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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第420页 > AT45DB321D-MWU
特点
单2.7V - 3.6V电源
急流
串行接口: 66 MHz最大时钟频率
- 兼容SPI模式0和3
用户可配置的页面大小
- 每页512字节
- 每页528字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 8,192页( 528分之512字节/页)主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除( 512字节)
- 块擦除( 4字节)
- 扇区擦除( 64字节)
- 芯片擦除( 32兆位)
两个SRAM数据缓冲区(五百二十八分之五百十二字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 5 μA深层关机典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
32-megabit
2.7-volt
数据闪存
AT45DB321D
初步
1.描述
该AT45DB321D是2.7伏,串行接口顺序存取闪存
非常适用于种类繁多的数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据stor-的
年龄的应用程序。该AT45DB321D支持应用急流串行接口
需要非常高的速度操作。急流串行接口的SPI兼容
频率高达66 MHz的。其34603008位存储器组织为8,192
512字节或每528字节的页面。除了主存储器,所述
AT45DB321D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区
允许数据的接收,而在主存储器中的页面进行重新编程,
以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或字节alterabil-
性)是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。
不同于与多个随机访问的传统闪存
地址线和并行接口,所述数据闪存使用急流串行接口
3597H–DFLASH–02/07
顺序地访问其数据。简单的顺序访问极大地减少了主动销
算,有利于硬件布局,提高了系统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并
减小封装尺寸。该装置被用在许多商业和工业应用的优化
的阳离子,其中高密度,低引脚数,低电压和低功耗是必不可少的。
以允许简单的系统重新编程,该AT45DB321D并不需要高输入
电压进行编程。该器件采用单电源供电, 2.7V至3.6V ,对于工作
两个程序和读取操作。该AT45DB321D通过片选引脚启用
( CS ),并通过一个三线接口,包括串行输入( SI )中,串行输出访问
(SO )和串行时钟(SCK ) 。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
2.引脚配置和引脚
图2-1 。
MLF和CASON
通过包顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
图2-2 。
SOIC顶视图
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
SI
SCK
RESET
CS
图2-3 。
SO
GND
VCC
WP
图2-4 。
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
数据闪存卡
(1)
通过包顶视图
TSOP顶视图: 1型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
7 6
5 4 3 2 1
注意:
1.见AT45DCB004D数据。
注意:
不建议用于新设计TSOP封装。未来模具
收缩将只支持8引脚封装。
2
AT45DB321D [初步]
3597H–DFLASH–02/07
AT45DB321D [初步]
表2-1 。
符号
销刀豆网络gurations
名称和功能
片选:
断言CS引脚选择设备。
CS引脚置为无效,该装置
都将被取消,通常被放置在待机模式下(没有深度掉电模式) ,
和输出引脚(SO )将处于高阻抗状态。
取消选择器件,数据
不会对输入引脚( SI )接受。
在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作,以及低到高
结束的动作过渡是必需的。
结束一个内部自定时操作,如
编程或擦除周期内,设备将无法进入待机模式,直到完成
操作。
串行时钟:
该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制流
数据和从该装置。目前SI引脚上的命令,地址和数据的输入始终是
锁定在SCK的上升沿,而在SO引脚输出数据总是同步输出
SCK的下降沿。
串行输入:
SI引脚被用于将数据转移到器件中。 SI引脚用于所有的数据输入
包括命令和地址序列。 SI引脚上的数据总是锁定在上升
SCK的边缘。如果SER / BYTE引脚始终驱动为低电平时, SI引脚应该是一个“无连接” 。
串行输出:
SO引脚用来转移数据从设备。在SO引脚上的数据始终是
同步输出SCK的下降沿。如果SER / BYTE引脚始终驱动为低电平时, SO引脚
应该是一个“无连接” 。
写保护:
WP
引脚置位,保护由部门指定的所有部门
保护寄存器将被保护,以防止程序及不管是否擦除操作
在启动扇区保护命令已发出或没有。该
WP
引脚功能
独立软件控制的保护方法。后
WP
引脚变为低电平时,
的扇区保护寄存器的内容不能被修改。
如果进行编程或擦除命令被发送到该设备,而
WP
引脚置,该装置
会简单地忽略命令并执行任何操作。该设备将返回到空闲状态
一旦CS已被拉高。在启动扇区保护命令和部门
锁定命令,但是,将被该装置识别时的
WP
引脚置位。
WP
引脚在内部上拉,高,可能会悬空,如果硬件控制保护将
不能被使用。然而,建议该
WP
销也可以从外部连接到V
CC
只要有可能。
RESET :
在复位引脚( RESET )低的状态将终止正在进行的操作和复位
内部状态机到空闲状态。该装置将保持在复位状态,只要
低水平存在于RESET引脚。正常操作就可以恢复,一旦RESET引脚
带回高电平。
该器件集成了一个内部上电复位电路,所以有在没有任何限制
上电序列中RESET引脚。如果此引脚和功能都没有使用推荐
该RESET引脚的外部驱动高。
READY / BUSY :
这种开漏输出引脚将被驱动为低电平时,器件处于忙碌中
内部自定时操作。该引脚,通常是在高状态(通过外部
上拉电阻) ,在编程过程中会被拉低/擦除操作,比较操作,
和页到缓冲器传输。
占线状态指示该缓冲器的闪存存储器阵列和一个不能
访问;读取和写入操作的其他缓冲器仍然可以进行。
器件电源:
在V
CC
销是用来提供电源电压的装置。
在无效的V操作
CC
电压可能产生虚假的结果,不应该试图。
地面:
用于电源的接地参考。接地应连接到系统
地面上。
断言
状态
TYPE
CS
输入
SCK
输入
SI
输入
SO
产量
WP
输入
RESET
输入
RDY / BUSY
产量
V
CC
GND
动力
3
3597H–DFLASH–02/07
3.框图
WP
闪存阵列
PAGE (五百二十八分之五百一十二BYTES )
缓冲器1 ( 528分之512 BYTES )
缓冲液2 ( 528分之512 BYTES )
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB321D的存储器阵列被划分为三个级别的粒度,包括的
扇区,块和页面。在“内存体系结构图”显示了每个级别的细分,并详细介绍了
每扇区和块页数。所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。擦除
操作可以在芯片,扇区,块或页级别来执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
扇形
0a
扇形
0b
块0
1座
BLOCK 2
扇形
架构
扇形
0a =
8
网页
4096 / 4224字节
