特点
单电源进行读写： 2.7V至3.6V （ BV ） ， 3.0V至3.6V （ LV ）
快速读取访问时间 - 120纳秒
内部控制程序和定时器
与锁定16K字节引导块
快速擦除周期 - 10秒
逐字节编程 - 30
微秒/字节
典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 25毫安有功电流
- 50
A
CMOS待机电流
典型万次擦写循环
小包装
- 8× 14毫米CBGA
描述
该AT49BV / LV080是3伏，只有在系统闪存器件。他们8兆
内存位由8位， 1024576字。与一般会员制
梅尔的先进的非易失性CMOS技术，该器件可提供存取时间为120
NS只有90毫瓦的在商用温度范围内的功率耗散。
当取消选择器件中，CMOS待机电流小于50
A.
该器件包含一个用户启用"boot block"保护功能。两个版本
该功能可用： AT49BV / LV080定位引导块在最低阶
地址（ "bottom boot" ） ;在AT49BVLV080T其定位在最高阶地址
（ "top boot" ） 。
（续）
8-Megabit
（ 1M ×8 ）
单2.7伏
电池电压
FL灰内存
AT49BV080
AT49BV080T
AT49LV080
AT49LV080T
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A19
CE
OE
WE
RESET
RDY / BUSY
I / O0 - I / O7
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
RESET
READY / BUSY输出
数据输入/输出
TSOP顶视图
类型1
CBGA顶视图
1
2
3
4
5
6
7
NC
RESET
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
NC
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SOIC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
VCC
CE
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
NC
NC
NC
NC
WE
OE
RDY / BUSY
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
A
A5
B
A4
C
A6
D
A3 I / O1 NC VCC I / O4 I / O7 NC
E
A2
F
A1 I / O0 I / O2 GND I / O5 RY / BY WE
A0 I / O3 GND I / O6 OE NC
A9 RST CE A14 A16 A19
A7 A10 A13 VCC NC A18
A8 A11 NC A12 A15 A17
0812A–8/97
描述
（续）
为了让简单的系统内可重编程中，
AT49BV / LV080不需要高的输入电压为
编程。 3伏，只命令确定读
和编程的装置的操作。读数据
出器件是相似的，从一个EPROM读取。
重新编程的AT49BV / LV080由eras-执行
荷兰国际集团在整个8兆的内存，然后编程
明在逐字节的基础。典型的字节编程
明的时间是30快
s.
一个程序周期结束可以
可任选地通过在DATA轮询功能检测。一旦
已检测到一字节的程序周期结束时，一个新的
访问用于读出或编程可以开始。典型的num-
方案的误码率和擦除周期是在过量的万
周期。
可选的16K字节的引导块部分包括一个重
编程写入锁定功能，提供数据integ-
RITY 。引导扇区被设计为包含用户的安全
代码，当启用该功能，引导扇区是
永久保护被重新编程。
框图
V
CC
GND
OE
WE
CE
AT49BV/LV080
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
8
OE ，CE ，我们
逻辑
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
FFFFFH
X解码器
主内存
（ 1008K字节）
03FFFH
可选的引导
块（ 16K字节）
00000H
AT49BV/LV080T
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
8
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
FFFFFH
可选的引导
块（ 16K字节）
FC000H
主内存
（ 1008K字节）
00000H
Y译码
地址
输入
设备操作
阅读：
该AT49BV / LV080访问像EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车
争。
删除：
前一个字节可以被重新编程，在
1024K字节的存储阵列（或1008K字节，如果开机
块功能时） ，必须先擦除。擦除状态
的存储器中的位是逻辑“1”。可以将整个装置
在同一时间通过利用一个6字节的软件代码被删除。
该软件芯片擦除代码由6个字节负载的COM
mands到特定地址的位置与特定的数据
模式（请参阅芯片擦除周期波形） 。
之后，软件芯片擦除已启动，该装置
将内部时间的擦除操作，使得没有外部
时钟是必需的。擦除时所需要的最大时间
整个芯片为t
EC
。如果引导块锁定功能有
被启用，在引导扇区中的数据不会被
删除。
字节编程：
一旦存储器阵列是
擦除时，该设备被编程（置为逻辑“0”）上的
逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能
程序返回到“1” ;只有擦除操作可以CON组
用vert “0”到“1” 。编程是通过在 - 完成
ternal设备命令寄存器和一个4总线周期OP-
关合作（请参照命令定义的表）。
该设备将自动生成所需的接口
最终编程脉冲。
该项目周期有锁的下落地址
边WE或CE认证，去年为准，而数据
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准
第一。编程是指定的T完成后，
BP
赛扬
CLE时间。的数据查询功能，也可以使用以
表明一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
DE-的
有副，有一个节目一个指定的块
锁定功能。此功能可以防止编程
在一次的特征所指定的块中的数据已
启用。该块的大小为16K字节。该块，
被称为引导块，可包含安全的代码
用于调出系统。启用锁定为特色的
TURE将允许引导代码停留在该设备的同时数据
在该装置的其余部分被更新。此功能不
有被激活;引导块的使用作为一个写
保护区是任选的给用户。地址
在AT49BV / LV080引导块的范围是00000H到
03FFFH而AT49BV / LV080T的地址范围
引导块是FC000H到FFFFFH 。
要激活锁定功能，形成六大系列节目
命令与特定数据的特定地址必须
2
AT49BV/LV080
AT49BV/LV080
设备操作
（续）
来执行。请参阅命令定义
表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件
法是可用的，以确定是否进行编程
引导块部被锁定。当该装置处于
软件产品标识模式（请参阅软件的精良
UCT识别进入和退出部分）从AD-读
