【特点单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源串行外设接口（SPI ）兼容20 MHz的最】,IC型号AT45DB041B-RC-2.5,AT45DB041B-RC-2.5 PDF资料,AT45DB041B-RC-2.5经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

20 MHz的最大时钟频率

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 2048页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而非易失性存储器重新编程

通过整个阵列连续读取功能

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

硬件数据保护功能

100 ％兼容AT45DB041和AT45DB041A

5.0V容错输入： SI ， SCK ， CS ， RESET和WP引脚

商用和工业温度范围

4-megabit

2.5伏或仅

2.7伏只

数据闪存

AT45DB041B

描述

该AT45DB041B是2.5伏或2.7伏只，串行接口闪存理想

适合于各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据的存储

应用程序。其4325376位存储器组织为2048页的264字节

每一个。除了在主存储器中， AT45DB041B还包含两个SRAM数据

每264字节的缓冲区。该缓冲器允许同时在主网页接收数据

MEMOR y的重新编程，以及读取或写入连续

数据流。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与自我处理

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页写

保护引脚

芯片复位

就绪/忙

GND

SCK

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图

类型1

28-SOIC

VCC

RESET

RDY / BUSY

CBGA顶视图

通过包装

VCC

8-SOIC

SCK

RESET

GND

VCC

SCK

GND

CS RDY / BSY WP

RESET

牧师1938F - DFLSH - 10月2日

包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存

了与多个地址线和并行接口，所述随机访问

数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。数据闪存支持

接口SPI模式0和模式3。简单的串行接口有利于硬件布局，

提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和

活跃的引脚数。该装置被用在许多商业和工业优化

应用高密度，低引脚数，低电压和低功耗是必不可少的。

该器件工作的时钟频率高达20 MHz的典型的读操作工作电流

为4 mA消耗。

为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB041B不需要

高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，

2.5V至3.6V或2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该

AT45DB041B通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由三线访问

接口，包括串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和串行时钟

（ SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

当设备从爱特梅尔，存储器阵列的最显著页运

可能不会被删除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充有

FFH 。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器1 （ 264字节）

缓冲液2 （ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB041B的存储器阵列被划分为三个

粒度，包括行业，块和页面的水平。内存架构

图说明了每个级别的细分，并详细介绍了每个页面数

部门和块。所有程序操作的数据闪存出现一个页面，通过页面上的

基础;然而，可选的擦除操作可在块或页来执行

的水平。

AT45DB041B

1938F–DFLSH–10/02

AT45DB041B

内存架构图

部门架构

扇区0 = 8页

2112字节（ 2K + 64 ）

1扇区= 248页

65472字节（ 62K + 1984）

座建筑

扇区0

块0

1座

页面架构

8页

块0

第0页

第1页

部门1

BLOCK 2

部门2 = 256页

67,584字节（ 64K + 2K ）

第6页

第7页

第8页

BLOCK 30

31座

2区

部门3 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 33

1座

BLOCK 32

第9页

第14页

第15页

BLOCK 62

行业4 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 63

BLOCK 64

BLOCK 65

第16页

第17页

第18页

行业5 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 254

BLOCK 255

PAGE 2045

PAGE 2046

PAGE 2047

块= 2112个字节

(2K + 64)

页= 264个字节

(256 + 8)

