特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 45纳秒
内部控制程序和定时器
与锁定8K字引导块
快速擦除周期时间 - 1.5秒
字的字编程 - 10微秒/字典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
小的10× 14毫米VSOP封装
典型万次擦写循环
描述
该AT49F1024A是组织为65,536字的5伏，只在系统闪存
由16位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，
设备提供的访问时间到45纳秒，只需275毫瓦以上的功率耗散
商业级温度范围。当设备被选中，则CMOS待机
电流小于100微安。
为了让简单的系统内可再编程，该AT49F1024A不需要
高输入电压进行编程。五伏，只命令确定读
和编程的装置的操作。读数据从器件中是类似
阅读来自EPROM 。重新编程的AT49F1024A被擦除执行
数据（整个芯片或主内存块），然后在编程的字块逐
字的基础。典型字编程时间是一个快速10微秒。一个节目结束
周期可以由数据轮询功能被任选检测。一旦一个字节的结束
程序周期已被检测到，用于读出或程序可以开始新的访问。该
程序的典型数目和擦除周期中超过10,000个循环。
1-megabit
（ 64K ×16 ）
5伏只有
FL灰内存
AT49F1024A
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A15
CE
OE
WE
I / O0 - I / O15
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
WE
VCC
NC
CE
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
VSOP顶视图
类型1
10× 14毫米
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
3415B–FLASH–12/03
可选的8K字引导块部分包括重新编程写入锁定功能
以提供数据的完整性。引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被永久保护被擦除
或重新编程。
框图
VCC
GND
OE
WE
CE
数据输入/输出
I / O15 - I / O0
16
OE ，CE ，我们
逻辑
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
FFFFH
主内存
（ 56K字）
可选的引导
块（ 8K字）
2000H
1FFFH
0000H
Y译码
地址
输入
X解码器
设备操作
阅读：
该AT49F1024A访问像EPROM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在由地址管脚所确定的存储器位置中的数据是
上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE
或OE为高电平。这种双行控制为设计师提供了灵活性，防止公交车
争。
芯片擦除：
如果不启用引导块编程锁定功能时，
引导块和主存储器块将清除一起从同一芯片擦除
命令（请参阅命令定义表） 。如果引导块锁定功能已经
启用后，在引导区的数据不会被删除。然而，在主存储器中的数据
部分将被删除。后一个芯片擦除时，设备将返回到读模式。
主存储器擦除：
作为替代芯片擦除，主存储器块
擦除可以执行，这将删除不在引导块区域中的所有单词
到FFFFH 。位于引导区的数据将不会在主存储器被改变
块擦除。主存储器擦除命令是六总线周期操作。该
地址（ 555H ）被锁存，第六周期而30H数据输入的下降沿
被锁在WE的上升沿。之后的上升沿主存储器擦除开始
第六周期的WE 。请参阅主存储器的擦除周期波形。主
存储器的擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。
WORD编程：
一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程
（为逻辑“0”）上的字的字的基础。请注意，一个数据“0”不能
程序返回到“1” ;只擦除操作可以转换的“0”到“1” 。程序设计
经内部设备命令寄存器来实现，并且是四总线周期
运行（请参考命令定义的表）。设备会自动
生成所需要的内部编程脉冲。
该项目周期有锁存WE或CE的下降沿，地址为准
最后出现，以及WE或CE的上升沿，以先到为准锁存的数据。
编程是指定的T完成后，
BP
周期时间。数据查询功能
也可以被用来指示一个程序循环的结束。
2
AT49F1024A
3415B–FLASH–12/03
AT49F1024A
BOOT BLOCK编程锁定：
该器件具有一个指定的块
具有一个编程闭锁功能。此功能可以防止数据的编程
一旦该功能所指定的块已经被启用。该块的大小是8K
话。此块中，被称为引导块，可以包含用于安全码
调出系统。启用锁定功能将使启动代码留在
装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能不会要
激活;引导块的使用情况，在写保护区是任选的给用户。该
引导块的地址范围为0000H至1FFFH 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被删除或亲
编程。在主存储器中的块的数据仍然可以通过经常改变
编程方法，并且可以使用任意的芯片擦除或主MEM-被删除
