【特点单2.7 - 3.6V电源急流串行接口： 40 MHz最大时钟频率（ SPI模式0和3个兼容频率】,IC型号AT45DB321C-RI,AT45DB321C-RI PDF资料,AT45DB321C-RI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单2.7 - 3.6V电源

急流

串行接口： 40 MHz最大时钟频率

（ SPI模式0和3个兼容频率高达33 MHz的）

页编程

- 8192页（ 528字节/页）

自动擦除操作

- 页擦除528字节

- 块擦除4224字节

两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而重新编程的闪存阵列

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 10毫安有效的读电流典型 - 串行接口

- 8 μA CMOS待机电流典型

硬件和软件数据保护功能

- 个别部门锁定

安全性： 128字节安全寄存器

- 64字节的用户可编程空间

- 唯一的64字节的设备标识符

JEDEC标准制造商和设备ID读

每页100,000编程/擦除周期

数据保留 - 20岁

商用和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装选项

32-megabit

2.7伏

数据闪存

AT45DB321C

初步

描述

该AT45DB321C是一个SPI兼容的串行接口闪存非常适合

FO rawide VA rietyofdigital歌声 - 图像 - ， programcode - anddata -

存储的应用程序。该AT45DB321C支持被称为4线串行接口

急流的要求非常高的速度操作的应用程序。

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页

写保护引脚

芯片复位

就绪/忙

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图 - 1型

CBGA顶视图

通过包装

CASON - 顶视图

通过包装

SCK

RESET

数据闪存卡

(1)

通过包顶视图

7 6

5 4 3 2 1

GND

VCC

SCK GND VCC

CS RDY / BSY WP

SI RESET NC

3387B–DFLSH–9/04

注意：

1.见AT45DCB004数据表

它的34603008位的存储器被组织为8192页，每页528字节。此外

化到33兆位主存储器中， AT45DB321C还包含两个SRAM

每528字节的缓冲区。

缓冲区允许数据的接收，同时在主内存页面一个页面被

重新编程，以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位或

字节变性）被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写处理

操作。不同于与多随机访问的传统闪存

PLE地址线和并行接口，在数据闪存采用了急流串行接口

以顺序地存取其数据。简单的顺序访问极大地降低了

活跃的引脚数，简化硬件设计，提高了系统的可靠性，最小化

开关噪声，并降低了封装尺寸。该装置被用在许多优化

商业和工业应用中，高密度，低引脚数，低电压

和低功耗是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达40 MHz的

以10mA的典型有效的读电流消耗。

为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB321C不需要

高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，

2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该AT45DB321C启用

通过芯片选择引脚（CS ），并通过三线接口，由访问

串行输入（ SI ），串行输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ）。

所有的编程和擦除周期都是自定时的。

框图

闪存阵列

PAGE （ 528字节）

缓冲器1 （ 528字节）

缓冲液2 （ 528字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB321C的存储器阵列被划分为三个

粒度，包括行业，块和页面的水平。 “记忆Architec-

TURE图“示出了每一级的击穿，并详细说明的页面数

每扇区和块。所有程序操作的数据闪存出现逐页上

的基础。擦除操作可在块或页级别来执行。

AT45DB321C [初步]

3387B–DFLSH–9/04

AT45DB321C [初步]

内存架构图

部门架构

行业0A = 8页

4224字节（ 4K + 128）

座建筑

行业0A

块0

1座

页面架构

8页

第0页

第1页

行业0B = 504页

266112字节（ 252K + 8064 ）

行业0B

BLOCK 2

块0

第6页

第7页

第8页

BLOCK 62

BLOCK 63

1扇区= 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

部门2 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

部门1

BLOCK 65

1座

BLOCK 64

第9页

第14页

第15页

BLOCK 126

BLOCK 127

BLOCK 128

行业14 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

BLOCK 129

第16页

第17页

第18页

行业15 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

PAGE 8189

BLOCK 1022

BLOCK 1023

PAGE 8190

PAGE 8191

块= 4224个字节

(4K + 128)

页= 528个字节

(512 + 16)

