【特点单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源串行外设接口（SPI ）兼容20 MHz的最】,IC型号AT45DB081B-RC-2.5,AT45DB081B-RC-2.5 PDF资料,AT45DB081B-RC-2.5经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

20 MHz的最大时钟频率

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 4096页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而非易失性存储器重新编程

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

硬件数据保护功能

100 ％兼容AT45DB081和AT45DB081A

5.0V容错输入： SI ， SCK ， CS ， RESET和WP引脚

商用和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装选项

8-megabit

2.5伏或仅

2.7伏只

数据闪存

AT45DB081B

描述

该AT45DB081B是2.5伏或2.7伏只，串行接口闪存理想

适合于各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据的存储

应用程序。其8650752位存储器组织为264个字节4096页

每一个。除了在主存储器中， AT45DB081B还包含两个SRAM

每264个字节的数据缓冲器。该缓冲器允许同时在一个页面接收数据的

主存储器进行重新编程，以及写入一个连续的数据流。

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页写

保护引脚

芯片复位

就绪/忙

GND

SCK

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图

类型1

SOIC

VCC

RESET

RDY / BUSY

CBGA顶视图

通过包装

CASON

通过包顶视图

SCK

RESET

VCC

GND

VCC

SCK

GND

CS RDY / BSY WP

RESET

牧师2225I - DFLSH ， 9月5日

EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与自含3处理

步骤读 - 修改 - 写操作。与传统的闪存是

具有多个地址线和并行接口，所述数据闪存，随机存取

使用SPI串行接口以顺序存取其数据。数据闪存支持SPI模式

0和模式3。简单的串行接口，方便硬件的布局，提高了系统的

可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和积极的引脚数。

该装置被用在许多商业和工业应用中的优化

高密度，低引脚数，低电压和低功耗是至关重要的。该设备能操作

具有典型的活性茨时钟频率高达20MHz读的电流消耗

4毫安。

为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB081B不需要

高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，

2.5V至3.6V或2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该

AT45DB081B通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由三线访问

接口，包括串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和串行时钟

（ SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

当设备从爱特梅尔，存储器阵列的最显著页运

可能不会被删除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充有

FFH 。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器1 （ 264字节）

缓冲液2 （ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB081B的存储器阵列被划分为三个

粒度，包括行业，块和页面的水平。内存架构

图说明了每个级别的细分，并详细介绍了每个页面数

部门和块。所有程序操作的数据闪存出现一个页面，通过页面上的

基础;然而，可选的擦除操作可在块或页来执行

的水平。

AT45DB081B

2225I–DFLSH–9/05

AT45DB081B

内存架构图

部门架构

扇区0 = 8页

2112字节（ 2K + 64 ）

1扇区= 248页

65472字节（ 62K + 1984）

座建筑

扇区0

块0

1座

页面架构

8页

第0页

第1页

部门1

BLOCK 2

块0

部门2 = 256页

67,584字节（ 64K + 2K ）

第6页

第7页

第8页

BLOCK 30

31座

部门3 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

行业4 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

2区

BLOCK 33

1座

BLOCK 32

第9页

第14页

第15页

BLOCK 62

BLOCK 63

BLOCK 64

行业8 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 65

第16页

第17页

第18页

行业9 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

PAGE 4093

BLOCK 510

BLOCK 511

PAGE 4094

PAGE 4095

块= 2112个字节

(2K + 64)

页= 264个字节

(256 + 8)