礼服位置00002H将显示是否编程启动
块被锁定。如果在I中的数据/ O0是低时，引导
块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，
程序锁定功能已被激活和块
不能编程。软件产品identifica-
灰出口代码应使用以返回到标准操作
化。
BOOT BLOCK编程闭锁OVER-
乘车：
用户可以重写引导区规划
锁定通过采取RESET引脚12 + 0.5伏。通过这样做
此，受保护的引导块中的数据可以通过一个被改变
芯片擦除或字节编程。当RESET引脚
带回TTL电平的引导块编程
锁定功能是反复活跃。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49BV / LV080特征的数据
轮询，以指示一个程序循环的结束。在一
项目周期企图读取的最后一个字节加载中
将导致在所加载的数据的I / O 7的补码。
一旦程序周期已经完成，真正的数据是
有效的对所有输出和下一个周期可能开始。数据
轮询可能在程序周期内随时开始。
触发位：
我N A D D I T I O为g N t个O数据婆LL ，T他
AT49BV / LV080提供了另一种方法，用于确定
一个程序或擦除周期的结束。在程序或
擦除操作，连续尝试读取数据
该装置将导致I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成， I / O6会
停止切换，有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
RDY / BUSY ：
一个开漏就绪/忙输出引脚亲
志愿组织的检测程序的结束的另一种方法或
擦除操作。 RDY / BUSY积极拉低时
内部编程和擦除周期和被释放
完成循环。开漏连接AL-
低点或 - 捆绑多个设备在同一
RDY / BUSY线。
RESET ：
复位输入引脚提供一些缓解
系统的应用程序。当Reset为逻辑高电平，
该设备是在它的标准操作模式。在低水平
RESET输入暂停，本设备操作和
使器件的输出处于高阻抗状态。
如果RESET引脚使得在一个高向低转变
程序或擦除操作时，该操作可能并不suc-
功地完成，并且该操作将必须重新
peated后高的电平被施加到复位引脚。
当一个高级别重申RESET引脚上的
设备返回到读或待机模式时，根据
时的控制输入端的状态。通过施加12V +
0.5V的输入信号RESET引脚引导块阵列
即使引导块锁定可被重新编程为特色的
TURE已启用（见引导块编程
锁定覆盖部分） 。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外方案的
AT49BV / LV080在以下几个方面：（1 ）V
CC
意义：如果
V
CC
低于1.8V （典型值） ，该程序的功能是inhib-
资讯科技教育。 （二）禁止编程：控股OE低，CE中的任何一个
高或WE高抑制方案周期。 （三）噪声滤波器：
小于15纳秒（典型值） ，在WE或CE输入脉冲
不会启动编程周期。
3
命令定义（十六进制）
命令
公共汽车
顺序
周期
读
芯片擦除
字节
节目
BOOT BLOCK
(1)
封锁
产品编号
条目
产品编号
(2)
出口
产品编号
(2)
出口
1
6
4
6
3
3
1
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
XXXX
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
F0
第二巴士
周期
ADDR
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
2AAA
数据
55
55
55
55
55
3公交车
周期
ADDR
5555
5555
5555
5555
5555
数据
80
A0
80
90
F0
4公交车
周期
ADDR
5555
ADDR
5555
数据
AA
D
IN
AA
第五公交
周期
ADDR
2AAA
数据
55
第六届巴士
周期
ADDR
5555
数据
10
2AAA
55
5555
40
注：1. 16K字节的引导扇区有地址范围00000H到03FFFH的AT49BV / LV080和FC000H到FFFFFH的
AT49BV/LV080T.
2.任何产品ID退出命令中的一个可以使用。
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
4
AT49BV/LV080
AT49BV/LV080
直流和交流工作范围
AT49BV/LV080-12
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
2.7V - 3.6V / 3.0V - 3.6V
AT49BV/LV080-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
2.7V - 3.6V / 3.0V - 3.6V
AT49BV/LV080-20
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
2.7V - 3.6V / 3.0V - 3.6V
操作模式
模式
读
节目
(2)
待机/写
抑制
禁止程序
禁止程序
输出禁用
RESET
产品
鉴定
五金
软件
(5)
注：1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
X
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
X
RESET
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
RDY / BUSY
V
OH
V
OL
V
OH
V
OH
V
OH
高Z
X
V
OH
高Z
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
A1 - A19 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IL
A1 - A19 = V
IL
， A9 = V
H
,
(3)
A0 = V
IH
A0 = V
IL
， A1 - A19 = V
IL
A0 = V
IH
， A1 - A19 = V
IL
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
4.制造商代码： 1FH ，
器件代码： 23H （ AT49BV / LV080 ） ， 27H （ AT49BV / LV080T ）
5.请参阅下的软件产品标识进入/退出细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC (1)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 1.6毫安， V
CC
= 3.0V
I
OH
= -100
A,
V
CC
= 3.0V
2.4
2.0
0.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0 mA时，V
CC
= 3.6V
民
最大
1
1
50
1
25
0.6
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
注意：
1. I
CC
在擦除模式中为50毫安。
5
QQ：2880707522 复制
