【特点单电压读/写操作： 2.65V至3.6V访问时间 - 70纳秒扇区擦除架构- 三十一32K字（】,IC型号AT49BV160C-70CI,AT49BV160C-70CI PDF资料,AT49BV160C-70CI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单电压读/写操作： 2.65V至3.6V

访问时间 - 70纳秒

扇区擦除架构

- 三十一32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定

- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定

快字编程时间 - 12微秒

快速扇区擦除时间 - 300毫秒

暂停/恢复功能的擦除和编程

- 支持读取和编程的任何一个部分，通过暂停擦除

不同部门

- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程

低功耗工作

- 12毫安活动

- 13 μA待机

VPP引脚为写保护

WP引脚为扇区保护

RESET输入的设备初始化

灵活的扇区保护

TSOP和CBGA封装选项

顶部或底部启动块配置可用

128位注册保护

最少100,000次擦写循环

通用闪存接口（ CFI ）

16-megabit

（ 1M ×16 ）

3伏只

FL灰内存

AT49BV160C

AT49BV160CT

描述

该AT49BV160C （ T）是组织为1,048,576 2.7伏16兆位闪存

也就是说，每行16位。该存储器被分成39扇区擦除操作。

该器件采用48引脚TSOP和46球CBGA封装。该装置具有

CE和OE控制信号，以避免总线冲突。这种装置可被读出或

重新编程采用单电源供电，因此非常适合于系统

编程。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A19

RESET

VPP

I / O0 - I / O15

VCCQ

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

RESET

写保护

数据输入/输出

无连接

输出电源

写保护

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TSOP顶视图

类型1

A15

A14

A13

A12

A11

A10

RESET

VPP

A19

A18

A17

A16

VCCQ

GND

I/O15

I/O7

I/O14

I/O6

I/O13

I/O5

I/O12

I/O4

VCC

I/O11

I/O3

I/O10

I/O2

I/O9

I/O1

I/O8

I/O0

GND

CBGA顶视图

A13

A11

A10

A12

I/O14

I/O5

I/O6

I/O13

VPP

RST

A18

A19

A17

I/O0

I/O1

GND

A14

A15

A16

I/O11

I/O12

I/O4

I/O2

I/O3

VCC

I/O8

I/O9

I/O10

VCCQ I / O15

GND

I/O7

在读出模式的设备通电。命令序列用于将器件置于

其他的操作模式，如编程和擦除。该设备具有保护能力

在任何扇区的数据（请参阅灵活的扇区保护部分）。

为了增加设备的灵活性，它包含一个擦除挂起和程序暂停

功能。此功能将把擦除或编程搁置任何的时间，让

用户读取的数据或程序数据的任何内存内的剩余扇区。

VPP引脚提供数据保护。当V

输入低于0.4V时，该程序并

擦除功能被禁止。当V

是在1.5V以上，正常的编程和擦除操作

令可以被执行。

AT49BV160C(T)

3367D–FLASH–5/04

AT49BV160C(T)

