【特点单电压操作- 5V阅读- 5V重新编程快速读取访问时间 - 55纳秒内部控制程序和定时器部门架构】,IC型号AT49F002T-70PC,AT49F002T-70PC PDF资料,AT49F002T-70PC经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压操作

- 5V阅读

- 5V重新编程

快速读取访问时间 - 55纳秒

内部控制程序和定时器

部门架构

- 一个16K字节的引导与规划锁定座

- 两个8K字节的参数块

- 两个主要的存储器块（ 96K ， 128K ）字节

快速擦除周期 - 10秒

逐字节编程 - 10

S /字节典型

硬件数据保护

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 50毫安工作电流

– 100

一种CMOS待机电流

典型万次擦写循环

描述

该AT49F002 （ N） T是5伏，只在系统内可编程Flash存储器。其2

的存储器兆位由8位， 262144字。与制造

Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件具有存取时间为55

NS只有275毫瓦的在商用温度范围内的功率耗散。

2-Megabit

（ 256K ×8 ）

5伏只有

CMOS闪存

内存

AT49F002T

AT49F002NT

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A17

RESET

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

数据输入/输出

无连接

PLCC顶视图

A12

A15

A16

RESET *

VCC

A17

（续）

DIP顶视图

* RESET

A16

A15

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A17

A14

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

TSOP顶视图

类型1

A11

A13

A14

A17

VCC

* RESET

A16

A15

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

0920B-B–12/97

*注：此引脚是一个NC的AT49F002NT 。

当设备被选中，则CMOS待机电流

小于100

对于AT49F002NT引脚1为DIP

和PLCC封装和引脚9为TSOP封装的

无连接引脚。

为了让简单的系统内可重编程中，

AT49F002 （N） T不要求高输入电压为亲

编程。五伏，只命令确定读

和编程的装置的操作。读数据

出器件是相似的，从一个EPROM读取;它

拥有标准CE， OE和WE的投入，以避免公交车conten-

化。重新编程AT49F002 （N）， T被执行

擦除数据的一个块，然后通过编程对一个字节

字节的基础。字节编程时间是50快

该

一个程序周期结束可以通过有选择地检测

数据查询功能。一旦一个字节程序结束

周期已被检测到，用于读出或亲新接入

克就可以开始。编程和擦除的典型数量

周期是在超过10,000个循环。

该设备是通过执行擦除命令擦除

序列;设备内部控制擦除操作

系统蒸发散。有两个8K字节参数块部分和

两个主要的存储器块。

该设备具有保护数据在引导的能力

块;这个功能是通过一个命令序列启用。

在16K字节的引导块部分包括重新编程

锁定功能，以提供数据的完整性。引导扇区是

设计成容纳用户的安全码，并且当为特色的

TURE被激活，引导扇区被保护

重新编程。

在AT49F002NT ，一旦引导块编程

锁定功能被启用，引导块中的内容

是永久性的，不能改变。在AT49F002T ，

一旦引导块编程锁定功能

使能时，引导块的内容不能被改变

与5.5伏或更小的输入电压电平。

框图

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

GND

RESET

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

3FFFF

X解码器

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

主内存

1座

（ 96K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 128K字节）

3C000

3BFFF

控制

逻辑

Y译码

地址

输入

3A000

39FFF

38000

37FFF

20000

1FFFF

00000

AT49F002(N)T

AT49F002(N)T

设备操作

阅读：

该AT49F002 （N ）T访问像EPROM 。

当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储

在由地址引脚确定的存储位置是

上认定的输出。的输出被放置在高

阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行

控制为设计人员提供灵活性，避免总线conten-

化。

命令序列：

当该装置是第一pow-

ERED上它会被复位到读或待机模式

