特点
100 %兼容AT45DB081
单2.7V - 3.6V电源
串行接口架构
页编程操作
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 4096页( 264字节/页)主内存
可选页和块擦除操作
两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
通过整个阵列连续读取功能
内部的计划和控制的定时器
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
13 MHz的最大时钟频率
硬件数据保护功能
串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
8-megabit
2.7伏只
串行
数据闪存
AT45DB081A
推荐使用
AT45DB081B新
设计。
描述
该AT45DB081A是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合
在系统重新编程。其8650752位存储器组织为4096页
每264个字节。除了在主存储器中, AT45DB081A还含有
每264字节的两个SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收数据的同时,
在主存储器中的页面进行重新编程。不同于传统的闪存
(续)
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页写
保护引脚
芯片复位
就绪/忙
PLCC
CS
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
GND
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TSOP顶视图
类型1
SOIC
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
NC
NC
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CBGA顶视图
通过包装
1
A
NC
NC
NC
VCC
2
3
14
15
16
17
18
19
20
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
B
NC
NC
GND
C
SCK
D
CS RDY / BSY WP
E
SO
SI
NC
NC
RESET
NC
NC
F
NC
NC
NC
DC
DC
NC
NC
NC
G
NC
牧师1634D - 1月1日
注: PLCC封装引脚16
和17请勿连接。
1
了与多个随机访问存储器
地址线和并行接口,所述数据闪存使用一
串行接口以顺序地存取其数据。简单
串行接口,方便硬件的布局,增加了系
统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并减少
封装尺寸和积极的引脚数。该设备被优化
在许多商业和工业应用中使用
其中,高密度,低引脚数,低电压和低
电源是必不可少的。典型应用数据闪存
是数字化语音存储,图像存储和数据的存储。
该器件工作的时钟频率高达13 MHz的
同为4 mA典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可重编程中,
AT45DB081A不要求高输入电压为亲
编程。该装置由一个单电源工作
电源, 2.7V至3.6V ,同时为编程和读取操作
系统蒸发散。该AT45DB081A通过片选使能
引脚( CS ),并通过一个三线接口,包括访问
串行输入( SI )中,串行输出( SO )和串行
时钟( SCK ) 。
所有的编程周期是自定时的,并没有单独的
编程前擦除周期。
框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 264字节)
缓冲器1 ( 264字节)
缓冲液2 ( 264字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
为了提供最佳的灵活性,对存储器阵列
AT45DB081A分为三个级别的粒度
包括各部门,块和页面。内存
架构图显示了每个细分
电平,并详细说明的每个扇区和块的页数。
所有程序操作的数据闪存发生在页级
逐页;然而,可选的擦除操作
可以在块或页级执行。
2
AT45DB081A
AT45DB081A
内存架构图
部门架构
扇区0 = 8页
2112字节( 2K + 64 )
1扇区= 248页
65472字节( 62K + 1984)
座建筑
扇区0
块0
1座
页面架构
8页
第0页
第1页
部门1
BLOCK 2
块0
部门2 = 256页
67,584字节( 64K + 2K )
第6页
第7页
第8页
BLOCK 30
31座
部门3 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
行业4 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
2区
BLOCK 33
1座
BLOCK 32
第9页
第14页
第15页
