编程。五伏，只命令确定读
和编程的装置的操作。读数据
出器件是相似的，从一个EPROM读取;它
拥有标准CE， OE和WE的投入，以避免总线连接
化。重新编程AT49F2048A通过首先执行
擦除数据的一个块，然后编程一个字节级
由字节或字的字的基础。
该设备是通过执行擦除命令擦除
序列;设备内部控制擦除操作
化。所述存储器被划分成四个块的擦除操作
ations 。有两个4K字参数块内容：
引导块和所述主存储器阵列块。该
程序的典型数目和擦除周期是在过量的
10,000次。
可选的8K字引导块部分包括重现
编程锁定功能，以提供数据的完整性。这
功能是通过一个命令序列启用。一旦启动
块编程锁定功能启用时，数据在
引导块不能被输入时的5.5的水平变化
伏或更低的使用。引导扇区被设计为CON组
泰恩用户的安全密码。
BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚
操作中的一个字节或字的配置。如果BYTE引脚
设定为逻辑“1”或左开，该装置是在字组态
口粮; I / O0 - I / O15是活动的，由CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节CON-
成形，并且只有数据I / O管脚I / O0 - I / O7是活性和
通过CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14
是三态的和I / O15引脚作为输入的
LSB （ A- 1 ）地址的功能。
框图
112
04000
03FFF
03000
02FFF
4
4
设备操作
阅读：
该AT49F2048A访问像EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双
线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车
争。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上，它会被复位到读或待机模式时，
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。
命令序列被写入通过应用低
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。当
高水平重新生效的RESET引脚，该装置
2
AT49F2048A
AT49F2048A
返回到读取或待机模式时，根据
的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V输入
信号RESET引脚，引导块阵列可重现
编程即使引导块程序锁定功能
已启用（见引导块编程锁定
覆盖部分） 。
删除：
前一个字节或字可以被重新编程，它
必须擦除。的存储器位的擦除状态是
逻辑“1”。整个装置可以一次通过擦除
使用6字节的软件代码。
之后，软件芯片擦除已启动，该装置
将内部时间的擦除操作，使得没有外部
时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间
整个芯片为t
EC
.
芯片擦除：
整个装置可以同时被擦除
通过使用6字节擦除芯片的软件代码。该芯片后，
清除已启动，该器件将内部时间
擦除操作，使得无需外部时钟是必需的。
擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果引导块锁定已启用，芯片擦除
不会删除在引导块中的数据;它会删除
主存储器块和仅在参数块。后
在芯片擦除时，设备将返回到读或待机
模式。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，则
设备被组织成四个扇区，可以是单独地
删除。有两个4K字参数块内容：
一个引导块，以及在主存储器阵列块。该
扇区擦除命令是六总线周期操作。该
扇区地址被锁存的下降WE边缘
而30H数据输入的命令被锁在第六周期
WE的上升沿。在利培后的扇区擦除开始
荷兰国际集团的第六个周期的WE的边缘。擦除操作是
内部控制;它会自动完成时间。
每当在主存储器的块被擦除和重现
编程，这两个参数块应该被删除，
重编程的主存储器块被擦除之前
再次。当一个参数块擦除和重现
编程时，其他参数块应该被擦除和
重新编程的第一个参数块擦除之前
再次。每当引导块擦除和重现
编程，主存储器块和参数
块应该被擦除之前的重新编程
引导块被再次擦除。
字节/字编程：
一旦一个存储块是
擦除时，它被编程（为逻辑“0”）上的逐字节
或字的字的基础。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和一个4总线
循环操作。该设备将自动生成
所需的内部程序脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果硬件复位hap-
在编程过程中的笔，在该位置的数据是
编程将被破坏。请注意，一个数据“0”的
不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
可以将“0”到“1” 。编程完成后，
指定的T
BP
周期时间。可以将数据查询功能
也被用于指示一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
设备
具有包含编程锁定一指定块
功能。此功能可以防止数据的编程，在
一旦该功能指定块已经被启用。该
块的大小是8K字。此块中，被称为
引导块，可以包含用于调出的安全码
该系统。启用锁定功能将允许启动
代码留在设备，而数据的其余部分
更新设备。该功能没有被爱科特
氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是
可选给用户。引导块的地址范围是
00000H到01FFFH 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据可以
不再被擦除或编程时的输入电平
5.5V或更低的使用。在主存储器中的块的数据可以
还是通过普通的编程方法来改变。
要激活锁定功能，形成六大系列节目
命令到特定地址与特定的数据必须是
进行。请参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件
法是可用的，以确定是否启动的程序设计
块部分被锁定。当该设备处于软
洁具产品标识模式（见软件产品
识别进入和退出的部分） ，从地址读
位置00002H将显示，如果编程引导块
锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是
编程;如果在I / O0的数据为高，程序锁相
从功能已启用，并且该块不能亲
编程。软件产品标识的退出代码