根据控制线路输入状态。为了

以执行其它功能的装置，一系列命令的

序列被输入到设备中。命令

序列显示的命令定义表中。

命令序列被写入通过应用低

脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-

tively ）和OE高。地址锁存在下降

边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是

通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准

微处理机写定时被使用。在某些地区地址

在命令序列中使用系统蒸发散不会受

输入命令序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和一些系

统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该

装置处于其标准操作模式。在一个低的水平

RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权

该装置的一个高阻抗状态输出。如果

RESET引脚使一个由高到低的转变过程中的程序

或擦除操作时，该操作可能无法成功地

完成并且操作将后进行重复

高的电平被施加到复位引脚。当高电平

重新生效的RESET引脚，该设备返回到

读或待机模式下，根据的状态

控制输入。通过施加12V的

0.5V的输入信号到

RESET引脚，引导块阵列可以被重新编程

即使引导块锁定功能已启用

（见引导块编程锁定覆盖部分）。

重置功能不可用的AT49F002NT 。

0ERASURE ：

前一个字节可以被重新编程，在

主存储器块或参数块包含

字节必须被擦除。的存储位擦除状态

是逻辑“1”。整个装置可以同时被擦除

通过使用一个6字节的软件代码。该软件芯片擦除

代码由6字节装入命令的具体地址

与一个特定的数据模式的位置（请参考

芯片擦除周期波形）。

之后，软件芯片擦除已启动，该装置

将内部时间的擦除操作，使得没有外部

时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间

整个芯片为t

。如果引导块锁定功能有

被启用，在引导扇区中的数据不会被

删除。

芯片擦除：

如果引导块锁定已启用，

芯片擦除功能将擦除参数块1 ，

参数块2 ，主内存1座，及主要的MEM

储器2座，但不引导块。如果引导块锁定

尚未启用，芯片擦除功能将擦除

整个芯片。整个芯片擦除后设备会

返回到读模式。在芯片擦除任何命令

将被忽略。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，则

设备被组织成扇区，可以是单独地

删除。有两个8K字节参数块部分

和两个主要的存储器块。在8K字节的参数

块部分可独立擦除和重现

编程。两个主存储器的部分被设计成

作为替代存储器扇区。也就是说，每当

所述块中的一个已擦除和重新编程，该

其他块应该被删除，并重新编程之前

第一个块被再次擦除。扇区擦除命令

是六总线周期操作。扇区地址被锁存

在第六个周期，而30H数据的下降沿WE边缘

输入命令锁存在WE的上升沿。该

之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始

周期。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。

字节编程：

一旦存储器阵列是

擦除时，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的

逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能

程序返回到“1” ;只有擦除操作可以CON组

用vert “0”到“1” 。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和一个4总线周期能操作

ATION （请参照命令定义的表）。该

设备将自动生成所需的内部亲

克脉冲。

该项目周期有锁的下落地址

边WE或CE认证，去年为准，而数据

锁存WE或CE的上升沿，以先到为准

第一。编程是指定的T完成后，

周期时间。的数据查询功能，也可以使用以

表明一个程序循环的结束。

BOOT BLOCK编程锁定：

设备

具有包含编程锁定一指定块

功能。此功能可以防止数据的编程，在

一旦该功能指定块已经被启用。该

该块的大小为16K字节。此块中，被称为

引导块，可以包含用于调出的安全码

该系统。启用锁定功能将允许启动

代码留在设备，而数据的其余部分

更新设备。该功能没有被爱科特

氧基团;引导块的使用作为一个写保护的区域是

可选给用户。引导块的地址范围是

3C000以3FFFF 。

一旦启用该功能，在引导块中的数据可以

不再被擦除或编程。在主数据

存储器块还是可以通过常规的亲变

编程方法。要激活锁定功能，一系列

六个程序命令，以它特有的具体地址

cific数据必须被执行。请参见命令

定义表。

BOOT BLOCK闭锁检测：

软件

法是可用的，以确定是否启动的程序设计

块部分被锁定。当该设备处于软

洁具产品标识模式（见软件产品

识别进入和退出的部分），从地址读

位置00002H将显示，如果编程引导块

锁定。如果在I中的数据/ O0为低时，引导块可以是

