【AT45DB081E8 - Mbit的数据闪存（带额外的256千位），最小1.65VSPI串行闪存】,IC型号AT45DB081E-SHN-T,AT45DB081E-SHN-T PDF资料,AT45DB081E-SHN-T经销商,ic,电子元器件-51电子网

AT45DB081E

8 - Mbit的数据闪存（带额外的256千位），最小1.65V

SPI串行闪存

初步数据表

特点

单1.65V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

支持SPI模式0和3

支持急流

手术

通过整个阵列连续读取功能

高达85MHz的

低功率读取选项高达15MHz的

时钟到输出时间（t

）为6ns最大

用户可配置的页面大小

每页256字节

每页264字节（默认）

页面大小可以在工厂预先配置为256个字节

两个完全独立的SRAM数据缓冲区（ 264分之256字节）

允许接收数据而重新编程所述主存储器阵列

灵活的编程选项

字节/页编程（ 1二百六十四分之二百五十六字节）直接到主存储器

缓冲区写

缓冲区到主存储器页编程

灵活的擦除选项

页擦除（ 264分之256字节）

块擦除（ 2KB ）

扇区擦除（ 64KB ）

芯片擦除（ 8兆位）

编程和擦除暂停/恢复

先进的硬件和软件数据保护功能

个别行业的保护

单个扇区锁定作任何扇区永久只读

128字节的一次性可编程（ OTP ）安全注册

64字节的工厂与一个唯一的标识符编程

64个字节的用户可编程

硬件和软件控制的复位选项

JEDEC标准制造商和设备ID读

低功耗

400nA超深度掉电电流（典型值）

4.5μA深度掉电电流（典型值）

25μA待机电流（典型值）

11毫安有效的读电流（典型值在20MHz ）

耐力：每页最低100,000编程/擦除周期

数据保存时间：20年

符合工业温度范围内

绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项

8引脚SOIC （ 0.150"宽0.208"宽）

8垫超薄DFN （ 5 ×6× 0.6毫米）

DS-45DB081E-028C–DFLASH–10/2013

描述

该AT45DB081E是一个1.65V的最小，串行接口顺序访问闪存存储器非常适合于各种

的数字语音，图像，程序代码和数据存储应用。该AT45DB081E还支持串行急流

接口用于要求非常高的速度运行的应用程序。其8650752位存储器组织为4096页

256字节或每264个字节。除了在主存储器中， AT45DB081E还包含两个SRAM缓冲器

264分之256每个字节。该缓冲器允许接收数据，而在主存储器中的页面进行重新编程。

两个缓冲器之间的交织可显着提高系统的写入一个连续的数据流的能力。在

此外，该SRAM缓冲器可以用作额外的系统高速暂存存储器，和E

PROM仿真（位或字节

变性）可与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作处理容易。

不同于与多个地址线和并行接口，所述随机访问的常规快闪存储器

数据闪存

采用串行接口，以顺序地存取其数据。简单的顺序访问极大地降低了

活跃的引脚数，有利于简化硬件设计，提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声，并

减小封装尺寸。该装置被用在许多商业和工业应用中的优化

高密度，低引脚数，低电压和低功耗是必不可少的。

以允许简单的在系统重新编程，该AT45DB081E不要求高输入电压为

编程。该装置由一个单一的1.65V至3.6V电源为擦除和编程和读操作

操作。该AT45DB081E通过片选引脚（ CS ）启用，并通过3线接口，包括访问

的串行输入（ SI ），串行输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ）。

所有的编程和擦除周期都是自定时的。

引脚配置和引脚

图1-1 。插脚引线

8引脚SOIC

顶视图

SCK

RESET

8 ，垫UDFN

顶视图

GND

SCK

RESET

GND

注意：

在UDFN封装底部的金属垫内部没有连接到电压电势。

这种垫可以是“无连接”，或连接到GND 。

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DS-45DB081E-028C–DFLASH–10/2013