设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表

说明书和其相关的操作码是通过4，一种有效载于表1

指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主

通过SI （串行输入）引脚内存地址的位置。所有指令，地址

和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用使用的术语BFA8数据表 - BFA0到

表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的9个地址位。主

内存寻址用的术语PA11引用 - PA0和BA8 - BA0

其中， PA11 - PA0表示指定的网页地址所需的12位地址

和BA8 - BA0表示指定字节地址所需的9位地址

内的页面。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

无论是两个数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持两种类型的读取

模式相对于SCK信号。模式之间的差异是在相对于

在SCK信号的无效状态，以及哪一个时钟周期数据将开始

输出。两个类别，可以由四种模式总被定义为

不活跃时钟极性低或无效时钟极性高和SPI模式0和SPI

模式3.独立操作码（参阅表1第10页上的完整列表）来

选择哪一个类别将被用于读取。请参阅“详细位级

读时序“图本数据表的详细信息，在时钟周期序列

每个模式。

连续阵列读取：

通过对主供给一个初始地址

存储器阵列，该阵列的连续读指令可以被用来依次

通过简单地提供一个时钟信号，从设备读取数据的连续流;没有

附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存

集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟

2225I–DFLSH–9/05

循环，使一个连续的读操作，而不会额外地址的需要

序列。要执行连续读取， 68H或E8H的操作码的时钟必须

入设备后跟24个地址位和32无关位。的前三个比特

24位的地址序列被保留用于向上和向下兼容性

较大和较小的密度设备（参见命令序列下的“注意事项

读/写操作“图）。接下来的12个地址位（ PA11 - PA0 ）指定

主存储器阵列的页面，阅读，最后9位（ BA8 - BA0 ） 24位

地址序列指定页面内的起始字节地址。 32不在乎

需要遵循的24个地址位的比特来初始化读操作。以下

32个无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据

正对SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，在不

关心的位，并且数据的读取。当达到在主存储器中的页的结束

在连续阵列读取，该设备将继续读数的开始

下一个页面，没有延迟页边界交叉时发生的（交叉

从一个页面的结尾到下一个页面的开始处）。当在所述的最后位

主存储器阵列被读出时，所述装置将继续读回，最好在开头

宁存储器的第一页。如同穿越了页面边界，没有延迟会

从阵列的末端缠绕时的开始时发生的

数组。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态

SO引脚。最大SCK频率允许的连续阵列读取的

通过的F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过两个数据缓冲的

ERS和离开缓冲区的内容不变。

主存储器页读：

主存储器页读允许读数据的用户

直接从任何一个在主存储器中的4096页，绕过这两个数据

缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取，一个

52H或D2H的操作码，必须移入器件其次是24位地址位和

32无关位。 24位的地址序列的第一个3位是保留位，

在接下来的12个地址位（ PA11 - PA0 ）指定的页面地址，以及未来九个月

地址位（ BA8 - BA0 ）指定的起始字节的页内地址。 32不要

关注位随后的24位地址位被发送到初始化读操作。跟着

哞哞叫的32无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据被输出

在SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，不在乎位，并且数据的读取。时的一个末端

在主存储器页读到达主内存页面，该设备将CON组

tinue读取在同一页的开头。在CS引脚从低到高的转变

将终止读操作和三态SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的

操作码指定要读取哪个缓冲区。 54H或D4H的一个操作码，用于读取

从缓冲器1中，并且56H或D6H的一个操作码的数据，用于读取数据从缓冲器2向

执行一个缓冲器读，则8位的操作码的后面必须跟15不在乎

位， 9位地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小为264个字节，九

地址位（ BFA8 - BFA0 ）都需要指定数据的第一字节到从读

缓冲区。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址

位，不在乎位，并且数据的读取。当达到缓冲器的结尾，

所述装置将继续读回的缓冲区的开始。低到高的跃迁

灰CS引脚将终止读操作和三态SO引脚。

状态寄存器读：

状态寄存器可用于确定设备的

Ready / Busy状态，主存储器页面的结果来缓冲比较操作，或

该器件密度。读状态寄存器， 57H或D7H的操作码必须是

AT45DB081B

2225I–DFLSH–9/05

AT45DB081B

加载到该设备。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的

状态寄存器，从最高位（第7位），将在移出SO引脚

接下来的8个时钟周期。状态寄存器的五个最显著位将包含

设备的信息，而剩余的三个最小显著位被保留以供将来

使用，将有未定义的值。后位的状态寄存器的0已转移

出，该序列将重演（只要CS仍然很低， SCK正在瓶酒

GLED ）与第7位在状态寄存器中的数据重新开始不断更新，所以

每个重复序列将输出新的数据。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则

设备不忙，并准备接受下一个命令。如果第7位是0，则

设备处于忙状态。用户可以通过不断地轮询位的状态寄存器的第7

在低电平停止SCK一旦第7位被输出。第7位的状态将继续

要对SO引脚输出，一旦设备不再忙，所以国家将

改变从0到1有八个操作可导致设备是在一个

忙碌的状态：主内存页，以缓冲传输，主存储器页到缓冲器的COM

削，缓冲到主存储器页编程带内置擦除，缓冲到主内存

页面程序没有内置擦除，页擦除，块擦除，主存储器页

程序，自动页重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示，后跟

在状态寄存器的第6位标识。如果第6位是0，则在主存储器中的数据

页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，在数据的话，至少一个位

主存储器页不存在于缓冲器匹配的数据。

器件密度使用比特5 ， 4,3和2中的状态寄存器的指示。对于

