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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第105页 > AT49BV2048A-90TI
特点
单电压读/写操作: 2.7V至3.6V ( BV ) , 3.0V至3.6V ( LV )
快速读取访问时间 - 70纳秒
内部擦除/编程控制
部门架构
- 一个8K字( 16K字节)的引导与编程锁定座
- 两个4K字( 8K字节)参数块
- 一个112K字( 224K字节)主存储器阵列块
快速扇区擦除时间 - 10秒
逐字节或字的字编程 - 30 μs的典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 25毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
描述
该AT49BV / LV2048A是组织为262,144 3伏, 2兆位闪存
也就是说每8位或每16位128K字。爱特梅尔的制造
先进的非易失性CMOS技术,该器件具有存取时间为70 ns的用
仅仅67毫瓦,在2.7V的功耗读取。取消选中时, CMOS待机
电流小于50微安。
前作设备合作NT泉美飒えれなBLE D“博OT一个BLO CK ”公关OT EC TIO N FE凡恩重。前作
AT49BV / LV2048A座落于最低阶地址的引导块( “底部启动”)。
为了让简单的系统内可再编程,在AT49BV / LV2048A不
需要高输入电压进行编程。读数据从器件中是类似
从一个EPROM读取;它有标准的CE , OE和WE的投入,以避免公交车CON-
张力。重新编程的AT49BV / LV2048A是首先擦除的块进行
数据,然后编程一个字节由字节或字的字的基础。
2-megabit
( 256K ×8 /
128K ×16 )
单2.7伏
电池电压
FL灰内存
AT49BV2048A
AT49LV2048A
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
RESET
VPP
I / O0 - I / O15
I/O15(A-1)
字节
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
VPP可以悬空或连接到VCC , GND , 5V或
12V 。输入对装置的操作没有任何影响。
数据输入/输出
I / O15 (数据输入/输出,字模式)
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
选择字节或字模式
无连接
牧师1914D -FLASH - 3月2日
1
AT49BV / LV2048A SOIC封装( SOP )
AT49BV / LV2048A TSOP顶视图
类型1
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
VPP
NC
NC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
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48
47
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A16
字节
GND
I/O15/A-1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
VPP
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
I/O0
I/O8
I/O1
I/O9
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
1
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RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
I/O15/A-1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
注意:
“表示白点上的包。
该设备通过执行擦除命令序列擦除;内部器件所
指令对擦除操作。所述存储器被划分成四个块进行擦除操作。那里
两个4K字参数块部分,引导块,以及在主存储器阵列块。
程序的典型数目和擦除周期中超过10,000个循环。
在8K字引导块部分包括重新编程锁定功能,以提供数据
诚信。这个功能是通过一个命令序列启用。一旦引导块编程
锁定功能被使能时,在所述引导块中的数据不能被改变时的输入电平
5.5伏或更小的使用。引导扇区被设计为包含用户的安全密码。
BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字的配置操作
化。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”或左开,该装置是在字结构中, I / O0 -
I / O15是活动的,由CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时,该装置是在字节构成,并且仅数据I / O引脚
I / O0 - I / O7是活动的,由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14是三 -
陈述和I / O15引脚用作输入的LSB ( A- 1 )地址的功能。
2
AT49BV/LV2048A
1914D–FLASH–03/02
AT49BV/LV2048A
AT49BV/LV2048
VCC