应使用以返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁控制装置：
用户可以改写引导块编程锁定
通过采取RESET引脚到12伏，整个芯片中
擦除，扇区擦除或字编程操作。当
RESET引脚被带回TTL电平，启动
块编程锁定功能是反复活跃。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅“操作模式”第5页（用于硬
洁具操作）或“软件产品标识
进入/退出“第10页的制造商和设备
码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49F2048A功能数据查询
以指示一个程序循环的结束。在节目
3
循环加载的最后一个字节的企图读取将导致
在加载的数据上的I / O 7的补码。一旦
程序循环已完成，真正的数据是所有有效
输出和下一个周期可以开始。在一个芯片或仲
器擦除操作中，为了读取设备将使
一个在I / O7 “ 0 ” 。一旦编程或擦除周期具有的COM
pleted ，真正的数据将被从设备中读取。数据轮询
该程序周期内可以随时开始。
触发位：
除了数据轮询时， AT49F2048A
提供了另一种方法，用于确定一个亲的端
克或擦除周期。在编程或擦除操作，
连续尝试读出的数据从该装置将导致
在I / O6 1和0之间切换。一旦程序
周期已经完成， I / O6将停止切换，有效的数据
将被读出。检查触发位可以随时开始
在一个程序循环。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外计划在AT49F2048A
以下方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于3.8V （典型
iCal的），程序功能被抑制。 （二）V
CC
POWER- ON
延迟：一旦V
CC
已达到在V
CC
意识层面，
设备会自动超时10毫秒（典型值）之前，
编程。 （三）禁止编程：控股OE中的任何一个
低，高CE或WE高抑制方案周期。 （四）噪声
过滤器：脉冲小于15纳秒（典型值）的WE或CE
输入将不会启动编程周期。
命令定义（十六进制）
(1)
命令
顺序
读
芯片擦除
扇区擦除
Word程序
BOOT BLOCK
封锁
(2)
产品ID进入
产品ID退出
(3)
产品ID退出
(3)
注意事项：
公共汽车
周期
1
6
6
4
6
3
3
1
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
5555
xxxx
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
F0
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
55
55
55
55
55
55
5555
5555
5555
5555
5555
5555
80
80
A0
80
90
F0
5555
5555
ADDR
5555
AA
AA
D
IN
AA
2AAA
55
5555
40
2AAA
2AAA
55
55
5555
SA
(4)
10
30
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
1.在每个总线周期的数据格式如下： I / O15 - I / O8 （无所谓） ; I / O7 - I / O0 （十六进制） 。
在每个总线周期的地址格式是如下： A15 - A0 （十六进制） ， A- 1和A15 - A16 （不关心） 。
2. 8K字引导扇区的地址为00000H范围为01FFFH 。
3.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。
4， SA =扇区地址（ A16 - A0 ）
SA = 01XXX的BOOT BLOCK
SA = 02XXX的参数块1
SA = 03XXX的参数块2
SA = 1FXXX对主存储器阵列
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
4
AT49F2048A
1159F–04/01
AT49F2048A
直流和交流工作范围
AT49F2048A-70
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT49F2048A-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
读
编程/擦除
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
RESET
产品标识
A1 - A16 = VIL ， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IL
A1 - A16 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IH
A0 = VIL ， A1 - A16 = V
IL
A0 = V
IH
， A1 - A16 = V
IL
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
X
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
X
RESET
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
X
高-Z
五金
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
软件
(5)
V
IH
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
4.制造商代码： 001FH ，设备代码： 0082H
5.请参阅下的软件产品标识进入/退出细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC(1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
民
最大
10.0
10.0
100.0
3.0
50.0
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
2.0
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
I
OH
= -100 μA ; V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
0.45
V
V
V
注意：
1.在擦除模式中，我
CC
为90毫安。
5
1159F–04/01
QQ：2880707522 复制