设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表

说明书和其相关的操作码是通过4，一种有效载于表1

指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主

通过SI （串行输入）引脚内存地址的位置。所有指令，地址

和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用使用的术语BFA8数据表 - BFA0到

表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的9个地址位。主

内存寻址用的术语PA10引用 - PA0和BA8 - BA0

其中， PA10 - PA0表示指定的网页地址所需的11位地址

和BA8 - BA0表示指定字节地址所需的9位地址

内的页面。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

无论是两个数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持两种类型的读取

模式相对于SCK信号。模式之间的差异是在相对于

在SCK信号的无效状态，以及哪一个时钟周期数据将开始

输出。两个类别，可以由四种模式总被定义为

不活跃时钟极性低或无效时钟极性高和SPI模式0和SPI

模式3.独立操作码（参阅表1第10页上的完整列表）来

选择哪一个类别将被用于读取。请参阅“详细位级

读时序“图本数据表的详细信息，在时钟周期序列

每个模式。

连续阵列读取：

通过对主供给一个初始地址

存储器阵列，该阵列的连续读指令可以被用来依次

通过简单地提供一个时钟信号，从设备读取数据的连续流;没有

附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存

集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟

1938F–DFLSH–10/02

循环，使一个连续的读操作，而不会额外地址的需要

序列。要执行连续读取， 68H或E8H的操作码的时钟必须

入设备后跟24个地址位和32无关位。第4位的

24位的地址序列被保留用于向上和向下兼容性

较大和较小的密度设备（参见命令序列下的“注意事项

读/写操作“图）。在接下来的11个地址位（ PA10 - PA0 ）指定

主存储器阵列的页面，阅读，最后9位（ BA8 - BA0 ） 24位

地址序列指定页面内的起始字节地址。 32不在乎

需要遵循的24个地址位的比特来初始化读操作。以下

32个无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据

正对SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，在不

关心的位，并且数据的读取。当达到在主存储器中的页的结束

在连续阵列读取，该设备将继续读数的开始

下一个页面，没有延迟页边界交叉时发生的（交叉

从一个页面的结尾到下一个页面的开始处）。当在所述的最后位

主存储器阵列被读出时，所述装置将继续读回，最好在开头

宁存储器的第一页。如同穿越了页面边界，没有延迟会

从阵列的末端缠绕时的开始时发生的

数组。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态

SO引脚。最大SCK频率允许的连续阵列读取的

通过的F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过两个数据缓冲的

ERS和离开缓冲区的内容不变。

主存储器页读：

主存储器页读允许读数据的用户

直接从任一2048页中的主存储器的，绕过这两个数据

缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取，一个

52H或D2H的操作码，必须移入器件其次是24位地址位和

32无关位。第4位的24位地址序列是保留位，

在接下来的11个地址位（ PA10 - PA0 ）指定的网页的地址，和下一个9

地址位（ BA8 - BA0 ）指定的起始字节的页内地址。 32不要

关注位随后的24位地址位被发送到初始化读操作。跟着

哞哞叫的32无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据被输出

在SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，不在乎位，并且数据的读取。时的一个末端

在主存储器页读到达主内存页面，该设备将CON组

tinue读取在同一页的开头。在CS引脚从低到高的转变

将终止读操作和三态SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的

操作码指定要读取哪个缓冲区。 54H或D4H的一个操作码，用于读取

从缓冲器1中，并且56H或D6H的一个操作码的数据，用于读取数据从缓冲器2向

执行一个缓冲器读，则8位的操作码的后面必须跟15不在乎

位， 9位地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小为264个字节，九

地址位（ BFA8 - BFA0 ）都需要指定数据的第一字节到从读

缓冲区。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址

位，不在乎位，并且数据的读取。当达到缓冲器的结尾，

所述装置将继续读回的缓冲区的开始。低到高的跃迁

灰CS引脚将终止读操作和三态SO引脚。

状态寄存器读：

状态寄存器可用于确定设备的

Ready / Busy状态，主存储器页面的结果来缓冲比较操作，或

该器件密度。读状态寄存器， 57H或D7H的操作码必须是

AT45DB041B

1938F–DFLSH–10/02

AT45DB041B

加载到该设备。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的

状态寄存器，从最高位（第7位），将在移出SO引脚

接下来的8个时钟周期。状态寄存器的五个最显著位将包含

设备的信息，而剩余的三个最小显著位被保留以供将来

使用，将有未定义的值。后位的状态寄存器的0已转移

出，该序列将重演（只要CS仍然很低， SCK正在瓶酒

GLED ）与第7位在状态寄存器中的数据重新开始不断更新，所以

每个重复序列将输出新的数据。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则

设备不忙，并准备接受下一个命令。如果第7位是0，则

设备处于忙状态。用户可以通过不断地轮询位的状态寄存器的第7