GND
OE
WE
CE
RESET
地址
输入
数据输入/输出
I / O0 - I / O15
控制
逻辑
输入/输出
缓冲器
程序数据
锁存器
Y型GATING
主内存
( 112K字)
参数
BLOCK 2
4K字
参数
1座
4K字
BOOT BLOCK
8K字
Y译码
X解码器
1FFFF
04000
03FFF
03000
02FFF
02000
01FFF
00000
设备
手术
阅读:
该AT49BV / LV2048A访问像EPROM 。当CE和OE低,
WE为高电平时,存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置
上的输出。的输出被置于高阻抗状态,每当CE或OE为高电平。
这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
命令序列:
当设备首次启动将被重置为读或
待机模式下,根据控制线输入的状态。为了执行其它
设备上功能,一系列命令序列将被输入到该设备。命令
顺序列于命令定义表( I / O8 - I / O15都不在乎投入
指令码) 。命令序列被写入通过应用低脉冲上
WE或CE输入与CE或WE低(分别)和OE高。的地址被锁存的
CE或WE的下降沿,最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存
CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置
命令序列不受输入命令序列。
RESET :
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为
一个逻辑高电平时,该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平
停止本装置的操作,并把该装置的输出端处于高阻抗
状态。当一个高级别重申RESET引脚上,该设备返回到读取或
待机模式下,根据控制输入的状态。通过施加12V <Symbol
10pt> ± 0.5V的输入信号, RESET引脚的引导块阵列可即使被重新编程
引导块程序锁定功能已启用(见“引导块编程
锁定覆盖“一节) 。
删除:
前一个字节或字可以被重新编程,它必须被擦除。擦除状态
存储器的比特是逻辑“ 1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM
命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。
芯片擦除:
整个装置可一次性使用6字节的芯片擦除擦除
软件代码。之后,芯片擦除已启动,该器件将内部时间擦除
操作,从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果引导块锁定已启用,芯片擦除不会删除在开机的数据
块;它会删除主存储块只有参数块。芯片擦除后,
该设备将返回到读或待机模式。
3
1914D–FLASH–03/02
扇区擦除:
作为替代一全芯片擦除,该设备被组织成四个仲
器可单独擦除。有两个4K字参数块部分,一个
引导块,以及在主存储器阵列块。扇区擦除命令是六总线周期
操作。扇区地址被锁存第六周期而下降WE边缘
30H数据输入的命令被锁在WE的上升沿。之后的扇区擦除开始
第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会自动
matically时间来完成。每当主存储器块被擦除和重新编程,
这两个参数块应该被擦除和重新编程的主内存块之前
再次删除。当一个参数块擦除和重新编程,其他参
ETER块应该被擦除和重新编程的第一个参数块擦除之前
再次。每当引导块被擦除和重新编程,主存储器块和
参数块应该被擦除和重新编程之前,引导块被再次删除。
字节/字编程:
一旦一个存储块被删除时,它被编程(为逻辑
“0”)上的逐字节或字的字的基础。编程是通过内部完成
设备命令寄存器和是四总线周期操作。该设备将自动gen-
中心提供全方位所需的内部程序脉冲。
在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果
在编程过程中一个硬件复位发生时,在该位置的数据正被编程
将被破坏。请注意,一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除
操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后,
BP
周期
时间。数据查询功能,也可以用于指示一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定:
该设备具有具有一个指定的块
编程锁定功能。此功能可以防止数据的程序在指定
一旦该功能已启用阻止。块的大小是8K字。该块,
被称为引导块,可以包含用于调出系统的安全码。
启用锁定功能将使启动代码留在设备,而在其余的数据
该装置的被更新。此功能没有被激活;引导块的用法
写保护区域是可选的用户。引导块的地址范围为00000H
到01FFFH 。
一旦启用该功能,在引导块中的数据不能再被删除或亲
5.5V或更小的编程时的输入电平被使用。在主存储器中的块的数据仍然可以
通过常规的编程方法来改变。要激活锁定功能,一系列
六个程序命令与特定数据的特定地址必须被执行。请
参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测:
软件方法可用于确定是否亲
引导块段编程被锁定。当该装置是在软件产品
识别模式(请参阅软件产品识别进入和退出部分),从读
下面的地址位置将显示,如果编程引导块被锁定 - 00002H 。
如果在I中的数据/ O0为低时,引导块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时,
