【特点单2.7 - 3.6V电源急流串行接口： 40 MHz最大时钟频率（ SPI模式0和3个兼容频率】,IC型号AT45DB321C-CU,AT45DB321C-CU PDF资料,AT45DB321C-CU经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单2.7 - 3.6V电源

急流

串行接口： 40 MHz最大时钟频率

（ SPI模式0和3个兼容频率高达33 MHz的）

页编程

- 8192页（ 528字节/页）

自动擦除操作

- 页擦除528字节

- 块擦除4224字节

两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而重新编程的闪存阵列

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 10毫安有效的读电流典型

- 6 μA待机电流典型

硬件和软件数据保护功能

- 个别部门锁定

安全性： 128字节安全寄存器

- 64字节的用户可编程空间

- 唯一的64字节的设备标识符

JEDEC标准制造商和设备ID读

100000编程/擦除周期每页最低

数据保留 - 20岁

商用和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项

32-megabit

2.7伏

数据闪存

AT45DB321C

1.描述

该AT45DB321C是一个SPI兼容的串行接口闪存非常适合

用于各种数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据 - 的

存储的应用程序。该AT45DB321C支持被称为4线串行接口

急流的要求非常高的速度操作的应用程序。

它的34603008位的存储器被组织为8192页，每页528字节。在

除了在33兆位主存储器中， AT45DB321C还包含两个SRAM

每528字节的缓冲区。

缓冲区允许数据的接收，同时在主内存页面一个页面被

重新编程，以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位

或字节变性）被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写处理

操作。不同于与mul-随机访问的传统闪存

tiple地址线和并行接口，在数据闪存采用的是串行急流

接口以顺序地存取其数据。简单的顺序存取大幅

主动减少引脚数，简化硬件设计，提高了系统的可靠性， MIN-

imizes开关噪声，并降低了封装尺寸。该设备在使用的优化

许多商业和工业应用中，高密度，低引脚数，低

电压和低功耗是必不可少的。该器件工作的时钟频率高达

40兆赫与10 mA的典型有效的读电流消耗。

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以允许简单的系统重新编程，该AT45DB321C不需要高输入

电压进行编程。该器件采用单电源供电， 2.7V至3.6V ，对于工作

两个程序和读取操作。该AT45DB321C通过片选引脚启用

（ CS ），并通过一个三线接口，包括串行输入（ SI ）中，串行输出访问

（SO ）和串行时钟（SCK ）。

所有的编程和擦除周期都是自定时的。

2.引脚配置和封装

表2-1 。

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

销刀豆网络gurations

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页写保护引脚

芯片复位

就绪/忙

图2-1 。

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图 - 1型

图2-2 。

CBGA顶视图

通过包装

图2-3 。

GND

SCK

SOIC顶视图

VCC

RESET

RDY / BUSY

SCK GND VCC

CS RDY / BSY WP

SI RESET NC

图2-4 。

数据闪存卡

(1)

顶视图

通过包装

7 6

5 4 3 2 1

图2-5 。

SCK

RESET

CASON - 顶视图

通过包装

GND

VCC

注意：

1.见AT45DCB004C数据表

AT45DB321C

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AT45DB321C

3.框图

闪存阵列

PAGE （ 528字节）

缓冲器1 （ 528字节）

缓冲液2 （ 528字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

4.内存阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB321C的存储器阵列被划分为三个等级

粒度，包括行业，块和页面。在“内存体系结构图” illus-

trates每个级别的故障，并详细说明的每个扇区和块的页数。所有

程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。在擦除操作

可以在块或页级执行。

图4-1 。

内存架构图

座建筑

行业0A

块0

1座

部门架构

行业0A = 8页

4224字节（ 4K + 128）

页面架构

8页

第0页

第1页

行业0B = 504页

266112字节（ 252K + 8064 ）

行业0B

BLOCK 2

块0

第6页

第7页

第8页

BLOCK 62

BLOCK 63

1扇区= 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

部门2 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

部门1

BLOCK 65

1座

BLOCK 64

第9页

第14页

第15页

BLOCK 126

BLOCK 127

BLOCK 128

行业14 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

BLOCK 129

第16页

第17页

第18页

行业15 = 512页

270,336字节（ 256K + 8K ）

PAGE 8189

BLOCK 1022

BLOCK 1023

PAGE 8190

PAGE 8191

块= 4224个字节

(4K + 128)

页= 528个字节

(512 + 16)

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5.设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表

