特点
64兆位（ 4M ×16 ）快闪记忆体
2.7V - 3.6V读/写
高性能
- 异步访问时间 - 70纳秒
- 页面模式读取时间 - 20纳秒
扇区擦除架构
- 八4K字部门有独立的写锁定
- 一百二十七个32K字的主要行业有独立的写锁定
典型扇区擦除时间： 32K字的部门 - 700毫秒; 4K字部门 - 200毫秒
四平面组织，允许并行读取中的任何3个平面不被
编程/擦除
- 内存平面答：内存16M其中包括八个4K字部门
- 内存面B：内存16M的32K字组成部门
- 内存平面C：内存16M的32K字组成部门
- 内存平面D：内存16M ，包括32K字部门
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何扇区的数据被擦除暂停
不同部门
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 30毫安活动
- 35 μA待机
2.2V的I / O选项可降低整体系统功耗
数据轮询和切换位的程序检测结束
VPP引脚为写保护和加速方案业务
RESET输入的设备初始化
TSOP封装
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
通用闪存接口（ CFI ）
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
64-megabit
（ 4M ×16 ）
页模式
2.7伏的闪存
内存
AT49BV6416
AT49BV6416T
1.描述
该AT49BV6416 （T）为2.7伏64兆位闪存。所述存储器被划分
为多个行业和飞机进行擦除操作。该装置可被读出或
重新编程落单2.7V电源供电，因此非常适合于系统
编程。输出电压可以分别控制上下2.2V时通过
在VCCQ电源引脚。该装置所用的异步或页面读操作
模式。
该AT49BV6416 （ T）被分成四个存储器平面。读操作可以发生
在任何一个未被编程或擦除的三个平面的。这种并发
操作允许改进的系统性能，不要求该系统等待
编程或擦除操作完成执行读取之前。为了进一步
增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序可持
挂起功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间
并让用户读取数据或程序数据的任何剩余的扇区。那里
没有理由暂停擦除或编程操作，如果要读取的数据是
另一个内存面。编程或擦除的结束是由数据轮询检测或
触发位。
3451C–FLASH–2/05
VPP引脚提供数据保护和更快的编程时间。当V
PP
输入
低于0.7V ，编程和擦除功能被禁止。当V
PP
是在1.65V以上，去甲
发作编程和擦除操作可以被执行。随着V
PP
在10.0V ，程序（双核
Word程序指令）操作加速。
一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式），以消除进入的要求
三个字节的程序序列提供给进一步提高编程时间。进入后
6字节码，需要进行写入唯一的单个脉冲的写控制线
装置。此模式（单脉冲Word程序）由设备断电退出，由着以
荷兰国际集团将RESET引脚与GND或在V高到低转换
PP
输入。擦除，擦除
暂停/恢复，计划暂停/恢复和阅读复位命令将无法同时工作
这种模式;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它不推荐
修补的六字节代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于外部
编程代码。
2.引脚配置
引脚名称
I / O0 - I / O15
A0 - A21
CE
OE
WE
RESET
WP
VPP
VCCQ
引脚功能
数据输入/输出
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
写保护
写保护和电源，用于加速项目
操作
输出电源
2.1
TSOP顶视图（类型1 ）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A21
A20
WE
RESET
VPP
WP
A19
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
VCCQ
GND
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
2
AT49BV6416(T)
3451C–FLASH–2/05
AT49BV6416(T)
3.设备操作
3.1
命令序列
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式，如编程和擦除。在完成一个节目或一个后
擦除周期，器件进入阅读模式。该命令序列写入应用
在WE输入带CE低和OE高或通过施加低向脉冲上的低脉冲
CE输入， WE低， OE高。的地址被锁存，在WE或CE的下降沿
以先到为准脉冲。有效的数据被锁存，在WE或CE的脉冲的上升沿，
以先到为准。在命令序列中使用的地址不会受
输入命令序列。
3.2
异步读
该AT49BV6416 （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出。
输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这双管路的
控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