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
行业8 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
BLOCK 65
第16页
第17页
第18页
行业9 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
PAGE 4093
BLOCK 510
BLOCK 511
PAGE 4094
PAGE 4095
块= 2112个字节
(2K + 64)
页= 264个字节
(256 + 8)
设备操作
该设备的操作是由从指令控制
主处理器。的指令和他们的相关的列表
操作码是通过4.有效载于表1
指令开始的CS随后的下降沿
合适的8位操作码和所需的缓冲器或主
内存地址的位置。当CS引脚为低电平,触发
SCK引脚控制的操作码和加载
通过所需的缓冲区或主内存地址位置
在SI (串行输入)引脚。所有指令,地址和数据
转移最-显著位( MSB)开始。
寻址缓冲区中引用的数据表使用
术语BFA8 - BFA0表示九位地址
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主
内存寻址使用的术语引用
PA11 - PA0和BA8 - BA0 ,其中PA11 - PA0表示
必须指定一个页面地址12位地址位和
BA8 - BA0表示,以desig-所需的9位地址
奈特页面中的字节地址。
模式3.独立操作码(参考表1 8页
一个完整的列表) ,用于选择哪一个类别将是
用于读取。请参阅“详细位级
读时序“图本数据手册上的详细信息
时钟周期序列的每个模式。
连续阵列读取:
通过提供一个初始
起始地址的主存储器阵列,该Continu-
OU的阵列读命令可被用于顺序地
通过简单地从设备中读取的数据的连续流
提供一个时钟信号的装置;不需要额外的处理
信息或控制信号需要被提供。该
数据闪存集成了一个内部地址计数器
将自动增加在每个时钟周期,使
没有额外的需要一个连续的读操作
tional地址序列。要执行连续读取,
68H或E8H的操作码,必须移入器件
随后24个地址位和32无关位。第一
24位的地址序列的3位保留
向上和向下兼容性,较大和较小
密度设备(见命令序列下的“注意事项
读/写操作“图)。接下来的12位地址
( PA11 - PA0 )指定哪些页面的主存储器阵列
阅读,和24位的最后9位( BA8 - BA0 )
地址序列指定范围内的起始字节地址
该页面。 32不在乎遵循24地址位
位来初始化读操作。以下
32个无关位,额外的时钟脉冲的SCK
销将导致串行数据通过SO被输出(串行
输出)引脚。
读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以被读出
从主存储器或从所述两个数据中的任一个
缓冲区。该数据闪存支持两种类型的读取
模式相对于SCK信号。差异
在模式之间是相对于这些不活动状态
SCK信号,以及哪一个时钟周期数据将开始
要被输出。两类,这是由
四种模式总被定义为无效时钟极性低
或无效时钟极性高和SPI模式0或SPI
3
CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码,地址位,不在乎位,读
荷兰国际集团的数据。当一个页面中的主存储器的终端是
在连续阵列读取达到,该设备将
继续读取在与下一个页面的开始处没有
页边界交叉时发生的延迟(在
从一个页面的结束的开始交叉
下页) 。当主存储器阵列中的最后一个比特有
被读出,该设备将继续读回的
开始记忆的第一页。与交叉
在页面边界,没有延迟会发生时,
从阵列的端部到开始缠绕
阵列的。
在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。最大SCK
频率允许的连续阵列读取的
通过的F定义
汽车
规范。连续阵列
读绕过两个数据缓冲器和叶中的内容
的缓冲区不变。
BURST阵列中读取:
突发阵列读操作
功能几乎相同的连续阵列读
操作,但允许更高的读取吞吐量由泌尿道感染
lizing更快的时钟频率。突发阵列读
命令允许器件在突发数据的整个页面
出在由F定义的最大SCK频率
BAR
参数。突发阵列之间的差异和阅读
连续阵列读取操作仅限于时间
只。使用的操作码和操作码和寻址
序列为突发阵列读取相同的CON-
连续的阵列中读取。 68H或E8H的操作码必须是
移入器件后跟24个地址位和
32无关位。继32无关位,额外
tional时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据
正对SO (串行输出)引脚输出。
与连续阵列读取, CS引脚必须
操作码的装载过程中保持为低电平时,地址
位,不在乎位和数据的读取。在一
脉冲串阵列的读取,当在主存储器中的页的结束
到达(在页面的最后一位被同步输出) ,
该系统必须由最小延迟下一个SCK脉冲
时间t
BRBD
。这个延迟是必要的,以允许该装置
足够的时间来跨越突发读取边界,这
被定义为一个页的结束在存储器到begin-
宁下一个页面。当在主存储器中的最后位
阵列已被读取时,装置将继续读回
在存储器中的第一页的开头。过渡
从阵列中的最后一位回的开头
阵列也被认为是一个突发读取边界。因此,
该系统必须延缓其将用于SCK脉冲
通过的最小时间读出的存储器阵列的第一比特
t
BRBD
.
