特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 45纳秒
内部控制程序和定时器
与锁定8K字引导块
快速擦除周期 - 10秒
一个字一个字编程 - 10
S /字典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
小的10× 14毫米VSOP封装
典型万次擦写循环
描述
该AT49F1024和AT49F1025是5伏，只在系统的Flash存储器。其
1兆的内存是由16位组织为65,536字。与制造
Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件可提供存取时间为45
NS只有275毫瓦的在商用温度范围内的功率耗散。
当设备被选中，则CMOS待机电流小于100
A.
该
在AT49F1024和AT49F1025之间唯一的区别是其引脚排列。该
AT49F1024引脚compatable与AT27C1024和AT49F1025是针的COM
PATABLE与AT29C1024 。
（续）
1-Megabit
（ 64K ×16 ）
5伏只有
FL灰内存
AT49F1024
AT49F1025
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A15
CE
OE
WE
I / O0 - I / O15
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
AT49F1025 VSOP顶视图
类型1
10× 14毫米
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
GND
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
WE
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
OE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/07
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
NC
CE
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
WE
VCC
NC
CE
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
AT49F1024 VSOP顶视图
类型1
10× 14毫米
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
PLCC顶视图
I/O13
I/O14
I/O15
CE
NC
NC
VCC
WE
NC
A15
A14
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
GND
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6
5
4
3
2
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
A13
A12
A11
A10
A9
GND
NC
A8
A7
A6
A5
10× 14毫米
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
OE
DC
A0
A1
A2
A3
A4
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
牧师0765D -09 / 98
1
为了让简单的系统内可重编程中，
AT49F1024 / 1025不要求高输入电压为
编程。五伏，只命令确定读
和编程的装置的操作。读数据
出器件是相似的，从一个EPROM读取。
重新编程AT49F1024 / 1025 ，是由
擦除数据的一个块（整个芯片或主存储器块）
然后编写一个字一个字的基础。在典型
CAL字编程时间是10快
s.
的结束
程序周期可以由数据poll-任选被检测
荷兰国际集团的特征。一旦一个字节编程周期结束时已
检测到的，用于读出或编程一个新的访问可以开始。
程序的典型数目和擦除周期是在
超过10,000次。
可选8K字引导块部分包括重现
编程写入锁定功能，提供数据完整性。
引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区是perma-
nently保护被擦除或编程。
框图
V
CC
GND
OE
WE
CE
数据输入/输出
I / O15 - I / O0
16
OE ，CE ，我们
逻辑
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
主内存
（ 56K字）
1FFFH
可选的引导
块（ 8K字）
0000H
Y译码
地址
输入
X解码器
设备操作
阅读：
该AT49F1024 / 1025一样的访问
EPROM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，
存储在该存储器中的位置数据所决定
地址引脚被断言的输出。的输出是
把在高阻抗状态，每当CE或OE是
高。这种双行控制给出了预设计的灵活性
排气总线争用。
芯片擦除：
当引导块编程锁定
功能没有被启用，引导块和主存储器
块将来自同一芯片擦除擦除在一起的COM
命令（参见命令定义表） 。如果引导块
锁定功能已启用，数据的引导区
不会被删除。然而，在主存储器中的数据仲
化将被删除。在芯片擦除，设备将返回
为读模式。
主存储器擦除：
作为替代的芯片
擦除，主存储器块的擦除可以执行该
将删除不在引导块区域的所有字节
FFH 。位于启动区的数据将不会改变
在主存块擦除。主存储器
擦除命令是六总线周期操作。地址
（ 5555H ）被锁存，第六周期的下降沿
而30H数据输入锁存上的上升沿
WE 。后的上升沿主存储器的擦除开始
我们的第六个周期。请参阅主内存擦除
周期波形。主存储器擦除操作
内部控制;它会自动完成时间。
WORD编程：
一旦存储器阵列是
擦除时，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的
字由字的基础。请注意，一个数据“0”不能
程序返回到“1” ;只有擦除操作可以CON组
用vert “0”到“1” 。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和一个4总线周期
运行（请参考命令定义的表）。
该设备将自动生成所需的内部
编程脉冲。
该项目周期有锁的下落地址
边WE或CE认证，去年为准，而数据
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准
第一。编程是指定的T完成后，
BP
周期
时间。的数据查询功能，也可以使用，从而提供与