3.3
页面读取
该装置的页读取操作是通过CE及OE输入控制。页大小是4
话。读出的页的第一个字的访问是一样的异步读取。第一
字被读出，在70毫微秒的异步速度。一旦第一个字被读出，切换A0和A1
将导致后续的页面被输出在20纳秒的速度范围内读取。该
“页
读周期波形“
示出上
第21页。
3.4
RESET
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑
高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET引脚上的低电平将暂停
本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。当一个
高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或待机模式，这取决于
荷兰国际集团在控制引脚的状态。
3.5
抹去
前一个字可以被重新编程，必须擦除。的存储器位的擦除状态是
逻辑“1” 。整个存储器可以通过使用芯片擦除命令或个别擦除
平面或扇区可以通过使用平面擦除或扇区擦除命令被删除。
3.5.1
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期操作。自动擦除开始上的上升沿
我们终于脉冲。芯片擦除不会改变保护部门的数据。全片后
擦除设备将返回到读模式。在芯片擦除硬件复位
停止擦除，但该数据将是未知状态。除了在芯片擦除任何命令
擦除挂起将被忽略。
3
3451C–FLASH–2/05
3.5.2
飞机擦除
作为一种替代全芯片擦除，该设备被组织成四个平面，可以是individu-
盟友删除。平面擦除命令是六总线周期操作。这架飞机，其地址为
在我们的第六个下降沿有效的将被删除。这架飞机擦除命令不会改变
在受保护的行业数据。
3.5.3
扇区擦除
作为替代一全芯片擦除或一个平面擦除，该设备被组织成多个仲
器可单独擦除。扇区擦除命令是六总线周期操作。
该部门的地址是在第六届下降沿有效，我们将被删除提供
给予行业还没有得到保护。
3.6
字编程
对器件进行编程就一个字，用字的基础。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。编程地址
和数据被锁存在第四个周期。该装置将自动生成所需的
内部编程脉冲。请注意，一个“0”不能编程回一个“1” ;只
擦除操作可以转换成“0”到“1” 。
3.7
灵活的扇区保护
该AT49BV6416 （T ）提供了两个部门的保护模式下， Softlock和硬件锁。该
Softlock模式优化为部门保护部门，其内容频繁变化。
硬件锁保护模式推荐用于部门，其内容很少改变。
一旦这两种模式中被使能，所选择的扇区的内容是只读的，并
不能被擦除或编程。每个扇区可以被独立地编程为在
Softlock或硬件锁业保护模式。在上电和复位，所有部门都有自己的软
锁保护模式下启用。
3.7.1
Softlock和解锁
该Softlock保护模式可以通过发出一个双总线周期解锁命令被禁用
所选扇区。一旦行业处于解锁状态，其内容可以被擦除或编程。对
使Softlock保护模式中，一个六总线周期Softlock命令必须发出到
选定行业。
硬件锁和写保护（ WP ）
硬件锁扇区保护模式下操作与写保护（ WP ）引脚相结合。
硬件锁业保护模式可以通过发出一个六总线周期硬件锁被启用软
器命令到所选的扇区。写保护引脚的状态是否影响了
硬件锁保护模式可以被覆盖。
当WP引脚为低电平和硬件锁保护模式被启用，该部门不能
解锁和扇区的内容是只读的。
当WP引脚为高电平时，硬件锁保护模式无效，该部门可
通过解锁命令解锁。
要禁用硬件锁扇区保护模式下，芯片必须是重置或重新加电。
3.7.2
4
AT49BV6416(T)
3451C–FLASH–2/05
AT49BV6416(T)
表3-1 。
硬件锁和Softlock保护配置结合WP
硬
LOCK
0
0
1
0
0
1
1
x
软
LOCK
0
1
1
0
1
0
1
x
擦除/
PROG
允许？
是的
No
No
是的
No
是的
No
No
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
IL
WP
0
0
0
1
1
1
1
x
评论
无界被锁定
部门Softlocked 。解锁命令可以解锁部门。
硬件锁保护模式被启用。该扇区不能
解锁。
无界被锁定。
部门Softlocked 。解锁命令可以解锁部门。
硬件锁保护模式无效，该部门未锁定。
硬件锁保护模式无效，该部门可
通过解锁命令解锁。
擦除和编程操作无法进行。
图3-1 。
部门锁定状态图
解锁
锁定
[000]
A
B
[001]
C
WP = V
IL
= 0
C
[011]
上电/复位
默认
Hardlocked
[110]
A
C
A
B
B
[111]
Hardlocked被禁用
WP = V
IH
WP = V
IH
= 1
C
[101]
上电/复位
默认
[100]
A
=解锁指令
B
= Softlock命令
C
=硬件锁命令
注意：
1.符号[ X，Y， Z]表示一个扇区的锁定状态。一个扇区的当前锁定状态使用WP的状态定义
和两个比特的扇区锁定状态D [ 1：0] 。
3.7.3
扇区保护检测
软件方法可用于确定扇区保护Softlock或硬件锁功能
被启用。当该装置是在软件产品识别模式从I / O0读
和I / O 1 ，在一个扇区内的地址位置00002H将显示如果该扇区被解锁，软
锁定，或hardlocked 。
5
3451C–FLASH–2/05
