特点
2.7V至3.3V的读/写
访问时间 - 90纳秒
扇区擦除架构
- 三十32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
- 两个16K字（ 32K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 20微秒
快速扇区擦除时间 - 200毫秒
双平面组织，允许并行读取，而编程/擦除
内存平面A ：八4K字，两个16K Word和六32K字扇区
内存面B ：24只32K字部门
擦除挂起功能
- 支持从任何扇区读/编程数据，暂停的擦除
有什么不同部门
低功耗工作
- 25毫安活动
- 10 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
可选VPP引脚用于快速编程
RESET输入的设备初始化
部门方案解锁指令
TSOP ， CBGA和μBGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
16-megabit
（ 1M ×16 / 2M ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV1604
AT49BV1604T
AT49BV1614
AT49BV1614T
描述
该AT49BV16X4 （ T）是组织为2.7 3.3伏16兆位闪存
1048576字的每个16位或2,097,152字节，每字节8位。在X16数据
出现在I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。所述存储器被划分
成40个扇区擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球
μBGA
包。该设备具有的CE和OE控制信号，以避免任何总线
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A19
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
VPP
I / O0 - I / O14
I / O15 （ A- 1 ）
字节
NC
VCCQ
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
选购电源的更快
编程/擦除操作
数据输入/输出
I / O15 （数据输入/输出，字模式）
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
选择字节或字模式
无连接
输出电源
不连接
牧师0925H -08 / 99
1
AT49BV1604(T)/1614(T)
A V
PP
引脚可提高编程/擦除次数。这
引脚可连接到V
CC
。为了充分利用更快的亲优势
编程和擦除，该引脚应供给4.5 5.5
在程序伏和擦除操作。
一个6字节的命令（旁路解锁）序列删除
缓和环三个字节前卫RA米前作REQ uirement
序列提供了进一步提高编程时间。
进入6字节码，只有一个脉冲的后
写控制线都需要写入到器件中。
此模式（单脉冲字节/ Word程序）是由退出
，或通过脉冲RESET引脚器件断电
低了至少50毫微秒，然后把它放回至V
CC
.
擦除和擦除挂起/恢复命令不会
时工作在这种模式下;如果输入它们将导致数据
正被编程到器件中。所以不推荐
该6个字节代码驻留在最终的软件
产品，但只有在外部编程代码存在。
为AT49BV1614 （T）是否BYTE引脚控制
该设备的数据I / O引脚在字节或字config-操作
uration 。如果BYTE引脚被设置为逻辑“1”时，该装置是在
字结构， I / O0 -I / O15是活性和由控制
CE和OE 。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节CON-
成形，并且只有数据I / O管脚I / O0 - I / O7是活性和
通过CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 - I / O14
为三态，并在I / O15引脚作为输入的
LSB （ A- 1 ）地址的功能。
框图
I / O0 - I / O15 / A- 1
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
A0 - A19
输入
卜FF器
数据
注册
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
地址
LATCH
数据
比较
CE
WE
OE
RESET
字节
RDY / BUSY
写状态
机
y解码器
Y型GATING
编程/擦除
高压开关
VPP
VCC
GND
X解码器
B面
扇区
平面点扇区
设备操作
阅读：
该AT49BV16X4 （ T）被访问像一个EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
CONTRO升给设计商flexib ility预防部总
争。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。
