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特点
单电压操作的读/写: 2.65V - 3.6V
2.7V - 3.6V读/写
访问时间 - 70纳秒
扇区擦除架构
- 一百二十七个32K字的主要行业有独立的写锁定
- 八4K字部门有独立的写锁定
快字编程时间 - 10微秒
典型扇区擦除时间: 32K字的部门 - 500毫秒; 4K字部门 - 100毫秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何扇区的数据被擦除暂停
不同部门
- 支持读取任何一个字,暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 10毫安活动
- 15 μA待机
数据轮询和切换位的程序检测结束
VPP引脚为写保护和加速方案业务
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
TSOP封装
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
通用闪存接口( CFI )
绿色(无铅/无卤化物)包装
64-megabit
( 4M ×16 )
3伏只
FL灰内存
AT49BV642D
AT49BV642DT
1.描述
该AT49BV642D ( T)是组织为4,194,304 2.7伏64兆闪存
也就是说,每行16位。所述存储器被划分成135扇区擦除操作。
该装置可被读取或重新编程落单2.7V供电,使得它
非常适合用于在系统编程。
为了增加设备的灵活性,它包含一个擦除挂起和程序
挂起功能。此功能将把擦除或编程搁置任何金额
时间,并让用户读取数据或程序数据的任何剩余的扇区。
编程或擦除的结束是由数据轮询或切换位检测。
VPP引脚提供数据保护和更快的编程时间。当V
PP
输入低于0.4V时,编程和擦除功能被抑制。当V
PP
1.65V或以上,通常程序和擦除操作可以被执行。随着V
PP
at
10.0V ,程序(双字程序指令)操作加速。
六个字命令(输入单脉冲编程模式),以除去要求
进入三Word程序序列提供给进一步提高编程
明时。在写入控制输入6个字的码,只有单个脉冲之后
线都需要写入到器件中。此模式(单脉冲Word程序)
被断电的装置,通过采取RESET引脚与GND或由高退出
至低的V过渡
PP
输入。擦除,擦除挂起/恢复,可持计划
挂起/恢复和阅读复位命令将无法正常工作,而在这种模式下,如果进入
它们将导致数据被编程到器件中。我们不建议
六字代码驻留在最终产品中的软件,但只存在于外部
编程代码。
3631A–FLASH–04/06
2.引脚配置
引脚名称
I / O0 - I / O15
A0 - A21
CE
OE
WE
RESET
VPP
VCCQ
引脚功能
数据输入/输出
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
写保护和电源,用于加速项目
操作
输出电源
2.1
TSOP顶视图(类型1 )
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A21
A20
WE
RESET
VPP
NC
A19
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
VCCQ
GND
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
2
AT49BV642D(T)
3631A–FLASH–04/06
AT49BV642D(T)
3.设备操作
3.1
命令序列
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式,如编程和擦除。在完成一个节目或一个后
擦除周期,器件进入阅读模式。该命令序列写入应用
在WE输入带CE低和OE高或通过施加低向脉冲上的低脉冲
CE输入, WE低, OE高。的地址被锁存,在WE或CE的下降沿
以先到为准脉冲。有效的数据被锁存,在WE或CE的脉冲的上升沿,
以先到为准。在命令序列中使用的地址不会受
输入命令序列。
3.2
该AT49BV642D ( T)被访问像一个EPROM 。当CE和OE低, WE高,
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出
放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这种双行
控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
3.3
RESET
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑
高电平时,该设备处于其标准操作模式。在RESET引脚上的低电平将暂停
本设备的操作,并把该装置的输出端处于高阻抗状态。当一个
高级别重申RESET引脚上,该设备返回到读取或待机模式,这取决于
荷兰国际集团在控制引脚的状态。
3.4
抹去
前一个字可以被重新编程,必须擦除。的存储器位的擦除状态是
逻辑“1” 。整个存储器可以通过使用芯片擦除命令或个别擦除
扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。
3.4.1
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期操作。自动擦除开始上的上升沿
我们终于脉冲。芯片擦除不会改变保护部门的数据。全片后
擦除设备将返回到读模式。在芯片擦除硬件复位
停止擦除,但该数据将是未知状态。除了在芯片擦除任何命令
擦除挂起将被忽略。
3.4.2
扇区擦除
作为替代一全芯片擦除,该设备被组织成多个扇区,可以
单独擦除。扇区擦除命令是六总线周期操作。该部门的
地址是在第六届下降沿有效,我们将被删除提供给定扇区未
受到保护。
3
3631A–FLASH–04/06
3.5