设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表

说明书和其相关的操作码是通过4，一种有效载于表1

指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主

通过SI （串行输入）引脚内存地址的位置。所有指令，地址，

和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA9 ， BFA0到

表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的10个地址位。主

内存寻址用的术语PA12 - PA0和BA9 - BA0被引用，

其中， PA12 - PA0表示指定的网页地址需要13个地址位和

BA9 - BA0表示指定范围内的一个字节地址需要10位地址

页。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

任两个SRAM数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持急流协议

模式0和模式3，请参阅在“详细的位级读时序”图

此数据表上的每一个模式时钟周期序列的详细信息。

连续阵列读取：

通过对主供给一个初始地址

存储器阵列，该阵列的连续读指令可以被用来依次

通过简单地提供一个时钟信号，从设备读取数据的连续流;没有

附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存

集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟

循环，使一个连续的读操作，而不会额外地址的需要

序列。要执行连续读取， E8H的操作码，必须移入

装置。操作码后跟三个地址字节（包括24位页

和字节地址的序列）和32不在乎时钟周期。 24位的第一位

地址序列被保留用于向上和向下兼容到更大和

3387B–DFLSH–9/04

密度较小的设备（参见读取命令序列下的“音符/写

第22页的下一个13位（ PA12 - PA0 ）上的操作（除状态寄存器读） “

24位的地址序列指定给读出页的主存储器阵列，并

24位的地址序列的最后10位（ BA9 - BA0 ）指定的起始字节

在页面内解决。 32不在乎遵循四个地址的时钟周期

字节需要初始化读操作。继不在乎时钟周期，

额外的时钟脉冲SCK引脚将导致数据上的SO被输出（串行

输出）引脚。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，

不在乎字节，并且数据的读取。当一个页面中的主存储器的终端是

在连续阵列读取达到，该设备将继续读书，最好在开头

无延迟的页边界交叉时发生的下一个页面的宁（中

交叉从一个页面的结尾到下一个页面的开始处）。当最后一位

在主存储器阵列被读出时，所述装置将继续读回的

开始记忆的第一页。如同跨越页边界，没有延迟

从阵列的末端缠绕时的开头将发生

数组。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态

输出引脚（SO ）。最大SCK频率允许的连续阵列读

由的F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过两个数据

缓冲液和离开缓冲区的内容不变。

主存储器页读：

主存储器页读允许读数据的用户

直接从任一8192页中的主存储器的，绕过这两个数据

缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取，一个

D2H的操作码，必须移入器件。在操作码之后是3

地址字节（其中包括24位和网页字节地址序列）和32不

关心的时钟周期。 24位的地址序列的第一个位是保留位，下

13位（ PA12- PA0 ）的24位地址序列中的主存储器用于指定页

读取，以及24位地址序列中的最后10位（ BA9 - BA0 ）指定的开始 -

该网页内ING字节的地址。 32不在乎遵循三是时钟周期

地址字节被发送到初始化读操作。继不在乎字节，

在SCK导致数据上的SO （串行输出）引脚输出额外的脉冲。该

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，不

关心字节，并且数据的读取。当一个页面中的主存储器的终端是

达到，该设备将继续读回在同一页的开头。一

低到高的转变CS引脚将终止读操作和三态

输出引脚（SO ）。最大SCK频率允许的主存储器页

阅读是由F定义

SCK

规范。主存储器页读绕过这两个

数据缓冲器和离开该缓冲器中的内容不变。

缓冲区中读取：

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的

操作码指定要读取哪个缓冲区。 D4H的一个操作码，用于读取数据

从缓冲器1中，并且D6H的一个操作码，用于读取来自缓冲器2的数据要执行

缓冲区中读取，操作码必须移入器件后跟三个地址字节

由14不在乎位和10缓冲区地址位（ BFA9 - BFA0 ）。继

3个地址字节，一个额外的不在乎字节的时钟必须在初始化

读操作。由于缓冲区大小为528个字节，10个缓冲器地址位需

指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。 CS引脚必须保持为低电平能很好地协同

荷兰国际集团的操作码，地址字节，不在乎字节加载，读取

的数据。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的

开始的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读

操作和三态输出引脚（SO ）。

AT45DB321C [初步]

3387B–DFLSH–9/04

AT45DB321C [初步]