在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。最大SCK
对于突发阵列读取被定义频率允许
4
这架F
BAR
规范。突发阵列读绕过这两个
数据缓冲器和离开缓冲区的内容
不变。
主存储器页读:
主存储器页
读允许用户直接从中任一项读数据
在主存储器中的4096页,绕过两者的
数据缓冲器和离开缓冲区的内容
不变。要启动页读取, 52H或D2H的操作码
必须移入器件其次是24位地址
与32无关位。 24位的前三位
地址序列为保留位,在未来12地址
位( PA11 - PA0 )指定页地址,而下一个
9位地址( BA8 - BA0 )指定的起始字节
在页面内解决。 32不关心它请遵循位
低的24位地址位被发送到初始化读
操作。继32无关位,附加
在串行数据在SCK脉冲的结果是在SO输出
(串行输出)引脚。 CS引脚必须在保持低
装载操作码,地址位,则无关位
和数据的读出。当在主页的结束
在主存储器页读达到内存,
装置将继续读取在相同的开始
页。在CS引脚从低到高的转变将终止
在读操作和三态SO引脚。
缓冲区中读取:
数据可以从的任一个被读
两个缓冲器,采用不同的操作码,以指定哪一个缓冲区
从阅读。 54H或D4H的一个操作码,用于读取数据
从缓冲器1中,并且56H或D6H的一个操作码,用于读取
从缓冲区2的数据要进行缓冲区读取,则8位
的操作码必须跟15无关位, 9
地址位,以及8无关位。由于缓冲区大小
是264个字节,九位地址( BFA8 - BFA0 )是必需的
指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。
CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码,地址位,不在乎位,读
荷兰国际集团的数据。当一缓冲器的末尾为止,该装置
将继续读回的缓冲区的开始。一
低到高的CS引脚将终止读转型
操作和三态SO引脚。
状态寄存器读:
状态寄存器可
用于确定该设备的就绪/忙状态,则
主存储器页结果缓冲区操作比较
或器件密度。读状态寄存器,
57H或D7H的操作码必须被加载到设备中。
之后的操作码的最后一位被移位,则8位的
状态寄存器,从最高位(第7位) ,将
在接下来的8个时钟周期移出SO引脚。
状态寄存器的五个最显著位将CON组
覃设备的信息,而剩余的三个least-
显著位被保留以供将来使用,将有
未定义的值。后位的状态寄存器的0已
移出,该序列将重演(只要CS
仍然很低, SCK正在切换)与再次启动
第7位在状态寄存器中的数据被不断更新,
所以每个重复序列将输出新的数据。
AT45DB081A
AT45DB081A
状态寄存器的格式
第7位
RDY / BUSY
第6位
COMP
第5位
1
4位
0
第3位
0
第2位
X
第1位
X
位0
X
Ready / Busy状态使用的状态第7位表示稳压
存器。如果第7位是1,那么该设备不忙并准备
以接受下一个命令。如果第7位是0 ,则该设备
处于忙碌状态。用户可以连续轮询位的7
状态寄存器停止SCK一次第7位被输出。
第7位的状态将继续通过SO引脚输出,
一旦设备不再忙,所以国家将
从0更改为1。有八种操作从而可以
导致设备处于繁忙状态:主存储器页
以缓冲传输,主存储器页到缓冲器比较,
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除,
缓冲区到主存储器页编程没有内置
擦除,页擦除,块擦除主存储器页亲
克和自动页重写。
最近期的主存储器页的结果缓冲区
比较操作使用的状态位6所示
注册。如果第6位是0,则在主存储器中的数据
页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1 ,则在
数据存储在主存储器页面的至少一个比特不
匹配在缓冲器中的数据。
器件密度使用比特5,4所示,和图3的
状态寄存器。为AT45DB081A ,三个比特是1 ,
0和0这三个二进制位的十进制值的确
不等同于设备的密度;三个比特表示
与串行不同密度的组合代码
数据闪存设备,允许总共八个不同密度
精读网络gurations 。
部分将首先删除选定的页面在主内存中的所有
1,并且然后程序存储在缓冲器中进入的数据
在主存储器中指定的页面。无论是擦除和
网页编程是内部自定时的
应于吨的最大时间
EP
。在这
时,状态寄存器将指示该部分正忙。
BUFFER主存储器页编程与 -
OUT BUILT -IN ERASE :
在一个以前删除页面
主存储器可以与内容进行编程
无论缓冲器1或缓冲液2.要启动的动作,一个8位的
操作码, 88H缓冲区1或89H缓冲区2 ,必须是
其次三个保留位, 12位地址( PA11-
PA0 )表示在主存储器中指定的页面被写入
十,九附加无关位。当使用低到高
转变发生在CS引脚,该部分将编程
存储在缓冲器中复制到指定页中的主数据
内存。必要的是在主存储器中的页面,该页面
正被编程先前已被擦除。亲
网页编程是内部自定时的,应
发生在吨的最大时间
P
。在这段时间内,所述
状态寄存器将指示该部分正忙。
页擦除:
可选的页擦除命令即可