程序锁定功能已启用,块不能编程。该软
洁具产品识别退出代码应使用以返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁控制装置:
用户可以覆盖启动
块编程锁定,采取RESET引脚到12伏在整个芯片擦除,
扇区擦除或字编程操作。当RESET引脚被带回TTL
各级引导块编程锁定功能是反复活跃。
4
AT49BV/LV2048A
1914D–FLASH–03/02
AT49BV/LV2048A
产品标识:
产品标识模式标识该设备和人为
造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件
操作模式可以由外部编程,以确定正确的编程
算法为Atmel的产品。
有关详细信息,请参阅“操作模式” (硬件操作)或“软件产品Identifica-
化进入/退出“第13页上的制造商和设备代码是相同的两种模式。
数据查询:
该AT49BV / LV2048A功能数据轮询,表示亲的结束
克循环。在一个程序循环中的最后一个字节的企图读出加载的,将导致
补上的I / O7加载数据。一旦程序循环已完成,真
数据是对所有的输出有效,并且下一个周期可以开始。在一个芯片或扇区擦除操作
化,尝试读取器件将在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除周期有
完成时,真正的数据会从设备中读取。数据轮询可能在随时开始
程序循环。
触发位:
除了数据轮询时, AT49BV / LV2048A提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作, suc-
cessive尝试从设备中读取的数据将产生的I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成, I / O6将停止切换,有效的数据将
读取。检查触发位可以在一个程序循环随时开始。
硬件数据保护:
硬件功能防止意外计划
到AT49BV / LV2048A以下方式:(1 )V
CC
意义:若V
CC
低于1.8V (典型值) ,
该程序的功能是抑制。 (二)V
CC
上电延时:一旦V
CC
已达到在V
CC
层次感,设备会自动超时编程前10毫秒(典型值) 。 (三)亲
克抑制:控股OE低,高CE或WE抑制高次方案中的任何一个。 (四)噪声
过滤器:小于15纳秒(典型值)的WE或CE输入脉冲不会启动程序
周期。
输入电平:
同时,采用2.7V至3.6V电源供电,地址和控制操作
输入( OE , CE和WE )可以驱动从0到5.5V没有操作产生不利影响
化设备。该I / O线,只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
5
1914D–FLASH–03/02
特点
单电压读/写操作: 2.7V至3.6V ( BV ) , 3.0V至3.6V ( LV )
快速读取访问时间 - 70纳秒
内部擦除/编程控制
部门架构
- 一个8K字( 16K字节)的引导与编程锁定座
- 两个4K字( 8K字节)参数块
- 一个112K字( 224K字节)主存储器阵列块
快速扇区擦除时间 - 10秒
逐字节或字的字编程 - 30 μs的典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 25毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
描述
该AT49BV / LV2048A是组织为262,144 3伏, 2兆位闪存
也就是说每8位或每16位128K字。爱特梅尔的制造
先进的非易失性CMOS技术,该器件具有存取时间为70 ns的用
仅仅67毫瓦,在2.7V的功耗读取。取消选中时, CMOS待机
电流小于50微安。
前作设备合作NT泉美飒えれなBLE D“博OT一个BLO CK ”公关OT EC TIO N FE凡恩重。前作
AT49BV / LV2048A座落于最低阶地址的引导块( “底部启动”)。
为了让简单的系统内可再编程,在AT49BV / LV2048A不
需要高输入电压进行编程。读数据从器件中是类似
从一个EPROM读取;它有标准的CE , OE和WE的投入,以避免公交车CON-
张力。重新编程的AT49BV / LV2048A是首先擦除的块进行
数据,然后编程一个字节由字节或字的字的基础。
2-megabit
( 256K ×8 /
128K ×16 )
单2.7伏
电池电压
FL灰内存
AT49BV2048A
AT49LV2048A
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
RESET
VPP
I / O0 - I / O15
I/O15(A-1)
字节
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
VPP可以悬空或连接到VCC , GND , 5V或
12V 。输入对装置的操作没有任何影响。
数据输入/输出
I / O15 (数据输入/输出,字模式)
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
选择字节或字模式
无连接
牧师1914D -FLASH - 3月2日
1
AT49BV / LV2048A SOIC封装( SOP )
AT49BV / LV2048A TSOP顶视图
类型1
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
VPP
NC
NC
NC
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A7