页面架构
8
网页
块0
第0页
第1页
扇形
0B = 120页
61,440 / 63,360字节
第6页
第7页
页面
8
BLOCK 62
BLOCK 63
扇形
1 = 128页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 65
扇形
2 = 128页
65,536/67,584
字节
扇形
1
1座
BLOCK 64
第9页
第14页
第15页
BLOCK 126
BLOCK 127
BLOCK 128
扇形
62 = 128页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 129
第16页
第17页
第18页
扇形
63 = 128页
65,536 / 67586字节
BLOCK 1022
BLOCK 1023
页面
8,190
页面
8,191
块= 4096 / 4224字节
页=五百二十八分之五百一十二字节
4
AT45DB321D [初步]
3597H–DFLASH–02/07
AT45DB321D [初步]
5.设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表
与它们相关联的操作码中包含
表15-1第28页
通过
表15-7上
第31页。
有效的指令开始的CS其次是适当的8位下降沿
操作码和所需的缓冲或主存储器地址位置。
CS引脚为低电平时,将触发
岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主内存
通过SI(串行输入)引脚地址位置。所有的指令,地址和数据都是反式
ferred最显著位( MSB)开始。
缓冲器寻址的数据闪存标准页面大小( 528字节)中的被引用
使用的术语BFA9数据表 - BFA0表示要desig-所需的10位地址
缓冲区内的内特一个字节的地址。主内存寻址使用引用
术语PA12 - PA0和BA9 - BA0 ,其中PA12 - PA0表示13位地址
指定页面地址和BA9要求 - BA0表示需要对10位地址
指定页面内的字节地址。
对于二进制页面大小“ 2的幂” ( 512字节)的缓冲区中被引用地址
使用常规术语BFA8数据表 - BFA0表示的9个地址位
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主内存寻址引用
使用术语A21 - A 0,其中A 21 - A9表示到desig-所需的13个地址位
内特页地址和A8 - A0表示指定字节所需的9位地址
在页面中解决。
6.读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取任
1两个SRAM数据缓冲区。该数据闪存支持模式0和激流协议
模式3,请参阅“详细的位级读时序”图中这个数据表
于每种模式的时钟周期序列的详细信息。
6.1
连续阵列读取(旧命令: E8H ):高达66 MHz的
通过提供一个初始地址的主存储器阵列,该阵列的连续读
命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流
简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要
来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动
计数器每个时钟周期,使一个连续的读操作,而不需要
额外的地址序列。从数据闪存标准的页面进行连续读取
大小( 528字节) , E8H的操作码,必须移入器件后跟三个地址
个字节(它包括24位页和字节地址序列)和4-不在乎字节。该
第13位( PA12 - PA0 )的23位地址序列指定主MEM-的哪一页
储器阵列中读取数据,最后10位( BA9 - BA0 )的23位地址序列指定
在页面内起始字节地址。从二进制页面尺寸进行连续读
( 512字节) ,操作码( E8H )必须移入器件后跟三个地址字节
4不在乎字节。第13位( A21 - A9 )的22位序列指定的页面
主存储器阵列中读取数据,并在最后9位 - 22-位地址序列(A8 A0)
指定页内的起始字节地址。不在乎跟着地址字节
字节需要初始化读操作。继不在乎字节,额外的时钟
SCK引脚上的脉冲会导致数据上的SO (串行输出)引脚输出。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,不关心
字节,并且数据的读取。
期间达到在主存储器中的页的结束
5
3597H–DFLASH–02/07
AVR32918 : UC3 -A3 XPLAINED硬件用户
指南
特点
ATMEL
AT32UC3A3256微控制器
64Mbit的SDRAM
模拟输入( ADC)
-
温度传感器
-
RC滤波器
I / O
-
一个机械按钮
-
四个LED
-
四个扩展报头
脚印外部存储器
-
爱特梅尔AT45DB系列数据闪存的串行闪存
-
爱特梅尔AT25DF系列工业标准的串行闪存
TOUCH
-
一个爱特梅尔的QTouch
滑块
-
一个爱特梅尔的QTouch按钮
32-bit
微控制器
应用说明
1引言
爱特梅尔UC3 - A3 XPLAINED评估套件是一个硬件平台来评估
爱特梅尔微控制器AT32UC3A3256 。
该套件提供了一个大范围的功能,使得爱特梅尔AVR
UC3用户
开始使用UC3外设马上和了解如何整合开始
UC3器件在自己的设计。
图1-1 。
UC3 -A3 XPLAINED评估套件。
牧师32159A -AVR- 1月11日
2相关信息
Atmel的AVR32 Studio的
(免费爱特梅尔32位IDE )
http://www.atmel.com/dyn/products/tools_card.asp?tool_id=4116
爱特梅尔AVR JTAGICE mkII的
(片上编程和调试工具)
http://www.atmel.com/dyn/products/tools_card.asp?tool_id=3353
爱特梅尔AVR ONE !
(片上编程和调试工具)
http://www.atmel.com/dyn/products/tools_card.asp?tool_id=4279
爱特梅尔AVR软件框架
( ASF )
http://asf.atmel.no/selector/show.php?device=uc3&store=app
3一般信息
爱特梅尔UC3 -A3 XPLAINED套件旨在演示爱特梅尔
AT32UC3A3256微控制器。
图3-1
显示主板上的可用功能。
图3-1 。
在UC3 -A3 XPLAINED套件的概述。
2
AVR32918
32159A-AVR-01/11
AVR32918
图3-2 。
爱特梅尔UC3 -A3 XPLAINED套件的功能概述。
3.1预编程的固件
爱特梅尔AT32UC3A3256在爱特梅尔UC3 -A3 XPLAINED套件预先编程
用USB启动加载器和默认固件。在预编程的固件
AT32UC3A3256是QTouch软件按钮和滑块的QTouch一个简单的演示。
3.2电源
该试剂盒需要,可以提供5V和高达500mA的外部电源。该
该电路板的实际电流的要求比500毫安要少得多,但为了有
能动力可能扩展卡这个保证金是必要的。
功率可以经由USB连接器或针10上被施加到板
头J3 。所述USB连接器是优选的,因为输入然后就可以
连接扩展板的J3头的顶部。
5V的调节降至3.3V与板载LDO稳压器,可提供
电源的整个电路板。需要5V的扩展板顶部会得到这个从
头J3引脚10 。
3.3测量AT32UC3A3256功耗
作为AT32UC3A3256的评价的一部分,也可以是感兴趣的,以测量其
功耗。用装在它跳线两针接头是唯一的
3
32159A-AVR-01/11
常见的电源平面VCC_P3V3和VCC_MCU_P3V3之间的连接
电源层。通过用电流表取代跳线也能够确定
爱特梅尔AT32UC3A3256的电流消耗。要找到动力
测量头请参阅
图3-1 。
警告
3.4编程工具包
无需跳线或电流表不通电的电路板
装。否则,该设备可能被损坏。
所述试剂盒可以从外部编程的工具,或者通过编程
USB引导程序的设备上进行预编程。
引导加载程序是由开机时按下按钮( SW0 )引起。即
按下按钮,然后在USB电缆连接到套件。编程即可
通过DFU目标(引导程序的程序员目标)在爱特梅尔进行
AVR32 Studio中。
程序员如何能连接到该试剂盒中的章节中描述
4.1.
