【特点单电压读/写操作： 2.65V至3.3V （ BV ）， 3.0V至3.6V （ LV ）访问】,IC型号AT49BV3218T-90TI,AT49BV3218T-90TI PDF资料,AT49BV3218T-90TI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压读/写操作： 2.65V至3.3V （ BV ）， 3.0V至3.6V （ LV ）

访问时间 - 85纳秒

扇区擦除架构

- 六十三32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定

- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定

快字编程时间 - 15微秒

快速扇区擦除时间 - 200毫秒

双平面组织，允许并行读取，而编程/擦除

内存平面A ：八4K Word和十五32K字扇区

内存面B ：48个32K字扇区

擦除挂起功能

- 支持从任何扇区读/编程数据，暂停的擦除

有什么不同部门

低功耗工作

- 25毫安活动

- 10 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

TSOP和CBGA封装选项

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

32-megabit

（ 2M ×16 / 4M ×8 ）

3伏只

FL灰内存

AT49BV3218

AT49BV3218T

AT49LV3218

AT49LV3218T

不推荐

新的设计。新

设计应该使用

AT49BV/LV320(T)/321(T)

描述

该AT49BV / LV3218 （T ）是2.65- 3.3伏（ BV ） /3.0V至3.6V （ LV ） 32兆位闪存

内存组织为16位每2,097,152字或4,194,304字节为8位

每一个。在X16的数据出现在I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。该

存储器被分成71扇区擦除操作。该器件采用48-

引脚TSOP和48球CBGA封装。该装置具有CE及OE控制信号，以

避免总线冲突。此设备可读取或重新编程，使用单

2.65V的电源，因此非常适合用于在系统编程。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A20

RESET

RDY / BUSY

VPP

I / O0 - I / O14

I / O15 （ A- 1 ）

字节

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

READY / BUSY输出

可选的电源

数据输入/输出

I / O15 （数据输入/输出，字模式）， A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

选择字节或字模式

无连接

牧师2452F -FLASH - 10月2日

TSOP顶视图

类型1

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

A20

RESET

VPP *

NC *

RDY / BUSY

A18

A17

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图

A7 RDY / BUSY我们

A17

I/O0

I/O8

I/O9

I/O1

NC *

A18

A20

I/O2

I/O10

I/O11

I/O3

RESET

VPP *

A19

I/O5

I/O12

VCC

I/O4

A10

A11

I/O7

I/O14

A13

A12

A14

A15

A16

字节

I / O13 I / O15 / A- 1

I/O6

VSS

注意：

*无论销13或销14 （ TSOP封装）或球B3或球C4（ CBGA封装）可连接到V

或者两个引脚可

悬空。

在读出模式的设备通电。命令序列被用来放置

设备在其它的操作模式，如编程和擦除。该设备具有capa-

相容性，以保护任何扇区的数据（见部门锁定部分）。

该装置被分成两个存储器平面。从内存面B读取可能

即使在编程或擦除功能在内存中的平面被执行执行

A和反之亦然。这个操作允许改进的系统性能，不要求

该系统等待编程或擦除操作完成之前读的per-

形成的。为了进一步提高该装置的灵活性，它包含一个擦除挂起

功能。此功能将搁置在擦除任何的时间，让用户

相同的存储器中读取数据或程序数据的任何剩余的扇区

平面。没有理由暂停的擦除操作，如果要读取的数据是在

其他内存飞机。一个程序或一擦除周期结束时由检测

就绪/忙脚，数据轮询或切换位。

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列，以去除

进入三字节的程序序列的要求提供，以进一步改善

编程时间。在写CON-进入六字节码，只有单个脉冲之后

控制线都需要写入到器件中。此模式（单脉冲字节/字

程序）退出由设备断电，或脉冲RESET引脚为低，

最低500纳秒，然后把它回V

。擦除和擦除挂起/恢复

命令将在此模式下无法正常工作;如果进入他们会导致数据被亲

编程到器件中。这是不建议的6个字节的代码驻留在

软件的终产物，但只存在于外部的编程代码。

BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字CON-操作

成形。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，该装置是在字结构中， I / O0 -

I / O15是活动的，由CE和OE控制。如果BYTE引脚被设置为逻辑“0” ，则

设备是在字节构成，并且仅数据I / O管脚I / O0 - I / O7是活性和反对

通过CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14处于三态，以及I / O15引脚

作为输入的LSB（ A-1）地址的功能。

AT49BV/LV3218(T)

2452F–FLASH–10/02

AT49BV/LV3218(T)