编程;如果在I / O0的数据为高，程序锁相

出功能已被激活，并且该块不能

编程。软件产品标识码

应使用以返回到标准操作。

BOOT BLOCK编程闭锁控制装置：

用户可以改写引导块编程锁定

通过采取RESET引脚到12伏。通过这样做，亲

tected引导块中的数据可以通过一个芯片擦除被改变，

扇区擦除或字编程。当RESET引脚

带回TTL电平的引导块编程

锁定功能是反复活跃。此功能不可用

在AT49F002NT 。

产品标识：

产品标识

模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它

可以通过硬件或软件的操作来访问。该

硬件的操作模式可用于通过外部亲

语法，以确定正确的编程algoithm的

Atmel的产品。

有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）

或软件产品标识。制造商和

设备代码是相同的这两种模式。

数据查询：

该AT49F002 （N ）T特征的数据poll-

荷兰国际集团，以指示一个程序循环的结束。在亲

克周期企图读取的最后一个字节加载意志

结果，在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦

程序循环已完成，真正的数据是有效

在所有输出和下一个周期可以开始。数据轮询

该程序周期内可以随时开始。

触发位：

除了数据轮询

AT49F002 （N）， T公司提供的另一种方法，用于确定

一个程序或擦除周期的结束。在程序或

擦除操作时，连续尝试读取从数据

设备将导致I / O6 1和0之间切换。

一旦程序周期已经完成， I / O6将停止瓶酒

岭大战，有效的数据将被读取。检查触发位

在一个程序循环可以在任何时间开始。

硬件数据保护：

硬件特性

防止意外方案，以AT49F002 （N ）T

在以下方面：（1 ）V

意义：若V

低于3.8V

（典型的），程序功能被抑制。（二）项目

抑制：控股OE低，CE中的任何一个高或WE高

抑制方案周期。（三）噪声滤波器：脉冲小于

15纳秒（典型值）的WE或CE输入将不会启动亲

克循环。

AT49F002(N)T

AT49F002(N)T

命令定义（十六进制）

(1)

命令

顺序

读

芯片擦除

扇区擦除

字节编程

引导块锁定

(2)

产品ID进入

产品ID退出

(3)

产品ID退出

(3)

注意事项：

公共汽车

周期

第一巴士

周期

ADDR

5555

XXXX

数据

OUT

2AAA

5555

ADDR

5555

2AAA

5555

2AAA

5555

(4)

第二巴士

周期

ADDR

数据

3公交车

周期

ADDR

数据

4公交车

周期

ADDR

数据

第五公交

周期

ADDR

数据

第六届巴士

周期

ADDR

数据

1.在每个总线周期的数据格式如下所示： I / O 7 - I / O0 （十六进制）

二， 16K字节的引导扇区有地址范围3C000H到3FFFFH 。

3.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。

4， SA =扇区地址：

SA = 3C000至3FFFF的BOOT BLOCK

如果引导块没有被锁定，该命令将删除 - BOOT BLOCK ， PB1 ， PB2和MMB1

如果引导块被锁定，什么都不会发生，该装置可以追溯到100纳秒读取模式

SA = 3A000至3BFFF的参数块1

SA = 38000 ，以39FFF的参数块2

SA = 20000 37FFF对主存储器阵列块1

如果引导块没有被锁定，该命令将删除 - BOOT BLOCK ， PB1 ， PB2和MMB1

如果引导块被锁定，该命令将删除 - PB1 ， PB2和MMB1

SA = 00000到IFFFF对主存储器阵列块2

绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面............................ -0.6V到V

+ 0.6V

在OE电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越那些绝对马克西在“上市

妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏

装置。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或任何其他条件的操作

超越那些在运营仲表示系统蒸发散

本规范的系统蒸发散是不是暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作

期间可能会影响器件的可靠性。

特点

单电压操作

- 5V阅读

- 5V重新编程

快速读取访问时间 - 55纳秒

内部控制程序和定时器

部门架构

- 一个16K字节的引导与规划锁定座

- 两个8K字节的参数块

- 四个主内存块（一个32K字节，三个64K字节）

快速擦除周期时间 - 4秒

逐字节编程 - 20微秒/字节典型

硬件数据保护

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 25毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

