特点
100 %兼容AT45DB041
单2.5V - 3.0V或2.7V - 3.6V电源
串行接口架构
页编程操作
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 2048页( 264字节/页)主内存
可选页和块擦除操作
两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
通过整个阵列连续读取功能
内部的计划和控制的定时器
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
13 MHz的最大时钟频率
硬件数据保护功能
串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
4-megabit
2.5伏只
串行
数据闪存
AT45DB041A
推荐使用
AT45DB041B新
设计。
描述
该AT45DB041A是一个只有2.5伏,串行接口闪存适合
在系统重新编程。其4325376位存储器组织为2048页
每264个字节。除了在主存储器中, AT45DB041A还含有
每264字节的两个SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收数据的同时,
在主存储器中的页面进行重新编程。不同于传统的闪存
(续)
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页写
保护引脚
芯片复位
就绪/忙
PLCC
CS
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
GND
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TSOP顶视图
类型1
SOIC
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
NC
NC
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CBGA顶视图
通过包装
1
2
3
14
15
16
17
18
19
20
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
NC
NC
VCC
B
SCK
GND
C
CS RDY / BSY WP
D
SO
SI
NC
RESET
NC
NC
NC
DC
DC
NC
NC
NC
E
NC
牧师1432D - 1月1日
注: PLCC封装引脚16
和17请勿连接。
1
了与多个随机访问存储器
地址线和并行接口,所述数据闪存使用一
串行接口以顺序地存取其数据。简单
串行接口,方便硬件的布局,增加了系
统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并减少
封装尺寸和积极的引脚数。该设备被优化
在许多商业和工业应用中使用
其中,高密度,低引脚数,低电压和低
电源是必不可少的。典型应用数据闪存
是数字化语音存储,图像存储和数据的存储。
该器件工作的时钟频率高达13 MHz的
同为4 mA典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可重编程中,
AT45DB041A不要求高输入电压为亲
编程。该装置由一个单电源工作
电源, 2.5V至3.0V或2.7V至3.6V ,两种方案
和读取操作。该AT45DB041A通过启用
芯片选择引脚(CS ),并通过三线访问
接口,包括串行输入( SI )中,串行输出
(SO )和串行时钟(SCK ) 。
所有的编程周期是自定时的,并没有单独的
编程前擦除周期。
框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 264字节)
缓冲器1 ( 264字节)
缓冲液2 ( 264字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
为了提供最佳的灵活性,对存储器阵列
AT45DB041A分为三个级别的粒度
包括部门,块和页面。内存
架构图显示了每个细分
电平,并详细说明的每个扇区和块的页数。
所有程序操作的数据闪存发生在页级
逐页;然而,可选的擦除操作
可以在块或页级执行。
2
AT45DB041A
AT45DB041A
内存架构图
部门架构
扇区0 = 8页
2112字节( 2K + 64 )
1扇区= 248页
65472字节( 62K + 1984)
座建筑
扇区0
块0
1座
页面架构
8页
块0
第0页
第1页
部门1
BLOCK 2
部门2 = 256页
67,584字节( 64K + 2K )
第6页
第7页
第8页
BLOCK 30
31座
2区
部门3 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
BLOCK 33
1座
BLOCK 32
第9页
第14页
第15页
BLOCK 62
行业4 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