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字节
GND
I/O15/A-1
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I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
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I/O1
I/O8
I/O0
OE
GND
CE
A0
VPP
NC
NC
A7
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A3
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A0
CE
GND
OE
I/O0
I/O8
I/O1
I/O9
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
1
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RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
I/O15/A-1
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
注意:
“表示白点上的包。
该设备通过执行擦除命令序列擦除;内部器件所
指令对擦除操作。所述存储器被划分成四个块进行擦除操作。那里
两个4K字参数块部分,引导块,以及在主存储器阵列块。
程序的典型数目和擦除周期中超过10,000个循环。
在8K字引导块部分包括重新编程锁定功能,以提供数据
诚信。这个功能是通过一个命令序列启用。一旦引导块编程
锁定功能被使能时,在所述引导块中的数据不能被改变时的输入电平
5.5伏或更小的使用。引导扇区被设计为包含用户的安全密码。
BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚在字节或字的配置操作
化。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”或左开,该装置是在字结构中, I / O0 -
I / O15是活动的,由CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时,该装置是在字节构成,并且仅数据I / O引脚
I / O0 - I / O7是活动的,由CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14是三 -
陈述和I / O15引脚用作输入的LSB ( A- 1 )地址的功能。
2
AT49BV/LV2048A
1914D–FLASH–03/02
AT49BV/LV2048A
AT49BV/LV2048
VCC
GND
OE
WE
CE
RESET
地址
输入
数据输入/输出
I / O0 - I / O15
控制
逻辑
输入/输出
缓冲器
程序数据
锁存器
Y型GATING
主内存
( 112K字)
参数
BLOCK 2
4K字
参数
1座
4K字
BOOT BLOCK
8K字
Y译码
X解码器
1FFFF
04000
03FFF
03000
02FFF
02000
01FFF
00000
设备
手术
阅读:
该AT49BV / LV2048A访问像EPROM 。当CE和OE低,
WE为高电平时,存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置
上的输出。的输出被置于高阻抗状态,每当CE或OE为高电平。
这种双行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
命令序列:
当设备首次启动将被重置为读或
待机模式下,根据控制线输入的状态。为了执行其它
设备上功能,一系列命令序列将被输入到该设备。命令
顺序列于命令定义表( I / O8 - I / O15都不在乎投入
指令码) 。命令序列被写入通过应用低脉冲上
WE或CE输入与CE或WE低(分别)和OE高。的地址被锁存的
CE或WE的下降沿,最后的为准。该数据是由第一个上升沿锁存
CE或WE 。标准的微处理器写定时被使用。中所使用的地址位置
命令序列不受输入命令序列。
RESET :
复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为
一个逻辑高电平时,该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平
停止本装置的操作,并把该装置的输出端处于高阻抗
状态。当一个高级别重申RESET引脚上,该设备返回到读取或
待机模式下,根据控制输入的状态。通过施加12V <Symbol
10pt> ± 0.5V的输入信号, RESET引脚的引导块阵列可即使被重新编程
引导块程序锁定功能已启用(见“引导块编程
锁定覆盖“一节) 。
删除:
前一个字节或字可以被重新编程,它必须被擦除。擦除状态
存储器的比特是逻辑“ 1”。整个设备可以通过使用芯片擦除要擦除的COM
命令或单个扇区可以通过使用扇区擦除命令被删除。
芯片擦除:
整个装置可一次性使用6字节的芯片擦除擦除
软件代码。之后,芯片擦除已启动,该器件将内部时间擦除
操作,从而无需外部时钟是必需的。擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果引导块锁定已启用,芯片擦除不会删除在开机的数据
块;它会删除主存储块只有参数块。芯片擦除后,
该设备将返回到读或待机模式。
3
1914D–FLASH–03/02
扇区擦除:
作为替代一全芯片擦除,该设备被组织成四个仲