典型万次擦写循环

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

2-megabit

（ 256K ×8 ）

5伏只有

FL灰内存

AT49F002A

AT49F002AN

AT49F002AT

AT49F002ANT

1.描述

该AT49F002A （ N）（ T）是一个5伏只在系统内可编程闪存。其

2兆比特的存储器由8位， 262144字。与制造

Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备提供访问时间

55 ns的只有137毫瓦在工业温度范围内的功率耗散。

当设备被选中，则CMOS待机电流小于100 μA 。为

在AT49F002AN （T ）引脚1为PLCC封装和引脚9为TSOP封装的

无连接引脚。

以允许简单的系统重新编程，该AT49F002A （N）（T），不

需要高输入电压进行编程。五伏，只命令确定

阅读和器件的编程操作。读出的数据的设备是SIM-

ILAR从一个EPROM读取;它有标准的CE， OE和WE的投入，以避免公交车

争。重新编程的AT49F002A （N）（T），是通过擦除的块进行

数据，然后编程一个字节逐字节的基础。字节编程时间是

快20微秒。一个程序周期结束可以通过数据查询有选择地检测

功能。一旦一个字节的程序循环结束时被检测到，一个新的接入

读或编程可以开始。程序的典型数目和擦除周期是在

超过10,000次。

该设备通过执行擦除命令序列擦除;设备间

应受控制的擦除操作。有两个8K字节参数块部分，

四个主要的存储器块，并且一个引导块。

该设备具有保护在引导块中的数据的功能;此功能

通过一个命令序列启用。在16K字节的引导块部分包括重现

编程锁定功能，以提供数据的完整性。引导扇区被设计成

包含用户的安全代码，当启用该功能，引导扇区是亲

被重新编程tected 。

3354F–FLASH–2/05

在AT49F002A （ N）（ T），一旦引导块编程锁定功能被启用，犯人

引导块的帐篷是永久性的，不能改变。在AT49F002A （T）的，一旦

引导块编程锁定功能被启用，引导块中的内容不能

改变与5.5伏或更低的输入电平。

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A17

RESET

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

数据输入/输出

2.1

PLCC顶视图

A12

A15

A16

RESET *

VCC

A17

2.2

VSOP （ 8 ×14毫米）或TSOP 1型（ 8 ×20月） - 顶视图

A11

A13

A14

A17

VCC

* RESET

A16

A15

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

注意：

*此引脚为NC上AT49F002AN （T ）。

AT49F002A(N)(T)

3354F–FLASH–2/05

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

AT49F002A(N)(T)

3.框图

AT49F002A(N)

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

VCC

GND

RESET

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

主内存

4座

（ 64K字节）

主内存

3座

（ 64K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

3FFFF

AT49F002A(N)T

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

3FFFF

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

3座

（ 64K字节）

主内存

4座

（ 64K字节）

3C000

3BFFF

控制

逻辑

Y译码

地址

输入

X解码器

30000

2FFFF

20000

1FFFF

3A000

39FFF

10000

0FFFF

38000

37FFF

08000

07FFF

30000

2FFFF

06000

05FFF

20000

1FFFF

04000

03FFF

00000

10000

0FFFF

00000

4，设备操作

4.1

读

该AT49F002A （N）（ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE高，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出