BLOCK 63
BLOCK 64
BLOCK 65
第16页
第17页
第18页
行业5 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
BLOCK 254
BLOCK 255
PAGE 2045
PAGE 2046
PAGE 2047
块= 2112个字节
(2K + 64)
页= 264个字节
(256 + 8)
设备操作
该设备的操作是由从指令控制
主处理器。的指令和他们的相关的列表
操作码是通过4.有效载于表1
指令开始的CS随后的下降沿
合适的8位操作码和所需的缓冲器或主
内存地址的位置。当CS引脚为低电平,触发
SCK引脚控制的操作码和加载
通过所需的缓冲区或主内存地址位置
在SI (串行输入)引脚。所有指令,地址和数据
转移最-显著位( MSB)开始。
寻址缓冲区中引用的数据表使用
术语BFA8 - BFA0表示九位地址
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主
内存寻址使用的术语引用
PA10 - PA0和BA8 - BA0 ,其中PA10 - PA0表示
必须指定一个页面地址11位地址位和
BA8 - BA0表示,以desig-所需的9位地址
奈特页面中的字节地址。
模式3.独立操作码(参考表1 8页
一个完整的列表) ,用于选择哪一个类别将是
用于读取。请参阅“详细位级
读时序“图本数据手册上的详细信息
时钟周期序列的每个模式。
连续阵列读取:
通过提供一个初始
起始地址的主存储器阵列,该Continu-
OU的阵列读命令可被用于顺序地
通过简单地从设备中读取的数据的连续流
提供一个时钟信号的装置;不需要额外的处理
信息或控制信号需要被提供。该
数据闪存集成了一个内部地址计数器
将自动增加在每个时钟周期,使
没有额外的需要一个连续的读操作
tional地址序列。要执行连续读取,
68H或E8H的操作码,必须移入器件
随后24个地址位和32无关位。第一
四个比特的24位地址序列被保留用于
向上和向下兼容性,较大和较小
密度设备(见命令序列下的“注意事项
读/写操作“图)。在接下来的11个地址位
( PA10 - PA0 )指定哪些页面的主存储器阵列
阅读,和24位的最后9位( BA8 - BA0 )
地址序列指定范围内的起始字节地址
该页面。 32不在乎遵循24地址位
位来初始化读操作。以下
32个无关位,额外的时钟脉冲的SCK
销将导致串行数据通过SO被输出(串行
输出)引脚。
读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以被读出
从主存储器或从所述两个数据中的任一个
缓冲区。该数据闪存支持两种类型的读取
模式相对于SCK信号。差异
在模式之间是相对于这些不活动状态
SCK信号,以及哪一个时钟周期数据将开始
要被输出。两类,这是由
四种模式总被定义为无效时钟极性低
或无效时钟极性高和SPI模式0或SPI
3
CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码,地址位,不在乎位,读
荷兰国际集团的数据。当一个页面中的主存储器的终端是
在连续阵列读取达到,该设备将
继续读取在与下一个页面的开始处没有
页边界交叉时发生的延迟(在
从一个页面的结束的开始交叉
下页) 。当主存储器阵列中的最后一个比特有
被读出,该设备将继续读回的
开始记忆的第一页。与交叉
在页面边界,没有延迟会发生时,
从阵列的端部到开始缠绕
阵列的。
在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。最大SCK
频率允许的连续阵列读取的
通过的F定义
汽车
规范。连续阵列
读绕过两个数据缓冲器和叶中的内容
的缓冲区不变。
BURST阵列中读取:
突发阵列读操作
功能几乎相同的连续阵列读
操作,但允许更高的读取吞吐量由泌尿道感染
lizing更快的时钟频率。突发阵列读
命令允许器件在突发数据的整个页面
出在由F定义的最大SCK频率
BAR
参数。突发阵列之间的差异和阅读
连续阵列读取操作仅限于时间
只。使用的操作码和操作码和寻址
序列为突发阵列读取相同的CON-
连续的阵列中读取。 68H或E8H的操作码必须是
移入器件后跟24个地址位和
32无关位。继32无关位,额外
tional时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据
正对SO (串行输出)引脚输出。
与连续阵列读取, CS引脚必须
操作码的装载过程中保持为低电平时,地址
位,不在乎位,并且数据的读取。在一
脉冲串阵列的读取,当在主存储器中的页的结束
到达(在页面的最后一位被同步输出) ,
该系统必须由最小延迟下一个SCK脉冲
时间t
BRBD
。这个延迟是必要的,以允许该装置
足够的时间来跨越突发读取边界,这
被定义为一个页的结束在存储器到begin-
宁下一个页面。当在主存储器中的最后位
阵列已被读取时,装置将继续读回
在存储器中的第一页的开头。过渡
从阵列中的最后一位回的开头
阵列也被认为是一个突发读取边界。因此,
该系统必须延缓其将用于SCK脉冲
通过的最小时间读出的存储器阵列的第一比特
t
BRBD
.
