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特点
单2.7V - 3.6V电源
双接口架构
- 急流
串行接口: 66 MHz最大时钟频率
SPI兼容模式0和3
- Rapid8
8 - bit接口: 50 MHz最大时钟频率
用户可配置的页面大小
- 每页1024字节
- 每页1056字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 8192页(一千零五十六分之一千零二十四字节/页)主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除( 1字节)
- 块擦除( 8字节)
- 扇区擦除( 256字节)
- 芯片擦除( 64兆位)
两个SRAM数据缓冲区(一千零五十六分之一千零二十四字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 10毫安有效的读电流典型 - 串行接口
- 10毫安有效的读电流典型 - 8 - bit接口
- 25 μA待机电流典型
- 9 μA深层关机典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
常设机构锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
温度范围
- 工业级: -40 ° C至+ 85°C
64-megabit
2.7-volt
双接口
数据闪存
AT45DB642D
3542F–DFLASH–09/06
1.描述
该AT45DB642D是2.7伏,双接口顺序访问的闪存非常适合
各种各样的数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据存储应用。该
AT45DB642D支持急流串行接口和Rapid8 8位接口。急流串行接口
脸是SPI高达66兆赫的频率兼容。双接口允许一个专用
串行接口被连接到DSP和专用的8位接口连接到一个
微控制器或反之亦然。然而,使用任何接口纯粹是可选的。其
69206016位存储器组织为8,192页1,024字节(二进制页面大小)或
1056字节(标准数据闪存页面大小)每个。除了主存储器,所述
AT45DB642D还包含1024 (二进制缓冲区大小)两片SRAM缓冲器字节/ 1056字节
(标准数据闪存缓冲区大小)每个。该缓冲器允许同时在一个页面接收数据的
主存储器进行重新编程,以及写入一个连续的数据流。 EEPROM
仿真(位或字节变性)被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改处理
写操作。不同于与多个随机访问的传统闪存
地址线和并行接口,所述数据闪存使用任一急流串行接口或
8位Rapid8接口以顺序地存取其数据。简单的顺序存取大幅
主动减少引脚数,简化硬件设计,提高了系统的可靠性,最小化
开关噪声,并降低了封装尺寸。该设备是在许多商业应用进行了优化
和工业应用中,高密度,低引脚数,低电压和低功耗是
必不可少的。
以允许简单的系统重新编程,该AT45DB642D并不需要高输入
电压进行编程。该器件采用单电源供电, 2.7V至3.6V ,对于工作
两个程序和读取操作。该AT45DB642D通过片选引脚启用
( CS ),并通过一个三线接口,包括串行输入( SI )中,串行输出访问
(SO )和串行时钟(SCK ) ,或8位接口包括以下各项的输入/输出管脚(I / O7 -
I / O0 )和时钟管脚( CLK) 。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
2
AT45DB642D
3542F–DFLASH–09/06
AT45DB642D
2.引脚配置和引脚
表2-1 。
符号
销刀豆网络gurations
名称和功能
片选:
断言CS引脚选择设备。当CS引脚置为无效,该装置
都将被取消,通常被放置在待机模式下(没有深度掉电模式) ,
和输出引脚(SO或I / O 7 - I / O0 )将处于高阻抗状态。当该装置是
取消选择,数据不会被输入引脚( - I / O0 SI或I / O7 )接受。
在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作,以及低到高
结束的动作过渡是必需的。当结束一个内部自定时操作,如
编程或擦除周期内,设备将无法进入待机模式,直到完成
操作。
串行时钟:
该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制流
数据和从该装置。目前在SI或我的命令,地址和数据输入/ O7 - I / O0
销总是锁定在SCK / CLK的上升沿,而在SO或I / O7输出数据 -
I / O0引脚总是同步输出SCK / CLK的下降沿。
串行输入:
SI引脚被用于将数据转移到器件中。 SI引脚用于所有的数据输入
包括命令和地址序列。 SI引脚上的数据总是锁定在上升
SCK的边缘。如果SER / BYTE引脚始终驱动为低电平时, SI引脚应该是一个“无连接” 。
串行输出:
SO引脚用来转移数据从设备。在SO引脚上的数据始终是
同步输出SCK的下降沿。如果SER / BYTE引脚始终驱动为低电平时, SO引脚
应该是一个“无连接” 。
8位输入/输出:
在I / O 7- I / O0引脚是双向的,并用于时钟数据移入和移出的
装置。在I / O 7- I / O0引脚用于所有的数据输入,包括操作码和地址序列。
使用这些引脚是可选的,并且引脚应被视为“无连接” ,如果SER / BYTE
引脚没有连接,或者如果SER / BYTE引脚始终驱动为高电平外部的。
写保护:
当WP引脚置位,所有部门保护由部门指定
保护寄存器将被保护,以防止程序及不管是否擦除操作
在启动扇区保护命令已发出或没有。 WP引脚功能
独立软件控制的保护方法。
如果一个编程或擦除命令发出到设备,而WP引脚置,该装置
会简单地忽略命令并执行任何操作。该设备将返回到空闲状态
一旦CS已被拉高。在启动扇区保护命令和部门
锁定命令,不过,将在该设备所认可时, WP引脚被置位。
WP引脚在内部上拉,高,可能会悬空,如果硬件控制保护将
