【特点单电压读/写操作： 2.65V至3.6V访问时间 - 70纳秒扇区擦除架构- 六十三32K字（】,IC型号AT49BV322A-70CI,AT49BV322A-70CI PDF资料,AT49BV322A-70CI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压读/写操作： 2.65V至3.6V

访问时间 - 70纳秒

扇区擦除架构

- 六十三32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定

- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定

快字编程时间 - 12微秒

快速扇区擦除时间 - 300毫秒

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何一个部分，通过暂停擦除

不同部门

- 支持读取任何字节/字，在通过暂停非悬浮部门

任何其他字节/字编程

低功耗工作

- 12毫安活动

- 13 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

VPP引脚为写保护

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

TSOP和CBGA封装选项

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

最少100,000次擦写循环

通用闪存接口（ CFI ）

32-megabit

（ 2M ×16 / 4M ×8 ）

3伏只

FL灰内存

AT49BV322A

AT49BV322AT

描述

该AT49BV322A （ T）是组织为2,097,152 2.7伏32兆位闪存

也就是说，每行16位或4,194,304字节，每字节8位。在X16的数据出现在I / O0

- I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该存储器被分成71扇区为

擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球CBGA封装

年龄。该设备具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。这

器可读取或使用单一电源重新编程，使其理想地

适用于在系统编程。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A20

RESET

RDY / BUSY

VPP

I / O0 - I / O14

I / O15 （ A- 1 ）

字节

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

READY / BUSY输出

写保护

数据输入/输出

I / O15 （数据输入/输出，字模式）

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

选择字节或字模式

无连接

3308H–FLASH–5/04

TSOP顶视图 - 1型

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

A20

RESET

VPP

RDY / BUSY

A18

A17

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图 - （球下）

A17

I/O0

I/O8

I/O9

I/O1

RDY / BUSY我们

VPP

A18

A20

I/O2

I/O10

I/O11

I/O3

RST

A19

I/O5

I/O12

VCC

I/O4

A10

A11

I/O7

A13

A12

A14

A15

A16

I / O14 BYTE

I / O13 I / 015 / A- 1

I/O6

VSS

在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于

其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力

在任何扇区的数据（参见“行业锁定”一节）。

为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停

功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让

用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该

一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或通过检测

切换位。

VPP引脚提供数据保护。当V

输入低于0.4V时，该程序并

擦除功能被禁止。当V

是在0.9V以上，正常的编程和擦除操作

令可以被执行。

AT49BV322A(T)

3308H–FLASH–5/04

AT49BV322A(T)

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求

进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。

进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线

写入到器件中。此模式（单脉冲字节/ Word程序）由供电退出

关闭该设备，或者通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把

回至V

。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令会

在此模式下工作时，如果输入它们将导致数据被编程到

装置。这是不建议的6个字节的代码驻留在最终产品中的软件

但仅在外部编程代码存在。

BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字的配置操作

化。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，该装置是在字结构中， I / O0 - I / O15是

积极通过CE和OE控制。

如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节构成，并且仅数据I / O引脚

I / O0 - I / O7是活动的，由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14是三 -

说明，并在所述的I / O15引脚用作输入端，用于LSB的（ A-1）地址的功能。

框图

I / O0 - I / O15 / A- 1

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A20

输入

卜FF器

数据

识别码

状态

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

字节

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

主

内存

3308H–FLASH–5/04

设备

手术

阅读：

该AT49BV322A （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE

为高电平时，存储在由地址引脚确定的存储单元的数据都被断言

上的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。

这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备首次通电时，它会被复位到读或

待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它

设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令

序列示于表中的“十六进制命令定义”一节第12 （I / O 8 - 的I / O15是

不关心输入的命令代码）。命令序列被写入通过应用

在WE或CE输入与CE或WE低脉冲低（分别）和OE高。地址

被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据由锁存

CE或WE的第一个上升沿。标准的微处理器写定时被使用。地址

在命令序列中使用的位置不会受到输入命令

序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或

待机模式下，根据控制输入的状态。

删除：

前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM

命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除

软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除

操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据

这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，

设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成71仲

器（ SA0 - SA70 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线

循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘

在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始

第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。擦除扇区的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当节

编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门

擦除命令）。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试

ATION立即终止。

字节/字编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（向的Logical

卡尔“0”）上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该装置将automati-

美云生成所需的内部编程脉冲。

AT49BV322A(T)

3308H–FLASH–5/04

AT49BV322A(T)