3
命令序列被写入通过应用低
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。当
高水平重新生效的RESET引脚，该装置
返回到读取或待机模式时，根据
的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V输入
信号RESET引脚的任何部门可以重新编程
即使部门锁定功能已启用（见
行业规划锁定覆盖部分） 。
删除：
前一个字节/字可以被重新编程，它
必须擦除。存储位的擦除状态是的Logical
卡尔“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除
擦除命令或单个部门可以通过删除
使用扇区擦除命令。
芯片擦除：
整个装置可以同时被擦除
通过使用6字节擦除芯片的软件代码。该芯片后，
清除已启动，该器件将内部时间
擦除操作，使得无需外部时钟是必需的。
擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果扇区锁定已启用，芯片擦除操作会
未擦除那个已被锁定的扇区中的数据;它会
仅删除未受保护的部门。芯片擦除后，
该设备将返回到读或待机模式。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，则
设备分为40部门（ SA0 - SA39 ），可以
单独擦除。扇区擦除命令是六
总线周期操作。扇区地址被锁存的
第六周期而30H数据输入的下降沿WE边缘
命令锁存WE的上升沿。部门
之后的第六个周期的WE的上升沿开始擦除。
擦除操作是内部控制;它会automati-
美云的时间来完成。的最大时间擦除
部分为t
美国证券交易委员会
。当扇区编程锁定为特色的
TURE未启用，该部门将擦除（来自同一
扇区擦除命令） 。一旦部门一直亲
tected ，在受保护的扇区数据不能被改变
除非RESET引脚被送往12V ± 0.5V 。企图
擦除已被保护，将导致一个扇区
操作终止于2微秒。
字节/字编程：
一旦一个存储块是
擦除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节
或上一个字逐个字为基础。编程完成
经内部设备命令寄存器和是4总线
循环操作。该设备将自动生成
所需的内部程序脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果硬件复位hap-
在编程过程中的笔，在该位置的数据是
编程将被破坏。请注意，一个数据“0”的
不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
可以将“0”到“1” 。编程完成后，
指定的T
BP
周期时间。数据查询功能，或
切换位特征可以被用于指示一个所述端
项目周期。
行业编程锁定：
每个扇区具有
编程闭锁功能。此功能可以防止亲
在一次指定扇区的数据编程
功能已启用。这些部门可以包含
用于调出系统的安全码。启用
锁定功能将允许引导代码留在
装置，而在该装置的其余部分的数据被更新。这
功能没有被激活;任何部门的用法
作为一个写保护的区域是可选的用户。
一旦启用该功能，在受保护的节中的数据
器可以不再被擦除或编程时输入
的5.5V或更低的水平被使用。在剩下的仲数据
器仍然可以通过正常程序进行更改
方法。要激活锁定功能，形成六大系列亲
克的命令，可与特定数据的具体地址
必须执行。请参考Command Defini-
系统蒸发散表。
行业封锁检测：
软件方法
可用来确定扇区的编程被锁定
出。当该装置是在软件产品identifica-
化模式（请参阅软件产品标识和入口
出口段）从一个地址的位置00002H读
行业将显示是否编程界被锁定。如果
在我的数据/ O0是低，扇区可被编程;如果
在我的数据/ O0为高电平时，该程序锁定功能有
被启用，并且该扇区不能编程。该
软件产品标识的退出代码应当用于
返回到标准操作。
行业编程闭锁控制装置：
该
用户可以通过采取覆盖扇区编程闭锁
RESET引脚至12V
±
0.5V 。通过这样的保护数据
可以通过芯片擦除，扇区擦除被涂改或
字节/字编程。当RESET引脚变为
返回TTL电平的领域编程锁定功能
是反复活跃。
擦除暂停/删除简历：
擦除挂起
命令允许系统中断扇区擦除
从一个不同的操作，然后程序或读取数据
扇区在同一平面内。由于该装置具有一个双
平面体系结构，就没有必要使用擦除
4
AT49BV1604(T)/1614(T)
AT49BV1604(T)/1614(T)
暂停功能，而擦除扇区，当你想
从在另一个平面的扇区读取数据。擦除后
暂停指令下达后，该设备需要马克西
15妈妈时间
s
暂停擦除操作。后
擦除操作已被暂停，在平面上
含有悬浮的扇区进入擦除中止反应
阅读模式。然后，系统可以读取的数据或程序
数据到该设备内的任何其它行业。一个地址是
擦除挂起命令的过程中不是必需的。在一
扇区擦除暂停，另一扇区不能被擦除。对
恢复该扇区擦除操作时，系统必须写
擦除恢复命令。擦除恢复命令
是一个总线循环命令，它确实需要的平面
处理（由A18和A19中确定）。该设备还
支持在一个完整的芯片擦除擦除暂停。
而芯片擦除被暂停时，用户可以从读
受保护的存储器中的任何扇区。该公