字编程
对器件进行编程就一个字,用字的基础。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。编程地址
和数据被锁存在第四个周期。该装置将自动生成所需的
内部编程脉冲。请注意,一个“0”不能编程回一个“1” ;只
擦除操作可以转换成“0”到“1” 。
3.6
部门锁定
每个扇区有一个编程锁定功能。此功能可以防止数据的编程
一旦该功能指定部门已启用。这些部门可以包含安全
是,用于调出系统码。启用锁定功能将允许引导代码
留在所述装置,而在该设备的其余部分的数据被更新。此功能不会有
被激活;任何扇区的使用情况,在写保护区是任选的给用户。
在上电或复位后,所有部门都上锁。要激活锁定为特定的部门,
六总线周期行业锁定命令必须出具。一旦部门已经锁定,
该扇区的内容是只读的,不能被擦除或编程。
3.6.1
部门锁定检测
软件的方法是可用的,以确定是否一个扇区的编程被锁定。当
该装置是在软件产品标识模式(见
“软件产品标识
进入/退出“
上节
第23页)
从地址位置00002H一个扇区内读取显示
如果编程界被锁定。如果在I中的数据/ O0为低电平时,该扇区可以是亲
编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时,该程序锁定功能被使能,并且
扇区不能编程。软件产品标识的退出代码应当用于
返回到标准操作。
部门锁定覆盖
解锁被锁定的扇区的唯一方式是通过复位或加电循环。后
上电或复位时,该被锁定的可擦除和重新编程的扇区的内容。
3.6.2
3.7
编程/擦除状态
该装置提供了几个位,来确定一个程序的状态或擦除操作的:I / O 2,
的I / O 3, I / O 5 ,I / O6和I / O7 。所有其他状态位是不在乎。该
“状态位表”第10页
和以下四个部分描述了这些位的功能。提供了更大的灵活性
对于系统设计师来说, AT49BV642D ( T)包含一个可编程的配置寄存器。该
配置寄存器允许指定的状态位操作的用户。配置寄存器
器可以被设置为两个不同的值中的一个, “00”或“01” 。如果配置寄存器设置为
“00” ,该部分将自动成功程序后返回到读模式或擦除
操作。如果配置寄存器设置为“01”,一个产品ID退出命令必须在给定的
一个成功的程序或擦除操作之后,之前的部分将返回到读模式。这是
重要的是要注意,是否配置寄存器设置为“00” ,或者是“ 01”时,任何发送失败
cessful编程或擦除操作需要使用的产品ID退出命令返回
设备读取模式。默认值(在加电后),用于配置寄存器是“00” 。
利用上述的四总线周期组配置寄存器的命令如图中
“命令Defini-
化表“第11页,
配置寄存器的值可以改变。电压应用
到复位引脚将不会改变配置寄存器的值。配置的值
注册,如下所述,会影响I / O7状态位的操作。
4
AT49BV642D(T)
3631A–FLASH–04/06
AT49BV642D(T)
3.7.1
数据轮询
该AT49BV642D (T )功能数据轮询来表示一个程序周期结束。如果状态
配置寄存器设定为“00” ,在程序循环中的最后一个字的一个尝试读
载,否则会导致加载的数据上的I / O 7的补码。一旦该程序周期有
完毕后,真正的数据是在所有输出和下一个周期可以开始有效。在一个芯片或
扇区擦除操作,尝试读取器件将在I / O 7给出一个“0”。一旦程序
或擦除周期完成时,真正的数据将被从设备中读取。数据轮询可能在开始
该程序周期内的任何时间。请参阅
“状态位表”第10页
了解更多详情。
如果状态位配置寄存器被设置为一个“01”时,I / O7状态位将是低的,而
设备正在积极进行编程或擦除数据。 I / O7变高时,该设备已完成
编程或擦除操作。一旦I / O7已经很高,状态信息,其他引脚可以
进行检查。
数据轮询状态位必须配合使用的擦除/编程和V
PP
状态
位如在所示的算法在
图3-1和3-2
on
第8页。
3.7.2
切换位
除了数据轮询时, AT49BV642D (T)提供了另一种方法,用于确定
一个程序结束或擦除周期。在编程或擦除操作,连续尝试
从存储器中读取的数据将产生的I / O6 1和0之间切换。一旦程序
周期已经完成, I / O6将停止切换,有效的数据将被读取。检查触发位
在一个程序循环可以在任何时间开始。请参阅
“状态位表”第10页
更多的细节。
切换位状态位应配合使用的擦除/编程和V
PP
状态位
如所示的算法在
图3-3和3-4
on
第9页。
3.7.3
擦除/编程状态位
该器件提供对I / O5一个状态位,指示是否编程或擦除操作有
超过规定的内部脉冲计数限制。如果状态位为“ 1”时,设备将无法
验证擦除或一个字编程操作已被成功执行。该装置
还可以输出一个“1”上的I / O5如果系统尝试编程一个“1 ”发送给该被previ-位置
ously编程为“0”。只有擦除操作可改变为“0”返回到“1” 。如果一个节目
(扇区擦除)命令发出一个受保护的行业,受保护的部门将不亲
编程(擦除) 。该设备将进入一个状态读取模式和I / O5状态位将被置
高,说明该程序(删除)操作未完成的要求。一旦
擦除/编程状态位已被设置为“1”时,系统必须写入产品ID退出的COM
命令以返回到读模式。擦除/编程状态位为“0 ”,而擦除或
程序操作还在进行中。请参阅
“状态位表”第10页
了解更多详情。
VPP状态位
该AT49BV642D (T )提供了I / O3一个状态位,对于电压提供信息
VPP引脚的年龄层次。在编程或擦除操作时,如果在VPP引脚上的电压
不够高,无法成功地执行所需操作时,I / O 3的状态位为“1”。
一旦V
PP
状态位已被设置为“1”时,系统必须写入产品ID退出的COM
命令以返回到读模式。另一方面,如果电压电平是足够高
执行程序或成功地擦除操作中,V
PP
状态位将输出一个“ 0 ” 。请
SEE
“状态位表”第10页
了解更多详情。
3.7.4
5
3631A–FLASH–04/06
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