用于单独擦除任意页面在主存储器中
阵列允许在缓冲区中的主存储器页编程
无内置擦除命令在以后加以利用
时间。要执行页擦除, 81H的操作码必须是
由3个保留位加载到设备上,接着,
12位地址( PA11 - PA0 ) ,九无关位。该
9个地址位用于指定的哪一页
存储器阵列将被擦除。当使用低到高的跃迁
化发生在CS引脚,该部分将删除所选
页到1秒。擦除操作是内部自定时的
应于吨的最大时间
PE
。在这
时,状态寄存器将指示该部分正忙。
BLOCK ERASE :
八页的块可以被删除
一次允许在缓冲区中的主存储器页亲
克无内置擦除命令被用来
降低写入大量的编程时次
数据到该设备。要执行块擦除的操作码
50H必须被加载到设备上,接着是三个
保留位, 9位地址( PA11 - PA3 ) ,和12不要
关注位。的9个地址位被用来指定哪些
的八页块是要被擦除。当使用低到高
转变发生在CS引脚,该部分将清除
八页,以1秒选定的块。擦除操作是
内部自定时的,应在最大
时间t
BE
。在此期间,状态寄存器将指示
该部分是忙。
5
编程和擦除命令
缓冲区写:
数据可以从SI引脚移入
无论是进入缓冲区1或缓冲区2.将数据加载到任何
缓冲器,一个8位的操作码, 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2,
必须跟15无关位和9地址
位( BFA8 - BFA0 ) 。九位地址指定第一
在缓冲器中的字节被写入。的数据被输入后续
荷兰国际集团的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止,
该设备将绕回的开始
缓冲区。数据将继续被加载到缓冲器中,直到
低到高的转变上检测到CS引脚。
缓冲区主要有记忆页编程
BUILT -IN ERASE :
数据写入缓冲区要么1或缓冲区
2可被编程到主存储器中。要启动
操作中,一个8位的操作码, 83H为缓冲器1或86H为
缓冲器2,必须跟着三个保留位,12个
地址位( PA11 - PA0 ) ,在主指定的页面
存储器的写入,并且附加不在乎9位。
当低到高的转变发生在CS引脚上,
特点
100 %兼容AT45DB081
单2.7V - 3.6V电源
串行接口架构
页编程操作
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 4096页( 264字节/页)主内存
可选页和块擦除操作
两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
通过整个阵列连续读取功能
内部的计划和控制的定时器
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
13 MHz的最大时钟频率
硬件数据保护功能
串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
8-megabit
2.7伏只
串行
数据闪存
AT45DB081A
推荐使用
AT45DB081B新
设计。
描述
该AT45DB081A是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合
在系统重新编程。其8650752位存储器组织为4096页
每264个字节。除了在主存储器中, AT45DB081A还含有
每264字节的两个SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收数据的同时,
在主存储器中的页面进行重新编程。不同于传统的闪存
(续)
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页写
保护引脚
芯片复位
就绪/忙
PLCC
CS
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
GND
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TSOP顶视图
类型1
SOIC
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
NC
NC
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CBGA顶视图
通过包装
1
A
NC
NC
NC
VCC
2
3
14
15
16
17
18
19
20
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
5
6
7
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9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
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22
21
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
B
NC
NC
GND
C
SCK
D