储器块擦除命令。要激活锁定功能，形成六大系列节目
命令，可与特定数据的特定地址必须被执行。请参阅
该命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件方法可用于确定
引导块部的节目被锁定。当该装置是在软件
产品标识模式（请参阅软件产品标识出入境节
而言），从地址位置0002H读会显示，如果编程引导块
锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以被编程;如果数据上
I / O0为高电平时，该程序锁定功能已被激活，并且该块不能
编程。软件产品标识的退出代码应使用以返回到
规范运作。
产品标识：
产品标识模式标识该设备和
厂商爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部编程来识别正确的
规划算法为Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）或软件产品Identifi-
阳离子。的制造商，设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49F1024A功能数据轮询，表示亲的结束
克或擦除周期。在一个程序循环，企图读取的最后一个字节加载中
将导致在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦该程序周期有
完毕后，真正的数据是在所有输出和下一个周期可以开始有效。数据
轮询可能在程序周期内随时开始。
触发位：
除了数据轮询时， AT49F1024A提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，
连续尝试从设备中读取的数据将导致之间的I / O6肘
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止翻转，有效
读取数据。检查触发位可以在一个程序随时开始
周期。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外亲
克到AT49F1024A以下方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于3.8V
（典型的），程序功能被抑制。 （二）禁止编程：控股OE中的任何一个
低，高CE或WE高抑制方案周期。 （三）噪声滤波器：脉冲小于15
在WE或CE输入纳秒（典型值）不会启动编程周期。
3
3415B–FLASH–12/03
命令定义（十六进制）
命令
顺序
读
芯片擦除
主内存擦除
Word程序
BOOT BLOCK
封锁
(3)
产品ID进入
产品ID退出
(4)
公共汽车
周期
1
6
6
4
6
3
3
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
555
555
555
555
555
555
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
AAA
(2)
AAA
AAA
AAA
AAA
AAA
55
55
55
55
55
55
555
555
555
555
555
555
80
80
A0
80
90
F0
555
555
ADDR
555
AA
AA
D
IN
AA
AAA
55
555
40
AAA
AAA
55
55
555
555
10
30
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
产品ID退出
(4)
1
xxx
F0
注意事项： 1，在每个总线周期的数据格式如下： I / O15 - I / O8 （不关心） ; I / O7 - I / O0 （十六进制） 。
在每个总线周期的地址格式如下： A11 - A 0 （十六进制） ; A11 - A15 （不关心） 。
2.由于A11是无所谓， AAA可以换成2AA 。
3. 8K字引导扇区有地址范围为0000H至1FFFH 。
4.无论是产品ID退出命令中的一个可以使用。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
4
AT49F1024A
3415B–FLASH–12/03
AT49F1024A
直流和交流工作范围
AT49F1024A-45
工作温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
0°C - 70°C
5V ± 10%
操作模式
模式
读
节目
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
产品标识
五金
V
IL
V
IL
V
IH
A1 - A15 = V
IL
， A9 = V
H(3)
， A0 = V
IL
A1 - A15 = V
IL
， A9 = V
H(3)
， A0 = V
IH
A0 = V
IL
， A1 - A15 = V
IL
A0 = V
IH
， A1 - A15 = V
IL
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高-Z
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高-Z
软件
(5)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参考AC编程波形。
V
H
= 12.0V ± 0.5V.