器可单独擦除。有两个4K字参数块部分,一个
引导块,以及在主存储器阵列块。扇区擦除命令是六总线周期
操作。扇区地址被锁存第六周期而下降WE边缘
30H数据输入的命令被锁在WE的上升沿。之后的扇区擦除开始
第六周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会自动
matically时间来完成。每当主存储器块被擦除和重新编程,
这两个参数块应该被擦除和重新编程的主内存块之前
再次删除。当一个参数块擦除和重新编程,其他参
ETER块应该被擦除和重新编程的第一个参数块擦除之前
再次。每当引导块被擦除和重新编程,主存储器块和
参数块应该被擦除和重新编程之前,引导块被再次删除。
字节/字编程:
一旦一个存储块被删除时,它被编程(为逻辑
“0”)上的逐字节或字的字的基础。编程是通过内部完成
设备命令寄存器和是四总线周期操作。该设备将自动gen-
中心提供全方位所需的内部程序脉冲。
在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果
在编程过程中一个硬件复位发生时,在该位置的数据正被编程
将被破坏。请注意,一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除
操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后,
BP
周期
时间。数据查询功能,也可以用于指示一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定:
该设备具有具有一个指定的块
编程锁定功能。此功能可以防止数据的程序在指定
一旦该功能已启用阻止。块的大小是8K字。该块,
被称为引导块,可以包含用于调出系统的安全码。
启用锁定功能将使启动代码留在设备,而在其余的数据
该装置的被更新。此功能没有被激活;引导块的用法
写保护区域是可选的用户。引导块的地址范围为00000H
到01FFFH 。
一旦启用该功能,在引导块中的数据不能再被删除或亲
5.5V或更小的编程时的输入电平被使用。在主存储器中的块的数据仍然可以
通过常规的编程方法来改变。要激活锁定功能,一系列
六个程序命令与特定数据的特定地址必须被执行。请
参见命令定义表。
BOOT BLOCK闭锁检测:
软件方法可用于确定是否亲
引导块段编程被锁定。当该装置是在软件产品
识别模式(请参阅软件产品识别进入和退出部分),从读
下面的地址位置将显示,如果编程引导块被锁定 - 00002H 。
如果在I中的数据/ O0为低时,引导块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时,
程序锁定功能已启用,块不能编程。该软
洁具产品识别退出代码应使用以返回到标准操作。
BOOT BLOCK编程闭锁控制装置:
用户可以覆盖启动
块编程锁定,采取RESET引脚到12伏在整个芯片擦除,
扇区擦除或字编程操作。当RESET引脚被带回TTL
各级引导块编程锁定功能是反复活跃。
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AT49BV/LV2048A
1914D–FLASH–03/02
AT49BV/LV2048A
产品标识:
产品标识模式标识该设备和人为
造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件
操作模式可以由外部编程,以确定正确的编程
算法为Atmel的产品。
有关详细信息,请参阅“操作模式” (硬件操作)或“软件产品Identifica-
化进入/退出“第13页上的制造商和设备代码是相同的两种模式。
数据查询:
该AT49BV / LV2048A功能数据轮询,表示亲的结束
克循环。在一个程序循环中的最后一个字节的企图读出加载的,将导致
补上的I / O7加载数据。一旦程序循环已完成,真
数据是对所有的输出有效,并且下一个周期可以开始。在一个芯片或扇区擦除操作
化,尝试读取器件将在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除周期有
完成时,真正的数据会从设备中读取。数据轮询可能在随时开始
程序循环。
触发位:
除了数据轮询时, AT49BV / LV2048A提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作, suc-
cessive尝试从设备中读取的数据将产生的I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成, I / O6将停止切换,有效的数据将
读取。检查触发位可以在一个程序循环随时开始。
硬件数据保护:
硬件功能防止意外计划
到AT49BV / LV2048A以下方式:(1 )V
CC
意义:若V
CC
低于1.8V (典型值) ,
该程序的功能是抑制。 (二)V
CC
上电延时:一旦V
CC
已达到在V
CC
层次感,设备会自动超时编程前10毫秒(典型值) 。 (三)亲
克抑制:控股OE低,高CE或WE抑制高次方案中的任何一个。 (四)噪声
过滤器:小于15纳秒(典型值)的WE或CE输入脉冲不会启动程序
周期。
输入电平:
同时,采用2.7V至3.6V电源供电,地址和控制操作
输入( OE , CE和WE )可以驱动从0到5.5V没有操作产生不利影响
化设备。该I / O线,只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
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1914D–FLASH–03/02
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