CS RDY / BSY WP
E
SO
SI
NC
NC
RESET
NC
NC
F
NC
NC
NC
DC
DC
NC
NC
NC
G
NC
牧师1634D - 1月1日
注: PLCC封装引脚16
和17请勿连接。
1
了与多个随机访问存储器
地址线和并行接口,所述数据闪存使用一
串行接口以顺序地存取其数据。简单
串行接口,方便硬件的布局,增加了系
统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并减少
封装尺寸和积极的引脚数。该设备被优化
在许多商业和工业应用中使用
其中,高密度,低引脚数,低电压和低
电源是必不可少的。典型应用数据闪存
是数字化语音存储,图像存储和数据的存储。
该器件工作的时钟频率高达13 MHz的
同为4 mA典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可重编程中,
AT45DB081A不要求高输入电压为亲
编程。该装置由一个单电源工作
电源, 2.7V至3.6V ,同时为编程和读取操作
系统蒸发散。该AT45DB081A通过片选使能
引脚( CS ),并通过一个三线接口,包括访问
串行输入( SI )中,串行输出( SO )和串行
时钟( SCK ) 。
所有的编程周期是自定时的,并没有单独的
编程前擦除周期。
框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 264字节)
缓冲器1 ( 264字节)
缓冲液2 ( 264字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
为了提供最佳的灵活性,对存储器阵列
AT45DB081A分为三个级别的粒度
包括各部门,块和页面。内存
架构图显示了每个细分
电平,并详细说明的每个扇区和块的页数。
所有程序操作的数据闪存发生在页级
逐页;然而,可选的擦除操作
可以在块或页级执行。
2
AT45DB081A
AT45DB081A
内存架构图
部门架构
扇区0 = 8页
2112字节( 2K + 64 )
1扇区= 248页
65472字节( 62K + 1984)
座建筑
扇区0
块0
1座
页面架构
8页
第0页
第1页
部门1
BLOCK 2
块0
部门2 = 256页
67,584字节( 64K + 2K )
第6页
第7页
第8页
BLOCK 30
31座
部门3 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
行业4 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
2区
BLOCK 33
1座
BLOCK 32
第9页
第14页
第15页
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
行业8 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
BLOCK 65
第16页
第17页
第18页
行业9 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
PAGE 4093
BLOCK 510
BLOCK 511
PAGE 4094
PAGE 4095
块= 2112个字节
(2K + 64)
页= 264个字节
(256 + 8)
设备操作
该设备的操作是由从指令控制
主处理器。的指令和他们的相关的列表
操作码是通过4.有效载于表1
指令开始的CS随后的下降沿
合适的8位操作码和所需的缓冲器或主
内存地址的位置。当CS引脚为低电平,触发
SCK引脚控制的操作码和加载
通过所需的缓冲区或主内存地址位置
在SI (串行输入)引脚。所有指令,地址和数据
转移最-显著位( MSB)开始。
寻址缓冲区中引用的数据表使用
术语BFA8 - BFA0表示九位地址
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主
内存寻址使用的术语引用
PA11 - PA0和BA8 - BA0 ,其中PA11 - PA0表示
必须指定一个页面地址12位地址位和
BA8 - BA0表示,以desig-所需的9位地址
奈特页面中的字节地址。
模式3.独立操作码(参考表1 8页
一个完整的列表) ,用于选择哪一个类别将是
用于读取。请参阅“详细位级
读时序“图本数据手册上的详细信息
时钟周期序列的每个模式。
连续阵列读取:
通过提供一个初始
起始地址的主存储器阵列,该Continu-
OU的阵列读命令可被用于顺序地
通过简单地从设备中读取的数据的连续流
提供一个时钟信号的装置;不需要额外的处理
信息或控制信号需要被提供。该
数据闪存集成了一个内部地址计数器
将自动增加在每个时钟周期,使
没有额外的需要一个连续的读操作
tional地址序列。要执行连续读取,
68H或E8H的操作码,必须移入器件
随后24个地址位和32无关位。第一
24位的地址序列的3位保留
向上和向下兼容性,较大和较小
密度设备(见命令序列下的“注意事项
读/写操作“图)。接下来的12位地址