4连接器
爱特梅尔UC3 - A3 XPLAINED包有五个10引脚, 100mil的头。两个头有
一个固定的通信接口( J1和J4) 。一个头有模拟功能
( J2)和最后一个头(J3 )具有通用数字I / O 。
90 °倾斜的头是JTAG编程和调试头的
AT32UC3A3256.
用于各标题的位置,请参考
图3-1 。
4.1编程头
该AT32UC3A3256可以进行编程和调试通过连接外部
编程/调试工具JTAG头。头部有一个标准的JTAG
程序员引出线(请参阅联机帮助中的AVR32 Studio中) ,以及诸如工具
JTAGICE mkII使用或AVR ONE !因此,可以直接连接到标头。
上JTAGICE mkII的灰色雌性10针接头具有连接到时要使用的
试剂盒中。在板上的得分是由以适合头部的方位标签。
一个对峙的适配器(第1号)使用AVR ONE在需要的时候!
JTAG头的引脚1位于右上角标有一个方形垫。
表4-1 。
UC3编程和调试接口 - JTAG 。
1
2
3
4
5
6
7
8
JTAG
(1)
TCK
GND
TDO
VCC
TMS
NSRST
-
-
4
AVR32918
32159A-AVR-01/11
AVR32918
9
10
注意:
JTAG
(1)
TDI
GND
1.标准引脚排列JTAGICE mkII的和其他爱特梅尔编程工具。
4.2 I / O扩展报头
上有包4个可用I / O扩展头。某些引脚共用
功能与车载功能。如果需要“干净”的扩展端口,有
有一些的ADC输入可切带去除板载功能。
表4-2
to
表4-5
展示什么是头引脚共用。
表4-2 。
UC3 I / O扩展报头 - J1 。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
J1
TWI0 SDA
TWI0 SCL
USART3 RXD
USART3 TXD
SPI1 CS0
SPI1 MOSI
SPI1 MISO
SPI1 SCK
GND
VCC_P3V3
UC3销
PA25
PA26
PX57
PX58
PB09
PB10
PB08
PB07
-
-
共享板载功能
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表4-3 。
UC3 I / O扩展报头 - J2 。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
注意:
J2
ADC0
(1)
ADC1
(1)
ADC2
ADC3
ADC4
ADC5
ADC6
ADC7
GND
VCC_ANA_P3V3
UC3销
PA21
PA22
PA23
PA24
PA20
PA19
PA18
PA17
-
-
共享板载功能
RC滤波器输出
NTC
-
-
-
-
-
-
-
-
1. ADC通道可从板载功能通过切割断开
在电路板的底部用切带。
5
32159A-AVR-01/11
AVR32924 : UC3 - L0 XPLAINED硬件用户
指南
特点
爱特梅尔微控制器AT32UC3L064
爱特梅尔AT32UC3B1256
-
董事会控制器
-
通信网关
模拟输入( ADC)
-
温度传感器
-
RC滤波器
数字I / O
-
一个机械按钮开关
-
三个LED
-
四个扩展报头
脚印外部存储器
-
爱特梅尔AT45DB系列数据闪存的串行闪存
-
爱特梅尔AT25DF系列工业标准的串行闪存
TOUCH
-
一个爱特梅尔QMatrix 滑块( ALT , 4 QMatrix按钮)
-
一个爱特梅尔的QTouch
按键
32-bit
微控制器
应用说明
1引言
爱特梅尔UC3 - L0 Xplained评估套件是一个硬件平台来评估
爱特梅尔微控制器AT32UC3L064 。
该套件提供了一个大范围的功能,使得爱特梅尔AVR
UC3 用户
开始使用UC3外设马上和了解如何整合开始
UC3器件在自己的设计。
图1-1 。
UC3 - L0 Xplained评估套件。
牧师32156A -AVR- 1月11日
2相关信息
AVR32 Studio的
(免费爱特梅尔32位IDE )
http://www.atmel.com/dyn/products/tools_card.asp?tool_id=4116
AVR JTAGICE mkII的
(片上编程和调试工具)
http://www.atmel.com/dyn/products/tools_card.asp?tool_id=3353
AVR ONE !