放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这种双行

控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

4.2

命令序列

当设备首次通电时，它会被复位到读或取决于待机模式

控制线路输入状态。为了执行其它设备的功能，一系列的COM的

命令序列被输入到设备中。命令序列示于

命令定义表。命令序列被写入通过应用低脉冲上

WE或CE输入与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的

CE或WE的下降沿，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存

CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置

命令序列不受输入命令序列。

3354F–FLASH–2/05

4.3

RESET

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑

高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平将暂停

本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。如果

RESET引脚使一个由高到低的转变过程中编程或擦除操作，该操作

可能无法成功完成并且操作将具有经过高水平的重复

被施加到复位引脚。当一个高级别重申RESET引脚上，该装置

返回到读或待机模式时，根据控制输入的状态。通过应用

一个12V ± 0.5V的输入信号， RESET引脚，引导块阵列可即使被重新编程

引导块锁定功能已启用（见引导块编程超额锁定

乘坐部）。重置功能不可用的AT49F002AN （T ）。

4.4

删除

前一个字节可以被重新编程，主存储器块或参数块，其中包含

字节必须被擦除。的存储器位的擦除状态是逻辑“1”。整个装置

可以一次使用一个6字节的软件代码被删除。该软件芯片擦除代码CON-

的6个字节的负载的命令来与特定的数据模式，具体地址位置sists （请

指的是芯片擦除周期波形）。

之后，软件芯片擦除已启动，该装置将内部的时间擦除操作

化，使得无需外部时钟是必需的。所需要的最大时间来擦除整个芯片

为t

。如果引导块锁定功能已启用，在引导扇区中的数据不会被

删除。

4.4.1

芯片擦除

如果引导块锁定已启用，芯片擦除功能将擦除参数

块1 ，参数2座，主内存模块1-4 ，但不引导块。如果引导块

锁定尚未启用，芯片擦除功能将擦除整个芯片。经过充分

芯片擦除设备将返回到读取模式。在芯片擦除任何命令会

忽略不计。

4.4.2

扇区擦除

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成扇区，可以是单独地

删除。有两个8K字节参数块部分和四个主存储器块。该8K-

字节参数块部分和四个主存储器块可独立擦除的

和重新编程。扇区擦除命令是六总线周期的操作。部门

地址被锁存，第六周期的下降沿WE边缘，而30H数据输入的命令是

锁定在WE的上升沿。之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始

周期。擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。

AT49F002A(N)(T)

3354F–FLASH–2/05

AT49F002A(N)(T)

4.5

字节编程

一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节

的基础。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作

可以将“0”到“1” 。编程是通过器件内部的命令寄存器来实现的

和是一个4总线周期的操作（请参考命令定义的表）。该设备将

自动生成所需的内部编程脉冲。

程序循环有，以先到为准地址锁存WE或CE的下降沿

锁存WE或CE的上升沿，以先到为准。最后，和数据。程序设计

指定的T完成后

周期时间。的数据查询功能，也可以使用以

表明一个程序循环的结束。

4.6

引导块编程锁定

该装置具有一个具有编程锁定功能，一个指定的块。此功能前

通风口在指定的块数据的程序，一旦该功能被启用。大小

块为16K字节。此块中，被称为引导块，可包含安全的代码

用于调出系统。启用锁定功能将使启动代码留在

装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能没有被激活;