表1-1 。

销刀豆网络gurations

断言

状态

符号

名称和功能

片选：

断言CS引脚选择设备。当CS引脚置为无效时，

设备都将被取消，通常被放置在待机模式下（没有深度掉电

模式）和输出引脚（SO ）将处于高阻抗状态。当该装置是

取消选择，数据将不被输入引脚（SI）的接受。

在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动操作和低到高

结束的动作过渡是必需的。当结束一个内部自定时操作，

作为一个编程或擦除周期，该设备将无法进入待机模式，直到完成

的操作。

串行时钟：

该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制流

数据和从该装置。目前SI引脚上的命令，地址和输入数据

始终锁定在SCK的上升沿，而在SO引脚输出数据始终计时

出在SCK的下降沿。

串行输入：

SI引脚被用于将数据转移到器件中。 SI引脚用于所有的数据输入

包括命令和地址序列。 SI引脚上的数据总是锁定在上升

SCK的边缘。 SI引脚上的数据现在将被忽略，只要取消选择器件（ CS

置为无效）。

串行输出：

SO引脚用来转移数据从设备。 SO引脚数据

总是同步输出SCK的下降沿。 SO引脚将处于高阻抗状态

只要取消选择器件（ CS置为无效）。

写保护：

当WP引脚置位，所有部门保护由部门指定

保护寄存器将受到保护，免遭程序也不管擦除操作

是否启用扇区保护命令已发出或没有。 WP引脚功能

独立软件控制的保护方法。之后， WP引脚变为低电平时，

的扇区保护寄存器的内容不能被修改。

TYPE

低

输入

SCK

—

输入

—

输入

—

产量

如果一个编程或擦除命令发出到设备，而WP引脚置，该装置

会简单地忽略命令并执行任何操作。该设备将返回到空闲

国家一旦CS已被拉高。在启动扇区保护命令和

部门锁定的命令，不过，将在该设备所认可时， WP引脚

断言。

WP引脚在内部上拉，高，可能会悬空，如果硬件控制保护

将不被使用。但是，我们建议在WP引脚也可以从外部连接到

只要有可能。

RESET ：

在复位引脚（ RESET ）低的状态将终止正在进行的操作和复位

内部状态机到空闲状态。该装置将保持在复位状态，只要

作为低电平是存在于RESET引脚。正常操作就可以恢复，一旦RESET引脚

已恢复到高电平。

该器件集成了一个内部上电复位电路，所以有在没有任何限制

上电序列中RESET引脚。如果此引脚和功能没有使用，那么它是

建议将RESET引脚的外部驱动高。

低

输入

RESET

低

输入

GND

器件电源：

在V

销是用来提供电源电压的装置。

在无效的V操作

电压可能产生虚假的结果，不应该试图。

地面：

用于电源的接地参考。接地应连接到系统

地面上。

—

动力

地

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框图

图2-1 。框图

闪存阵列

页面（二百六十四分之二百五十六字节）

缓冲器1（ 264分之256字节）

缓冲液2 （ 264分之256字节）

SCK

RESET

GND

I / O接口

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存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB081E存储器阵列被划分为三个级别的粒度，包括的

扇区，块和页面。

如图3-1所示，内存架构图

示出每个级别和细节的分解

的每个扇区和块的页数。程序操作的数据闪存可以在整个页面级别或完成

字节级（可变的字节数）。擦除操作可在芯片，扇区，块或页来执行

的水平。

图3-1 。内存架构图

部门架构

行业0A = 8页

2048 / 2112字节

座建筑

行业0A

块0

1座

BLOCK 2

页面架构

8页

第0页

第1页

部门0B = 248页

63,488 / 65,472字节

行业0B

块0

第6页

BLOCK 30

第7页

第8页

第9页

部门1 = 256页

65,536 / 67,584字节

31座

BLOCK 33

部门2 = 256页

65,536 / 67,584字节

部门1

1座

BLOCK 32

第14页

第15页

BLOCK 62

BLOCK 63

BLOCK 64

第16页

第17页

第18页

行业14 = 256页

65,536 / 67,584字节

BLOCK 65

行业15 = 256页

65,536 / 67,584字节

BLOCK 510

BLOCK 511

第4094

页面4,095

块= 2048 / 2112字节

页=二百六十四分之二百五十六字节

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