(片上编程和调试工具)
http://www.atmel.com/dyn/products/tools_card.asp?tool_id=4279
AVR软件框架
( ASF )
http://asf.atmel.no/selector/show.php?device=uc3&store=app
3一般信息
本文针对爱特梅尔AT32UC3L064评估套件版本4 ,和部分地区
该文档可能,因此,与早期的产品版本不一致。为
早期版本,请参考原理图,这是唯一的文档
可用于这些修订。爱特梅尔UC3 - L0 Xplained工具包旨在
演示AT32UC3L064微控制器,并且涉及的硬件
爱特梅尔AT32UC3B1256 (板控制器) ,因此,没有详细介绍这个
文档。
图3-1 。
在UC3 - L0 Xplained工具包概述。
2
AVR32924
32156A-AVR-01/11
AVR32924
图3-2 。
爱特梅尔UC3 - L0 Xplained工具包的功能概述。
扩展
四个标准10针
头可以用于
各种顶级卡
按键
LED灯
HID
回忆
数据闪存
AT32UC3L064
温度
传感器
PWM电压
GENERATION
USART / TWI
QTouch软件
按键
QMatrix
滑块
JTAG
DEBUG
AT32UC3B1256
USB设备
3.1预编程的固件
爱特梅尔AT32UC3L064与爱特梅尔AT32UC3B1256附带爱特梅尔
UC3 - L0 Xplained套件都预编程。
在AT32UC3L064预编程的固件设置了一个小的演示与
可用于控制爱特梅尔QMatrix触摸滑块和爱特梅尔的QTouch按钮
在RGB LED 。该器件还具有可用于与UART引导装载程序
编程新固件的设备。保持机械按钮,而采用
电源启动引导加载程序。引导装载程序可以在命令行中使用
工具“ batchISP ”附带翻转。
预编程AT32UC3B1256固件提供的功能,如引导加载程序
自我编程的板载控制器本身和一个UART至USB网关。该
引导程序可以通过短接2针接头(未安装),同时将启动
电源板。该引导程序可以使用命令行工具使用
“ batchISP ”附带翻转。
32156A-AVR-01/11
3.2电源
该试剂盒通过USB接口,这让两个选项来为其供电电源:
通过USB电缆或一个5V的USB电源连接试剂盒或者到PC
( AC / DC适配器) 。
5V的调节降至3.3V与内置LDO稳压器,可提供
电源的整个电路板。爱特梅尔AT32UC3L064由3.3V供电,但如果1.8V
操作需要,需要一些修改董事会。这包括
一个可提供1.8V输出更换调节器和重新路由的力量
该设备(见示意图,用于解释)。正如一些对爱特梅尔的其它IC的
UC3 - L0 Xplained需要3.3V的正常运行,这些设备已被删除
也。
3.3测量AT32UC3L064功耗
作为AT32UC3L064的评价的一部分,也可以是感兴趣的,以测量其
功耗。用装在它跳线两针接头是唯一的
常见的电源平面VCC_P3V3和VCC_MCU_P3V3之间的连接
电源层。通过用一个安培表来取代跳线,所以能够
确定AT32UC3L064的电流消耗。要找到动力
测量头请参阅
图3-1 。
警告
无需跳线或电流表不通电的电路板
装。否则,该设备可能被损坏。
3.4编程AT32UC3L064通过UART转USB网关
该AT32UC3L064可以通过UART至USB网关进行编程。这
可以使用预编程在设备的UART的引导装载程序来实现。
按住机械按键开关,同时主板开机进入
引导加载程序,并使用32位AVR Studio中建立一个编程连接
装置。
如果默认的板载控制器固件更换,编程
AT32UC3L064可能无法作为UART至USB功能可能是
下落不明。
如果任何外部编程工具上使用AT32UC3L064 ,引导装载程序
是擦除,并且它不会是可能的设备通过UART到USB编程
网关。在这种情况下,引导加载器具有与外部恢复
编程工具。
通过UART到USB 3.5的网关通信
该AT32UC3L064 UART连接的爱特梅尔AT32UC3B1256一个UART 。
该AT32UC3B1256 UART进行通信的波特率57600 ,使用一个起始位,
8位数据位, 1位停止位,无奇偶校验。
当AT32UC3B1256设备枚举(连接到PC ) ,该数据
从AT32UC3L064传输被传递给一个(虚拟)的COM端口。这意味着
它可以使用一个终端程序接收在PC上传输的数据。
同样从PC的COM端口发送数据到AT32UC3L064传递
UART通过网关。
4
AVR32924
32156A-AVR-01/11
AVR32924
4连接器
爱特梅尔UC3 - L0 Xplained工具包有五个10引脚, 100mil的头。两个头有
固定通信接口( J1和J4) 。一个头有模拟功能( J2 )
和最后一个头(J3 )具有通用数字I / O 。
90 °倾斜的头是JTAG编程和调试头的
AT32UC3L064.
用于各标题的位置,请参考
图3-1 。
4.1编程头
爱特梅尔AT32UC3L064可以进行编程,并通过连接调试
外部编程/调试工具JTAG头。头部有一个
标准的JTAG编程引脚排列(请参考AVR Studio在线帮助) ,和工具
如JTAGICE mkII使用或AVR ONE !因此,可以直接连接到标头。
上JTAGICE mkII的灰色雌性10针接头具有连接到时要使用的
试剂盒中。在板上的得分是由以适合头部的方位标签。
一个对峙的适配器(第1期) ,需要1脚的JTAG接头的是在右上角
角落。此旋转180 °相比的其它标题(J1 ,J2,J3 , J4和) .J1 ,J2
J3 , J4和) 。
表4-1 。
UC3编程和调试接口 - JTAG 。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
注意:
JTAG
(1)
TCK
GND
TDO
VCC
TMS
NSRST
-
-
TDI
GND
1.标准引脚排列JTAGICE mkII的和其他爱特梅尔编程工具。
爱特梅尔AT32UC3B1256可以通过引导加载程序进行编程。启动
装载机是在通电之前做空的两个孔靠近器件诱发
向董事会。这两个孔具有100mil的间距,所以用户可以在一个双引脚焊接
头和用跳线轻松进入引导加载程序。编程执行
通过Atmel的AVR32 Studio的启动加载程序的程序员的目标。
可替换地, AT32UC3B1256也可以通过连接一个编程
编程工具,如JTAGICE mkII的,到10针测试点上的底侧
董事会(标有BC JTAG) 。
所以不推荐使用编程工具来编程AT32UC3B1256 ,如
这将擦除引导加载程序。
32156A-AVR-01/11
特点
单2.7V - 3.6V电源
急流
串行接口: 66 MHz最大时钟频率
- 兼容SPI模式0和3
用户可配置的页面大小
- 每页512字节
- 每页528字节
- 页面大小可在工厂预先配置为512字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 8,192页( 528分之512字节/页)主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除( 512字节)
- 块擦除( 4字节)
- 扇区擦除( 64字节)
- 芯片擦除( 32兆位)
两个SRAM数据缓冲区(五百二十八分之五百十二字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 5 μA深层关机典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
32-megabit
2.7-volt
数据闪存
AT45DB321D
1.描述
该AT45DB321D是2.7伏,串行接口顺序存取闪存
非常适用于种类繁多的数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据stor-的
年龄的应用程序。该AT45DB321D支持应用急流串行接口
需要非常高的速度操作。急流串行接口的SPI兼容
频率高达66 MHz的。其34603008位存储器组织为8,192
512字节或每528字节的页面。除了主存储器,所述
AT45DB321D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区
允许数据的接收,而在主存储器中的页面进行重新编程,
以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或字节alterabil-