编程和擦除

COMMANDS

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。

将数据加载到任何缓冲器，一个1字节的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，

必须移入设备，其次是3个地址字节由14不会

关注位和10缓冲区地址位（ BFA9 - BFA0 ）。 10缓冲区地址位指定

在缓冲器中的第一个字节被写入。之后的最后一个地址字节被移入

该装置中，数据可以在随后的时钟周期时钟输入。如果该结束

数据缓冲器达到时，该装置将绕回的缓冲区的开始。

数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到高的跳变被检测到上

CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动

操作时，一个8位的操作码， 83H缓冲区1 86H缓冲区2 ，必须移入

设备后跟三个地址字节包含一个保留位的， 13页地址

位（ PA12 - PA0 ），在主内存中指定的页面写入和10不要

关注位。当低到高的转变发生在CS引脚上，部分会先擦除

在主存储器中选择的页（擦除状态是逻辑1），则程序的数据

存储在缓冲器中进入在主存储器中的指定页面。无论是擦除和亲

页面的编程是在内部自定时的，应在一个最大时间

的t

。在此期间，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示

一部分是忙。

BUFFER主存储器页编程没有内置ERASE ：

一个previ-

主存储器内ously擦除的页面可以与任意的内容进行编程

缓冲区1或缓冲区2.要开始操作，一个8位的操作码， 88H缓冲区1或89H为

缓冲区2 ，必须移入器件后跟三个地址字节组成的

一个保留位，第13页地址位（ PA12 - PA0 ），在主指定的页面

内存写入和10个无关位。当低到高的转变发生在

CS引脚，该部分程序存储在缓冲器成在指定的页的数据

主存储器。必要的是在主存储器中的页面被编程的

已经使用擦除命令（页擦除或块以前删除

擦除）。在页面的编程是在内部自定时的，应在一

吨的最大时间

。在此期间，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将indi-

美食，该部分正忙。

页擦除：

在页擦除命令可以用来单独擦除任何页面

主存储器阵列允许缓冲区到主存储器页编程，而不在

内置的擦除命令，在以后的时间被利用。要执行页擦除，一个

81H的操作码必须被加载到设备上，接着是三个地址字节的COM

珍贵的一个保留位，第13页地址位（ PA12 - PA0 ）中指定的页面

主存储器进行擦除和10无关位。当发生由低到高的转变

CS引脚，该部分将删除选定的页面（在擦除状态为逻辑1 ）。该

擦除操作是在内部自定时的，应在吨的最大时间

在此期间，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分是

忙。

BLOCK ERASE ：

的八页的块可以同时被擦除。此命令是

有有用的，当大量的数据要被写入到该设备。这将避免使用

多页擦除命令。要执行块擦除， 50H的操作码必须是

加载到装置中，接着是三个地址字节包括一个保留位，

第10页地址位（ PA12 - PA3 ）和13无关位。 10页地址位

用于指定的八个页块是要被擦除。当低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将擦除八页选定的块。擦除

操作是在内部自定时的，应在吨的最大时间

。中

此时，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分正忙。

3387B–DFLSH–9/04

特点

单2.7 - 3.6V电源

急流

串行接口： 40 MHz最大时钟频率

（ SPI模式0和3个兼容频率高达33 MHz的）

页编程

- 8192页（ 528字节/页）

自动擦除操作

- 页擦除528字节

- 块擦除4224字节

两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而重新编程的闪存阵列

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 10毫安有效的读电流典型 - 串行接口

- 8 μA CMOS待机电流典型

硬件和软件数据保护功能

- 个别部门锁定

安全性： 128字节安全寄存器

- 64字节的用户可编程空间

- 唯一的64字节的设备标识符

JEDEC标准制造商和设备ID读

每页100,000编程/擦除周期

数据保留 - 20岁

商用和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装选项

32-megabit

2.7伏

数据闪存

AT45DB321C

初步

描述

该AT45DB321C是一个SPI兼容的串行接口闪存非常适合

FO rawide VA rietyofdigital歌声 - 图像 - ， programcode - anddata -

存储的应用程序。该AT45DB321C支持被称为4线串行接口

急流的要求非常高的速度操作的应用程序。

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页

写保护引脚

芯片复位

就绪/忙

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图 - 1型

CBGA顶视图

通过包装

CASON - 顶视图

通过包装

SCK

RESET

数据闪存卡

(1)

通过包顶视图

7 6

5 4 3 2 1

GND

VCC

SCK GND VCC

CS RDY / BSY WP

SI RESET NC

3387B–DFLSH–9/04

注意：

1.见AT45DCB004数据表

它的34603008位的存储器被组织为8192页，每页528字节。此外

化到33兆位主存储器中， AT45DB321C还包含两个SRAM

每528字节的缓冲区。

缓冲区允许数据的接收，同时在主内存页面一个页面被

重新编程，以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位或

字节变性）被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写处理

操作。不同于与多随机访问的传统闪存

PLE地址线和并行接口，在数据闪存采用了急流串行接口

以顺序地存取其数据。简单的顺序访问极大地降低了

活跃的引脚数，简化硬件设计，提高了系统的可靠性，最小化

开关噪声，并降低了封装尺寸。该装置被用在许多优化

商业和工业应用中，高密度，低引脚数，低电压

和低功耗是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达40 MHz的

以10mA的典型有效的读电流消耗。

为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB321C不需要

高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，

2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该AT45DB321C启用

通过芯片选择引脚（CS ），并通过三线接口，由访问

串行输入（ SI ），串行输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ）。

所有的编程和擦除周期都是自定时的。

框图

闪存阵列

PAGE （ 528字节）

缓冲器1 （ 528字节）

缓冲液2 （ 528字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB321C的存储器阵列被划分为三个