引导块的用法作为写保护区是任选的给用户。地址范围

引导块是00000至03FFF为AT49F002A （N），而靴子的地址范围

块3C000至3FFFF的AT49F002A （N ）T 。

一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被擦除或编程

与5.5V或更低的输入电压电平。在主存储器中的块的数据仍然可以被改变

通过定期的编程方法。要激活锁定功能，形成六大系列亲

克命令，可与特定数据的特定地址必须被执行。请参阅

命令定义表。

4.6.1

BOOT BLOCK闭锁检测

软件的方法是可用的，以确定是否在引导块部分的编程被锁定

出。当该装置是在软件产品标识模式（参见软件产品iDEN的

tification入口和出口部分），从地址位置00002H读，如果节目将展现

引导块被锁定为AT49F002A （ N）和从地址位置3C002H一个读

将显示是否编程引导块被锁定为AT49F002A （N ）T 。如果我的数据/ O0是

低时，引导块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能

已被激活，并且该块不能被编程。软件产品标识

退出代码应使用以返回到标准操作。

引导块编程锁定覆盖

用户可以通过采取RESET引脚到12伏重写引导区规划锁定。

通过这样做，保护的引导块中的数据可以通过一个芯片擦除，扇区擦除被改变或

字编程。当RESET引脚被带回TTL电平的引导块编程

铭锁定功能是反复活跃。此功能不可用的AT49F002AN （T ）。

4.6.2

3354F–FLASH–2/05

特点

单电压操作

- 5V阅读

- 5V重新编程

快速读取访问时间 - 55纳秒

内部控制程序和定时器

部门架构

- 一个16K字节的引导与规划锁定座

- 两个8K字节的参数块

- 四个主内存块（一个32K字节，三个64K字节）

快速擦除周期时间 - 4秒

逐字节编程 - 20微秒/字节典型

硬件数据保护

对检测程序结束数据轮询

低功耗

- 25毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

典型万次擦写循环

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

2-megabit

（ 256K ×8 ）

5伏只有

FL灰内存

AT49F002A

AT49F002AN

AT49F002AT

AT49F002ANT

1.描述

该AT49F002A （ N）（ T）是一个5伏只在系统内可编程闪存。其

2兆比特的存储器由8位， 262144字。与制造

Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备提供访问时间

55 ns的只有137毫瓦在工业温度范围内的功率耗散。

当设备被选中，则CMOS待机电流小于100 μA 。为

在AT49F002AN （T ）引脚1为PLCC封装和引脚9为TSOP封装的

无连接引脚。

以允许简单的系统重新编程，该AT49F002A （N）（T），不

需要高输入电压进行编程。五伏，只命令确定

阅读和器件的编程操作。读出的数据的设备是SIM-

ILAR从一个EPROM读取;它有标准的CE， OE和WE的投入，以避免公交车

争。重新编程的AT49F002A （N）（T），是通过擦除的块进行

数据，然后编程一个字节逐字节的基础。字节编程时间是

快20微秒。一个程序周期结束可以通过数据查询有选择地检测

功能。一旦一个字节的程序循环结束时被检测到，一个新的接入

读或编程可以开始。程序的典型数目和擦除周期是在

超过10,000次。

该设备通过执行擦除命令序列擦除;设备间

应受控制的擦除操作。有两个8K字节参数块部分，

四个主要的存储器块，并且一个引导块。

该设备具有保护在引导块中的数据的功能;此功能

通过一个命令序列启用。在16K字节的引导块部分包括重现

编程锁定功能，以提供数据的完整性。引导扇区被设计成

包含用户的安全代码，当启用该功能，引导扇区是亲

被重新编程tected 。

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在AT49F002A （ N）（ T），一旦引导块编程锁定功能被启用，犯人

引导块的帐篷是永久性的，不能改变。在AT49F002A （T）的，一旦

引导块编程锁定功能被启用，引导块中的内容不能

改变与5.5伏或更低的输入电平。

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A17

RESET

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

数据输入/输出

2.1

PLCC顶视图

A12

A15

A16

RESET *

VCC

A17

2.2

VSOP （ 8 ×14毫米）或TSOP 1型（ 8 ×20月） - 顶视图

A11

A13

A14

A17

VCC

* RESET

A16

A15

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

注意：

*此引脚为NC上AT49F002AN （T ）。

AT49F002A(N)(T)

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I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

AT49F002A(N)(T)

3.框图

AT49F002A(N)

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

VCC

GND

RESET

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

主内存

4座

（ 64K字节）

主内存

3座

（ 64K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

3FFFF

AT49F002A(N)T

数据输入/输出

I / O7 - I / O0

输入/输出

缓冲器

节目

数据锁存器

Y型GATING

3FFFF

BOOT BLOCK

（ 16K字节）

参数

1座

（ 8K字节）

参数

BLOCK 2

（ 8K字节）

主内存

1座

（ 32K字节）

主内存

BLOCK 2

（ 64K字节）

主内存

3座

（ 64K字节）

主内存

4座

（ 64K字节）

3C000

3BFFF

控制

逻辑

Y译码

地址

输入

X解码器

30000

2FFFF

20000

1FFFF

3A000

39FFF

10000

0FFFF

38000

37FFF

08000

07FFF

30000

2FFFF

06000

05FFF

20000

1FFFF

04000

03FFF

00000

10000

0FFFF

00000

4，设备操作

4.1

读

该AT49F002A （N）（ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE高，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出