在低电平停止SCK一旦第7位被输出。第7位的状态将继续

要对SO引脚输出，一旦设备不再忙，所以国家将

改变从0到1有八个操作可导致设备是在一个

忙碌的状态：主内存页，以缓冲传输，主存储器页到缓冲器的COM

削，缓冲到主存储器页编程带内置擦除，缓冲到主内存

页面程序没有内置擦除，页擦除，块擦除，主存储器页

程序，自动页重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示，后跟

在状态寄存器的第6位标识。如果第6位是0，则在主存储器中的数据

页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，在数据的话，至少一个位

主存储器页不存在于缓冲器匹配的数据。

器件密度使用比特5 ， 4,3和2中的状态寄存器的指示。对于

AT45DB041B ，四个位是0， 1,1和1。这四个二进制位的十进制值

并不等同于该设备的密度;四个位表示一个组合码

有关的串行数据闪存器件不同的密度，从而总共16个昼夜温差

同的密度配置。

编程和擦除

COMMANDS

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。

将数据加载到任何的缓冲区，一个8位的操作码， 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须

跟着15不在乎位和9位地址（ BFA8 - BFA0 ）。九

地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的数据被输入之后

的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将环绕

备份到缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器中，直到

低到高的转变上检测到CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动

操作中，一个8位的操作码， 83H为缓冲器1或86H缓冲区2中，必须遵循由

4保留位， 11位地址（ PA10 - PA0 ），在主指定的页面

存储器的写入，并且附加不在乎9位。当低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1

然后程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据

ORY 。无论是擦除和页编程在内部自定时的

应于吨的最大时间

。在此期间，状态寄存器将indi-

美食，该部分正忙。

1938F–DFLSH–10/02

特点

单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

20 MHz的最大时钟频率

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 2048页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而重新编程的闪存阵列

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

硬件数据保护功能

5.0V容错输入： SI ， SCK ， CS ， RESET和WP引脚

商用和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）封装选项

4-megabit

2.5伏或

2.7-volt

数据闪存

AT45DB041B

1.描述

该AT45DB041B是一个SPI兼容串行接口闪存非常适合

对于各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用的

系统蒸发散。其4325376位存储器组织为2048页，每页264字节。在

除了主存储器，所述AT45DB041B还包含两个SRAM数据缓冲区

每264个字节。

数据的缓冲器允许接收，而在主存储器中的页面是被重现

编程，以及读取或写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真

（位或字节变性）被容易地与一个自包含三个步骤的读 - 修改处理

写操作。不同于与随机访问的普通闪存

多个地址线和并行接口，所述数据闪存使用SPI串行接口

面对以顺序地存取其数据。数据闪存支持SPI模式0和模式3。

简单的串行接口，方便硬件的布局，提高了系统的可靠性，迷你

mizes开关噪声，并减少封装尺寸和积极的引脚数。该装置是

用在许多商业和工业应用中，高密度进行优化，

低引脚数，低电压和低功耗是至关重要的。该器件工作的时钟

频率高达20MHz具有典型的活性读为4 mA的电流消耗。

为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB041B不需要

高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，

2.5V至3.6V或2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该

AT45DB041B通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由三访问

线材接口，包括串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和串行

时钟（ SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

3443C–DFLSH–5/05

当设备从Atmel公司出厂时，存储器阵列的最显著页可以不

被擦除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充为FFH。

2.引脚配置和封装

表2-1 。

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

销刀豆网络gurations

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页写保护引脚

芯片复位

就绪/忙

图2-1 。

TSOP顶视图类型1

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

图2-2 。

CASON - 顶视图通过包装

SCK

RESET

图2-3 。

SCK

RESET

8-SOIC

GND

VCC

GND

VCC

图2-4 。

28-SOIC

(1)