框图

I / O0 - I / O15

产量

卜FF器

输入

卜FF器

产量

多路复用器

A0 - A19

输入

卜FF器

数据

识别码

状态

命令

地址

LATCH

数据

比较

RESET

写状态

机

y解码器

Y型GATING

编程/擦除

高压开关

VPP

VCC

GND

X解码器

主

内存

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设备

手术

阅读：

当AT49BV160C （T），是在读出模式下， CE和OE为低电平和WE高，则

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出

放。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这双

行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。

命令序列：

当设备第一次接通电源时，将在读出模式。在

为了执行其它设备的功能，一系列命令序列将被输入到

装置。该命令序列第15页显示在“命令定义”表

（ I / O8 - I / O15都不在乎投入的命令代码）。该命令序列

写入通过应用低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE低（分别地）和

OE高。地址和数据均通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准

微处理机写定时被使用。在命令中使用的地址位置

序列不受输入命令序列。

RESET ：

复位输入管脚提供缓和了一些系统应用。当Reset为

一个逻辑高电平时，该设备处于其标准操作模式。在RESET输入一个低电平

停止本装置的操作，并把该装置的输出端处于高阻抗

状态。当一个高级别重申RESET引脚上，该设备返回到读取模式，

取决于控制输入的状态。

删除：

前一个字可以被重新编程，它必须被擦除。的擦除状态

存储器的位是逻辑“1”。各个扇区可以通过使用扇区擦除要擦除

命令。

扇区擦除：

该设备被组织成39扇区（ SA0 - SA38 ），可以是individu-

盟友删除。扇区擦除命令是一个双总线周期操作。扇区地址和

在D0H数据输入的命令被锁止在WE的上升沿。扇区擦除开始

之后的第二周期的WE的上升沿只要给定的扇区没有被亲

tected 。擦除操作是内部控制;它会自动完成时间。该

擦除扇区的最大时间为t

美国证券交易委员会

。删除已被保护的部门尝试

将导致操作立即终止。

WORD编程：

一旦一个存储区被擦除，它被编程（为逻辑“ 0”）的

上一个字逐个字为基础。编程是通过内部寄存器命令来完成稳压

存器和一个双总线周期操作。该装置将自动生成所需的

内部编程脉冲。

在嵌入式编程周期写入到芯片的任何命令都会被忽略。如果

在编程过程中一个硬件复位发生时，在该位置的数据正被编程

将被破坏。请注意，一个数据“0”不能编程回一个“1” ;只有清除

操作可以转换的“0”到“1” 。编程是指定的T完成后，

周期

时间。如果节目状态位是“1”时，设备不能够验证该编程操作

ATION被成功执行。状态寄存器指示编程状态。而

程序顺序执行时，状态位I / O 7为“0” 。而编程，唯一有效的的COM

要求主要读状态寄存器，程序挂起和恢复计划。

VPP引脚：

该AT49BV160C的电路（ T）被设计成使得该装置不能被亲

编程，或者如果在V擦除

电压小于0.4V 。当V

是在1.5V以上，正常

程序和擦除操作可以被执行。 VPP引脚不能悬空。

读状态寄存器：

状态寄存器指示装置操作的状态和

该操作的成功/失败。读状态寄存器命令会导致后续

读取从状态寄存器的输出数据，直到另一个命令发出。要返回

从内存中读取，发出读命令。

状态寄存器的位是在I / O7输出 - I / O0 。高字节， I / O15 - I / O8 ，输出00H

当发出读状态寄存器命令。

AT49BV160C(T)

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AT49BV160C(T)

状态寄存器的内容[ SR7 ： SR0 ]被锁在OE或CE的下降沿

（取最后一次出现），这样可以防止如果状态寄存器可能会出现的总线错误

内容边读边修改。 CE或OE必须进行后续的状态进行切换

阅读或状态寄存器将不会显示程序完成或擦除操作。

当写状态机（ WSM ）是活动的， SR7将显示WSM的状态;该

在状态寄存器中的剩余位指示WSM是否成功地进行

优选操作（见表1）。

表1中。

状态寄存器位定义

WSMS

ESS

VPPS

PSS

笔记

SR7写状态机状态（ WSMS ）

1 =就绪

0 =忙

SR6 =擦除挂起状态（ ESS ）

1 =擦除暂停

0 =擦除/已完成

SR5 =擦除状态（ ES ）

1 =错误的扇区擦除

0 =成功扇区擦除

SR4 =程序状态（PS ）

1 =错误的编程

0 =成功的编程

SR3 = VPP状态（ VPPS ）

1 = VPP低检测，操作中止

0 = VPP OK

检测写状态机位首先要确定Word程序

或扇区擦除完毕，之前检查编程或擦除

状态位。

当擦除挂起发出后， WSM暂停执行并集

无论WSMS和ESS位为“1” - ESS位保持为“1 ”，直到

一个擦除恢复命令发出。

当此位被设置为“ 1 ” ， WSM已申请的最大数量

擦除脉冲的部门，现在仍然无法验证成功

部门擦除。

当此位被设置为“ 1 ” ， WSM试图但未能

编程一个字

SLS

在V

状态位不提供VPP的连续指示

的水平。在WSM询问V

水平只有程序后，或

擦除命令序列已经输入，并通知

系统若V

一直没有接通。在V

还检查

之前的操作由WSM验证。

当程序挂起发出后， WSM暂停执行并

同时设置WSMS和PSS位为“1” 。 PSS位仍设置为“ 1 ”

直到程序恢复命令发出。

如果一个编程或擦除操作是尝试的锁定1

部门，此位是由WSM设置。所指定的操作是

中止，设备返回到读取状态模式。

该位被保留以供将来使用，应屏蔽

当查询状态寄存器。

SR2 =程序挂起状态（ PSS ）

1 =计划暂停

0 =程序进行中/已完成

SR1 =部门LOCK状态

1 =程序/擦除尝试对锁定的部门;操作已中止。

0 =无操作锁定行业

SR0 =保留以备将来增强（ R）

注意：

当SR1 ， SR3 ， SR4和SR5设置1.命令顺序错误指示。

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