AT45DB081B ，四个比特是1，0， 0和1这四个二进制位的十进制值

并不等同于该设备的密度;三个比特表示一个组合码

有关的串行数据闪存器件不同的密度，从而总共16个昼夜温差

同的密度配置。

编程和擦除

COMMANDS

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。

将数据加载到任何的缓冲区，一个8位的操作码， 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须

跟着15不在乎位和9位地址（ BFA8 - BFA0 ）。九

地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的数据被输入之后

的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将环绕

备份到缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器中，直到

低到高的转变上检测到CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动

操作中，一个8位的操作码， 83H为缓冲器1或86H缓冲区2中，必须遵循由

3保留位， 12位地址（ PA11 - PA0 ），在主指定的页面

存储器的写入，并且附加不在乎9位。当低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1

然后程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据

ORY 。无论是擦除和页编程在内部自定时的

应于吨的最大时间

。在此期间，状态寄存器将indi-

美食，该部分正忙。

2225I–DFLSH–9/05

特点

单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 4096页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而非易失性存储器重新编程

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

20 MHz的最大时钟频率

硬件数据保护功能

100 ％兼容AT45DB081和AT45DB081A

5.0V容错输入： SI ， SCK ， CS ， RESET和WP引脚

商用和工业温度范围

8-megabit

2.5伏或仅

2.7伏只

数据闪存

AT45DB081B

描述

该AT45DB081B是2.5伏或2.7伏只，串行接口闪存理想

适合于各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据的存储

应用程序。其8650752位存储器组织为264个字节4096页

每一个。除了在主存储器中， AT45DB081B还包含两个SRAM

每264个字节的数据缓冲器。该缓冲器允许同时在一个页面接收数据的

主存储器进行重新编程，以及读取或写入一个连续的数据

（续）

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页写

保护引脚

芯片复位

就绪/忙

GND

SCK

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图

类型1

SOIC

VCC

RESET

RDY / BUSY

CBGA顶视图

通过包装

VCC

SCK

GND

CS RDY / BSY WP

RESET

牧师2225C - 12月1日

流。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与自我处理

包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存

了与多个地址线和并行接口，所述随机访问

数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。数据闪存支持

接口SPI模式0和模式3。简单的串行接口有利于硬件布局，

提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和

活跃的引脚数。该装置被用在许多商业和工业优化

应用高密度，低引脚数，低电压和低功耗是必不可少的。

该器件工作的时钟频率高达20 MHz的典型的读操作工作电流

为4 mA消耗。

为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB081B不需要

高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，

2.5V至3.6V或2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该

AT45DB081B通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由三线访问

接口，包括串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和串行时钟

（ SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

当设备从爱特梅尔，存储器阵列的最显著页运

可能不会被删除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充有

FFH 。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器1 （ 264字节）

缓冲液2 （ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB081B的存储器阵列被划分为三个

粒度，包括行业，块和页面的水平。内存架构

图说明了每个级别的细分，并详细介绍了每个页面数

部门和块。所有程序操作的数据闪存出现一个页面，通过页面上的

基础;然而，可选的擦除操作可在块或页来执行

的水平。

AT45DB081B

2225C–12/01

AT45DB081B

内存架构图

部门架构

扇区0 = 8页

2112字节（ 2K + 64 ）

1扇区= 248页

65472字节（ 62K + 1984）

座建筑

扇区0

块0

1座

页面架构

8页

第0页

第1页

部门1

BLOCK 2

块0

部门2 = 256页

67,584字节（ 64K + 2K ）

第6页

第7页

第8页

BLOCK 30

31座

部门3 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

行业4 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

2区

BLOCK 33

1座

BLOCK 32

第9页

第14页

第15页

BLOCK 62

BLOCK 63

BLOCK 64

行业8 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 65

第16页

第17页

第18页

行业9 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

PAGE 4093

BLOCK 510

BLOCK 511

PAGE 4094

PAGE 4095

块= 2112个字节

(2K + 64)