泄漏一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
设备
具有包含编程锁定一指定块
功能。此功能可以防止数据的编程，在
一旦该功能指定块已经被启用。该
2
AT49F1024/1025
AT49F1024/1025
块的大小是8K字。此块中，被称为
引导块，可以包含用于调出的安全码
该系统。启用锁定功能将允许启动
代码留在设备，而数据的其余部分
更新设备。该功能没有被爱科特
氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是
可选给用户。引导块的地址范围是
0000H至1FFFH 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据可以
不再被擦除或编程。在主数据
存储器块还是可以通过常规的亲变
编程方法，并且可以使用任一芯片被擦除
擦除或主存储器块的擦除命令。要爱科特
瓦泰岛的锁定功能，形成六大系列程序命令
到具有特定数据的特定地址必须被执行。
请参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件
法是可用的，以确定是否启动的程序设计
块部分被锁定。当该设备处于软
洁具产品标识模式（见软件产品
识别进入和退出的部分） ，从地址读
位置0002H将显示，如果编程引导块
锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是
编程;如果在I / O0的数据为高，程序锁相
出功能已被激活，并且该块不能
编程。软件产品标识的退出代码
应使用以返回到标准操作。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49F1024 / 1025具有数据
轮询，以指示一个节目的结束或擦除周期。
在一个程序循环企图读取的最后一个字节
载，否则会导致加载的数据的补
I / O7 。一旦程序循环已完成，真
数据是对所有的输出有效，并且下一个周期可以开始。
数据轮询可能在节目中随时开始
周期。
触发位：
除了数据轮询
AT49F1024 / 1025提供了另一种方法，用于确定
一个程序或擦除周期的结束。在程序或
擦除操作时，连续尝试读取从数据
设备将导致I / O6 1和0之间切换。
一旦程序周期已经完成， I / O6将停止瓶酒
岭大战，有效的数据将被读取。检查触发位
在一个程序循环可以在任何时间开始。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外方案的
AT49F1024 / 1025在以下方面：（1 ）V
CC
意义：如果
V
CC
低于3.8V （典型值） ，该程序的功能是inhib-
资讯科技教育。 （二）禁止编程：控股OE低，CE中的任何一个
高或WE高抑制方案周期。 （三）噪声滤波器：
小于15纳秒（典型值） ，在WE或CE输入脉冲
不会启动编程周期。
3
命令定义（十六进制）
命令
顺序
读
芯片擦除
主内存擦除
Word程序
引导块锁定
(2)
产品ID进入
产品ID退出
(3)
公共汽车
周期
1
6
6
4
6
3
3
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
5555
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
55
55
55
55
55
55
5555
5555
5555
5555
5555
5555
80
80
A0
80
90
F0
5555
5555
ADDR
5555
AA
AA
D
IN
AA
2AAA
55
5555
40
2AAA
2AAA
55
55
5555
5555
10
30
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
产品ID退出
(3)
1
xxxx
F0
注意事项： 1，在每个总线周期的数据格式如下： I / O15 - I / O8 （不关心） ; I / O7 - I / O0 （十六进制） 。
2. 8K字引导扇区有地址范围00000H到1FFFH 。
3.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
4
AT49F1024/1025
AT49F1024/1025
DCand交流工作范围
AT49F1024/1025-45
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
5V
±
10%
0°C - 70°C
AT49F1024/1025-55
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT49F1024/1025-70
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT49F1024/1025-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
读
节目
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
产品标识
A1 - A15 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IL
A1 - A15 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IH
A0 = V
IL
， A1 - A15 = V
IL
A0 = V
IH
， A1 - A15 = V
IL
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
五金
V
IL
V
IL
V
IH
软件
(5)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
4.制造商代码： 1FH ，设备代码： 87H 。
5.请参阅下的软件产品标识进入/退出细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC (1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
2.0
0.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
COM 。
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
IND 。
民
最大
10
10
100
300
3
50
0.8
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
注意：
1.在擦除模式中，我
CC
为90毫安。
5
QQ：2881677436 复制