粒度，包括行业，块和页面的水平。 “记忆Architec-

TURE图“示出了每一级的击穿，并详细说明的页面数

每扇区和块。所有程序操作的数据闪存出现逐页上

的基础。擦除操作可在块或页级别来执行。

AT45DB321C [初步]

3387B–DFLSH–9/04

AT45DB321C [初步]

内存架构图

部门架构

行业0A = 8页

4224字节（ 4K + 128）

座建筑

行业0A

块0

1座

页面架构

8页

第0页

第1页

行业0B = 504页

266112字节（ 252K + 8064 ）

行业0B

BLOCK 2

块0

第6页

第7页

第8页

BLOCK 62

BLOCK 63

1扇区= 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

部门2 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

部门1

BLOCK 65

1座

BLOCK 64

第9页

第14页

第15页

BLOCK 126

BLOCK 127

BLOCK 128

行业14 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

BLOCK 129

第16页

第17页

第18页

行业15 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

PAGE 8189

BLOCK 1022

BLOCK 1023

PAGE 8190

PAGE 8191

块= 4224个字节

(4K + 128)

页= 528个字节

(512 + 16)

设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表

说明书和其相关的操作码是通过4，一种有效载于表1

指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主

通过SI （串行输入）引脚内存地址的位置。所有指令，地址，

和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA9 ， BFA0到

表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的10个地址位。主

内存寻址用的术语PA12 - PA0和BA9 - BA0被引用，

其中， PA12 - PA0表示指定的网页地址需要13个地址位和

BA9 - BA0表示指定范围内的一个字节地址需要10位地址

页。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

任两个SRAM数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持急流协议

模式0和模式3，请参阅在“详细的位级读时序”图

此数据表上的每一个模式时钟周期序列的详细信息。

连续阵列读取：

通过对主供给一个初始地址

存储器阵列，该阵列的连续读指令可以被用来依次

通过简单地提供一个时钟信号，从设备读取数据的连续流;没有

附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存

集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟

循环，使一个连续的读操作，而不会额外地址的需要

序列。要执行连续读取， E8H的操作码，必须移入

装置。操作码后跟三个地址字节（包括24位页

和字节地址的序列）和32不在乎时钟周期。 24位的第一位

地址序列被保留用于向上和向下兼容到更大和

3387B–DFLSH–9/04

密度较小的设备（参见读取命令序列下的“音符/写

第22页的下一个13位（ PA12 - PA0 ）上的操作（除状态寄存器读） “

24位的地址序列指定给读出页的主存储器阵列，并

24位的地址序列的最后10位（ BA9 - BA0 ）指定的起始字节

在页面内解决。 32不在乎遵循四个地址的时钟周期

字节需要初始化读操作。继不在乎时钟周期，

额外的时钟脉冲SCK引脚将导致数据上的SO被输出（串行

输出）引脚。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，

不在乎字节，并且数据的读取。当一个页面中的主存储器的终端是

在连续阵列读取达到，该设备将继续读书，最好在开头

无延迟的页边界交叉时发生的下一个页面的宁（中

交叉从一个页面的结尾到下一个页面的开始处）。当最后一位

在主存储器阵列被读出时，所述装置将继续读回的

开始记忆的第一页。如同跨越页边界，没有延迟

从阵列的末端缠绕时的开头将发生

数组。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态

输出引脚（SO ）。最大SCK频率允许的连续阵列读

由的F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过两个数据

缓冲液和离开缓冲区的内容不变。

主存储器页读：

主存储器页读允许读数据的用户

直接从任一8192页中的主存储器的，绕过这两个数据

缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取，一个

D2H的操作码，必须移入器件。在操作码之后是3

地址字节（其中包括24位和网页字节地址序列）和32不

关心的时钟周期。 24位的地址序列的第一个位是保留位，下

13位（ PA12- PA0 ）的24位地址序列中的主存储器用于指定页

读取，以及24位地址序列中的最后10位（ BA9 - BA0 ）指定的开始 -