页= 264个字节

(256 + 8)

设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表

说明书和其相关的操作码是通过4，一种有效载于表1

指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主

通过SI （串行输入）引脚内存地址的位置。所有指令，地址

和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用使用的术语BFA8数据表 - BFA0到

表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的9个地址位。主

内存寻址用的术语PA11引用 - PA0和BA8 - BA0

其中， PA11 - PA0表示指定的网页地址所需的12位地址

和BA8 - BA0表示指定字节地址所需的9位地址

内的页面。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

无论是两个数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持两种类型的读取

模式相对于SCK信号。模式之间的差异是在相对于

在SCK信号的无效状态，以及哪一个时钟周期数据将开始

输出。两个类别，可以由四种模式总被定义为

不活跃时钟极性低或无效时钟极性高和SPI模式0和SPI

模式3.独立操作码（参阅表1第10页上的完整列表）来

选择哪一个类别将被用于读取。请参阅“详细位级

读时序“图本数据表的详细信息，在时钟周期序列

每个模式。

连续阵列读取：

通过对主供给一个初始地址

存储器阵列，该阵列的连续读指令可以被用来依次

通过简单地提供一个时钟信号，从设备读取数据的连续流;没有

附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存

集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟

2225C–12/01

循环，使一个连续的读操作，而不会额外地址的需要

序列。要执行连续读取， 68H或E8H的操作码的时钟必须

入设备后跟24个地址位和32无关位。的前三个比特

24位的地址序列被保留用于向上和向下兼容性

较大和较小的密度设备（参见命令序列下的“注意事项

读/写操作“图）。接下来的12个地址位（ PA11 - PA0 ）指定

主存储器阵列的页面，阅读，最后9位（ BA8 - BA0 ） 24位

地址序列指定页面内的起始字节地址。 32不在乎

需要遵循的24个地址位的比特来初始化读操作。以下

32个无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据

正对SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，在不

关心的位，并且数据的读取。当达到在主存储器中的页的结束

在连续阵列读取，该设备将继续读数的开始

下一个页面，没有延迟页边界交叉时发生的（交叉

从一个页面的结尾到下一个页面的开始处）。当在所述的最后位

主存储器阵列被读出时，所述装置将继续读回，最好在开头

宁存储器的第一页。如同穿越了页面边界，没有延迟会

从阵列的末端缠绕时的开始时发生的

数组。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态

SO引脚。最大SCK频率允许的连续阵列读取的

通过的F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过两个数据缓冲的

ERS和离开缓冲区的内容不变。

主存储器页读：

主存储器页读允许读数据的用户

直接从任何一个在主存储器中的4096页，绕过这两个数据

缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取，一个

52H或D2H的操作码，必须移入器件其次是24位地址位和

32无关位。 24位的地址序列的第一个3位是保留位，

在接下来的12个地址位（ PA11 - PA0 ）指定的页面地址，以及未来九个月

地址位（ BA8 - BA0 ）指定的起始字节的页内地址。 32不要

关注位随后的24位地址位被发送到初始化读操作。跟着

哞哞叫的32无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据被输出

在SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，不在乎位，并且数据的读取。时的一个末端

在主存储器页读到达主内存页面，该设备将CON组

tinue读取在同一页的开头。在CS引脚从低到高的转变

将终止读操作和三态SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的