性)是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。
不同于与多个随机访问的传统闪存
地址线和并行接口,所述数据闪存使用急流串行接口
3597J–DFLASH–4/08
顺序地访问其数据。简单的顺序访问极大地减少了主动销
算,有利于硬件布局,提高了系统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并
减小封装尺寸。该装置被用在许多商业和工业应用的优化
的阳离子,其中高密度,低引脚数,低电压和低功耗是必不可少的。
以允许简单的系统重新编程,该AT45DB321D并不需要高输入
电压进行编程。该器件采用单电源供电, 2.7V至3.6V ,对于工作
两个程序和读取操作。该AT45DB321D通过片选引脚启用
( CS ),并通过一个三线接口,包括串行输入( SI )中,串行输出访问
(SO )和串行时钟(SCK ) 。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
2.引脚配置和引脚
图2-1 。
MLF
(1)
( VDFN )顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
图2-2 。
SOIC顶视图
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
SI
SCK
RESET
CS
注意:
SO
GND
VCC
WP
1.在多边基金的底部的金属片
包是浮动的。这种垫可以是一个“不
连接“或连接到GND 。
图2-3 。
数据闪存卡
(1)
通过包顶视图
图2-4 。
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
TSOP顶视图: 1型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
7 6
5 4 3 2 1
注意:
1.见AT45DCB004D数据。
注意:
不建议用于新设计TSOP封装。未来模具
收缩将只支持8引脚封装。
2
AT45DB321D
3597J–DFLASH–4/08
AT45DB321D
表2-1 。
符号
销刀豆网络gurations
名称和功能
片选:
断言CS引脚选择设备。当CS引脚置为无效,该装置
都将被取消,通常被放置在待机模式下(没有深度掉电模式) ,
和输出引脚(SO )将处于高阻抗状态。当设备被取消,数据
不会对输入引脚( SI )接受。
在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作,以及低到高
结束的动作过渡是必需的。当结束一个内部自定时操作,如
编程或擦除周期内,设备将无法进入待机模式,直到完成
操作。
串行时钟:
该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制流
数据和从该装置。目前SI引脚上的命令,地址和数据的输入始终是
锁定在SCK的上升沿,而在SO引脚输出数据总是同步输出
SCK的下降沿。
串行输入:
SI引脚被用于将数据转移到器件中。 SI引脚用于所有的数据输入
包括命令和地址序列。 SI引脚上的数据总是锁定在上升
SCK的边缘。
串行输出:
SO引脚用来转移数据从设备。在SO引脚上的数据始终是
同步输出SCK的下降沿。
写保护:
当WP引脚置位,所有部门保护由部门指定
保护寄存器将被保护,以防止程序及不管是否擦除操作
在启动扇区保护命令已发出或没有。 WP引脚功能
独立软件控制的保护方法。之后, WP引脚变为低电平时,
的扇区保护寄存器的内容不能被修改。
如果一个编程或擦除命令发出到设备,而WP引脚置,该装置
会简单地忽略命令并执行任何操作。该设备将返回到空闲状态
一旦CS已被拉高。在启动扇区保护命令和部门
锁定命令,不过,将在该设备所认可时, WP引脚被置位。
WP引脚在内部上拉,高,可能会悬空,如果硬件控制保护将
不能被使用。但是,我们建议在WP引脚也可以从外部连接到V
CC
只要有可能。
RESET :
在复位引脚( RESET )低的状态将终止正在进行的操作和复位
内部状态机到空闲状态。该装置将保持在复位状态,只要
低水平存在于RESET引脚。正常操作就可以恢复,一旦RESET引脚
带回高电平。
该器件集成了一个内部上电复位电路,所以有在没有任何限制
上电序列中RESET引脚。如果此引脚和功能都没有使用推荐
该RESET引脚的外部驱动高。
READY / BUSY :
这种开漏输出引脚将被驱动为低电平时,器件处于忙碌中
内部自定时操作。该引脚,通常是在高状态(通过外部
上拉电阻) ,在编程过程中会被拉低/擦除操作,比较操作,
和页到缓冲器传输。
占线状态指示该缓冲器的闪存存储器阵列和一个不能
访问;读取和写入操作的其他缓冲器仍然可以进行。
器件电源:
在V
CC
销是用来提供电源电压的装置。
在无效的V操作
CC
电压可能产生虚假的结果,不应该试图。
地面:
用于电源的接地参考。接地应连接到系统
地面上。
断言
状态
TYPE
CS
输入
SCK
输入
SI
输入
SO
产量
WP
输入
RESET
输入
RDY / BUSY
产量
V
CC
GND
动力
3
3597J–DFLASH–4/08
3.框图
WP
闪存阵列
PAGE (五百二十八分之五百一十二BYTES )
缓冲器1 ( 528分之512 BYTES )
缓冲液2 ( 528分之512 BYTES )
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB321D的存储器阵列被划分为三个级别的粒度,包括的
扇区,块和页面。在“内存体系结构图”显示了每个级别的细分,并详细介绍了
每扇区和块页数。所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。擦除
操作可以在芯片,扇区,块或页级别来执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
扇形
0a
扇形
0b
块0
1座
BLOCK 2
扇形
架构
扇形
0a =
8
网页
4096 / 4224字节
页面架构
8
网页
块0
第0页
第1页
扇形
0B = 120页
61,440 / 63,360字节
第6页
第7页
页面
8
BLOCK 62
BLOCK 63
扇形
1 = 128页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 65
扇形
2 = 128页
65,536/67,584
字节
扇形
1
1座
BLOCK 64
第9页
第14页
第15页
BLOCK 126
BLOCK 127
BLOCK 128
扇形
62 = 128页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 129
第16页
第17页
第18页
扇形
63 = 128页
65,536 / 67586字节
BLOCK 1022
BLOCK 1023
页面
8,190
页面
8,191
块= 4096 / 4224字节
页=五百二十八分之五百一十二字节
4
AT45DB321D
3597J–DFLASH–4/08
AT45DB321D
5.设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表
与它们相关联的操作码中包含
表15-1第28页
通过
表15-7上
第31页。
有效的指令开始的CS其次是适当的8位下降沿
操作码和所需的缓冲或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时,将触发
岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主内存
通过SI(串行输入)引脚地址位置。所有的指令,地址和数据都是反式
ferred最显著位( MSB)开始。
缓冲器寻址的数据闪存标准页面大小( 528字节)中的被引用
使用的术语BFA9数据表 - BFA0表示要desig-所需的10位地址
缓冲区内的内特一个字节的地址。主内存寻址使用引用
术语PA12 - PA0和BA9 - BA0 ,其中PA12 - PA0表示13位地址
指定页面地址和BA9要求 - BA0表示需要对10位地址
指定页面内的字节地址。
对于二进制页面大小“ 2的幂” ( 512字节)的缓冲区中被引用地址
使用常规术语BFA8数据表 - BFA0表示的9个地址位