命令序列芯片擦除挂起和部门
擦除挂起是相同的。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49BV16X4 （T ）特征的数据
轮询，以指示一个程序循环的结束。在亲
克周期企图读取的最后一个字节/字装的
将导致在所加载的数据的I / O 7的补码。
一旦程序周期已经完成，真正的数据是
有效的对所有输出和下一个周期可能开始。在一
芯片或扇区擦除操作中，为了读取
设备将在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除
周期已经完成，真正的数据将被从设备中读取。
数据轮询可能在节目中随时开始
周期。请参阅“状态位表”的更多细节。
至G GL E B IT ：
在DD ITIO 到D ATA轮询
AT49BV16X4 （T）提供了另一种方法，用于确定
一个程序或擦除周期的结束。在程序或
擦除操作时，连续尝试读取从数据
同一平面内的内存会导致之间的I / O6切换
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
一个额外的触发位是可用的I / O 2可以是
配合使用的触发位是可
I / O6 。当一个部门擦除暂停，一个读或亲
克操作从暂停的扇区将导致
I / O2位切换。请参阅“状态位表”的详细
详细信息。
RDY / BUSY ：
一个开漏就绪/忙输出引脚亲
志愿组织的检测程序的结束的另一种方法或
擦除操作。 RDY / BUSY积极拉低时
内部编程和擦除周期和被释放
完成循环。开漏连接
一个LLO WS FO R或搭售塞弗RAL德恶习，以前作相同
RDY / BUSY线。
硬件数据保护：
硬件特性
艾因ST INA dverten TP ROG公羊前作P rotect股份公司
AT49BV16X4 （T），在以下方面：（1 ）V
CC
意义：如果
V
CC
低于1.8V （典型值） ，该程序的功能是inhib-
资讯科技教育。 （二）V
CC
上电延时：一旦V
CC
已到达
V
CC
层次感，设备会自动超时10
毫秒（典型值），在编程之前。 （三）禁止编程：相应固定
荷兰国际集团OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高
项目周期。 （四）噪声滤波器：脉冲小于15纳秒
（典型值）的WE或CE输入无法启动程序
周期。
输入电平：
同时用2.7V至3.6V的工作
电源，地址输入和控制输入（ OE ，
CE和WE）可被驱动为0 5.5V ，而不
该装置的操作无不利影响。在I / O
线只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
输出电平：
为49BV1604 （T）输出高
水平（V
OH
）是等于V
CCQ
- 0.2V （而不是V
CC
） 。对于2.7V -
3.6V输出电平，V
CCQ
必须连接到V
CC
。对于1.8V -
2.2V输出电平，V
CCQ
必须调节到2.0V ±10％
而V
CC
必须调节到2.7V - 3.0V （最低
功率）。
5
特点
2.7V至3.6V的读/写
访问时间 - 90纳秒
扇区擦除架构
- 三十32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
- 两个16K字（ 32K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 20
s
快速扇区擦除时间 - 200毫秒
双平面组织，允许并行读取，而编程/擦除
- 内存平面A ：八4K字，两个16K Word和六32K字扇区
- 内存面B ：24只32K字部门
擦除挂起功能
- 支持从任何扇区读/编程数据，暂停的擦除
有什么不同部门
低功耗工作
- 25毫安活动
– 10
待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
可选V
PP
引脚快速编程
RESET输入的设备初始化
部门方案解锁指令
TSOP ， CBGA ，并
BGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
16-Megabit
（ 1M ×16 / 2M ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV1604
AT49BV1604T
AT49BV1614
AT49BV1614T
ADVANCE
信息
AT49BV16X4(T)
AT49BV1604
描述
该AT49BV16X4 （ T）是组织为2.7至3.6伏的16兆位闪存
1048576字的每个16位或2,097,152字节，每字节8位。在X16数据
出现在I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。所述存储器被划分
入40的块进行擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球
μBGA
包。该设备具有的CE和OE控制信号，以避免任何总线CON-
张力。此设备可被读取或使用单一的2.7V电源重新编程，
使其非常适合用于在系统编程。