不能被使用。但是,我们建议在WP引脚也可以从外部连接到V
CC
只要有可能。
RESET :
在复位引脚( RESET )低的状态将终止正在进行的操作和复位
内部状态机到空闲状态。该装置将保持在复位状态,只要
低水平存在于RESET引脚。正常操作就可以恢复,一旦RESET引脚
带回高电平。
该器件集成了一个内部上电复位电路,所以有在没有任何限制
上电序列中RESET引脚。如果此引脚和功能都没有使用推荐
该RESET引脚的外部驱动高。
READY / BUSY :
这种开漏输出引脚将被驱动为低电平时,器件处于忙碌中
内部自定时操作。该引脚,通常是在高状态(通过外部
上拉电阻) ,在编程过程中会被拉低/擦除操作,比较操作,
和页到缓冲器传输。
占线状态指示该缓冲器的闪存存储器阵列和一个不能
访问;读取和写入操作的其他缓冲器仍然可以进行。
断言
状态
TYPE
CS
输入
SCK / CLK
输入
SI
输入
SO
产量
I / O7 - I / O0
输入/
产量
WP
输入
RESET
输入
RDY / BUSY
产量
3
3542F–DFLASH–09/06
表2-1 。
符号
引脚配置(续)
名称和功能
串行/ 8 - bit接口控制:
该数据闪存可被配置成利用任何其串行端口或
通过使用串行/ 8位控制引脚( SER / BYTE)的8位端口。当SER / BYTE引脚
举高时,数据闪存的串行端口( SI和SO )将被用于所有的数据传输,并且
8位端口(I / O 7 - I / O0 )将处于高阻抗状态。给出的8位端口上的任何数据
而SER / BYTE是高举将被忽略。当SER / BYTE保持低电平时, 8位端口会
可用于所有的数据传输,并且SO引脚串行端口将处于高阻抗状态。
当SER / BYTE低,所展示的SI引脚的数据将被忽略。之间的切换
串行端口和8位端口只能做当CS引脚为高电平,器件不旺
在内部自定时操作。
该SER / BYTE引脚被拉高;因此,如果从未被使用的8位端口,然后
在SER / BYTE引脚的连接不是必需的。此外,如果在SER / BYTE引脚是不
连接,或者如果在SER / BYTE引脚总是被驱动高外,则8位的输入/输出引脚
(I / O 7- I / O0 )时, VCCP引脚, GNDP针应该被视为“无连接” 。
器件电源:
在V
CC
销是用来提供电源电压的装置。
在无效的V操作
CC
电压可能产生虚假的结果,不应该试图。
地面:
用于电源的接地参考。接地应连接到系统
地面上。
8位端口电源电压:
该VCCP引脚用于供电的8位输入/输出管脚
(I / O 7- I / O0 ) 。该VCCP引脚需要使用,如果8位的端口被利用;然而,该引脚
应被视为“无连接” ,如果SER / BYTE引脚没有连接,或者如果在SER / BYTE引脚是
始终拉高到外部。
8位端口接地:
该GNDP引脚用于提供接地的8位输入/输出管脚(I / O7-
I / O0 ) 。该GNDP针需要被使用,如果8位的端口被利用;然而,该引脚应
被视为“无连接” ,如果SER / BYTE引脚未连接,或者如果SER / BYTE引脚
始终拉高到外部。
断言
状态
TYPE
SER / BYTE
输入
V
CC
GND
动力
V
CCP
动力
GNDP
图2-2 。
数据闪存卡
(1)
7 6 5 4 3 2 1
图2-1 。
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK / CLK
SI
SO
TSOP顶视图: 1型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCCP
GNDP
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
SER / BYTE
NC
注意:
1.见AT45DCB008D数据。
图2-3 。
CASON顶视图通过包装
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
4
AT45DB642D
3542F–DFLASH–09/06
AT45DB642D
3.框图
WP
闪存阵列
PAGE (一千○五十六分之一千○二十四BYTES )
缓冲器1 ( 1056分之1024 BYTES )
缓冲液2 ( 1056分之1024 BYTES )
SCK / CLK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
SER / BYTE
I / O接口
SI SO
I / O7 - I / O0
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB642D的存储器阵列被划分为三个等级
粒度,包括行业,块和页面。在“内存体系结构图” illus-
trates每个级别的故障,并详细说明的每个扇区和块的页数。所有
程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。在擦除操作
将在芯片,部门,块或页级执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
扇区0
部门1
块0
部门架构
行业0A = 8页
8192 / 8448字节
部门0B = 248页
253952 / 261888字节
页面架构
8页
第0页
第1页
块0
1座
BLOCK 2
部门2 = 256页
262,144/270,336
字节
2区
1座
部门1 = 256页
262,144 / 270,336字节
BLOCK 30
31座
BLOCK 32
BLOCK 33
第6页
第7页
第8页
第9页
行业30 = 256页
262,144 / 270,336字节
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
BLOCK 65
第14页
第15页
第16页
第17页
第18页
行业31 = 256页
262,144 / 270,336字节
BLOCK 1022
BLOCK 1023
块= 8,192 / 8,448字节
8,190页
8,190页
页= 1024 / 1056字节
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