在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。最大SCK
对于突发阵列读取被定义频率允许
4
这架F
BAR
规范。突发阵列读绕过这两个
数据缓冲器和离开缓冲区的内容
不变。
主存储器页读:
主存储器页
读允许用户直接从中任一项读数据
在2048页中的主存储器,绕过两者的
数据缓冲器和离开缓冲区的内容
不变。要启动页读取, 52H或D2H的操作码
必须移入器件其次是24位地址
与32无关位。第4位的24位的
地址序列为保留位,下一个11地址
位( PA10 - PA0 )指定页地址,而下一个
9位地址( BA8 - BA0 )指定的起始字节
在页面内解决。 32不关心它请遵循位
低的24位地址位被发送到初始化读
操作。继32无关位,附加
在串行数据在SCK脉冲的结果是在SO输出
(串行输出)引脚。 CS引脚必须在保持低
装载操作码,地址位,则不在乎位,
和数据的读出。当在主页的结束
在主存储器页读达到内存,
装置将继续读取在相同的开始
页。在CS引脚从低到高的转变将终止
在读操作和三态SO引脚。
缓冲区中读取:
数据可以从的任一个被读
两个缓冲器,采用不同的操作码,以指定哪一个缓冲区
从阅读。 54H或D4H的一个操作码,用于读取数据
从缓冲器1中,并且56H或D6H的一个操作码,用于读取
从缓冲区2的数据要进行缓冲区读取,则8位
的操作码必须跟15无关位, 9
地址位,以及8无关位。由于缓冲区大小
是264个字节,九位地址( BFA8 - BFA0 )是必需的
指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。
CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码,地址位,不在乎位,读
荷兰国际集团的数据。当一缓冲器的末尾为止,该装置
将继续读回的缓冲区的开始。一
低到高的CS引脚将终止读转型
操作和三态SO引脚。
状态寄存器读:
状态寄存器可
用于确定该设备的就绪/忙状态,则
主存储器页结果缓冲区操作比较
化,或装置的密度。读状态寄存器,
57H或D7H的操作码必须被加载到设备中。
之后的操作码的最后一位被移位,则8位的
状态寄存器,从最高位(第7位) ,将
在接下来的8个时钟周期移出SO引脚。
状态寄存器的五个最显著位将CON组
覃设备的信息,而剩余的三个least-
显著位被保留以供将来使用,将有
未定义的值。后位的状态寄存器的0已
移出,该序列将重演(只要CS
仍然很低, SCK正在切换)与再次启动
第7位在状态寄存器中的数据被不断更新,
所以每个重复序列将输出新的数据。
AT45DB041A
AT45DB041A
状态寄存器的格式
第7位
RDY / BUSY
第6位
COMP
第5位
0
4位
1
第3位
1
第2位
X
第1位
X
位0
X
Ready / Busy状态使用的状态第7位表示稳压
存器。如果第7位是1,那么该设备不忙并准备
以接受下一个命令。如果第7位是0 ,则该设备
处于忙碌状态。用户可以连续轮询位的7
状态寄存器停止SCK一次第7位被输出。
第7位的状态将继续通过SO引脚输出,
一旦设备不再忙,所以国家将
从0更改为1。有八种操作从而可以
导致设备处于繁忙状态:主存储器页
以缓冲传输,主存储器页到缓冲器比较,
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除,
缓冲区到主存储器页编程没有内置
擦除,页擦除,块擦除主存储器页亲
克和自动页重写。
最近期的主存储器页的结果缓冲区
比较操作使用的状态位6所示
注册。如果第6位是0,则在主存储器中的数据
页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1 ,则在
数据存储在主存储器页面的至少一个比特不
匹配在缓冲器中的数据。
器件密度使用比特5,4所示,和图3的
状态寄存器。为AT45DB041A ,三个位是0,
1 ,和1这三个二进制位的十进制值的确
不等同于设备的密度;三个比特表示
与串行不同密度的组合代码
数据闪存设备,允许总共八个不同密度
精读网络gurations 。
部分将首先删除选定的页面在主内存中的所有
1,并且然后程序存储在缓冲器中进入的数据
在主存储器中指定的页面。无论是擦除和
网页编程是内部自定时的
应于吨的最大时间
EP
。在这
时,状态寄存器将指示该部分正忙。
BUFFER主存储器页编程与 -
OUT BUILT -IN ERASE :
在一个以前删除页面
主存储器可以与内容进行编程