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A19
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
V
PP
I / O0 - I / O14
I / O15 （ A- 1 ）
字节
NC
V
CCQ
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
选购电源的更快
编程/擦除操作
数据输入/输出
I / O15 （数据输入/输出，字模式）
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
选择字节或字模式
无连接
输出电源
不连接
牧师0925B -05 / 98
1
AT49BV16X4(T)
一个6字节的命令（旁路解锁）序列删除
进入3字节的程序的要求
序列提供了进一步提高编程时间。
进入6字节码，只有一个脉冲的后
写控制线都需要写入到器件中。
此模式（单脉冲字节/ Word程序）是由退出
，或通过脉冲RESET引脚器件断电
低，然后把它放回至V
CC
。擦除和擦除可持
挂起/恢复命令将无法正常工作，而在这种模式下，
如果输入它们将导致数据被编程到
装置。我们不建议在6字节代码驻留
在最终产品中的软件，但只存在于外部
编程代码。
BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚
操作中的一个字节或字的配置。如果BYTE引脚
设定为逻辑“1”时，该装置是在字配置，I / O0-
I / O15是活动的，由CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节CON-
成形，并且只有数据I / O管脚I / O0 -I / O7是活性和
通过CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 -I / O14是
三态的，并且I / O15引脚用作输入端，用于LSB的
（ A- 1 ）地址的功能。
框图
I / O0 - I / O15 / A- 1
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
A0 - A19
输入
卜FF器
数据
注册
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
地址
LATCH
数据
比较
CE
WE
OE
RESET
字节
RDY / BUSY
写状态
机
y解码器
Y型GATING
编程/擦除
高压开关
VPP
VCC
GND
X解码器
B面
扇区
平面点扇区
设备操作
阅读：
该AT49BV16X4 （ T）被访问像一个EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制为设计人员提供灵活性，避免总线conten-
化。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。
命令序列被写入通过应用低
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
3
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。当
高水平重新生效的RESET引脚，该装置
返回到读取或待机模式时，根据
的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V输入
信号RESET引脚的任何部门可以重新编程
即使部门锁定功能已启用（见
行业规划锁定覆盖部分） 。
删除：
前一个字节/字可以被重新编程，它
必须擦除。存储位的擦除状态是的Logical
卡尔“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除
擦除命令或单个部门可以通过删除
使用扇区擦除命令。
芯片擦除：
整个装置可在同一擦除
时通过使用6字节擦除芯片的软件代码。后
芯片擦除已经启动，该装置将内部的时间
擦除操作，使得无需外部时钟是必需的。
擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果扇区锁定已启用，芯片擦除操作会
未擦除那个已被锁定的扇区中的数据;它会
仅删除未受保护的部门。芯片擦除后，
该设备将返回到读或待机模式。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，则
设备分为40部门（ SA0 - SA39 ），可以
单独擦除。扇区擦除命令是六
总线周期操作。扇区地址被锁存的
第六周期而30H数据输入的下降沿WE边缘
命令锁存WE的上升沿。部门
之后的第六个周期的WE的上升沿开始擦除。
擦除操作是内部控制;它会automati-
美云的时间来完成。的最大时间来擦除一个节
灰为t
美国证券交易委员会
。当扇区编程锁定功能
未启用，该部门将擦除（来自同一部门
擦除命令） 。一旦一个扇区已经被保护，数据
在受保护的扇区不能被改变，除非
RESET引脚被送往12V ± 0.5V 。擦除的尝试
已被保护的扇区会造成操作
终止于2
s.