( PA11 - PA0 )指定哪些页面的主存储器阵列
阅读,和24位的最后9位( BA8 - BA0 )
地址序列指定范围内的起始字节地址
该页面。 32不在乎遵循24地址位
位来初始化读操作。以下
32个无关位,额外的时钟脉冲的SCK
销将导致串行数据通过SO被输出(串行
输出)引脚。
读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以被读出
从主存储器或从所述两个数据中的任一个
缓冲区。该数据闪存支持两种类型的读取
模式相对于SCK信号。差异
在模式之间是相对于这些不活动状态
SCK信号,以及哪一个时钟周期数据将开始
要被输出。两类,这是由
四种模式总被定义为无效时钟极性低
或无效时钟极性高和SPI模式0或SPI
3
CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码,地址位,不在乎位,读
荷兰国际集团的数据。当一个页面中的主存储器的终端是
在连续阵列读取达到,该设备将
继续读取在与下一个页面的开始处没有
页边界交叉时发生的延迟(在
从一个页面的结束的开始交叉
下页) 。当主存储器阵列中的最后一个比特有
被读出,该设备将继续读回的
开始记忆的第一页。与交叉
在页面边界,没有延迟会发生时,
从阵列的端部到开始缠绕
阵列的。
在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。最大SCK
频率允许的连续阵列读取的
通过的F定义
汽车
规范。连续阵列
读绕过两个数据缓冲器和叶中的内容
的缓冲区不变。
BURST阵列中读取:
突发阵列读操作
功能几乎相同的连续阵列读
操作,但允许更高的读取吞吐量由泌尿道感染
lizing更快的时钟频率。突发阵列读
命令允许器件在突发数据的整个页面
出在由F定义的最大SCK频率
BAR
参数。突发阵列之间的差异和阅读
连续阵列读取操作仅限于时间
只。使用的操作码和操作码和寻址
序列为突发阵列读取相同的CON-
连续的阵列中读取。 68H或E8H的操作码必须是
移入器件后跟24个地址位和
32无关位。继32无关位,额外
tional时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据
正对SO (串行输出)引脚输出。
与连续阵列读取, CS引脚必须
操作码的装载过程中保持为低电平时,地址
位,不在乎位和数据的读取。在一
脉冲串阵列的读取,当在主存储器中的页的结束
到达(在页面的最后一位被同步输出) ,
该系统必须由最小延迟下一个SCK脉冲
时间t
BRBD
。这个延迟是必要的,以允许该装置
足够的时间来跨越突发读取边界,这
被定义为一个页的结束在存储器到begin-
宁下一个页面。当在主存储器中的最后位
阵列已被读取时,装置将继续读回
在存储器中的第一页的开头。过渡
从阵列中的最后一位回的开头
阵列也被认为是一个突发读取边界。因此,
该系统必须延缓其将用于SCK脉冲
通过的最小时间读出的存储器阵列的第一比特
t
BRBD
.
在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。最大SCK
对于突发阵列读取被定义频率允许
4
这架F
BAR
规范。突发阵列读绕过这两个
数据缓冲器和离开缓冲区的内容
不变。
主存储器页读:
主存储器页
读允许用户直接从中任一项读数据
在主存储器中的4096页,绕过两者的
数据缓冲器和离开缓冲区的内容
不变。要启动页读取, 52H或D2H的操作码
必须移入器件其次是24位地址
与32无关位。 24位的前三位
地址序列为保留位,在未来12地址
位( PA11 - PA0 )指定页地址,而下一个
9位地址( BA8 - BA0 )指定的起始字节
在页面内解决。 32不关心它请遵循位
低的24位地址位被发送到初始化读
操作。继32无关位,附加
在串行数据在SCK脉冲的结果是在SO输出
(串行输出)引脚。 CS引脚必须在保持低
装载操作码,地址位,则无关位
和数据的读出。当在主页的结束
在主存储器页读达到内存,
装置将继续读取在相同的开始
页。在CS引脚从低到高的转变将终止
在读操作和三态SO引脚。
缓冲区中读取:
数据可以从的任一个被读
两个缓冲器,采用不同的操作码,以指定哪一个缓冲区
从阅读。 54H或D4H的一个操作码,用于读取数据
从缓冲器1中,并且56H或D6H的一个操作码,用于读取
从缓冲区2的数据要进行缓冲区读取,则8位
的操作码必须跟15无关位, 9
地址位,以及8无关位。由于缓冲区大小
是264个字节,九位地址( BFA8 - BFA0 )是必需的
指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。
CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码,地址位,不在乎位,读
荷兰国际集团的数据。当一缓冲器的末尾为止,该装置
将继续读回的缓冲区的开始。一
低到高的CS引脚将终止读转型
操作和三态SO引脚。
状态寄存器读:
状态寄存器可
用于确定该设备的就绪/忙状态,则
主存储器页结果缓冲区操作比较
或器件密度。读状态寄存器,