GND

SCK

VCC

RESET

RDY / BUSY

图2-5 。

CBGA顶视图

通过包装

VCC

SCK

GND

CS RDY / BSY WP

RESET

注意：

1.下一代数据闪存的设备将不会被

在28 - SOIC封装，因此，这种封装

年龄不推荐用于新设计。

AT45DB041B

3443C–DFLSH–5/05

AT45DB041B

3.框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器1 （ 264字节）

缓冲液2 （ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

4.内存阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB041B的存储器阵列被划分为三个等级

粒度，包括行业，块和页面。内存架构图illus-

trates每个级别的故障，并详细说明的每个扇区和块的页数。所有

程序操作的数据闪存出现在页面上逐页的基础;然而，可选的

擦除操作可在块或页级别来执行。

图4-1 。

内存架构图

座建筑

扇区0

块0

1座

部门架构

扇区0 = 8页

2112字节（ 2K + 64 ）

1扇区= 248页

65472字节（ 62K + 1984）

页面架构

8页

块0

第0页

第1页

部门1

BLOCK 2

部门2 = 256页

67,584字节（ 64K + 2K ）

第6页

第7页

第8页

BLOCK 30

31座

2区

部门3 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 33

1座

BLOCK 32

第9页

第14页

第15页

BLOCK 62

行业4 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 63

BLOCK 64

BLOCK 65

第16页

第17页

第18页

行业5 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 254

BLOCK 255

PAGE 2045

PAGE 2046

PAGE 2047

块= 2112个字节

(2K + 64)

页= 264个字节

(256 + 8)