框图

I / O0 - I / O15 / A- 1

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A20

输入

卜FF器

数据

识别码

状态

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

字节

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

B面

扇区

平面点扇区

2452F–FLASH–10/02

设备

手术

阅读：

该AT49BV / LV3218 （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低，

WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据由地址引脚来确定是

上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE或OE

高。这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备首次启动将被重置为读或

待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它

设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令

顺序列于命令定义表（ I / O8 - I / O15都不在乎投入

指令码）。命令序列被写入通过应用低脉冲上

WE或CE输入与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的

CE或WE的下降沿，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存

CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置

命令序列不受输入命令序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或

待机模式下，根据控制输入的状态。

删除：

前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM

命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除

软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除

操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据

这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，

设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成71仲

器（ SA0 - SA70 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线

循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘

在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始

第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。擦除部分的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当节

编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门

擦除命令）。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试

ATION终止在2微秒。

字节/字编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（向的Logical

卡尔“0”）上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该装置将automati-

美云生成所需的内部编程脉冲。

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果

在编程过程中一个硬件复位发生时，在该位置的数据正被编程

将被破坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除

操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，

周期

时间。数据轮询功能或翻转位特征可以被用于指示一个所述端

项目周期。

AT49BV/LV3218(T)

2452F–FLASH–10/02

AT49BV/LV3218(T)