57H或D7H的操作码必须被加载到设备中。
之后的操作码的最后一位被移位,则8位的
状态寄存器,从最高位(第7位) ,将
在接下来的8个时钟周期移出SO引脚。
状态寄存器的五个最显著位将CON组
覃设备的信息,而剩余的三个least-
显著位被保留以供将来使用,将有
未定义的值。后位的状态寄存器的0已
移出,该序列将重演(只要CS
仍然很低, SCK正在切换)与再次启动
第7位在状态寄存器中的数据被不断更新,
所以每个重复序列将输出新的数据。
AT45DB081A
AT45DB081A
状态寄存器的格式
第7位
RDY / BUSY
第6位
COMP
第5位
1
4位
0
第3位
0
第2位
X
第1位
X
位0
X
Ready / Busy状态使用的状态第7位表示稳压
存器。如果第7位是1,那么该设备不忙并准备
以接受下一个命令。如果第7位是0 ,则该设备
处于忙碌状态。用户可以连续轮询位的7
状态寄存器停止SCK一次第7位被输出。
第7位的状态将继续通过SO引脚输出,
一旦设备不再忙,所以国家将
从0更改为1。有八种操作从而可以
导致设备处于繁忙状态:主存储器页
以缓冲传输,主存储器页到缓冲器比较,
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除,
缓冲区到主存储器页编程没有内置
擦除,页擦除,块擦除主存储器页亲
克和自动页重写。
最近期的主存储器页的结果缓冲区
比较操作使用的状态位6所示
注册。如果第6位是0,则在主存储器中的数据
页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1 ,则在
数据存储在主存储器页面的至少一个比特不
匹配在缓冲器中的数据。
器件密度使用比特5,4所示,和图3的
状态寄存器。为AT45DB081A ,三个比特是1 ,
0和0这三个二进制位的十进制值的确
不等同于设备的密度;三个比特表示
与串行不同密度的组合代码
数据闪存设备,允许总共八个不同密度
精读网络gurations 。
部分将首先删除选定的页面在主内存中的所有
1,并且然后程序存储在缓冲器中进入的数据
在主存储器中指定的页面。无论是擦除和
网页编程是内部自定时的
应于吨的最大时间
EP
。在这
时,状态寄存器将指示该部分正忙。
BUFFER主存储器页编程与 -
OUT BUILT -IN ERASE :
在一个以前删除页面
主存储器可以与内容进行编程
无论缓冲器1或缓冲液2.要启动的动作,一个8位的
操作码, 88H缓冲区1或89H缓冲区2 ,必须是
其次三个保留位, 12位地址( PA11-
PA0 )表示在主存储器中指定的页面被写入
十,九附加无关位。当使用低到高
转变发生在CS引脚,该部分将编程
存储在缓冲器中复制到指定页中的主数据
内存。必要的是在主存储器中的页面,该页面
正被编程先前已被擦除。亲
网页编程是内部自定时的,应
发生在吨的最大时间
P
。在这段时间内,所述
状态寄存器将指示该部分正忙。
页擦除:
可选的页擦除命令即可
用于单独擦除任意页面在主存储器中
阵列允许在缓冲区中的主存储器页编程
无内置擦除命令在以后加以利用
时间。要执行页擦除, 81H的操作码必须是
由3个保留位加载到设备上,接着,
12位地址( PA11 - PA0 ) ,九无关位。该
9个地址位用于指定的哪一页
存储器阵列将被擦除。当使用低到高的跃迁
化发生在CS引脚,该部分将删除所选
页到1秒。擦除操作是内部自定时的
应于吨的最大时间
PE
。在这
时,状态寄存器将指示该部分正忙。
BLOCK ERASE :
八页的块可以被删除
一次允许在缓冲区中的主存储器页亲
克无内置擦除命令被用来
降低写入大量的编程时次
数据到该设备。要执行块擦除的操作码
50H必须被加载到设备上,接着是三个
保留位, 9位地址( PA11 - PA3 ) ,和12不要
关注位。的9个地址位被用来指定哪些
的八页块是要被擦除。当使用低到高
转变发生在CS引脚,该部分将清除
八页,以1秒选定的块。擦除操作是
内部自定时的,应在最大
时间t
BE
。在此期间,状态寄存器将指示
该部分是忙。
5
编程和擦除命令
缓冲区写:
数据可以从SI引脚移入
无论是进入缓冲区1或缓冲区2.将数据加载到任何
缓冲器,一个8位的操作码, 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2,
必须跟15无关位和9地址
位( BFA8 - BFA0 ) 。九位地址指定第一
在缓冲器中的字节被写入。的数据被输入后续
荷兰国际集团的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止,
该设备将绕回的开始
缓冲区。数据将继续被加载到缓冲器中,直到
低到高的转变上检测到CS引脚。
缓冲区主要有记忆页编程
BUILT -IN ERASE :
数据写入缓冲区要么1或缓冲区
2可被编程到主存储器中。要启动
操作中,一个8位的操作码, 83H为缓冲器1或86H为
缓冲器2,必须跟着三个保留位,12个
地址位( PA11 - PA0 ) ,在主指定的页面
存储器的写入,并且附加不在乎9位。
当低到高的转变发生在CS引脚上,