特点
单电源进行读写： 2.7 3.6V
快速读取访问时间 - 70纳秒
内部控制程序和定时器
部门架构
- 一个16K字节的引导与规划锁定座
- 两个8K字节的参数块
- 八个主内存块（一个32K字节，七64K字节）
快速擦除周期 - 7秒
逐字节编程 - 30微秒/字节典型
硬件数据保护
对检测程序结束数据轮询
低功耗
- 15毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
典型万次擦写循环
4-megabit
（ 512K ×8 ）
单2.7伏
电池电压
描述
该AT49BV040A是2.7伏，只在系统内可编程Flash存储器。其
4兆位的存储器由8位， 524288字。与制造
Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备提供访问时间
70 ns的只有54毫瓦的在商用温度范围内的功率耗散。
FL灰内存
AT49BV040A
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
VSOP顶视图（ 8 ×14毫米）或
TSOP顶视图（ 8 ×20 MM）
类型1
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
PLCC顶视图
A12
A15
A16
A18
VCC
WE
A17
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
修订版3358A -FLASH - 6月3日
1
当取消选择器件中，CMOS待机电流小于50微安。以允许
简单的系统重新编程，该AT49BV040A不要求高输入电压为
编程。三伏特，只有命令确定的读取和编程操作
该设备。读数据从装置中类似于从一个EPROM读出;它有标
准CE， OE和WE的投入，以避免总线冲突。重新编程的AT49BV040A是
通过擦除数据的一个块，然后逐个字节的基础上的一个字节的编程执行。字节
编程时间是30快
s.
一个程序周期结束可以通过有选择地检测
数据轮询功能。一旦一个字节的程序循环结束时被检测到，一个新的
访问用于读出或编程可以开始。程序的典型数目和擦除周期是在
超过10,000次。
该设备通过执行擦除命令序列擦除;内部器件所
指令对擦除操作。有两个8K字节参数块部分，八个主
存储器块，并且一个引导块。
该设备具有保护在引导块中的数据的功能;这个功能是通过启用
命令序列。在16K字节的引导块部分包括重新编程锁定为特色的
TURE ，以提供数据的完整性。引导扇区被设计为包含用户的安全代码，
当启用该功能，引导扇区被永久保护，是
重新编程。
框图
AT49BV040A
数据输入/输出
I / O7 - I / O0
VCC
GND
OE
WE
CE
RESET
8
输入/输出
缓冲器
节目
数据锁存器
Y型GATING
主内存
8座
（ 64K字节）
主内存
7座
（ 64K字节）
主内存
6座
（ 64K字节）
主内存
5座
（ 64K字节）
主内存
4座
（ 64K字节）
主内存
3座
（ 64K字节）
主内存
BLOCK 2
（ 64K字节）
主内存
1座
（ 32K字节）
参数
BLOCK 2
（ 8K字节）
参数
1座
（ 8K字节）
BOOT BLOCK
（ 16K字节）
7FFFF
控制
逻辑
Y译码
地址
输入
X解码器
70000
6FFFF
60000
5FFFF
50000
4FFFF
40000
3FFFF
30000
2FFFF
20000
1FFFF
10000
0FFFF
08000
07FFF
06000
05FFF
04000
03FFF
00000
2
AT49BV040A
3358A–FLASH–6/03
AT49BV040A
设备
手术
阅读：
该AT49BV040A访问像EPROM 。当CE和OE低， WE是
高，存储在由地址引脚确定的存储器位置中的数据被置上
的输出。输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这
双线控制给出了防止总线争用设计的灵活性。
命令序列：
当设备首次启动将被重置为读或
待机模式下根据控制线路输入状态。为了执行其它
设备上功能，一系列命令序列将被输入到该设备。命令
序列显示的命令定义表中。该命令序列写入
通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE或WE低（分别地）和OE高。
地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据是
通过CE或WE的第一个上升沿锁存。标准的微处理器写定时被使用。
在命令序列中使用的地址位置不影响输入的COM
命令序列。
删除：
前一个字节可以被重新编程，在主存储器的块或参数
包含字节块必须被擦除。的存储位的擦除状态是的Logical
卡尔“1”。整个装置可以一次使用一个6字节的软件代码被删除。该
软件芯片擦除代码由6个字节的load命令与具体的地址位置
一个特定数据模式（请参阅芯片擦除周期波形） 。
之后，软件芯片擦除已启动，该装置将内部的时间擦除操作
化，使得无需外部时钟是必需的。所需要的最大时间来擦除整个
芯片为t
EC
。如果引导块锁定功能已启用，在引导扇区中的数据将
不被擦除。
芯片擦除：
如果引导块锁定已启用，芯片擦除功能将擦除
参数块1 ，参数2座，主内存块1 - 8 ，而不是引导块。如果
引导块锁定尚未启用，芯片擦除功能将擦除整个芯片。
全片擦除后，设备将返回到读取模式。芯片中的任何命令
擦除将被忽略。
扇区擦除：
作为替代一全芯片擦除，该设备被组织成扇区
可单独擦除。有两个8K字节参数块部分和八个
主存储器块。在8K字节的参数块段和八个主内存
块可以独立地擦除和重新编程。扇区擦除命令是六
总线周期操作。扇区地址被锁存第六周期的下降沿WE边缘
而30H数据输入命令被锁存在WE的上升沿。扇区擦除开始
之后的第六个周期的WE的上升沿。擦除操作是内部控制;它会
自动完成时间。
字节编程：
一旦该存储器阵列被擦除，该设备被编程（向
逻辑“0” ）上的逐字节的基础。请注意，一个数据“0”不能编程回