字节/字编程：
一旦一个存储块是
擦除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节
或上一个字逐个字为基础。编程完成
经内部设备命令寄存器和是4总线
循环操作。该设备将自动生成
所需的内部程序脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果硬件复位hap-
在编程过程中的笔，在该位置的数据是
编程将被破坏。请注意，一个数据“0”的
不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
可以将“0”到“1” 。编程完成后，
指定的T
BP
周期时间。数据查询功能，或
切换位特征可以被用于指示一个所述端
项目周期。
行业编程锁定：
每个扇区具有
编程闭锁功能。此功能可以防止亲
数据在一次如果没有这特性指定的扇区编程
TURE已启用。这些部门可以包含安全
是，用于调出系统码。启用锁相
out功能将允许引导代码留在设备
而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能
没有被激活;任何行业的使用作为
写保护区域是可选的用户。
一旦启用该功能，在受保护的节中的数据
器可以不再被擦除或编程时输入
的5.5V或更低的水平被使用。在剩下的仲数据
器仍然可以通过正常程序进行更改
方法。要激活锁定功能，形成六大系列亲
克的命令，可与特定数据的具体地址
必须执行。请参考Command Defini-
系统蒸发散表。
行业编程闭锁控制装置：
该
用户可以通过采取覆盖扇区编程闭锁
RESET引脚至12V
±
0.5V 。通过这样的保护数据
可以通过芯片擦除，扇区擦除被涂改或
字节/字编程。当RESET引脚变为
返回TTL电平的领域编程锁定功能
是反复活跃。
擦除暂停/删除简历：
擦除挂起
命令允许系统中断扇区擦除
从一个不同的操作，然后程序或读取数据
扇区在同一平面内。由于该装置具有一个双
平面体系结构，就没有必要使用擦除可持
而擦除扇区，当你想读挂起功能
从在其它平面中的扇区数据。擦除后可持
挂起的命令被给出，该设备需要最大
15时
s
暂停擦除操作。后
擦除操作已被暂停，这CON组飞机
包括作为暂停业进入擦除暂停阅读
模式。然后，系统可以读取的数据或程序数据，以
该设备内的任何其他扇区。的地址是不
擦除暂停命令时需要。在一
扇区擦除暂停，另一扇区不能被擦除。对
恢复该扇区擦除操作时，系统必须写
擦除恢复命令。擦除恢复命令
是一个总线循环命令，它确实需要的平面
处理（由A18和A19中确定）。该设备还
支持在一个完整的芯片擦除擦除暂停。
而芯片擦除被暂停时，用户可以从读
受保护的存储器中的任何扇区。该公
命令序列芯片擦除挂起和部门
擦除挂起是相同的。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
4
AT49BV16X4(T)
AT49BV16X4(T)
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49BV16X4 （T ）特征的数据
轮询，以指示一个程序循环的结束。在亲
克周期企图读取的最后一个字节/字装的
将导致在所加载的数据的I / O 7的补码。
一旦程序周期已经完成，真正的数据是
有效的对所有输出和下一个周期可能开始。在一
芯片或扇区擦除操作中，为了读取
设备将在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除
周期已经完成，真正的数据将被从设备中读取。
数据轮询可能在节目中随时开始
周期。请参阅“状态位表”的更多细节。
触发位：
除了数据轮询
AT49BV16X4 （T）提供了另一种方法，用于确定
一个程序或擦除周期的结束。在程序或
擦除操作时，连续尝试读取从数据
同一平面内的内存会导致之间的I / O6切换
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
一个额外的触发位是可用的I / O 2可以是
配合使用的触发位是可
I / O6 。当一个部门擦除暂停，一个读或亲
克操作从暂停的扇区将导致
I / O2位切换。请参阅状态位表更多
详细信息。
RDY / BUSY ：
一个开漏就绪/忙输出引脚亲
志愿组织的检测程序的结束的另一种方法或
擦除操作。 RDY / BUSY积极拉低时
内部编程和擦除周期和被释放
完成循环。开漏连接
允许或 - 捆扎的多个装置的相同
RDY / BUSY线。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外方案的