无论缓冲器1或缓冲液2.要启动的动作,一个8位的
操作码, 88H缓冲区1或89H缓冲区2 ,必须是
随后的四个保留位, 11位地址( PA10-
PA0 )表示在主存储器中指定的页面被写入
十,九附加无关位。当使用低到高
转变发生在CS引脚,该部分将编程
存储在缓冲器中复制到指定页中的主数据
内存。必要的是在主存储器中的页面,该页面
正被编程先前已被擦除。亲
网页编程是内部自定时的,应
发生在吨的最大时间
P
。在这段时间内,所述
状态寄存器将指示该部分正忙。
页擦除:
可选的页擦除命令即可
用于单独擦除任意页面在主存储器中
阵列允许在缓冲区中的主存储器页编程
无内置擦除命令在以后加以利用
时间。要执行页擦除, 81H的操作码必须是
由4个保留位加载到设备上,接着,
11位地址( PA10 - PA0 ) ,九无关位。该
9个地址位用于指定的哪一页
存储器阵列将被擦除。当使用低到高的跃迁
化发生在CS引脚,该部分将删除所选
页到1秒。擦除操作是内部自定时的
应于吨的最大时间
PE
。在这
时,状态寄存器将指示该部分正忙。
BLOCK ERASE :
八页的块可以被删除
一次允许在缓冲区中的主存储器页亲
克无内置擦除命令被用来
降低写入大量的编程时次
数据到该设备。要执行块擦除的操作码
50H必须被加载到设备中,然后由四个
保留位, 8位地址( PA10 - PA3 ) ,和12不要
关注位。八个地址位被用来指定哪些
的八页块是要被擦除。当使用低到高
转变发生在CS引脚,该部分将清除
八页,以1秒选定的块。擦除操作是
内部自定时的,应在最大
时间t
BE
。在此期间,状态寄存器将指示
该部分是忙。
5
编程和擦除命令
缓冲区写:
数据可以从SI引脚移入
无论是进入缓冲区1或缓冲区2.将数据加载到任何
缓冲器,一个8位的操作码, 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2,
必须跟15无关位和9地址
位( BFA8 - BFA0 ) 。九位地址指定第一
在缓冲器中的字节被写入。的数据被输入后续
荷兰国际集团的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止,
该设备将绕回的开始
缓冲区。数据将继续被加载到缓冲器中,直到
低到高的转变上检测到CS引脚。
缓冲区主要有记忆页编程
BUILT -IN ERASE :
数据写入缓冲区要么1或缓冲区
2可被编程到主存储器中。要启动
操作中,一个8位的操作码, 83H为缓冲器1或86H为
缓冲器2,必须跟四个保留比特,11个
地址位( PA10 - PA0 ) ,在主指定页
存储器的写入,并且附加不在乎9位。
当低到高的转变发生在CS引脚上,
特点
100 %兼容AT45DB041
单2.5V - 3.0V或2.7V - 3.6V电源
串行接口架构
页编程操作
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 2048页( 264字节/页)主内存
可选页和块擦除操作
两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器重新编程
通过整个阵列连续读取功能
内部的计划和控制的定时器
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
13 MHz的最大时钟频率
硬件数据保护功能
串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
4-megabit
2.5伏只
串行
数据闪存
AT45DB041A
推荐使用
AT45DB041B新
设计。
描述
该AT45DB041A是一个只有2.5伏,串行接口闪存适合
在系统重新编程。其4325376位存储器组织为2048页
每264个字节。除了在主存储器中, AT45DB041A还含有
每264字节的两个SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收数据的同时,
在主存储器中的页面进行重新编程。不同于传统的闪存
(续)
销刀豆网络gurations
引脚名称
CS
SCK
SI
SO
WP
RESET
RDY / BUSY
功能
芯片选择
串行时钟
串行输入
串行输出
硬件页写
保护引脚
芯片复位
就绪/忙
PLCC
CS
NC
NC
GND
VCC
NC
NC
GND
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
RDY / BUSY
RESET
WP