该网页内ING字节的地址。 32不在乎遵循三是时钟周期

地址字节被发送到初始化读操作。继不在乎字节，

在SCK导致数据上的SO （串行输出）引脚输出额外的脉冲。该

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，不

关心字节，并且数据的读取。当一个页面中的主存储器的终端是

达到，该设备将继续读回在同一页的开头。一

低到高的转变CS引脚将终止读操作和三态

输出引脚（SO ）。最大SCK频率允许的主存储器页

阅读是由F定义

SCK

规范。主存储器页读绕过这两个

数据缓冲器和离开该缓冲器中的内容不变。

缓冲区中读取：

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的

操作码指定要读取哪个缓冲区。 D4H的一个操作码，用于读取数据

从缓冲器1中，并且D6H的一个操作码，用于读取来自缓冲器2的数据要执行

缓冲区中读取，操作码必须移入器件后跟三个地址字节

由14不在乎位和10缓冲区地址位（ BFA9 - BFA0 ）。继

3个地址字节，一个额外的不在乎字节的时钟必须在初始化

读操作。由于缓冲区大小为528个字节，10个缓冲器地址位需

指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。 CS引脚必须保持为低电平能很好地协同

荷兰国际集团的操作码，地址字节，不在乎字节加载，读取

的数据。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的

开始的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读

操作和三态输出引脚（SO ）。

AT45DB321C [初步]

3387B–DFLSH–9/04

AT45DB321C [初步]

编程和擦除

COMMANDS

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。

将数据加载到任何缓冲器，一个1字节的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，

必须移入设备，其次是3个地址字节由14不会

关注位和10缓冲区地址位（ BFA9 - BFA0 ）。 10缓冲区地址位指定

在缓冲器中的第一个字节被写入。之后的最后一个地址字节被移入

该装置中，数据可以在随后的时钟周期时钟输入。如果该结束

数据缓冲器达到时，该装置将绕回的缓冲区的开始。

数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到高的跳变被检测到上

CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动

操作时，一个8位的操作码， 83H缓冲区1 86H缓冲区2 ，必须移入

设备后跟三个地址字节包含一个保留位的， 13页地址

位（ PA12 - PA0 ），在主内存中指定的页面写入和10不要

关注位。当低到高的转变发生在CS引脚上，部分会先擦除

在主存储器中选择的页（擦除状态是逻辑1），则程序的数据

存储在缓冲器中进入在主存储器中的指定页面。无论是擦除和亲

页面的编程是在内部自定时的，应在一个最大时间

的t

。在此期间，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示

一部分是忙。

BUFFER主存储器页编程没有内置ERASE ：

一个previ-

主存储器内ously擦除的页面可以与任意的内容进行编程

缓冲区1或缓冲区2.要开始操作，一个8位的操作码， 88H缓冲区1或89H为

缓冲区2 ，必须移入器件后跟三个地址字节组成的

一个保留位，第13页地址位（ PA12 - PA0 ），在主指定的页面

内存写入和10个无关位。当低到高的转变发生在

CS引脚，该部分程序存储在缓冲器成在指定的页的数据

主存储器。必要的是在主存储器中的页面被编程的

已经使用擦除命令（页擦除或块以前删除

擦除）。在页面的编程是在内部自定时的，应在一

吨的最大时间

。在此期间，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将indi-

美食，该部分正忙。

页擦除：

在页擦除命令可以用来单独擦除任何页面

主存储器阵列允许缓冲区到主存储器页编程，而不在

内置的擦除命令，在以后的时间被利用。要执行页擦除，一个

81H的操作码必须被加载到设备上，接着是三个地址字节的COM

珍贵的一个保留位，第13页地址位（ PA12 - PA0 ）中指定的页面

主存储器进行擦除和10无关位。当发生由低到高的转变

CS引脚，该部分将删除选定的页面（在擦除状态为逻辑1 ）。该

擦除操作是在内部自定时的，应在吨的最大时间

在此期间，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分是

忙。

BLOCK ERASE ：

的八页的块可以同时被擦除。此命令是

有有用的，当大量的数据要被写入到该设备。这将避免使用

多页擦除命令。要执行块擦除， 50H的操作码必须是

加载到装置中，接着是三个地址字节包括一个保留位，

第10页地址位（ PA12 - PA3 ）和13无关位。 10页地址位

用于指定的八个页块是要被擦除。当低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将擦除八页选定的块。擦除

操作是在内部自定时的，应在吨的最大时间

。中

此时，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分正忙。

3387B–DFLSH–9/04