AT49BV16X4 （T），在以下方面：（1 ）V
CC
意义：如果
V
CC
低于1.8V （典型值） ，该程序的功能是inhib-
资讯科技教育。 （二）V
CC
上电延时：一旦V
CC
已到达
V
CC
层次感，设备会自动超时10
毫秒（典型值），在编程之前。 （三）禁止编程：相应固定
荷兰国际集团OE低， CE高任一个或WE抑制高亲
克周期。 （四）噪声滤波器：脉冲小于15纳秒
（典型值）的WE或CE输入无法启动程序
周期。
输入电平：
同时用2.7V至3.6V的工作
电源，地址输入和控制输入（ OE ，
CE和WE）可被驱动为0 5.5V ，而不
该装置的操作无不利影响。在I / O
线只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
输出电平：
输出高电平（V
OH
）等于
V
CCQ
- 0.2V （而不是V
CC
） 。对于2.7V - 3.6V输出电平，V
CCQ
必须连接到V
CC
。对于1.8V - 2.2V输出电平，V
CCQ
必须调节到2.0V ±10 ％，而V
CC
必须是稳压
迟来到2.7V - 3.0V （最小功率） 。
5
特点
2.7V至3.6V的读/写
访问时间 - 90纳秒
扇区擦除架构
- 三十32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
- 两个16K字（ 32K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 20
s
快速扇区擦除时间 - 200毫秒
双平面组织，允许并行读取，而编程/擦除
- 内存平面A ：八4K字，两个16K Word和六32K字扇区
- 内存面B ：24只32K字部门
擦除挂起功能
- 支持从任何扇区读/编程数据，暂停的擦除
有什么不同部门
低功耗工作
- 25毫安活动
– 10
待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
可选V
PP
引脚快速编程
RESET输入的设备初始化
部门方案解锁指令
TSOP ， CBGA ，并
BGA封装选项
顶部或底部启动块配置可用
16-Megabit
（ 1M ×16 / 2M ×8 ）
3伏只
FL灰内存
AT49BV1604
AT49BV1604T
AT49BV1614
AT49BV1614T
ADVANCE
信息
AT49BV16X4(T)
AT49BV1604
描述
该AT49BV16X4 （ T）是组织为2.7至3.6伏的16兆位闪存
1048576字的每个16位或2,097,152字节，每字节8位。在X16数据
出现在I / O0 - I / O15 ;在X8的数据出现在I / O0 - I / O7 。所述存储器被划分
入40的块进行擦除操作。该器件采用48引脚TSOP和48球
μBGA
包。该设备具有的CE和OE控制信号，以避免任何总线CON-
张力。此设备可被读取或使用单一的2.7V电源重新编程，
使其非常适合用于在系统编程。
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A19
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
V
PP
I / O0 - I / O14
I / O15 （ A- 1 ）
字节
NC
V
CCQ
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
选购电源的更快
编程/擦除操作
数据输入/输出
I / O15 （数据输入/输出，字模式）
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
选择字节或字模式
无连接
输出电源
不连接
牧师0925B -05 / 98
1
AT49BV16X4(T)
一个6字节的命令（旁路解锁）序列删除
进入3字节的程序的要求
序列提供了进一步提高编程时间。
进入6字节码，只有一个脉冲的后
写控制线都需要写入到器件中。
此模式（单脉冲字节/ Word程序）是由退出
，或通过脉冲RESET引脚器件断电
低，然后把它放回至V
CC
。擦除和擦除可持
挂起/恢复命令将无法正常工作，而在这种模式下，
如果输入它们将导致数据被编程到
装置。我们不建议在6字节代码驻留
在最终产品中的软件，但只存在于外部
编程代码。
BYTE引脚控制是否将设备数据I / O引脚
操作中的一个字节或字的配置。如果BYTE引脚
设定为逻辑“1”时，该装置是在字配置，I / O0-