特点
64兆位（ 4M ×16 ）快闪记忆体
2.7V - 3.6V读/写
高性能
- 异步访问时间 - 70纳秒
- 页面模式读取时间 - 20纳秒
扇区擦除架构
- 八4K字部门有独立的写锁定
- 一百二十七个32K字的主要行业有独立的写锁定
典型扇区擦除时间： 32K字的部门 - 700毫秒; 4K字部门 - 200毫秒
四平面组织，允许并行读取中的任何3个平面不被
编程/擦除
- 内存平面答：内存16M其中包括八个4K字部门
- 内存面B：内存16M的32K字组成部门
- 内存平面C：内存16M的32K字组成部门
- 内存平面D：内存16M ，包括32K字部门
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何扇区的数据被擦除暂停
不同部门
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 30毫安活动
- 35 μA待机
2.2V的I / O选项可降低整体系统功耗
数据轮询和切换位的程序检测结束
VPP引脚为写保护和加速方案业务
RESET输入的设备初始化
TSOP封装
顶部或底部启动块配置可用
128位注册保护
通用闪存接口（ CFI ）
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
64-megabit
（ 4M ×16 ）
页模式
2.7伏的闪存
内存
AT49BV6416
AT49BV6416T
1.描述
该AT49BV6416 （T）为2.7伏64兆位闪存。所述存储器被划分
为多个行业和飞机进行擦除操作。该装置可被读出或
重新编程落单2.7V电源供电，因此非常适合于系统
编程。输出电压可以分别控制上下2.2V时通过
在VCCQ电源引脚。该装置所用的异步或页面读操作
模式。
该AT49BV6416 （ T）被分成四个存储器平面。读操作可以发生
在任何一个未被编程或擦除的三个平面的。这种并发
操作允许改进的系统性能，不要求该系统等待
编程或擦除操作完成执行读取之前。为了进一步
增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序可持
挂起功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间
并让用户读取数据或程序数据的任何剩余的扇区。那里
没有理由暂停擦除或编程操作，如果要读取的数据是
另一个内存面。编程或擦除的结束是由数据轮询检测或
触发位。
3451C–FLASH–2/05
VPP引脚提供数据保护和更快的编程时间。当V
PP
输入
低于0.7V ，编程和擦除功能被禁止。当V
PP
是在1.65V以上，去甲
发作编程和擦除操作可以被执行。随着V
PP
在10.0V ，程序（双核
Word程序指令）操作加速。
一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式），以消除进入的要求
三个字节的程序序列提供给进一步提高编程时间。进入后
6字节码，需要进行写入唯一的单个脉冲的写控制线
装置。此模式（单脉冲Word程序）由设备断电退出，由着以
荷兰国际集团将RESET引脚与GND或在V高到低转换
PP
输入。擦除，擦除
暂停/恢复，计划暂停/恢复和阅读复位命令将无法同时工作
这种模式;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它不推荐
修补的六字节代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于外部
编程代码。
2.引脚配置
引脚名称
I / O0 - I / O15
A0 - A21
CE
OE
WE
RESET
WP
VPP
VCCQ
引脚功能
数据输入/输出
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
写保护
写保护和电源，用于加速项目
操作
输出电源
2.1
TSOP顶视图（类型1 ）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A21
A20
WE
RESET
VPP
WP
A19
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
VCCQ
GND
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
2
AT49BV6416(T)
3451C–FLASH–2/05
AT49BV6416(T)
3.设备操作
3.1
命令序列
在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于
其他的操作模式，如编程和擦除。在完成一个节目或一个后
擦除周期，器件进入阅读模式。该命令序列写入应用
在WE输入带CE低和OE高或通过施加低向脉冲上的低脉冲
CE输入， WE低， OE高。的地址被锁存，在WE或CE的下降沿
以先到为准脉冲。有效的数据被锁存，在WE或CE的脉冲的上升沿，
以先到为准。在命令序列中使用的地址不会受
输入命令序列。
3.2
异步读
该AT49BV6416 （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出。
输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这双管路的
控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