操作码指定要读取哪个缓冲区。 54H或D4H的一个操作码，用于读取

从缓冲器1中，并且56H或D6H的一个操作码的数据，用于读取数据从缓冲器2向

执行一个缓冲器读，则8位的操作码的后面必须跟15不在乎

位， 9位地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小为264个字节，九

地址位（ BFA8 - BFA0 ）都需要指定数据的第一字节到从读

缓冲区。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址

位，不在乎位，并且数据的读取。当达到缓冲器的结尾，

所述装置将继续读回的缓冲区的开始。低到高的跃迁

灰CS引脚将终止读操作和三态SO引脚。

状态寄存器读：

状态寄存器可用于确定设备的

Ready / Busy状态，主存储器页面的结果来缓冲比较操作，或

该器件密度。读状态寄存器， 57H或D7H的操作码必须是

AT45DB081B

2225C–12/01

AT45DB081B

加载到该设备。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的

状态寄存器，从最高位（第7位），将在移出SO引脚

接下来的8个时钟周期。状态寄存器的五个最显著位将包含

设备的信息，而剩余的三个最小显著位被保留以供将来

使用，将有未定义的值。后位的状态寄存器的0已转移

出，该序列将重演（只要CS仍然很低， SCK正在瓶酒

GLED ）与第7位在状态寄存器中的数据重新开始不断更新，所以

每个重复序列将输出新的数据。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则

设备不忙，并准备接受下一个命令。如果第7位是0，则

设备处于忙状态。用户可以通过不断地轮询位的状态寄存器的第7

在低电平停止SCK一旦第7位被输出。第7位的状态将继续

要对SO引脚输出，一旦设备不再忙，所以国家将

改变从0到1有八个操作可导致设备是在一个

忙碌的状态：主内存页，以缓冲传输，主存储器页到缓冲器的COM

削，缓冲到主存储器页编程带内置擦除，缓冲到主内存

页面程序没有内置擦除，页擦除，块擦除，主存储器页

程序，自动页重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示，后跟

在状态寄存器的第6位标识。如果第6位是0，则在主存储器中的数据

页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，在数据的话，至少一个位

主存储器页不存在于缓冲器匹配的数据。

器件密度是使用位5,4 ，和3中的状态寄存器的指示。对于

AT45DB081B ，三个比特是1，0和0这三个二进制位的十进制值

并不等同于该设备的密度;三个比特表示一个组合码

有关的串行数据闪存器件不同的密度，允许总共八个differ-

耳鼻喉科密度配置。

编程和擦除

COMMANDS

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。

将数据加载到任何的缓冲区，一个8位的操作码， 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须

跟着15不在乎位和9位地址（ BFA8 - BFA0 ）。九

地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的数据被输入之后

的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将环绕

备份到缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器中，直到

低到高的转变上检测到CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动

操作中，一个8位的操作码， 83H为缓冲器1或86H缓冲区2中，必须遵循由

3保留位， 12位地址（ PA11 - PA0 ），在主指定的页面

存储器的写入，并且附加不在乎9位。当低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1

然后程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据

ORY 。无论是擦除和页编程在内部自定时的

应于吨的最大时间

。在此期间，状态寄存器将indi-

美食，该部分正忙。

2225C–12/01

特点

单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 4096页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而非易失性存储器重新编程