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主内存寻址引用
使用术语A21 - A 0,其中A 21 - A9表示到desig-所需的13个地址位
内特页地址和A8 - A0表示指定字节所需的9位地址
在页面中解决。
6.读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取任
1两个SRAM数据缓冲区。该数据闪存支持模式0和激流协议
模式3,请参阅“详细的位级读时序”图中这个数据表
于每种模式的时钟周期序列的详细信息。
6.1
连续阵列读取(旧命令: E8H ):高达66 MHz的
通过提供一个初始地址的主存储器阵列,该阵列的连续读
命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流
简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要
来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动
计数器每个时钟周期,使一个连续的读操作,而不需要
额外的地址序列。从数据闪存标准的页面进行连续读取
大小( 528字节) , E8H的操作码,必须移入器件后跟三个地址
个字节(它包括24位页和字节地址序列)和4-不在乎字节。该
第13位( PA12 - PA0 )的23位地址序列指定主MEM-的哪一页
储器阵列中读取数据,最后10位( BA9 - BA0 )的23位地址序列指定
在页面内起始字节地址。从二进制页面尺寸进行连续读
( 512字节) ,操作码( E8H )必须移入器件后跟三个地址字节
4不在乎字节。第13位( A21 - A9 )的22位序列指定的页面
主存储器阵列中读取数据,并在最后9位 - 22-位地址序列(A8 A0)
指定页内的起始字节地址。不在乎跟着地址字节
字节需要初始化读操作。继不在乎字节,额外的时钟
SCK引脚上的脉冲会导致数据上的SO (串行输出)引脚输出。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,不关心
字节,并且数据的读取。当在一个被达到,主存储器中的页的结束
5
3597J–DFLASH–4/08
特点
单2.7V - 3.6V电源
急流串行接口: 66 MHz最大时钟频率
- 兼容SPI模式0和3
用户可配置的页面大小
- 每页512字节
- 每页528字节
- 页面大小可在工厂预先配置为512字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 8,192页( 528分之512字节/页)主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除( 512字节)
- 块擦除( 4字节)
- 扇区擦除( 64字节)
- 芯片擦除( 32兆位)
两个SRAM数据缓冲区(五百二十八分之五百十二字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 15 μA深层关机典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
32-megabit
2.7-volt
数据闪存
AT45DB321D
1.描述
该AT45DB321D是2.7伏,串行接口顺序存取闪存
非常适用于种类繁多的数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据stor-的
年龄的应用程序。该AT45DB321D支持应用急流串行接口
需要非常高的速度操作。急流串行接口的SPI兼容
频率高达66 MHz的。其34603008位存储器组织为8,192
512字节或每528字节的页面。除了主存储器,所述
AT45DB321D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区
允许数据的接收,而在主存储器中的页面进行重新编程,
以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或字节alterabil-
性)是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。
不同于与多个随机访问的传统闪存
地址线和并行接口,所述数据闪存使用急流串行接口
3597N–DFLASH–04/09
顺序地访问其数据。简单的顺序访问极大地减少了主动销
算,有利于硬件布局,提高了系统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并
减小封装尺寸。该装置被用在许多商业和工业应用的优化
的阳离子,其中高密度,低引脚数,低电压和低功耗是必不可少的。
以允许简单的系统重新编程,该AT45DB321D并不需要高输入
电压进行编程。该器件采用单电源供电, 2.7V至3.6V ,对于工作
两个程序和读取操作。该AT45DB321D通过片选引脚启用
( CS ),并通过一个三线接口,包括串行输入( SI )中,串行输出访问
(SO )和串行时钟(SCK ) 。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
2.引脚配置和引脚
图2-1 。
MLF
(1)
( VDFN )顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
图2-2 。
SOIC顶视图
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
SI
SCK
RESET
CS
注意:
SO
GND
VCC
WP
1.在多边基金的底部的金属片
包是浮动的。这种垫可以是一个“不
连接“或连接到GND 。
图2-3 。
BGA封装的球出(顶视图)
1
2
3
4
5
图2-4 。
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
TSOP顶视图: 1型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
B
C
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SCK
GND
VCC
NC
CS
RDY / BSY
WP
NC
D
NC
SO
SI
RESET
NC
E
NC
NC
NC
NC
NC
注意:
不建议用于新设计TSOP封装。未来模具
收缩将只支持8引脚封装。
2
AT45DB321D
3597N–DFLASH–04/09
AT45DB321D
表2-1 。
符号
销刀豆网络gurations
名称和功能
片选:
断言CS引脚选择设备。当CS引脚置为无效,该装置
都将被取消,通常被放置在待机模式下(没有深度掉电模式) ,
和输出引脚(SO )将处于高阻抗状态。当设备被取消,数据
不会对输入引脚( SI )接受。
在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作,以及低到高
结束的动作过渡是必需的。当结束一个内部自定时操作,如
编程或擦除周期内,设备将无法进入待机模式,直到完成
操作。
串行时钟:
该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制流
数据和从该装置。目前SI引脚上的命令,地址和数据的输入始终是
锁定在SCK的上升沿,而在SO引脚输出数据总是同步输出
SCK的下降沿。
串行输入:
SI引脚被用于将数据转移到器件中。 SI引脚用于所有的数据输入
包括命令和地址序列。 SI引脚上的数据总是锁定在上升
SCK的边缘。
串行输出:
SO引脚用来转移数据从设备。在SO引脚上的数据始终是
同步输出SCK的下降沿。
写保护:
当WP引脚置位,所有部门保护由部门指定
保护寄存器将受到保护,免遭程序也不管擦除操作
是否启用扇区保护命令已发出或没有。 WP引脚功能
独立软件控制的保护方法。之后, WP引脚变为低电平时,
的扇区保护寄存器的内容不能被修改。
如果一个编程或擦除命令发出到设备,而WP引脚置,该装置
会简单地忽略命令并执行任何操作。该设备将返回到空闲状态
一旦CS已被拉高。在启动扇区保护命令和部门
锁定命令,不过,将在该设备所认可时, WP引脚被置位。
WP引脚在内部上拉,高,可能会悬空,如果硬件控制保护将
不能被使用。但是,我们建议在WP引脚也可以从外部连接到V
CC
只要有可能。
RESET :