一个“1” ;只擦除操作可以转换的“0”到“1” 。编程是通过完成
内部设备命令寄存器和一个4总线周期的操作（请参见命令
定义表） 。该设备将自动生成所需的内部程序脉冲。
程序循环有，以先到为准地址锁存WE或CE的下降沿
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准。最后，和数据。编程
明的是指定的T完成后，
BP
周期时间。在DATA轮询功能也可以是
用于指示一个程序循环的结束。
BOOT BLOCK编程锁定：
该设备具有具有一个指定的块
编程锁定功能。此功能可以防止数据的程序在指定
一旦该功能已启用阻止。该块的大小为16K字节。该块，
被称为引导块，可以包含用于调出系统的安全码。
启用锁定功能将使启动代码留在设备，而在其余的数据
3
3358A–FLASH–6/03
该装置的被更新。此功能没有被激活;引导块的用法
一个写保护的区域是可选的用户。引导块的地址范围是00000
到03FFF 。
一旦启用该功能，在引导块中的数据不能再被删除或亲
编程。在主存储器中的块的数据仍然可以通过经常改变
编程方法。要激活锁定功能，形成六大系列程序命令
具有特定数据的特定地址必须被执行。请参考Command Defini-
系统蒸发散表。
BOOT BLOCK闭锁检测：
软件方法可用于确定是否亲
引导块段编程被锁定。当该装置是在软件产品
识别模式（请参阅软件产品识别进入和退出部分），从读
地址位置00002H将显示，如果编程引导块被锁定。如果数据上
I / O0为低时，引导块可以被编程;如果在I中的数据/ O0为高电平时，该程序闭锁
功能已被激活，并且该块不能被编程。软件产品identi-
fication码应使用以返回到标准操作。
产品标识：
产品标识模式标识该设备和人为
造商如爱特梅尔。它可以通过硬件或软件的操作来访问。硬件
操作模式可以由外部编程，以确定正确的编程
算法为Atmel的产品。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）或软件产品标识。
的制造商，设备代码是相同的这两种模式。
数据查询：
该AT49BV040A设有数据轮询指示的节目的结束
周期。在一个程序循环中加载的最后一个字节的企图读取会导致在COM
二进制补码的I / O7加载的数据。一旦程序周期已经完成，真正的数据是
有效的对所有输出和下一个周期可能开始。数据轮询可能在随时开始
程序循环。
触发位：
除了数据轮询AT49BV040A提供了另一种方法为
确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作， suc-
cessive尝试从设备中读取的数据将产生的I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成， I / O6将停止切换，有效的数据将
读取。检查触发位可以在一个程序循环随时开始。
硬件数据保护：
硬件功能防止意外计划
到AT49BV040A以下方式：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于1.8V （典型值）时，
程序的功能被禁止。 （二）禁止编程：控股OE低，CE中的任何一个高或WE
高抑制方案周期。 （三）噪声滤波器：小于15纳秒（典型值）的WE脉冲或
CE的投入不会启动编程周期。
4
AT49BV040A
3358A–FLASH–6/03
AT49BV040A
命令定义（十六进制）
(1)
命令
顺序
读
芯片擦除
扇区擦除
字节编程
引导块锁定
(3)
产品ID进入
产品ID退出
(4)
产品ID退出
(4)
注意事项：
公共汽车
周期
1
6
6
4
6
3
3
1
第一巴士
周期
ADDR
ADDR
555
555
555
555
555
555
XXX
数据
D
OUT
AA
AA
AA
AA
AA
AA
F0
AAA
(2)
AAA
AAA
AAA
AAA
AAA
55
55
55
55
55
55
555
555
555
555
555
555
80
80
A0
80
90
F0
555
555
ADDR
555
AA
AA
D
IN
AA
AAA
55
555
40
AAA
AAA
55
55
555
SA
(5)
10
30
第二巴士
周期
ADDR
数据
3公交车
周期
ADDR
数据
4公交车
周期
ADDR
数据
第五公交
周期
ADDR
数据
第六届巴士
周期
ADDR
数据
1.在每个总线周期的数据格式如下所示： I / O 7 - I / O0 （十六进制） 。在每个总线周期的地址格式如下：
A11 - A0 （十六进制） ; A11 - A18 （不关心） 。
2.由于A11是无所谓， AAA可以换成2AA 。
3. 16K字节的引导扇区有地址范围00000H到03FFFH 。
4.无论是产品ID退出命令中的一个可以使用。
5， SA =扇区地址：
SA = 00000到03FFF的BOOT BLOCK
SA = 04000 ，以05FFF的参数块1
SA = 06000 ，以07FFF的参数块2
SA = 08000到FFFF的主存储器阵列块1
SA = 10000 1FFFF对主存储器阵列块2
SA = 20000 2FFFF对主存储器阵列块3
SA = 30000 3FFFF对主存储器阵列块4
SA = 40000 ，以4FFFF对主存储器阵列块5
SA = 50000 5FFFF对主存储器阵列块6
SA = 60000 ，以6FFFF对主存储器阵列块7
SA = 70000 ，以7FFFF对主存储器阵列块8
绝对最大额定值
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越那些绝对马克西在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件的操作
超越那些在运营仲表示系统蒸发散
本规范的系统蒸发散是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
5
3358A–FLASH–6/03
QQ：2881677436 复制
