【特点单电压读/写操作： 2.65V至3.6V访问时间 - 70纳秒扇区擦除架构- 六十三32K字（】,IC型号AT49BV322DT-70CU,AT49BV322DT-70CU PDF资料,AT49BV322DT-70CU经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压读/写操作： 2.65V至3.6V

访问时间 - 70纳秒

扇区擦除架构

- 六十三32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定

- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定

快字编程时间 - 10微秒

快速扇区擦除时间 - 100毫秒

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何一个部分，通过暂停擦除

不同部门

- 支持读取任何字节/字，在通过暂停非悬浮部门

任何其他字节/字编程

低功耗工作

- 10毫安活动

- 15 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

VPP引脚为写保护和加速程序运行

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

TSOP和CBGA封装选项

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

最少100,000次擦写循环

通用闪存接口（ CFI ）

32-megabit

（ 2M ×16 / 4M ×8 ）

3伏只

FL灰内存

AT49BV322D

AT49BV322DT

1.描述

该AT49BV322D （ T）是组织为2,097,152 2.7伏32兆位闪存

也就是说，每行16位或4,194,304字节，每字节8位。在x16的数据出现在

I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。所述存储器被划分成71仲

器进行擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球

CBGA封装。该装置具有CE及OE控制信号，以避免任何总线conten-

化。此设备可被读取或使用单一的电源重新编程，使得它

非常适合用于在系统编程。

在读出模式的设备通电。命令序列被用来放置

设备在其它的操作模式，如编程和擦除。该设备具有

能力，以保护数据中的任何部分（见

“行业锁定”第7页）。

为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序

挂起功能。此功能将把擦除或编程搁置任何金额

时间，并让用户读取数据或程序数据的任何剩余的扇区

内的存储器中。一个程序或一擦除周期结束时由检测

就绪/忙脚，数据轮询或切换位。

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VPP引脚提供数据保护。当V

输入低于0.4V时，编程和擦除

功能被抑制。当V

是在1.65V以上时，正常的编程和擦除操作

可以被执行。随着V

在10.0V ，程序（双字程序指令）操作

加速。

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求

进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。

进入六字节代码后，需要进行令状只有单个脉冲的写控制线

荷兰国际集团到器件中。此模式（单脉冲字节/ Word程序）是由断电退出

设备，或通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把它带回

。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令将不起作用

在该模式下;如果输入它们将导致数据被编程到器件中。它不是

建议该6个字节的代码驻留在最终产品中的软件，但只存在于

外部编程代码。

BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字的配置操作

化。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，该装置是在字结构中， I / O0 - I / O15是活性

并通过CE和OE控制。

如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节构成，并且仅数据I / O管脚I / O0

- I / O7是活动的，由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14处于三态，并

在I / O15引脚用作输入的LSB （ A- 1 ）地址的功能。

AT49BV322D(T)

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AT49BV322D(T)

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A20

RESET

RDY / BUSY

VPP

I / O0 - I / O14

I / O15 （ A- 1 ）

字节

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

READY / BUSY输出

写保护

数据输入/输出

I / O15 （数据输入/输出，字模式）， A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

选择字节或字模式

无连接

2.1

TSOP顶视图（类型1 ）

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

A20

RESET

VPP

RDY / BUSY

A18

A17

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

2.2

CBGA俯视图（球下）

A17

I/O0

I/O8

I/O9

I/O1

RDY / BUSY我们

VPP

A18

A20

I/O2

I/O10

I/O11

I/O3

RST

A19

I/O5

I/O12

VCC

I/O4

A10

A11

I/O7

A13

A12

A14

A15

A16

I / O14 BYTE

I / O13 I / 015 / A- 1

I/O6

VSS

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3.框图

I / O0 - I / O15 / A- 1

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A20

输入

卜FF器

数据

识别码

状态

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

字节

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

主

内存

4，设备操作

4.1

命令序列

当设备首次通电时，它会被复位到读或待机模式时，根据

在控制线路输入状态。为了执行其它设备上功能，一系列

命令序列被输入到设备中。命令序列示于

“命令定义表”第13页

（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令

码）。命令序列被写入通过应用低脉冲，在WE或CE输入

与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的CE的下降沿

还是我们，无论最后发生。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准

微处理机写定时被使用。在命令序列中使用的地址位置

不受输入命令序列。

4.2

读

该AT49BV322D （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE高，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出

AT49BV322D(T)

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AT49BV322D(T)

放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这种双行

控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

4.3

RESET

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当RESET为逻辑

高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平将暂停

本设备的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗状态。当一个

高级别重申对RESET引脚，器件返回到读或待机模式，

取决于控制输入的状态。

4.4

抹去

前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。存储位的擦除状态

一个逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除命令或个别擦除

扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

4.4.1

芯片擦除

整个装置可一次性使用六字节擦除芯片的软件代码被删除。

之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间，以便擦除操作

无外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会删除该部门的数据

已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，设备

将返回到读或待机模式。

4.4.2

扇区擦除

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成71扇区（ SA0 - SA70 ），该

可独立擦除。扇区擦除命令是六总线周期操作。部门

地址被锁存，第六周期的下降沿WE边缘，而30H数据输入的命令是

锁存WE的上升沿。之后的第6个WE的上升沿扇区擦除开始

周期。擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。该

擦除扇区的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当扇区编程锁定功能不

使能时，该扇区将擦除（从同一扇区擦除命令）。擦除的尝试

已被保护的扇区会造成操作就立即终止。

4.5

字节/字编程

一旦一个存储块被删除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节或者上一个

字由字的基础。编程是通过器件内部的命令寄存器来实现的

和是四总线周期操作。该设备将自动生成所需的内部

编程脉冲。

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果一个

在编程过程中硬件复位发生时，在该位置被编程的数据将

损坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有擦除操作

令可以转换成“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，

周期时间。该

数据查询功能或翻转位特征可以被用于指示一个节目的结束

周期。如果擦除/编程状态位是“1”时，设备不能够验证擦除或

成功地进行编程操作。

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