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果

在编程过程中一个硬件复位发生时，在该位置的数据正被编程

将被破坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除

操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，

周期

时间。数据轮询功能或翻转位特征可以被用于指示一个所述端

项目周期。如果擦除/编程状态位是“1”时，设备不能够验证

擦除或成功地进行编程操作。

VPP引脚：

该AT49BV322A （T）中的电路被设计成使得该装置不能为亲

编程，或者如果在V擦除

电压小于0.4V 。当V

是在0.9V以上，正常

程序和擦除操作可以被执行。 VPP引脚不能悬空。

编程/擦除状态：

该装置提供了几个位，以确定一个状态

编程或擦除操作的：I / O 2， I / O 3， I / O 5 ，I / O6和I / O7 。 “状态位表”第11页

和以下四个部分描述了这些位的功能。提供了更大的灵活性

对于系统设计师来说， AT49BV322A （ T）包含一个可编程的配置寄存器。

配置寄存器允许指定的状态位操作的用户。配置

寄存器可以被设置为两个不同的值中的一个， “00”或“01” 。如果配置寄存器设置

为“00” ，该部分在一个成功的程序或擦除后自动返回到读模式

操作。如果配置寄存器设置为“01”，一个产品ID退出命令必须是

一个成功的方案后给予或擦除操作之前的部分将返回到读

模式。需要注意的是，是否在配置寄存器设定为一个“00”或一个“01”是很重要的，

不成功的编程或擦除操作需要使用的产品ID退出命令

归还该设备的读取模式。默认值（上电后）为配置寄存器

之三是“00” 。利用上述的四总线周期设置配置寄存器命令所示的

“命令定义的十六进制”第12页上的表，配置寄存器的值可以是

改变了。适用于RESET引脚的电压不会改变配置寄存器的值

之三。配置寄存器的值将影响I / O7状态位是作为动作

如下所述。

数据查询：

该AT49BV322A （T ）功能数据轮询来表示程序结束

周期。如果配置状态寄存器被设置为一个“00” ，在程序循环的企图

读取的最后一个字节/字加载会导致加载的数据上的I / O 7的补。

一旦程序周期已经完成，真正的数据是在所有输出和下一个有效

周期可能开始。在一个芯片或扇区擦除操作，试图读取该设备会

在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除周期完成后，真正的将数据从读取

该设备。数据轮询可能在计划周期内随时开始。请参阅“状态

位表“第11页了解更多详情。

如果状态位配置寄存器被设置为一个“01”时，I / O7状态位将是低的，而

设备正在积极进行编程或擦除数据。的I / O7将变为高时，该设备具有的COM

pleted编程或擦除操作。一旦I / O7已经很高，状态信息在其他的

销可以被检查。

数据轮询状态位必须配合使用的擦除/编程和V

状态

如所示的算法在图1和2 9页的位。

3308H–FLASH–5/04

特点

单电压读/写操作： 2.65V至3.6V

访问时间 - 70纳秒

扇区擦除架构

- 六十三32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定

- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定

快字编程时间 - 12微秒

快速扇区擦除时间 - 300毫秒

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何一个部分，通过暂停擦除

不同部门

- 支持读取任何字节/字，在通过暂停非悬浮部门

任何其他字节/字编程

低功耗工作

- 12毫安活动

- 13 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

VPP引脚为写保护

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

TSOP和CBGA封装选项

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

最少100,000次擦写循环

通用闪存接口（ CFI ）

32-megabit

（ 2M ×16 / 4M ×8 ）

3伏只

FL灰内存

AT49BV322A

AT49BV322AT

描述

该AT49BV322A （ T）是组织为2,097,152 2.7伏32兆位闪存

也就是说，每行16位或4,194,304字节，每字节8位。在X16的数据出现在I / O0

- I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该存储器被分成71扇区为

擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球CBGA封装

年龄。该设备具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。这

器可读取或使用单一电源重新编程，使其理想地

适用于在系统编程。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A20

RESET

RDY / BUSY

VPP

I / O0 - I / O14

I / O15 （ A- 1 ）

字节

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

READY / BUSY输出

写保护

数据输入/输出

I / O15 （数据输入/输出，字模式）

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

选择字节或字模式

无连接

3308H–FLASH–5/04

TSOP顶视图 - 1型

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

A20

RESET

VPP

RDY / BUSY

A18

A17

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图 - （球下）

A17

I/O0

I/O8

I/O9

I/O1

RDY / BUSY我们

VPP

A18

A20

I/O2

I/O10

I/O11

I/O3

RST

A19

I/O5

I/O12

VCC

I/O4

A10

A11

I/O7

A13

A12

A14

A15

A16

I / O14 BYTE

I / O13 I / 015 / A- 1

I/O6

VSS

在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于

其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力

在任何扇区的数据（参见“行业锁定”一节）。

为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停

功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让

用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。该

一个程序或擦除周期的结束是由就绪/忙管脚，数据轮询或通过检测

切换位。

VPP引脚提供数据保护。当V

输入低于0.4V时，该程序并

擦除功能被禁止。当V

是在0.9V以上，正常的编程和擦除操作

令可以被执行。

AT49BV322A(T)

3308H–FLASH–5/04

AT49BV322A(T)