放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这种双行

控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

4.2

命令序列

当设备首次通电时，它会被复位到读或取决于待机模式

控制线路输入状态。为了执行其它设备的功能，一系列的COM的

命令序列被输入到设备中。命令序列示于

命令定义表。命令序列被写入通过应用低脉冲上

WE或CE输入与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的

CE或WE的下降沿，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存

CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置

命令序列不受输入命令序列。

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4.3

RESET

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑

高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平将暂停

本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。如果

RESET引脚使一个由高到低的转变过程中编程或擦除操作，该操作

可能无法成功完成并且操作将具有经过高水平的重复

被施加到复位引脚。当一个高级别重申RESET引脚上，该装置

返回到读或待机模式时，根据控制输入的状态。通过应用

一个12V ± 0.5V的输入信号， RESET引脚，引导块阵列可即使被重新编程

引导块锁定功能已启用（见引导块编程超额锁定

乘坐部）。重置功能不可用的AT49F002AN （T ）。

4.4

删除

前一个字节可以被重新编程，主存储器块或参数块，其中包含

字节必须被擦除。的存储器位的擦除状态是逻辑“1”。整个装置

可以一次使用一个6字节的软件代码被删除。该软件芯片擦除代码CON-

的6个字节的负载的命令来与特定的数据模式，具体地址位置sists （请

指的是芯片擦除周期波形）。

之后，软件芯片擦除已启动，该装置将内部的时间擦除操作

化，使得无需外部时钟是必需的。所需要的最大时间来擦除整个芯片

为t

。如果引导块锁定功能已启用，在引导扇区中的数据不会被

删除。

4.4.1

芯片擦除

如果引导块锁定已启用，芯片擦除功能将擦除参数

块1 ，参数2座，主内存模块1-4 ，但不引导块。如果引导块

锁定尚未启用，芯片擦除功能将擦除整个芯片。经过充分

芯片擦除设备将返回到读取模式。在芯片擦除任何命令会

忽略不计。

4.4.2

扇区擦除

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成扇区，可以是单独地

删除。有两个8K字节参数块部分和四个主存储器块。该8K-

字节参数块部分和四个主存储器块可独立擦除的

和重新编程。扇区擦除命令是六总线周期的操作。部门

地址被锁存，第六周期的下降沿WE边缘，而30H数据输入的命令是

锁定在WE的上升沿。之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始

周期。擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。

AT49F002A(N)(T)

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AT49F002A(N)(T)

4.5

字节编程

一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节

的基础。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作

可以将“0”到“1” 。编程是通过器件内部的命令寄存器来实现的

和是一个4总线周期的操作（请参考命令定义的表）。该设备将

自动生成所需的内部编程脉冲。

程序循环有，以先到为准地址锁存WE或CE的下降沿

锁存WE或CE的上升沿，以先到为准。最后，和数据。程序设计

指定的T完成后

周期时间。的数据查询功能，也可以使用以

表明一个程序循环的结束。

4.6

引导块编程锁定

该装置具有一个具有编程锁定功能，一个指定的块。此功能前

通风口在指定的块数据的程序，一旦该功能被启用。大小

块为16K字节。此块中，被称为引导块，可包含安全的代码

用于调出系统。启用锁定功能将使启动代码留在

装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能没有被激活;

引导块的用法作为写保护区是任选的给用户。地址范围

引导块是00000至03FFF为AT49F002A （N），而靴子的地址范围

块3C000至3FFFF的AT49F002A （N ）T 。

一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被擦除或编程

与5.5V或更低的输入电压电平。在主存储器中的块的数据仍然可以被改变

通过定期的编程方法。要激活锁定功能，形成六大系列亲

克命令，可与特定数据的特定地址必须被执行。请参阅

命令定义表。

4.6.1

BOOT BLOCK闭锁检测

软件的方法是可用的，以确定是否在引导块部分的编程被锁定

出。当该装置是在软件产品标识模式（参见软件产品iDEN的

tification入口和出口部分），从地址位置00002H读，如果节目将展现

引导块被锁定为AT49F002A （ N）和从地址位置3C002H一个读

将显示是否编程引导块被锁定为AT49F002A （N ）T 。如果我的数据/ O0是

低时，引导块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能

已被激活，并且该块不能被编程。软件产品标识

退出代码应使用以返回到标准操作。

引导块编程锁定覆盖

用户可以通过采取RESET引脚到12伏重写引导区规划锁定。

通过这样做，保护的引导块中的数据可以通过一个芯片擦除，扇区擦除被改变或

字编程。当RESET引脚被带回TTL电平的引导块编程

铭锁定功能是反复活跃。此功能不可用的AT49F002AN （T ）。

4.6.2

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