3443C–DFLSH–5/05

5.设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表

及其相关的操作码至4载于表1有效指令开始

连拍的后跟适当的8位操作码和所需的缓冲器或主要的下降沿

内存地址的位置。当CS引脚为低电平，触发SCK引脚控制的负载

操作码，并通过在SI （串行输入）所需的缓冲区或主存储器地址位置

引脚。所有指令，地址和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA8 - BFA0表示

所需要的9个地址位到缓冲器内指定一个字节地址。主存储器

针对正在使用的术语引用PA10 - PA0和BA8 - BA0 ，其中PA10 - PA0

表示需要指定一个网页地址，并BA8的11位地址 - BA0表示

所需的9位地址的页面中指定一个字节的地址。

5.1

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取任

所述两个数据缓冲区。该数据闪存支持两种类型的读出模式有关的

SCK信号。模式之间的差异是在相对于的非活动状态

SCK信号以及其时钟周期的数据将开始被输出。两类，其中

是由四种模式总被定义为无效时钟极性低或不活动的时钟

高极性和SPI模式0和SPI模式3.独立操作码（参见

表5-3第10页

对于一个完整的列表），用于选择哪一个类别将用于读出。请参阅

本数据表“详细的位级读时序”图上的时钟周期的详细信息

序列的每个模式。

5.1.1

连续阵列读

通过提供一个初始地址的主存储器阵列，该阵列的连续读

命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流

简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要

来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动

计数器每个时钟周期，使一个连续的读操作，而不需要

额外的地址序列。要执行连续读取， 68H或E8H的操作码必须是

移入器件其次是24位地址位和32无关位。第4位的

24位的地址序列被保留用于向上和向下兼容性，以较大的和

密度较小的设备（见注下“命令序列进行读/写操作” dia-

克）。在接下来的11个地址位（ PA10 - PA0 ）指定哪些页面的主存储器阵列的给

看完了，最后9位（ BA8 - BA0 ）的24位地址序列指定的起始字节

在页面内解决。 32不在乎遵循，需要到起始的24个地址位的位

tialize读取操作。继32无关位，额外的时钟脉冲的SCK

销将导致串行数据是在SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址位，则不在乎

位，并且数据的读取。当在一个反面达到在主存储器中的页的结束

连续的阵列读取，所述装置将继续读取下一个页面的无初

页边界交叉（从一个页面的末端交叉过程中发生的延误

下一个页面的开始处）。当主存储器阵列中的最后一位被读出，

装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。与交叉

在页面边界，无延迟，将的结束缠绕时，将发生

阵列到阵列的开头。

AT45DB041B

3443C–DFLSH–5/05

AT45DB041B

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态SO引脚。

最大SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和叶子的内容

的缓冲区不变。

5.1.2

主存储器页读

A主存储器页读允许用户直接从2048页中的任何一个读数据

在主存储器中，从而绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容

不变。要启动页读取， 52H或D2H的操作码，必须移入设备跟着

24个地址位和32无关位钮。第4位的24位地址的

顺序为保留位，接下来的11个地址位（ PA10 - PA0 ）指定的页面地址，

而接下来的9位地址（ BA8 - BA0 ）指定页面内的起始字节地址。

32不在乎随后的24位地址位被发送到初始化读操作的位。

继32无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据被输出

在SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持低，

地址位，不在乎位，并且数据的读取。当在主MEM-一个页面的末尾

在主存储器页读达到储器，该设备将继续阅读在

开始在同一页的。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作

ATION和三态SO引脚。

缓冲区读

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的操作码来指定哪些

从缓冲区读取。 54H或D4H的一个操作码，用于读取来自缓冲器1的数据，和一个操作码

56H或D6H的用于读取从缓冲器2的数据要执行缓冲器读，则8位的

操作码必须跟15无关位， 9位地址，八不在乎位。自

缓冲区的大小为264字节， 9个地址位（ BFA8 - BFA0 ）需要指定的第一个字节

的数据被从缓冲区中读出。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，

地址位，不在乎位，并且数据的读取。当缓冲器的末端是

达到，该设备将继续读回的缓冲区的开始。低到高的转录

习得CS引脚将终止读操作和三态SO引脚。

5.1.4

状态寄存器读

状态寄存器可用于确定设备的就绪/忙状态的结果

主内存页，以缓冲比较操作，或设备的密度。要阅读稳压状态

存器， 57H或D7H的一个操作码必须被加载到设备中。之后的操作码的最后一位是

移入，则8位的状态寄存器，从最高位（第7位），将在移出

在接下来的8个时钟周期的SO引脚。状态寄存器的五个最显著位

将包含设备的信息，而剩余的三个最小显著位保留

将来使用，将有未定义的值。后位的状态寄存器0已经移出，

该序列将重演（只要CS仍然很低， SCK被触发）启动

再次用第7位，在状态寄存器中的数据被不断更新，所以各重复

序列将输出新的数据。

5.1.3

表5-1 。

第7位

RDY / BUSY

状态寄存器的格式

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

3443C–DFLSH–5/05

特点

单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

20 MHz的最大时钟频率

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 2048页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而非易失性存储器重新编程