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列去除的要求

进入三字节的程序序列是提供进一步提高了编程时间。

进入六字节代码后，所需的只是单个脉冲的写控制线

写入到器件中。此模式（单脉冲字节/ Word程序）由供电退出

关闭该设备，或者通过脉冲RESET引脚为低电平至少500 ns的，然后把

回至V

。擦除，擦除挂起/恢复和程序挂起/恢复命令会

在此模式下工作时，如果输入它们将导致数据被编程到

装置。这是不建议的6个字节的代码驻留在最终产品中的软件

但仅在外部编程代码存在。

BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字的配置操作

化。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，该装置是在字结构中， I / O0 - I / O15是

积极通过CE和OE控制。

如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节构成，并且仅数据I / O引脚

I / O0 - I / O7是活动的，由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14是三 -

说明，并在所述的I / O15引脚用作输入端，用于LSB的（ A-1）地址的功能。

框图

I / O0 - I / O15 / A- 1

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A20

输入

卜FF器

数据

识别码

状态

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

字节

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

主

内存

3308H–FLASH–5/04

设备

手术

阅读：

该AT49BV322A （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE

为高电平时，存储在由地址引脚确定的存储单元的数据都被断言

上的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。

这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备首次通电时，它会被复位到读或

待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它

设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令

序列示于表中的“十六进制命令定义”一节第12 （I / O 8 - 的I / O15是

不关心输入的命令代码）。命令序列被写入通过应用

在WE或CE输入与CE或WE低脉冲低（分别）和OE高。地址

被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据由锁存

CE或WE的第一个上升沿。标准的微处理器写定时被使用。地址

在命令序列中使用的位置不会受到输入命令

序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或

待机模式下，根据控制输入的状态。

删除：

前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM

命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除

软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除

操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据

这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，

设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成71仲

器（ SA0 - SA70 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线

循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘

在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始

第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。擦除扇区的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当节

编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门

擦除命令）。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试

ATION立即终止。

字节/字编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（向的Logical

卡尔“0”）上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该装置将automati-

美云生成所需的内部编程脉冲。

AT49BV322A(T)

3308H–FLASH–5/04

AT49BV322A(T)

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果

在编程过程中一个硬件复位发生时，在该位置的数据正被编程

将被破坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除

操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，

周期

时间。数据轮询功能或翻转位特征可以被用于指示一个所述端

项目周期。如果擦除/编程状态位是“1”时，设备不能够验证

擦除或成功地进行编程操作。

VPP引脚：

该AT49BV322A （T）中的电路被设计成使得该装置不能为亲

编程，或者如果在V擦除

电压小于0.4V 。当V

是在0.9V以上，正常

程序和擦除操作可以被执行。 VPP引脚不能悬空。

编程/擦除状态：

该装置提供了几个位，以确定一个状态

编程或擦除操作的：I / O 2， I / O 3， I / O 5 ，I / O6和I / O7 。 “状态位表”第11页

和以下四个部分描述了这些位的功能。提供了更大的灵活性

对于系统设计师来说， AT49BV322A （ T）包含一个可编程的配置寄存器。

配置寄存器允许指定的状态位操作的用户。配置

寄存器可以被设置为两个不同的值中的一个， “00”或“01” 。如果配置寄存器设置

为“00” ，该部分在一个成功的程序或擦除后自动返回到读模式

操作。如果配置寄存器设置为“01”，一个产品ID退出命令必须是

一个成功的方案后给予或擦除操作之前的部分将返回到读

模式。需要注意的是，是否在配置寄存器设定为一个“00”或一个“01”是很重要的，

不成功的编程或擦除操作需要使用的产品ID退出命令

归还该设备的读取模式。默认值（上电后）为配置寄存器

之三是“00” 。利用上述的四总线周期设置配置寄存器命令所示的

“命令定义的十六进制”第12页上的表，配置寄存器的值可以是

改变了。适用于RESET引脚的电压不会改变配置寄存器的值

之三。配置寄存器的值将影响I / O7状态位是作为动作

如下所述。

数据查询：

该AT49BV322A （T ）功能数据轮询来表示程序结束

周期。如果配置状态寄存器被设置为一个“00” ，在程序循环的企图

读取的最后一个字节/字加载会导致加载的数据上的I / O 7的补。

一旦程序周期已经完成，真正的数据是在所有输出和下一个有效

周期可能开始。在一个芯片或扇区擦除操作，试图读取该设备会

在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除周期完成后，真正的将数据从读取

该设备。数据轮询可能在计划周期内随时开始。请参阅“状态

位表“第11页了解更多详情。

如果状态位配置寄存器被设置为一个“01”时，I / O7状态位将是低的，而

设备正在积极进行编程或擦除数据。的I / O7将变为高时，该设备具有的COM

pleted编程或擦除操作。一旦I / O7已经很高，状态信息在其他的

销可以被检查。

数据轮询状态位必须配合使用的擦除/编程和V

状态

如所示的算法在图1和2 9页的位。

3308H–FLASH–5/04