制造商代码： 001FH ，设备代码： 0087H 。
参见第11页上的“软件产品标识进入/退出”的细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC (1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
I
OH
= -100 μA ; V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
2.0
0.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
民
最大
10.0
10.0
100.0
1.0
50.0
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
注意：
1.在擦除模式中，我
CC
为90毫安。
5
3415B–FLASH–12/03
特点
单电压操作
- 5V阅读
- 5V重新编程
快速读取访问时间 - 45纳秒
内部控制程序和定时器
与锁定8K字引导块
快速擦除周期时间 - 1.5秒
字的字编程 - 10微秒/字典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
小的10× 14毫米VSOP封装
典型万次擦写循环
描述
该AT49F1024A是组织为65,536字的5伏，只在系统闪存
由16位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，
设备提供的访问时间到45纳秒，只需275毫瓦以上的功率耗散
商业级温度范围。当设备被选中，则CMOS待机
电流小于100微安。
为了让简单的系统内可再编程，该AT49F1024A不需要
高输入电压进行编程。五伏，只命令确定读
和编程的装置的操作。读数据从器件中是类似
阅读来自EPROM 。重新编程的AT49F1024A被擦除执行
数据（整个芯片或主内存块），然后在编程的字块逐
字的基础。典型字编程时间是一个快速10微秒。一个节目结束
周期可以由数据轮询功能被任选检测。一旦一个字节的结束
程序周期已被检测到，用于读出或程序可以开始新的访问。该
程序的典型数目和擦除周期中超过10,000个循环。
1-megabit
（ 64K ×16 ）
5伏只有
FL灰内存
AT49F1024A
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A15
CE
OE
WE
I / O0 - I / O15
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
WE
VCC
NC
CE
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
VSOP顶视图
类型1
10× 14毫米
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
OE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
3415B–FLASH–12/03
可选的8K字引导块部分包括重新编程写入锁定功能
以提供数据的完整性。引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被永久保护被擦除
或重新编程。
框图
VCC
GND
OE
WE
CE
数据输入/输出
I / O15 - I / O0
16
OE ，CE ，我们
逻辑
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
FFFFH
主内存
（ 56K字）
可选的引导
块（ 8K字）
2000H
1FFFH
0000H
Y译码
地址
输入
X解码器
设备操作
阅读：
该AT49F1024A访问像EPROM 。当CE和OE低，
WE为高电平时，存储在由地址管脚所确定的存储器位置中的数据是
上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE
或OE为高电平。这种双行控制为设计师提供了灵活性，防止公交车
争。
芯片擦除：
如果不启用引导块编程锁定功能时，
引导块和主存储器块将清除一起从同一芯片擦除
命令（请参阅命令定义表） 。如果引导块锁定功能已经
启用后，在引导区的数据不会被删除。然而，在主存储器中的数据
部分将被删除。后一个芯片擦除时，设备将返回到读模式。
主存储器擦除：
作为替代芯片擦除，主存储器块
擦除可以执行，这将删除不在引导块区域中的所有单词
到FFFFH 。位于引导区的数据将不会在主存储器被改变
块擦除。主存储器擦除命令是六总线周期操作。该
地址（ 555H ）被锁存，第六周期而30H数据输入的下降沿
被锁在WE的上升沿。之后的上升沿主存储器擦除开始
第六周期的WE 。请参阅主存储器的擦除周期波形。主
存储器的擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。
WORD编程：
一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程
（为逻辑“0”）上的字的字的基础。请注意，一个数据“0”不能
程序返回到“1” ;只擦除操作可以转换的“0”到“1” 。程序设计
经内部设备命令寄存器来实现，并且是四总线周期
运行（请参考命令定义的表）。设备会自动
生成所需要的内部编程脉冲。
该项目周期有锁存WE或CE的下降沿，地址为准
最后出现，以及WE或CE的上升沿，以先到为准锁存的数据。
编程是指定的T完成后，
BP
周期时间。数据查询功能
也可以被用来指示一个程序循环的结束。
2
AT49F1024A
3415B–FLASH–12/03
AT49F1024A
BOOT BLOCK编程锁定：
该器件具有一个指定的块
具有一个编程闭锁功能。此功能可以防止数据的编程
一旦该功能所指定的块已经被启用。该块的大小是8K
话。此块中，被称为引导块，可以包含用于安全码
调出系统。启用锁定功能将使启动代码留在
装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能不会要
激活;引导块的使用情况，在写保护区是任选的给用户。该
引导块的地址范围为0000H至1FFFH 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被删除或亲
编程。在主存储器中的块的数据仍然可以通过经常改变
编程方法，并且可以使用任意的芯片擦除或主MEM-被删除