及其相关的操作码至4载于表1有效指令开始

连拍的后跟适当的8位操作码和所需的缓冲器或主要的下降沿

内存地址的位置。当CS引脚为低电平，触发SCK引脚控制的负载

操作码，并通过在SI （串行输入）所需的缓冲区或主存储器地址位置

引脚。所有的指令，地址和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA9 - BFA0表示

所需要的10个地址位到缓冲器内指定一个字节地址。主存储器寻址

ING使用的术语PA12 - PA0和BA9 - BA0 ，其中PA12 - PA0表示引用

指定页面地址和BA9 - BA0需要13位地址表示10位地址

在页面中指定一个字节的地址要求。

5.1

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取任

1两个SRAM数据缓冲区。该数据闪存支持急流协议模式0和

模式3，请参阅“详细的位级读时序”图中这个数据表

于每种模式的时钟周期序列的详细信息。

5.1.1

连续阵列读

通过提供一个初始地址的主存储器阵列，该阵列的连续读

命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流

简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要

来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动

计数器每个时钟周期，使一个连续的读操作，而不需要

额外的地址序列。要执行连续读取， E8H的操作码必须是

移入器件。操作码后跟三个地址字节（包括24位

页和字节地址的序列）和32不在乎时钟周期。 24位的第一位

地址序列被保留用于向上和向下兼容性，较大和较小的树突

sity设备（见下面的说明

第25页第13.6节。

的下一个13位（ PA12 - PA0 ）

24位地址序列指定给读出页的主存储器阵列的，上次

10位（ BA9 - BA0 ）的24位地址序列中的指定起始字节地址

页。 32不在乎请按照所需要的四个地址字节来初始化时钟周期

读出操作。继不在乎时钟周期，额外的时钟脉冲SCK引脚

会导致数据上的SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，不关心

字节，并且数据的读取。当在一个被达到，主存储器中的页的结束

连续阵列读取，所述装置将继续读取下一个页面的开始

没有延迟页边界交叉（从一个页面末尾的交叉过程中发生的

到下一个页面的开始处）。当主存储器阵列中的最后一位被读出，

所述装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。与交叉

荷兰国际集团在页面边界，无延迟，将的结束缠绕时，将发生

阵列到阵列的开头。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出引脚

（ SO ）。对于连续阵列的最大SCK频率允许读由定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和叶CON组

缓冲区不变的帐篷。

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AT45DB321C

5.1.2

主存储器页读

读出的主存储器页面允许用户直接从8192页中的任何一个读数据

在主存储器中，从而绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容

不变。要启动页读取， D2H的操作码，必须移入器件。该

操作码后跟三个地址字节（其中包括24位和网页字节地址

的序列）和32不在乎时钟周期。 24位的地址序列的第一比特是

保留位， 24位地址序列中的下一个13位（ PA12 - PA0 ）在指定页面

主存储器被读取，并且该24位地址序列中的最后10位（ BA9 - BA0 ）指定

该页面内的起始字节地址。 32不在乎遵循三是时钟周期

地址字节被发送到初始化读操作。继不在乎字节，附加

脉冲在SCK导致数据上的SO （串行输出）引脚输出。 CS引脚必须保持

操作码，地址字节，不在乎字节加载，以及在读期间低

数据。当达到在主存储器中的页的结束，该装置将继续读回

在同一页的开头。在CS引脚从低到高的跳变将终止读

操作和三态输出引脚（ SO ）。最大SCK频率允许的主

内存页读是由F定义

SCK

规范。主存储器页读绕过

两个数据缓冲器和离开缓冲区的内容不变。

缓冲区读

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的操作码来指定哪些

从缓冲区读取。 D4H的一个操作码，用于读取来自缓冲器1的数据，并D6H的操作码

用于读取从缓冲器2的数据要执行的缓冲器读出时，操作码必须被读入

设备后跟三个地址字节由14不在乎位和10缓冲区地址

位（ BFA9 - BFA0 ）。以下的3个地址字节，一个额外的不在乎字节必须是

主频在初始化读操作。由于缓冲区大小为528个字节，10个缓冲器地址

位都需要指定的数据被从缓冲区中读出的第一个字节。 CS引脚必须

操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节，不在乎字节，

读取数据。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的

开始的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作

和三态输出引脚（ SO ）。

5.1.3

5.2

5.2.1

编程和擦除命令

缓冲区写

数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2.将数据加载到任何

缓冲区， 1个字节的操作码， 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须移入器件时，请按照

通过三个地址字节由14不在乎位和10缓冲区地址位lowed （ BFA9-

BFA0 ）。 10个缓冲器地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。在最后

地址字节被移入器件，数据就可以在随后的时钟主频在

周期。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将环绕回到开始

的缓冲液中。数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到高的过渡是

CS引脚上检测到。

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