特点
单电压读/写操作： 2.65V至3.6V
访问时间 - 70纳秒
扇区擦除架构
- 十五32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
快速字节/字编程时间 - 10微秒
快速扇区擦除时间 - 100毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何一个部分，通过暂停擦除
不同部门
- 支持读取任何字节/字，在通过暂停非悬浮部门
任何其他字节/字编程
低功耗工作
- 10毫安活动
- 15 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
TSOP和CBGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
通用闪存接口（ CFI ）
绿色（无铅/无卤化物）包装
8-megabit
（ 512K ×16 /
1M ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV802D
AT49BV802DT
1.描述
该AT49BV802D （ T）是组织为524,288 2.7伏8兆位闪存
也就是说，每行16位或1,048,576字节，每个字节8比特。在x16的数据出现在
I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该内存被分为23节
器进行擦除操作。该AT49BV802D （ T）提供48引脚TSOP和
48球CBGA封装。该装置具有CE及OE控制信号，以避免任何总线
争。此设备可被读取或使用单一的电源重新编程，
使其非常适合用于在系统编程。
在读出模式的设备通电。命令序列被用来放置
设备在其它的操作模式，如编程和擦除。该设备具有
能力，以保护数据中的任何部分（见
“行业锁定”
部分） 。
为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序
挂起功能。此功能将把擦除或编程搁置任何金额
时间，并让用户读取数据或程序数据的任何剩余的扇区
内的存储器中。一个程序或一擦除周期结束时由检测
就绪/忙脚，数据轮询或切换位。
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一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求
进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。
进入六字节代码后，需要进行令状只有单个脉冲的写控制线
荷兰国际集团到器件中。此模式（单脉冲字节/ Word程序）是由断电退出
设备，或通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它带回
V
CC
。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令将不起作用
在该模式下;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它不是
建议该6个字节的代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于
外部编程代码。
BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字的配置操作
化。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，该装置是在字结构中， I / O0 - I / O15是活性
并通过CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节构成，并且仅数据I / O管脚I / O0
- I / O7是活动的，由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14处于三态，并
在I / O15引脚用作输入的LSB （ A- 1 ）地址的功能。
2.引脚配置
引脚名称
A0 - A18
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
I / O0 - I / O14
I / O15 （ A- 1 ）
字节
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
数据输入/输出
I / O15 （数据输入/输出，字模式）
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
选择字节或字模式
无连接
2
AT49BV802D(T)
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3.框图
I / O0 - I / O15 / A- 1
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
A0 - A18
输入
卜FF器
数据
注册
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
地址
LATCH
数据
比较
CE
WE
OE
RESET
字节
RDY / BUSY
写状态
机
y解码器
Y型GATING
编程/擦除
高压开关
VCC
GND
X解码器
主
内存
4，设备操作
4.1
读
该AT49BV802D （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE高，
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出
放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这种双行
控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
4.2
命令序列
当设备首次通电时，它会被复位到读或待机模式时，根据
在控制线路输入状态。为了执行其它设备上功能，一系列
命令序列被输入到设备中。命令序列示于
“命令定义表”第13页
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令
码）。命令序列被写入通过应用低脉冲，在WE或CE输入
与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的CE的下降沿
还是我们，无论最后发生。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在命令序列中使用的地址位置
不受输入命令序列。
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AT49BV802D(T)
4.3
RESET
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑
高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平将暂停
本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。当一个
高级别重申对RESET引脚，器件返回到读或待机模式，
取决于控制输入的状态。
4.4
删除
前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。存储位的擦除状态
一个逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除命令或个别擦除
扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。
4.4.1
芯片擦除
整个装置可一次性使用六字节擦除芯片的软件代码被删除。
之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间，以便擦除操作
无外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会删除该部门的数据
已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，设备
将返回到读或待机模式。
4.4.2
扇区擦除
作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成23扇区（ SA0 - SA22 ），该
可独立擦除。扇区擦除命令是六总线周期操作。部门
地址被锁存，第六周期的下降沿WE边缘，而30H数据输入的命令是
锁存WE的上升沿。之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始
周期。擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。该
擦除扇区的最大时间为t
美国证券交易委员会
。当扇区编程锁定功能不
使能时，该扇区将擦除（从同一扇区擦除命令）。擦除的尝试
已被保护的扇区会造成操作就立即终止。
4.5
字节/字编程
一旦一个存储块被删除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节或者上一个
字由字的基础。编程是通过器件内部的命令寄存器来实现的
和是四总线周期操作。该设备将自动生成所需的内部
编程脉冲。
在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果一个
在编程过程中硬件复位发生时，在该位置被编程的数据将
损坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
令可以转换成“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，
BP
周期时间。该
数据查询功能或翻转位特征可以被用于指示一个节目的结束
周期。如果擦除/编程状态位是“1”时，设备不能够验证擦除或
成功地进行编程操作。
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