在复位引脚( RESET )低的状态将终止正在进行的操作和复位
内部状态机到空闲状态。该装置将保持在复位状态,只要
低水平存在于RESET引脚。正常操作就可以恢复,一旦RESET引脚
带回高电平。
该器件集成了一个内部上电复位电路,所以有在没有任何限制
上电序列中RESET引脚。如果此引脚和功能都没有使用推荐
该RESET引脚的外部驱动高。
READY / BUSY :
这种开漏输出引脚将被驱动为低电平时,器件处于忙碌中
内部自定时操作。该引脚,通常是在高状态(通过外部
上拉电阻) ,在编程过程中会被拉低/擦除操作,比较操作,
和页到缓冲器传输。
占线状态指示该缓冲器的闪存存储器阵列和一个不能
访问;读取和写入操作的其他缓冲器仍然可以进行。
器件电源:
在V
CC
销是用来提供电源电压的装置。
在无效的V操作
CC
电压可能产生虚假的结果,不应该试图。
地面:
用于电源的接地参考。接地应连接到系统
地面上。
断言
状态
TYPE
CS
输入
SCK
输入
SI
SO
输入
产量
WP
输入
RESET
输入
RDY / BUSY
产量
V
CC
GND
动力
3
3597N–DFLASH–04/09
3.框图
WP
闪存阵列
PAGE (五百二十八分之五百一十二BYTES )
缓冲器1 ( 528分之512 BYTES )
缓冲液2 ( 528分之512 BYTES )
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB321D的存储器阵列被划分为三个级别的粒度,包括的
扇区,块和页面。在“内存体系结构图”显示了每个级别的细分,并详细介绍了
每扇区和块页数。所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。擦除
操作可以在芯片,扇区,块或页级别来执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
行业0A
行业0B
块0
1座
BLOCK 2
部门架构
行业0A = 8页
4096 / 4224字节
页面架构
8页
块0
第0页
第1页
行业0B = 120页
61,440 / 63,360字节
第6页
第7页
第8页
BLOCK 62
BLOCK 63
1扇区= 128页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 65
部门2 = 128页
65,536/67,584
字节
部门1
1座
BLOCK 64
第9页
第14页
第15页
BLOCK 126
BLOCK 127
BLOCK 128
行业62 = 128页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 129
第16页
第17页
第18页
行业63 = 128页
65,536 / 67586字节
BLOCK 1022
BLOCK 1023
8,190页
PAGE 8,191
块= 4096 / 4224字节
页=五百二十八分之五百一十二字节
4
AT45DB321D
3597N–DFLASH–04/09
AT45DB321D
5.设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表
与它们相关联的操作码中包含
表15-1第28页
通过
表15-7上
第31页。
有效的指令开始的CS其次是适当的8位下降沿
操作码和所需的缓冲或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时,将触发
岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主内存
通过SI(串行输入)引脚地址位置。所有的指令,地址和数据都是反式
ferred最显著位( MSB)开始。
缓冲器寻址的数据闪存标准页面大小( 528字节)中的被引用
使用的术语BFA9数据表 - BFA0表示要desig-所需的10位地址
缓冲区内的内特一个字节的地址。主内存寻址使用引用
术语PA12 - PA0和BA9 - BA0 ,其中PA12 - PA0表示13位地址
指定页面地址和BA9要求 - BA0表示需要对10位地址
指定页面内的字节地址。
对于二进制页面大小“ 2的幂” ( 512字节)的缓冲区中被引用地址
使用常规术语BFA8数据表 - BFA0表示的9个地址位
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主内存寻址引用
使用术语A21 - A 0,其中A 21 - A9表示到desig-所需的13个地址位
内特页地址和A8 - A0表示指定字节所需的9位地址
在页面中解决。
6.读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取任
1两个SRAM数据缓冲区。该数据闪存支持模式0和激流协议
模式3,请参阅“详细的位级读时序”图中这个数据表
于每种模式的时钟周期序列的详细信息。
6.1
连续阵列读取(旧命令: E8H ):高达66 MHz的
通过提供一个初始地址的主存储器阵列,该阵列的连续读
命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流
简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要
来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动
计数器每个时钟周期,使一个连续的读操作,而不需要
额外的地址序列。从数据闪存标准的页面进行连续读取
大小( 528字节) , E8H的操作码,必须移入器件后跟三个地址
个字节(它包括24位页和字节地址序列)和4-不在乎字节。该
第13位( PA12 - PA0 )的23位地址序列指定主MEM-的哪一页
储器阵列中读取数据,最后10位( BA9 - BA0 )的23位地址序列指定
在页面内起始字节地址。从二进制页面尺寸进行连续读
( 512字节) ,操作码( E8H )必须移入器件后跟三个地址字节
4不在乎字节。第13位( A21 - A9 )的22位序列指定的页面
主存储器阵列中读取数据,并在最后9位 - 22-位地址序列(A8 A0)
指定页内的起始字节地址。不在乎跟着地址字节
字节需要初始化读操作。继不在乎字节,额外的时钟
SCK引脚上的脉冲会导致数据上的SO (串行输出)引脚输出。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,不关心
字节,并且数据的读取。当在一个被达到,主存储器中的页的结束
5
3597N–DFLASH–04/09
爱特梅尔AVR1923 : XMEGA - A3BU Xplained
硬件用户指南
特点
ATMEL
AVR
ATxmega256A3BU微控制器
FSTN液晶显示屏, 128×32像素的分辨率
备用电池
模拟传感器
-
环境光传感器
-
温度传感器
模拟滤波器
数字I / O
-
三个机械按钮
-
两个用户LED灯,一个电源指示灯和一个状态指示灯
-
四个扩展报头
TOUCH
-
一个爱特梅尔AVR QTouch软件按钮
内存
-
爱特梅尔AVR AT45DB642D数据闪存的串行闪存
脚印外部存储器
-
爱特梅尔AVR AT25DF系列工业标准的串行闪存
8位爱特梅尔
微控制器
应用说明
1引言
爱特梅尔AVR XMEGA - A3BU Xplained评估套件是一个硬件平台
评价爱特梅尔微控制器ATxmega256A3BU 。
该套件提供了一个大范围的功能,使得爱特梅尔AVR XMEGA
用户
使用XMEGA外设马上和了解如何开始
在自己的设计融汇了XMEGA器件。
图1-1 。
XMEGA - A3BU Xplained评估套件。
牧师8394B -AVR- 2月12日
2相关信息
下面的列表中包含链接到最相关的文档,软件和工具
为爱特梅尔AVR XMEGA - A3BU Xplained :
爱特梅尔AVR Xplained产品
Xplained是一系列小型的,易于使用的评估套件为8位和32位
AVR微控制器。它由一系列的低成本微控制器板进行评价
和演示功能和不同的MCU系列的能力。
爱特梅尔Xplained USB CDC驱动程序
该Xplained USB CDC驱动程序文件同时支持32位和64位版本的Windows
XP和Windows 7驱动程序的安装是没有必要在Linux
操作系统。
XMEGA - A3BU Xplained原理图
套餐包含原理图,BOM ,装配图,三维图,图层图...