I / O15是活动的，由CE和OE控制。
如果BYTE引脚被设置为逻辑“0”时，该装置是在字节CON-
成形，并且只有数据I / O管脚I / O0 -I / O7是活性和
通过CE和OE控制。数据I / O引脚I / O8 -I / O14是
三态的，并且I / O15引脚用作输入端，用于LSB的
（ A- 1 ）地址的功能。
框图
I / O0 - I / O15 / A- 1
产量
卜FF器
输入
卜FF器
产量
多路复用器
A0 - A19
输入
卜FF器
数据
注册
识别码
注册
状态
注册
命令
注册
地址
LATCH
数据
比较
CE
WE
OE
RESET
字节
RDY / BUSY
写状态
机
y解码器
Y型GATING
编程/擦除
高压开关
VPP
VCC
GND
X解码器
B面
扇区
平面点扇区
设备操作
阅读：
该AT49BV16X4 （ T）被访问像一个EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制为设计人员提供灵活性，避免总线conten-
化。
命令序列：
当该装置是第一pow-
ERED上它会被复位到读或待机模式
根据控制线路输入状态。为了
以执行其它功能的装置，一系列命令的
序列被输入到设备中。命令
序列显示的命令定义表中
（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码） 。
命令序列被写入通过应用低
脉冲的WE或CE输入与CE或WE低（ respec-
tively ）和OE高。地址锁存在下降
边缘CE或WE的，最后的为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准
微处理机写定时被使用。在某些地区地址
在命令序列中使用系统蒸发散不会受
输入命令序列。
3
RESET ：
复位输入管脚提供缓和一些系
统的应用程序。当RESET是处于逻辑高电平时，该
装置处于其标准操作模式。在一个低的水平
RESET输入暂停，本设备操作和看跌期权
该装置在高阻抗状态输出。当
高水平重新生效的RESET引脚，该装置
返回到读取或待机模式时，根据
的控制输入端的状态。通过施加12V的
±
0.5V输入
信号RESET引脚的任何部门可以重新编程
即使部门锁定功能已启用（见
行业规划锁定覆盖部分） 。
删除：
前一个字节/字可以被重新编程，它
必须擦除。存储位的擦除状态是的Logical
卡尔“1”。整个设备可以通过使用芯片擦除
擦除命令或单个部门可以通过删除
使用扇区擦除命令。
芯片擦除：
整个装置可在同一擦除
时通过使用6字节擦除芯片的软件代码。后
芯片擦除已经启动，该装置将内部的时间
擦除操作，使得无需外部时钟是必需的。
擦除芯片的最大时间为t
EC
.
如果扇区锁定已启用，芯片擦除操作会
未擦除那个已被锁定的扇区中的数据;它会
仅删除未受保护的部门。芯片擦除后，
该设备将返回到读或待机模式。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，则
设备分为40部门（ SA0 - SA39 ），可以
单独擦除。扇区擦除命令是六
总线周期操作。扇区地址被锁存的
第六周期而30H数据输入的下降沿WE边缘
命令锁存WE的上升沿。部门
之后的第六个周期的WE的上升沿开始擦除。
擦除操作是内部控制;它会automati-
美云的时间来完成。的最大时间来擦除一个节
灰为t
美国证券交易委员会
。当扇区编程锁定功能
未启用，该部门将擦除（来自同一部门
擦除命令） 。一旦一个扇区已经被保护，数据
在受保护的扇区不能被改变，除非
RESET引脚被送往12V ± 0.5V 。擦除的尝试
已被保护的扇区会造成操作
终止于2
s.
字节/字编程：
一旦一个存储块是
擦除时，它被编程（置为逻辑“0”）上的逐字节
或上一个字逐个字为基础。编程完成
经内部设备命令寄存器和是4总线
循环操作。该设备将自动生成
所需的内部程序脉冲。
在嵌入式写入芯片的任何命令
编程周期将被忽略。如果硬件复位hap-
在编程过程中的笔，在该位置的数据是
编程将被破坏。请注意，一个数据“0”的
不能编程回一个“1” ;只有擦除操作
可以将“0”到“1” 。编程完成后，
指定的T
BP
周期时间。数据查询功能，或
切换位特征可以被用于指示一个所述端
项目周期。
行业编程锁定：
每个扇区具有
编程闭锁功能。此功能可以防止亲
数据在一次如果没有这特性指定的扇区编程
TURE已启用。这些部门可以包含安全
是，用于调出系统码。启用锁相
out功能将允许引导代码留在设备
而在该装置的其余部分的数据被更新。此功能
没有被激活;任何行业的使用作为
写保护区域是可选的用户。