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

20 MHz的最大时钟频率

硬件数据保护功能

100 ％兼容AT45DB081和AT45DB081A

5.0V容错输入： SI ， SCK ， CS ， RESET和WP引脚

商用和工业温度范围

8-megabit

2.5伏或仅

2.7伏只

数据闪存

AT45DB081B

描述

该AT45DB081B是2.5伏或2.7伏只，串行接口闪存理想

适合于各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据的存储

应用程序。其8650752位存储器组织为264个字节4096页

每一个。除了在主存储器中， AT45DB081B还包含两个SRAM

每264个字节的数据缓冲器。该缓冲器允许同时在一个页面接收数据的

主存储器进行重新编程，以及读取或写入一个连续的数据

（续）

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页写

保护引脚

芯片复位

就绪/忙

GND

SCK

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图

类型1

SOIC

VCC

RESET

RDY / BUSY

CBGA顶视图

通过包装

VCC

SCK

GND

CS RDY / BSY WP

RESET

牧师2225C - 12月1日

流。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与自我处理

包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存

了与多个地址线和并行接口，所述随机访问

数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。数据闪存支持

接口SPI模式0和模式3。简单的串行接口有利于硬件布局，

提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和

活跃的引脚数。该装置被用在许多商业和工业优化

应用高密度，低引脚数，低电压和低功耗是必不可少的。

该器件工作的时钟频率高达20 MHz的典型的读操作工作电流

为4 mA消耗。

为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB081B不需要

高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，

2.5V至3.6V或2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该

AT45DB081B通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由三线访问

接口，包括串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和串行时钟

（ SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

当设备从爱特梅尔，存储器阵列的最显著页运

可能不会被删除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充有

FFH 。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器1 （ 264字节）

缓冲液2 （ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB081B的存储器阵列被划分为三个

粒度，包括行业，块和页面的水平。内存架构

图说明了每个级别的细分，并详细介绍了每个页面数

部门和块。所有程序操作的数据闪存出现一个页面，通过页面上的

基础;然而，可选的擦除操作可在块或页来执行

的水平。

AT45DB081B

2225C–12/01

AT45DB081B

内存架构图

部门架构

扇区0 = 8页

2112字节（ 2K + 64 ）

1扇区= 248页

65472字节（ 62K + 1984）

座建筑

扇区0

块0

1座

页面架构

8页

第0页

第1页

部门1

BLOCK 2

块0

部门2 = 256页

67,584字节（ 64K + 2K ）

第6页

第7页

第8页

BLOCK 30

31座

部门3 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

行业4 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

2区

BLOCK 33

1座

BLOCK 32

第9页

第14页

第15页

BLOCK 62

BLOCK 63

BLOCK 64

行业8 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 65

第16页

第17页

第18页

行业9 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

PAGE 4093

BLOCK 510

BLOCK 511

PAGE 4094

PAGE 4095

块= 2112个字节

(2K + 64)

页= 264个字节

(256 + 8)