AVR1923 : XMEGA - A3BU Xplained硬件用户指南
此文档。
AVR1935 : XMEGA - A3BU Xplained入门指南
本应用笔记是针对XMEGA - A3BU Xplained一个入门指南。
AVR1934 : XMEGA - A3BU Xplained软件用户指南
本应用笔记是针对XMEGA - A3BU Xplained演示软件的用户指南。
AVR1916 : XMEGA USB DFU引导装载程序
本应用笔记是针对XMEGA USB DFU引导加载程序用户指南。
爱特梅尔AVR Studio的
5
AVR Studio的5是一款免费的爱特梅尔的IDE的C开发/ C ++和汇编代码
Atmel微控制器。
爱特梅尔FLIP (灵活的在系统编程)
BatchISP ( FLIP )是一个命令行工具,编程闪存和EEPROM
AVR的回忆,是FLIP安装的一部分。它可用于
与预编程的USB DFU引导加载程序进行通信。
爱特梅尔JTAGICE 3
JTAGICE 3是一个中档开发工具,用于爱特梅尔8位和32位AVR
微控制器的片上调试源代码级的符号调试,
NanoTrace (如果设备支持)和器件编程。
爱特梅尔AVR JTAGICE mkII的
AVR JTAGICE mkII的是一个中档开发工具,用于爱特梅尔8位和32位AVR
带有片上调试源代码级的符号调试, NanoTrace设备(如
由设备) ,以及器件编程的支持(通过JTAGICE 3取代) 。
爱特梅尔AVR ONE !
AVR ONE !是一家专业开发工具,所有爱特梅尔8位和32位AVR器件
具有片上调试功能。它用于源代码级的符号调试程序
跟踪和器件编程。在AVR ONE !支持完整的开发
周期是从爱特梅尔提供最快的调试工具。
爱特梅尔AVR龙
AVR龙设置了低成本的开发工具8位和32位的新标准
AVR器件具有片上调试( OCD )的能力。
2
爱特梅尔AVR1923
8394B-AVR-02/12
爱特梅尔AVR1923
IAR嵌入式工作台
爱特梅尔AVR
IAR Embedded Workbench是一个商业的C / C ++编译器,可用于8
位AVR 。有一个30天的评估版,以及一个4K (代码大小限制) kick-
开始的版本可以从他们的网站。
3
8394B-AVR-02/12
3一般信息
爱特梅尔AVR XMEGA - A3BU Xplained工具包旨在演示爱特梅尔
AVR单片机ATxmega256A3BU 。
图3-1
显示可用的功能
董事会。
图3-1 。
在XMEGA A3BU Xplained工具包概述。
3.1预编程的固件
在ATxmega256A3BU上XMEGA - A3BU Xplained是预编程一个
引导加载器和默认固件。该软件的详细描述是
可用的
in
XMEGA-A3BU
Xplained
软件
用户
指南
( http://atmel.com/dyn/resources/prod_documents/doc8413.pdf ) 。
3.2电源
该试剂盒需要,可以提供5V和高达500mA的外部电源。该
该电路板的实际电流的要求比500毫安要少得多,但为了有
能动力可选扩展卡这个保证金的建议。
功率可以经由USB连接器或针10上被施加到板
头J3 。所述USB连接器是优选的输入,因为它然后可以
连接扩展板的J3头的顶部。
在5V ( USB供电电压)调节至3.3V与内置LDO
调节器,其将电力提供给整个电路板。扩建前板的
需要5V会得到这个从头部J3引脚10 。
3.3测量爱特梅尔AVR XMEGA功耗
作为ATxmega256A3BU的评价的一部分,也可以是感兴趣的,以测量其
功耗。由于XMEGA有独立的电源层
( VCC_MCU_P3V3 )在该主板上,可以测量电流消耗
4
爱特梅尔AVR1923
8394B-AVR-02/12
爱特梅尔AVR1923
通过测量流入该平面的电流。该VCC_MCU_P3V3飞机
通过跳线到主电源层( VCC_P3V3 ),并通过更换连接
跳线与电流表能够确定当前的消耗。对
定位的功率测量头请参阅
图3-1 。
警告
无需跳线或电流表不通电的电路板
安装,因为这可能导致闩锁爱特梅尔的AVR
ATxmega256A3BU由于电流流入I / O引脚。
3.4编程工具包
所述试剂盒可以从外部编程工具或通过编程
USB启动加载器是预编程的器件。
引导装载程序是由开机时按下按钮( SW0 )引起,也就是
按下并按住按钮,因此一个USB电缆连接到套件。程序设计
可以通过DFU程序员翻转来进行。
程序员如何能连接到该试剂盒中节中描述
4.1.
5
8394B-AVR-02/12
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