储器块擦除命令。要激活锁定功能，形成六大系列节目
命令，可与特定数据的特定地址必须被执行。请参阅
该命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件方法可用于确定
引导块部的节目被锁定。当该装置是在软件
产品标识模式（请参阅软件产品标识出入境节
而言），从地址位置0002H读会显示，如果编程引导块
锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以被编程;如果数据上
I / O0为高电平时，该程序锁定功能已被激活，并且该块不能
编程。软件产品标识的退出代码应使用以返回到
规范运作。
产品标识：
产品标识模式标识该设备和
厂商爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部编程来识别正确的
规划算法为Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）或软件产品Identifi-
阳离子。的制造商，设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49F1024A功能数据轮询，表示亲的结束
克或擦除周期。在一个程序循环，企图读取的最后一个字节加载中
将导致在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦该程序周期有
完毕后，真正的数据是在所有输出和下一个周期可以开始有效。数据
轮询可能在程序周期内随时开始。
触发位：
除了数据轮询时， AT49F1024A提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作，
连续尝试从设备中读取的数据将导致之间的I / O6肘
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止翻转，有效
读取数据。检查触发位可以在一个程序随时开始
周期。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外亲
克到AT49F1024A以下方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于3.8V
（典型的），程序功能被抑制。 （二）禁止编程：控股OE中的任何一个
低，高CE或WE高抑制方案周期。 （三）噪声滤波器：脉冲小于15
在WE或CE输入纳秒（典型值）不会启动编程周期。
3
3415B–FLASH–12/03
命令定义（十六进制）
命令
顺序
读
芯片擦除
主内存擦除
Word程序
BOOT BLOCK
封锁
(3)
产品ID进入
产品ID退出
(4)
公共汽车
周期
1
6
6
4
6
3
3
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
555
555
555
555
555
555
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
AAA
(2)
AAA
AAA
AAA
AAA
AAA
55
55
55
55
55
55
555
555
555
555
555
555
80
80
A0
80
90
F0
555
555
ADDR
555
AA
AA
D
IN
AA
AAA
55
555
40
AAA
AAA
55
55
555
555
10
30
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
产品ID退出
(4)
1
xxx
F0
注意事项： 1，在每个总线周期的数据格式如下： I / O15 - I / O8 （不关心） ; I / O7 - I / O0 （十六进制） 。
在每个总线周期的地址格式如下： A11 - A 0 （十六进制） ; A11 - A15 （不关心） 。
2.由于A11是无所谓， AAA可以换成2AA 。
3. 8K字引导扇区有地址范围为0000H至1FFFH 。
4.无论是产品ID退出命令中的一个可以使用。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
4
AT49F1024A
3415B–FLASH–12/03
AT49F1024A
直流和交流工作范围
AT49F1024A-45
工作温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
0°C - 70°C
5V ± 10%
操作模式
模式
读
节目
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
产品标识
五金
V
IL
V
IL
V
IH
A1 - A15 = V
IL
， A9 = V
H(3)
， A0 = V
IL
A1 - A15 = V
IL
， A9 = V
H(3)
， A0 = V
IH
A0 = V
IL
， A1 - A15 = V
IL
A0 = V
IH
， A1 - A15 = V
IL
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高-Z
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高-Z
软件
(5)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参考AC编程波形。
V
H
= 12.0V ± 0.5V.
制造商代码： 001FH ，设备代码： 0087H 。
参见第11页上的“软件产品标识进入/退出”的细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC (1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
I
OH
= -100 μA ; V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
2.0
0.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
民
最大
10.0
10.0
100.0
1.0
50.0
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
注意：
1.在擦除模式中，我
CC
为90毫安。
5
3415B–FLASH–12/03
QQ：2881677436 复制