设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表

说明书和其相关的操作码是通过4，一种有效载于表1

指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主

通过SI （串行输入）引脚内存地址的位置。所有指令，地址

和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用使用的术语BFA8数据表 - BFA0到

表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的9个地址位。主

内存寻址用的术语PA11引用 - PA0和BA8 - BA0

其中， PA11 - PA0表示指定的网页地址所需的12位地址

和BA8 - BA0表示指定字节地址所需的9位地址

内的页面。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

无论是两个数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持两种类型的读取

模式相对于SCK信号。模式之间的差异是在相对于

在SCK信号的无效状态，以及哪一个时钟周期数据将开始

输出。两个类别，可以由四种模式总被定义为

不活跃时钟极性低或无效时钟极性高和SPI模式0和SPI

模式3.独立操作码（参阅表1第10页上的完整列表）来

选择哪一个类别将被用于读取。请参阅“详细位级

读时序“图本数据表的详细信息，在时钟周期序列

每个模式。

连续阵列读取：

通过对主供给一个初始地址

存储器阵列，该阵列的连续读指令可以被用来依次

通过简单地提供一个时钟信号，从设备读取数据的连续流;没有

附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存

集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟

2225C–12/01

循环，使一个连续的读操作，而不会额外地址的需要

序列。要执行连续读取， 68H或E8H的操作码的时钟必须

入设备后跟24个地址位和32无关位。的前三个比特

24位的地址序列被保留用于向上和向下兼容性

较大和较小的密度设备（参见命令序列下的“注意事项

读/写操作“图）。接下来的12个地址位（ PA11 - PA0 ）指定

主存储器阵列的页面，阅读，最后9位（ BA8 - BA0 ） 24位

地址序列指定页面内的起始字节地址。 32不在乎

需要遵循的24个地址位的比特来初始化读操作。以下

32个无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据

正对SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，在不

关心的位，并且数据的读取。当达到在主存储器中的页的结束

在连续阵列读取，该设备将继续读数的开始

下一个页面，没有延迟页边界交叉时发生的（交叉

从一个页面的结尾到下一个页面的开始处）。当在所述的最后位

主存储器阵列被读出时，所述装置将继续读回，最好在开头

宁存储器的第一页。如同穿越了页面边界，没有延迟会

从阵列的末端缠绕时的开始时发生的

数组。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态

SO引脚。最大SCK频率允许的连续阵列读取的

通过的F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过两个数据缓冲的

ERS和离开缓冲区的内容不变。

主存储器页读：

主存储器页读允许读数据的用户

直接从任何一个在主存储器中的4096页，绕过这两个数据

缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取，一个

52H或D2H的操作码，必须移入器件其次是24位地址位和

32无关位。 24位的地址序列的第一个3位是保留位，

在接下来的12个地址位（ PA11 - PA0 ）指定的页面地址，以及未来九个月

地址位（ BA8 - BA0 ）指定的起始字节的页内地址。 32不要

关注位随后的24位地址位被发送到初始化读操作。跟着

哞哞叫的32无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据被输出

在SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，不在乎位，并且数据的读取。时的一个末端

在主存储器页读到达主内存页面，该设备将CON组

tinue读取在同一页的开头。在CS引脚从低到高的转变

将终止读操作和三态SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的

操作码指定要读取哪个缓冲区。 54H或D4H的一个操作码，用于读取

从缓冲器1中，并且56H或D6H的一个操作码的数据，用于读取数据从缓冲器2向

执行一个缓冲器读，则8位的操作码的后面必须跟15不在乎

位， 9位地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小为264个字节，九

地址位（ BFA8 - BFA0 ）都需要指定数据的第一字节到从读

缓冲区。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址

位，不在乎位，并且数据的读取。当达到缓冲器的结尾，

所述装置将继续读回的缓冲区的开始。低到高的跃迁

灰CS引脚将终止读操作和三态SO引脚。

状态寄存器读：

状态寄存器可用于确定设备的

Ready / Busy状态，主存储器页面的结果来缓冲比较操作，或

该器件密度。读状态寄存器， 57H或D7H的操作码必须是

AT45DB081B

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AT45DB081B

加载到该设备。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的

状态寄存器，从最高位（第7位），将在移出SO引脚

接下来的8个时钟周期。状态寄存器的五个最显著位将包含

设备的信息，而剩余的三个最小显著位被保留以供将来

使用，将有未定义的值。后位的状态寄存器的0已转移

出，该序列将重演（只要CS仍然很低， SCK正在瓶酒

GLED ）与第7位在状态寄存器中的数据重新开始不断更新，所以

每个重复序列将输出新的数据。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则

设备不忙，并准备接受下一个命令。如果第7位是0，则

设备处于忙状态。用户可以通过不断地轮询位的状态寄存器的第7

在低电平停止SCK一旦第7位被输出。第7位的状态将继续

要对SO引脚输出，一旦设备不再忙，所以国家将

改变从0到1有八个操作可导致设备是在一个

忙碌的状态：主内存页，以缓冲传输，主存储器页到缓冲器的COM

削，缓冲到主存储器页编程带内置擦除，缓冲到主内存

页面程序没有内置擦除，页擦除，块擦除，主存储器页

程序，自动页重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示，后跟

在状态寄存器的第6位标识。如果第6位是0，则在主存储器中的数据

页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，在数据的话，至少一个位

主存储器页不存在于缓冲器匹配的数据。

器件密度是使用位5,4 ，和3中的状态寄存器的指示。对于

AT45DB081B ，三个比特是1，0和0这三个二进制位的十进制值

并不等同于该设备的密度;三个比特表示一个组合码

有关的串行数据闪存器件不同的密度，允许总共八个differ-

耳鼻喉科密度配置。

编程和擦除

COMMANDS

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。

将数据加载到任何的缓冲区，一个8位的操作码， 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须

跟着15不在乎位和9位地址（ BFA8 - BFA0 ）。九

地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的数据被输入之后

的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将环绕

备份到缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器中，直到

低到高的转变上检测到CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动

操作中，一个8位的操作码， 83H为缓冲器1或86H缓冲区2中，必须遵循由

3保留位， 12位地址（ PA11 - PA0 ），在主指定的页面

存储器的写入，并且附加不在乎9位。当低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1

然后程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据

ORY 。无论是擦除和页编程在内部自定时的

应于吨的最大时间

。在此期间，状态寄存器将indi-

美食，该部分正忙。

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