3.3
页面读取
该装置的页读取操作是通过CE及OE输入控制。页大小是4
话。读出的页的第一个字的访问是一样的异步读取。第一
字被读出，在70毫微秒的异步速度。一旦第一个字被读出，切换A0和A1
将导致后续的页面被输出在20纳秒的速度范围内读取。该
“页
读周期波形“
示出上
第21页。
3.4
RESET
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑
高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET引脚上的低电平将暂停
本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。当一个
高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或待机模式，这取决于
荷兰国际集团在控制引脚的状态。
3.5
抹去
前一个字可以被重新编程，必须擦除。的存储器位的擦除状态是
逻辑“1” 。整个存储器可以通过使用芯片擦除命令或个别擦除
平面或扇区可以通过使用平面擦除或扇区擦除命令被删除。
3.5.1
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期操作。自动擦除开始上的上升沿
我们终于脉冲。芯片擦除不会改变保护部门的数据。全片后
擦除设备将返回到读模式。在芯片擦除硬件复位
停止擦除，但该数据将是未知状态。除了在芯片擦除任何命令
擦除挂起将被忽略。
3
3451C–FLASH–2/05
3.5.2
飞机擦除
作为一种替代全芯片擦除，该设备被组织成四个平面，可以是individu-
盟友删除。平面擦除命令是六总线周期操作。这架飞机，其地址为
在我们的第六个下降沿有效的将被删除。这架飞机擦除命令不会改变
在受保护的行业数据。
3.5.3
扇区擦除
作为替代一全芯片擦除或一个平面擦除，该设备被组织成多个仲
器可单独擦除。扇区擦除命令是六总线周期操作。
该部门的地址是在第六届下降沿有效，我们将被删除提供
给予行业还没有得到保护。
3.6
字编程
对器件进行编程就一个字，用字的基础。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。编程地址
和数据被锁存在第四个周期。该装置将自动生成所需的
内部编程脉冲。请注意，一个“0”不能编程回一个“1” ;只
擦除操作可以转换成“0”到“1” 。
3.7
灵活的扇区保护
该AT49BV6416 （T ）提供了两个部门的保护模式下， Softlock和硬件锁。该
Softlock模式优化为部门保护部门，其内容频繁变化。
硬件锁保护模式推荐用于部门，其内容很少改变。
一旦这两种模式中被使能，所选择的扇区的内容是只读的，并
不能被擦除或编程。每个扇区可以被独立地编程为在
Softlock或硬件锁业保护模式。在上电和复位，所有部门都有自己的软
锁保护模式下启用。
3.7.1
Softlock和解锁
该Softlock保护模式可以通过发出一个双总线周期解锁命令被禁用
所选扇区。一旦行业处于解锁状态，其内容可以被擦除或编程。对
使Softlock保护模式中，一个六总线周期Softlock命令必须发出到
选定行业。
硬件锁和写保护（ WP ）
硬件锁扇区保护模式下操作与写保护（ WP ）引脚相结合。
硬件锁业保护模式可以通过发出一个六总线周期硬件锁被启用软
器命令到所选的扇区。写保护引脚的状态是否影响了
硬件锁保护模式可以被覆盖。
当WP引脚为低电平和硬件锁保护模式被启用，该部门不能
解锁和扇区的内容是只读的。
当WP引脚为高电平时，硬件锁保护模式无效，该部门可
通过解锁命令解锁。
要禁用硬件锁扇区保护模式下，芯片必须是重置或重新加电。
3.7.2
4
AT49BV6416(T)
3451C–FLASH–2/05
AT49BV6416(T)
表3-1 。
硬件锁和Softlock保护配置结合WP
硬
LOCK
0
0
1
0
0
1
1
x
软
LOCK
0
1
1
0
1
0
1
x
擦除/
PROG
允许？
是的
No
No
是的
No
是的
No
No
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
IL
WP
0
0
0
1
1
1
1
x
评论
无界被锁定
部门Softlocked 。解锁命令可以解锁部门。
硬件锁保护模式被启用。该扇区不能
解锁。
无界被锁定。
部门Softlocked 。解锁命令可以解锁部门。
硬件锁保护模式无效，该部门未锁定。
硬件锁保护模式无效，该部门可
通过解锁命令解锁。
擦除和编程操作无法进行。
图3-1 。
部门锁定状态图
解锁
锁定
[000]
A
B
[001]
C
WP = V
IL
= 0
C
[011]
上电/复位
默认
Hardlocked
[110]
A
C
A
B
B
[111]
Hardlocked被禁用
WP = V
IH
WP = V
IH
= 1
C
[101]
上电/复位
默认
[100]
A
=解锁指令
B
= Softlock命令
C
=硬件锁命令
注意：
1.符号[ X，Y， Z]表示一个扇区的锁定状态。一个扇区的当前锁定状态使用WP的状态定义
和两个比特的扇区锁定状态D [ 1：0] 。
3.7.3
扇区保护检测
软件方法可用于确定扇区保护Softlock或硬件锁功能
被启用。当该装置是在软件产品识别模式从I / O0读
和I / O 1 ，在一个扇区内的地址位置00002H将显示如果该扇区被解锁，软
锁定，或hardlocked 。
5
3451C–FLASH–2/05
QQ：2881677436 复制