一旦启用该功能，在受保护的节中的数据
器可以不再被擦除或编程时输入
的5.5V或更低的水平被使用。在剩下的仲数据
器仍然可以通过正常程序进行更改
方法。要激活锁定功能，形成六大系列亲
克的命令，可与特定数据的具体地址
必须执行。请参考Command Defini-
系统蒸发散表。
行业编程闭锁控制装置：
该
用户可以通过采取覆盖扇区编程闭锁
RESET引脚至12V
±
0.5V 。通过这样的保护数据
可以通过芯片擦除，扇区擦除被涂改或
字节/字编程。当RESET引脚变为
返回TTL电平的领域编程锁定功能
是反复活跃。
擦除暂停/删除简历：
擦除挂起
命令允许系统中断扇区擦除
从一个不同的操作，然后程序或读取数据
扇区在同一平面内。由于该装置具有一个双
平面体系结构，就没有必要使用擦除可持
而擦除扇区，当你想读挂起功能
从在其它平面中的扇区数据。擦除后可持
挂起的命令被给出，该设备需要最大
15时
s
暂停擦除操作。后
擦除操作已被暂停，这CON组飞机
包括作为暂停业进入擦除暂停阅读
模式。然后，系统可以读取的数据或程序数据，以
该设备内的任何其他扇区。的地址是不
擦除暂停命令时需要。在一
扇区擦除暂停，另一扇区不能被擦除。对
恢复该扇区擦除操作时，系统必须写
擦除恢复命令。擦除恢复命令
是一个总线循环命令，它确实需要的平面
处理（由A18和A19中确定）。该设备还
支持在一个完整的芯片擦除擦除暂停。
而芯片擦除被暂停时，用户可以从读
受保护的存储器中的任何扇区。该公
命令序列芯片擦除挂起和部门
擦除挂起是相同的。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
4
AT49BV16X4(T)
AT49BV16X4(T)
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49BV16X4 （T ）特征的数据
轮询，以指示一个程序循环的结束。在亲
克周期企图读取的最后一个字节/字装的
将导致在所加载的数据的I / O 7的补码。
一旦程序周期已经完成，真正的数据是
有效的对所有输出和下一个周期可能开始。在一
芯片或扇区擦除操作中，为了读取
设备将在I / O 7给出一个“0”。一旦编程或擦除
周期已经完成，真正的数据将被从设备中读取。
数据轮询可能在节目中随时开始
周期。请参阅“状态位表”的更多细节。
触发位：
除了数据轮询
AT49BV16X4 （T）提供了另一种方法，用于确定
一个程序或擦除周期的结束。在程序或
擦除操作时，连续尝试读取从数据
同一平面内的内存会导致之间的I / O6切换
1和0 。一旦程序周期已经完成， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
一个额外的触发位是可用的I / O 2可以是
配合使用的触发位是可
I / O6 。当一个部门擦除暂停，一个读或亲
克操作从暂停的扇区将导致
I / O2位切换。请参阅状态位表更多
详细信息。
RDY / BUSY ：
一个开漏就绪/忙输出引脚亲
志愿组织的检测程序的结束的另一种方法或
擦除操作。 RDY / BUSY积极拉低时
内部编程和擦除周期和被释放
完成循环。开漏连接
允许或 - 捆扎的多个装置的相同
RDY / BUSY线。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外方案的
AT49BV16X4 （T），在以下方面：（1 ）V
CC
意义：如果
V
CC
低于1.8V （典型值） ，该程序的功能是inhib-
资讯科技教育。 （二）V
CC
上电延时：一旦V
CC
已到达
V
CC
层次感，设备会自动超时10
毫秒（典型值），在编程之前。 （三）禁止编程：相应固定
荷兰国际集团OE低， CE高任一个或WE抑制高亲
克周期。 （四）噪声滤波器：脉冲小于15纳秒
（典型值）的WE或CE输入无法启动程序
周期。
输入电平：
同时用2.7V至3.6V的工作
电源，地址输入和控制输入（ OE ，
CE和WE）可被驱动为0 5.5V ，而不
该装置的操作无不利影响。在I / O
线只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
输出电平：
输出高电平（V
OH
）等于
V
CCQ
- 0.2V （而不是V
CC
） 。对于2.7V - 3.6V输出电平，V
CCQ
必须连接到V
CC
。对于1.8V - 2.2V输出电平，V
CCQ
必须调节到2.0V ±10 ％，而V
CC
必须是稳压
迟来到2.7V - 3.0V （最小功率） 。
5
QQ：2880707522 复制