行业锁定：

每个扇区有一个编程锁定功能。此功能前

通风口在指定扇区的数据编程，一旦该功能被启用。

这些部门可以包含用于调出系统的安全码。启用锁相

断特性将允许引导代码停留在该设备，而在该装置的其余部分的数据是

更新。此功能没有被激活;任何行业的使用作为一个写保护

区域是可选的用户。

在上电或复位各界解锁。要激活锁定为特定的行业，

六总线周期行业锁定命令必须出具。一旦一个扇区已被锁定

下来，扇区的内容是只读的，不能被擦除或编程。

行业LOCKDOWN检测：

软件方法可用于确定是否编程

一个部门的明被锁定。当该装置是在软件产品标识

模式（请参阅软件产品识别进入和退出的部分），从地址读某些地区可能

一个扇区内化00002H将显示，如果编程界被锁定。如果数据上

I / O0为低电平时，该扇区可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定

功能已被启用，并且该扇区不能编程。软件产品identi-

fication退出代码应使用以返回到标准操作。

行业LOCKDOWN覆盖：

解锁部门的被锁定的唯一方法是

通过复位或上电周期。上电后或复位，一个部门的内容是

锁定可擦除和重新编程。

擦除暂停/删除简历：

擦除挂起命令允许系统

中断的扇区擦除操作，然后程序或从内不同的扇区读出的数据

同一平面上。由于该装置具有双平面体系结构，就没有必要使用

擦除挂起功能，而擦除扇区，当你想从一个扇区读取数据

另一架飞机。擦除暂停指令下达后，设备需要的最大时间

15微秒的暂停擦除操作。经过擦除操作已被暂停时，

面包含暂停业进入擦除暂停阅读的模式。该系统

然后可以读出的数据或程序数据到设备内的任何其它行业。的地址是不

擦除暂停命令时需要。在一个扇区擦除暂停，另一个部门

不能被擦除。要恢复扇区擦除操作时，系统必须写入擦除

恢复命令。在擦除恢复命令是一总线循环命令，它不

所需要的平面内的地址（由A20的测定 - A19）。该设备还支持擦除可持

在一个完整的芯片擦除挂起。而芯片擦除被暂停时，用户可以从读

受保护的存储器中的任何扇区。对于芯片擦除可持命令序列

挂起和一个扇区擦除暂停是相同的。

产品标识：

产品标识模式标识该设备和人为

造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件

操作模式可以由外部编程，以确定正确的编程

算法为Atmel的产品。

有关详细信息，请参阅第13页（硬件操作）上的“操作模式”或“软件产品

识别进入/退出“ 20.制造商和设备代码页都是相同的

这两种模式。

128位保护寄存器：

该装置包含一个128位寄存器，可用于

为了安全起见，在系统设计。保护寄存器被分成两个64位

块。这两个块被指定为块A和块B的数据在块A是不

多变而被编程为具有一个唯一编号的工厂。在块B中的数据是

由用户编程，并且可以锁定，使得在所述块中的数据不能被重现

编程。编程块B在保护寄存器，四个总线周期计划

保护寄存器命令必须被用作上所示的命令定义表

第7页锁定了B座四总线周期锁定保护寄存器命令必须是

使用如图所示的命令定义表。数据位D1必须在第四个是零

2452F–FLASH–10/02

特点

2.65V至3.3V的读/写

访问时间 - 85纳秒

扇区擦除架构

- 六十三32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定

- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定

快字编程时间 - 15微秒

快速扇区擦除时间 - 200毫秒

双平面组织，允许并行读取，而编程/擦除

内存平面A ：八4K Word和十五32K字扇区

内存面B ：48个32K字扇区

擦除挂起功能

- 支持从任何扇区读/编程数据，暂停的擦除

有什么不同部门

低功耗工作

- 25毫安活动

- 10 μA待机

数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束

RESET输入的设备初始化

部门锁定支持

TSOP和CBGA封装选项

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

32-megabit

（ 2M ×16 / 4M ×8 ）

3伏只

FL灰内存

AT49BV3218

AT49BV3218T

描述

该AT49BV3218 （ T）是组织为2.65- 3.3伏32兆位闪存

2097152字的每个16位或4,194,304字节，每字节8位。在X16数据

出现在I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。所述存储器被划分

到71扇区擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和

48球CBGA封装。该装置具有CE及OE控制信号，以避免任何总线

争。此设备可被读取或使用单一2.65V电源重新编程

供应，使得它非常适合于在系统编程。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A20

RESET

RDY / BUSY

VPP

I / O0 - I / O14

I / O15 （ A- 1 ）

字节

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

READY / BUSY输出

可选的电源

数据输入/输出

I / O15 （数据输入/输出，字模式）， A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

选择字节或字模式

无连接

牧师2452D -FLASH - 3月2日

TSOP顶视图

类型1

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A19

A20

RESET

VPP *

NC *

RDY / BUSY

A18

A17

A16

字节

GND

I/O15/A-1

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图

A7 RDY / BUSY我们

A17

I/O0

I/O8

I/O9

I/O1

NC *

A18

A20

I/O2

I/O10

I/O11

I/O3

RESET

VPP *

A19

I/O5

I/O12

VCC

I/O4

A10

A11

I/O7

I/O14

A13

A12

A14

A15

A16

字节

I / O13 I / O15 / A- 1

I/O6

VSS

注意：

*无论销13或销14 （ TSOP封装）或球B3或球C4（ CBGA封装）可连接到V

或者两个引脚可

悬空。

在读出模式的设备通电。命令序列被用来放置

设备在其它的操作模式，如编程和擦除。该设备具有capa-

相容性，以保护任何扇区的数据（见部门锁定部分）。

该装置被分成两个存储器平面。从内存面B读取可能

即使在编程或擦除功能在内存中的平面被执行执行

A和反之亦然。这个操作允许改进的系统性能，不要求

该系统等待编程或擦除操作完成之前读的per-

形成的。为了进一步提高该装置的灵活性，它包含一个擦除挂起

功能。此功能将搁置在擦除任何的时间，让用户

相同的存储器中读取数据或程序数据的任何剩余的扇区

平面。没有理由暂停的擦除操作，如果要读取的数据是在

其他内存飞机。一个程序或一擦除周期结束时由检测

就绪/忙脚，数据轮询或切换位。

一个6字节的命令（输入单脉冲编程模式）序列，以去除

进入三字节的程序序列的要求提供，以进一步改善

编程时间。在写CON-进入六字节码，只有单个脉冲之后

控制线都需要写入到器件中。此模式（单脉冲字节/字

程序）退出由设备断电，或脉冲RESET引脚为低，

最低500纳秒，然后把它回V

。擦除和擦除挂起/恢复

命令将在此模式下无法正常工作;如果进入他们会导致数据被亲

编程到器件中。这是不建议的6个字节的代码驻留在

软件的终产物，但只存在于外部的编程代码。

BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字CON-操作

成形。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，该装置是在字结构中， I / O0 -

I / O15是活动的，由CE和OE控制。如果BYTE引脚被设置为逻辑“0” ，则

设备是在字节构成，并且仅数据I / O管脚I / O0 - I / O7是活性和反对

通过CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14处于三态，以及I / O15引脚

作为输入的LSB（ A-1）地址的功能。

AT49BV3218(T)

2452D–FLASH–03/02

AT49BV3218(T)