通过整个阵列连续读取功能

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

硬件数据保护功能

100 ％兼容AT45DB041和AT45DB041A

5.0V容错输入： SI ， SCK ， CS ， RESET和WP引脚

商用和工业温度范围

4-megabit

2.5伏或仅

2.7伏只

数据闪存

AT45DB041B

描述

该AT45DB041B是2.5伏或2.7伏只，串行接口闪存理想

适合于各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据的存储

应用程序。其4325376位存储器组织为2048页的264字节

每一个。除了在主存储器中， AT45DB041B还包含两个SRAM数据

每264字节的缓冲区。该缓冲器允许同时在主网页接收数据

MEMOR y的重新编程，以及读取或写入连续

数据流。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与自我处理

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

硬件页写

保护引脚

芯片复位

就绪/忙

GND

SCK

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

TSOP顶视图

类型1

28-SOIC

VCC

RESET

RDY / BUSY

CBGA顶视图

通过包装

VCC

8-SOIC

SCK

RESET

GND

VCC

SCK

GND

CS RDY / BSY WP

RESET

牧师1938F - DFLSH - 10月2日

包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存

了与多个地址线和并行接口，所述随机访问

数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。数据闪存支持

接口SPI模式0和模式3。简单的串行接口有利于硬件布局，

提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和

活跃的引脚数。该装置被用在许多商业和工业优化

应用高密度，低引脚数，低电压和低功耗是必不可少的。

该器件工作的时钟频率高达20 MHz的典型的读操作工作电流

为4 mA消耗。

为了让简单的系统内可再编程，该AT45DB041B不需要

高输入电压进行编程。该器件采用单电源供电，

2.5V至3.6V或2.7V至3.6V ，为节目和读取操作。该

AT45DB041B通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由三线访问

接口，包括串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和串行时钟

（ SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

当设备从爱特梅尔，存储器阵列的最显著页运

可能不会被删除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充有

FFH 。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器1 （ 264字节）

缓冲液2 （ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB041B的存储器阵列被划分为三个

粒度，包括行业，块和页面的水平。内存架构

图说明了每个级别的细分，并详细介绍了每个页面数

部门和块。所有程序操作的数据闪存出现一个页面，通过页面上的

基础;然而，可选的擦除操作可在块或页来执行

的水平。

AT45DB041B

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AT45DB041B

内存架构图

部门架构

扇区0 = 8页

2112字节（ 2K + 64 ）

1扇区= 248页

65472字节（ 62K + 1984）

座建筑

扇区0

块0

1座

页面架构

8页

块0

第0页

第1页

部门1

BLOCK 2

部门2 = 256页

67,584字节（ 64K + 2K ）

第6页

第7页

第8页

BLOCK 30

31座

2区

部门3 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 33

1座

BLOCK 32

第9页

第14页

第15页

BLOCK 62

行业4 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 63

BLOCK 64

BLOCK 65

第16页

第17页

第18页

行业5 = 512页

135,168字节（ 128K + 4K ）

BLOCK 254

BLOCK 255

PAGE 2045

PAGE 2046

PAGE 2047

块= 2112个字节

(2K + 64)

页= 264个字节

(256 + 8)

设备操作

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。列表

说明书和其相关的操作码是通过4，一种有效载于表1

指令开始在CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

和期望的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平时，将触发

岭大战SCK引脚控制操作码的负载和所需的缓冲区或主

通过SI （串行输入）引脚内存地址的位置。所有指令，地址

和数据传送的最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用使用的术语BFA8数据表 - BFA0到