框图

I / O0 - I / O15 / A- 1

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A20

输入

卜FF器

数据

识别码

状态

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

字节

RDY / BUSY

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

B面

扇区

平面点扇区

2452D–FLASH–03/02

设备

手术

阅读：

该AT49BV3218 （ T）被访问像一个EPROM 。当CE和OE低， WE

为高电平时，存储在由地址引脚确定的存储单元的数据都被断言

上的输出。的输出被置于高阻抗状态，每当CE或OE为高电平。

这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备首次启动将被重置为读或

待机模式下，根据控制线输入的状态。为了执行其它

设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令

顺序列于命令定义表（ I / O8 - I / O15都不在乎投入

指令码）。命令序列被写入通过应用低脉冲上

WE或CE输入与CE或WE低（分别）和OE高。的地址被锁存的

CE或WE的下降沿，最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存

CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置

命令序列不受输入命令序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取或

待机模式下，根据控制输入的状态。

删除：

前一个字节/字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM

命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。

芯片擦除：

整个装置可一次性使用六字节芯片擦除擦除

软件代码。之后，芯片擦除已启动，该器件将内部时间擦除

操作，从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t

如果扇区锁定已启用，芯片擦除不会擦除扇区的数据

这已被锁定;它会删除只未受保护的行业。芯片擦除后，

设备将返回到读或待机模式。

扇区擦除：

作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成71仲

器（ SA0 - SA70 ），其可以被单独擦除。扇区擦除命令是六总线

循环操作。扇区地址被锁存的第六个周期，而落下WE边缘

在30H数据输入命令锁存WE的上升沿。后扇区擦除开始

第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会

自动完成时间。擦除部分的最大时间为t

美国证券交易委员会

。当节

编程器锁定功能未启用，该部门将擦除（来自同一部门

擦除命令）。擦除已被保护会导致中的操作数的扇区的尝试

ATION终止在2微秒。

字节/字编程：

一旦一个存储块被删除时，它被编程（向的Logical

卡尔“0”）上的逐字节或一个字的字的基础。编程是通过完成

内部设备命令寄存器和是四总线周期操作。该装置将automati-

美云生成所需的内部编程脉冲。

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果

在编程过程中一个硬件复位发生时，在该位置的数据正被编程

将被破坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除

操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，

周期

时间。数据轮询功能或翻转位特征可以被用于指示一个所述端

项目周期。

AT49BV3218(T)

2452D–FLASH–03/02

AT49BV3218(T)

行业锁定：

每个扇区有一个编程锁定功能。此功能前

通风口在指定扇区的数据编程，一旦该功能被启用。

这些部门可以包含用于调出系统的安全码。启用锁相

断特性将允许引导代码停留在该设备，而在该装置的其余部分的数据是

更新。此功能没有被激活;任何行业的使用作为一个写保护

区域是可选的用户。

在上电或复位各界解锁。要激活锁定为特定的行业，

六总线周期行业锁定命令必须出具。一旦一个扇区已被锁定

下来，扇区的内容是只读的，不能被擦除或编程。

行业LOCKDOWN检测：

软件方法可用于确定是否编程

一个部门的明被锁定。当该装置是在软件产品标识

模式（请参阅软件产品识别进入和退出的部分），从地址读某些地区可能

一个扇区内化00002H将显示，如果编程界被锁定。如果数据上

I / O0为低电平时，该扇区可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序锁定

功能已被启用，并且该扇区不能编程。软件产品identi-

fication退出代码应使用以返回到标准操作。

行业LOCKDOWN覆盖：

解锁部门的被锁定的唯一方法是

通过复位或上电周期。上电后或复位，一个部门的内容是

锁定可擦除和重新编程。

擦除暂停/删除简历：

擦除挂起命令允许系统

中断的扇区擦除操作，然后程序或从内不同的扇区读出的数据

同一平面上。由于该装置具有双平面体系结构，就没有必要使用

擦除挂起功能，而擦除扇区，当你想从一个扇区读取数据

另一架飞机。擦除暂停指令下达后，设备需要的最大时间

15微秒的暂停擦除操作。经过擦除操作已被暂停时，

面包含暂停业进入擦除暂停阅读的模式。该系统

然后可以读出的数据或程序数据到设备内的任何其它行业。的地址是不

擦除暂停命令时需要。在一个扇区擦除暂停，另一个部门

不能被擦除。要恢复扇区擦除操作时，系统必须写入擦除

恢复命令。在擦除恢复命令是一总线循环命令，它不

所需要的平面内的地址（由A20的测定 - A19）。该设备还支持擦除可持

在一个完整的芯片擦除挂起。而芯片擦除被暂停时，用户可以从读

受保护的存储器中的任何扇区。对于芯片擦除可持命令序列

挂起和一个扇区擦除暂停是相同的。

产品标识：

产品标识模式标识该设备和人为

造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件

操作模式可以由外部编程，以确定正确的编程

算法为Atmel的产品。

有关详细信息，请参阅第13页（硬件操作）上的“操作模式”或“软件产品

识别进入/退出“ 20.制造商和设备代码页都是相同的

这两种模式。

128位保护寄存器：

该装置包含一个128位寄存器，可用于

为了安全起见，在系统设计。保护寄存器被分成两个64位

块。这两个块被指定为块A和块B的数据在块A是不

多变而被编程为具有一个唯一编号的工厂。在块B中的数据是

由用户编程，并且可以锁定，使得在所述块中的数据不能被重现

编程。编程块B在保护寄存器，四个总线周期计划

保护寄存器命令必须被用作上所示的命令定义表

第7页锁定了B座四总线周期锁定保护寄存器命令必须是

使用如图所示的命令定义表。数据位D1必须在第四个是零

2452D–FLASH–03/02