表示一个缓冲区内指定一个字节地址所需的9个地址位。主

内存寻址用的术语PA10引用 - PA0和BA8 - BA0

其中， PA10 - PA0表示指定的网页地址所需的11位地址

和BA8 - BA0表示指定字节地址所需的9位地址

内的页面。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

无论是两个数据缓冲器中的一个。该数据闪存支持两种类型的读取

模式相对于SCK信号。模式之间的差异是在相对于

在SCK信号的无效状态，以及哪一个时钟周期数据将开始

输出。两个类别，可以由四种模式总被定义为

不活跃时钟极性低或无效时钟极性高和SPI模式0和SPI

模式3.独立操作码（参阅表1第10页上的完整列表）来

选择哪一个类别将被用于读取。请参阅“详细位级

读时序“图本数据表的详细信息，在时钟周期序列

每个模式。

连续阵列读取：

通过对主供给一个初始地址

存储器阵列，该阵列的连续读指令可以被用来依次

通过简单地提供一个时钟信号，从设备读取数据的连续流;没有

附加寻址信息或控制信号需要被提供。该数据闪存

集成了一个内部地址计数器会自动加在每个时钟

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循环，使一个连续的读操作，而不会额外地址的需要

序列。要执行连续读取， 68H或E8H的操作码的时钟必须

入设备后跟24个地址位和32无关位。第4位的

24位的地址序列被保留用于向上和向下兼容性

较大和较小的密度设备（参见命令序列下的“注意事项

读/写操作“图）。在接下来的11个地址位（ PA10 - PA0 ）指定

主存储器阵列的页面，阅读，最后9位（ BA8 - BA0 ） 24位

地址序列指定页面内的起始字节地址。 32不在乎

需要遵循的24个地址位的比特来初始化读操作。以下

32个无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据

正对SO （串行输出）引脚输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，在不

关心的位，并且数据的读取。当达到在主存储器中的页的结束

在连续阵列读取，该设备将继续读数的开始

下一个页面，没有延迟页边界交叉时发生的（交叉

从一个页面的结尾到下一个页面的开始处）。当在所述的最后位

主存储器阵列被读出时，所述装置将继续读回，最好在开头

宁存储器的第一页。如同穿越了页面边界，没有延迟会

从阵列的末端缠绕时的开始时发生的

数组。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态

SO引脚。最大SCK频率允许的连续阵列读取的

通过的F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过两个数据缓冲的

ERS和离开缓冲区的内容不变。

主存储器页读：

主存储器页读允许读数据的用户

直接从任一2048页中的主存储器的，绕过这两个数据

缓冲液和离开该缓冲器中的内容不变。要启动页面读取，一个

52H或D2H的操作码，必须移入器件其次是24位地址位和

32无关位。第4位的24位地址序列是保留位，

在接下来的11个地址位（ PA10 - PA0 ）指定的网页的地址，和下一个9

地址位（ BA8 - BA0 ）指定的起始字节的页内地址。 32不要

关注位随后的24位地址位被发送到初始化读操作。跟着

哞哞叫的32无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据被输出

在SO （串行输出）引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，不在乎位，并且数据的读取。时的一个末端

在主存储器页读到达主内存页面，该设备将CON组

tinue读取在同一页的开头。在CS引脚从低到高的转变

将终止读操作和三态SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以从任一所述两个缓冲器的读出，使用不同的

操作码指定要读取哪个缓冲区。 54H或D4H的一个操作码，用于读取

从缓冲器1中，并且56H或D6H的一个操作码的数据，用于读取数据从缓冲器2向

执行一个缓冲器读，则8位的操作码的后面必须跟15不在乎

位， 9位地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小为264个字节，九

地址位（ BFA8 - BFA0 ）都需要指定数据的第一字节到从读

缓冲区。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址

位，不在乎位，并且数据的读取。当达到缓冲器的结尾，

所述装置将继续读回的缓冲区的开始。低到高的跃迁

灰CS引脚将终止读操作和三态SO引脚。

状态寄存器读：

状态寄存器可用于确定设备的

Ready / Busy状态，主存储器页面的结果来缓冲比较操作，或

该器件密度。读状态寄存器， 57H或D7H的操作码必须是

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AT45DB041B

加载到该设备。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的

状态寄存器，从最高位（第7位），将在移出SO引脚

接下来的8个时钟周期。状态寄存器的五个最显著位将包含

设备的信息，而剩余的三个最小显著位被保留以供将来

使用，将有未定义的值。后位的状态寄存器的0已转移

出，该序列将重演（只要CS仍然很低， SCK正在瓶酒

GLED ）与第7位在状态寄存器中的数据重新开始不断更新，所以

每个重复序列将输出新的数据。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则

设备不忙，并准备接受下一个命令。如果第7位是0，则

设备处于忙状态。用户可以通过不断地轮询位的状态寄存器的第7

在低电平停止SCK一旦第7位被输出。第7位的状态将继续

要对SO引脚输出，一旦设备不再忙，所以国家将

改变从0到1有八个操作可导致设备是在一个

忙碌的状态：主内存页，以缓冲传输，主存储器页到缓冲器的COM

削，缓冲到主存储器页编程带内置擦除，缓冲到主内存

页面程序没有内置擦除，页擦除，块擦除，主存储器页

程序，自动页重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示，后跟

在状态寄存器的第6位标识。如果第6位是0，则在主存储器中的数据

页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，在数据的话，至少一个位

主存储器页不存在于缓冲器匹配的数据。

器件密度使用比特5 ， 4,3和2中的状态寄存器的指示。对于

AT45DB041B ，四个位是0， 1,1和1。这四个二进制位的十进制值

并不等同于该设备的密度;四个位表示一个组合码

有关的串行数据闪存器件不同的密度，从而总共16个昼夜温差

同的密度配置。

编程和擦除

COMMANDS

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。

将数据加载到任何的缓冲区，一个8位的操作码， 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须

跟着15不在乎位和9位地址（ BFA8 - BFA0 ）。九

地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的数据被输入之后

的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将环绕

备份到缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器中，直到

低到高的转变上检测到CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动

操作中，一个8位的操作码， 83H为缓冲器1或86H缓冲区2中，必须遵循由

4保留位， 11位地址（ PA10 - PA0 ），在主指定的页面

存储器的写入，并且附加不在乎9位。当低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1

然后程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据

ORY 。无论是擦除和页编程在内部自定时的

应于吨的最大时间

。在此期间，状态寄存器将indi-

美食，该部分正忙。

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