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
CS
SCK
SI
SO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TSOP顶视图
类型1
SOIC
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
NC
NC
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CBGA顶视图
通过包装
1
2
3
14
15
16
17
18
19
20
SCK
SI
SO
NC
NC
NC
NC
NC
NC
5
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11
12
13
4
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2
1
32
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30
29
28
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21
WP
RESET
RDY / BUSY
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
NC
NC
VCC
B
SCK
GND
C
CS RDY / BSY WP
D
SO
SI
NC
RESET
NC
NC
NC
DC
DC
NC
NC
NC
E
NC
牧师1432D - 1月1日
注: PLCC封装引脚16
和17请勿连接。
1
了与多个随机访问存储器
地址线和并行接口,所述数据闪存使用一
串行接口以顺序地存取其数据。简单
串行接口,方便硬件的布局,增加了系
统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并减少
封装尺寸和积极的引脚数。该设备被优化
在许多商业和工业应用中使用
其中,高密度,低引脚数,低电压和低
电源是必不可少的。典型应用数据闪存
是数字化语音存储,图像存储和数据的存储。
该器件工作的时钟频率高达13 MHz的
同为4 mA典型有效的读电流消耗。
为了让简单的系统内可重编程中,
AT45DB041A不要求高输入电压为亲
编程。该装置由一个单电源工作
电源, 2.5V至3.0V或2.7V至3.6V ,两种方案
和读取操作。该AT45DB041A通过启用
芯片选择引脚(CS ),并通过三线访问
接口,包括串行输入( SI )中,串行输出
(SO )和串行时钟(SCK ) 。
所有的编程周期是自定时的,并没有单独的
编程前擦除周期。
框图
WP
闪存阵列
PAGE ( 264字节)
缓冲器1 ( 264字节)
缓冲液2 ( 264字节)
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
为了提供最佳的灵活性,对存储器阵列
AT45DB041A分为三个级别的粒度
包括部门,块和页面。内存
架构图显示了每个细分
电平,并详细说明的每个扇区和块的页数。
所有程序操作的数据闪存发生在页级
逐页;然而,可选的擦除操作
可以在块或页级执行。
2
AT45DB041A
AT45DB041A
内存架构图
部门架构
扇区0 = 8页
2112字节( 2K + 64 )
1扇区= 248页
65472字节( 62K + 1984)
座建筑
扇区0
块0
1座
页面架构
8页
块0
第0页
第1页
部门1
BLOCK 2
部门2 = 256页
67,584字节( 64K + 2K )
第6页
第7页
第8页
BLOCK 30
31座
2区
部门3 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
BLOCK 33
1座
BLOCK 32
第9页
第14页
第15页
BLOCK 62
行业4 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
BLOCK 63
BLOCK 64
BLOCK 65
第16页
第17页
第18页
行业5 = 512页
135,168字节( 128K + 4K )
BLOCK 254
BLOCK 255
PAGE 2045
PAGE 2046
PAGE 2047
块= 2112个字节
(2K + 64)
页= 264个字节
(256 + 8)
设备操作
该设备的操作是由从指令控制
主处理器。的指令和他们的相关的列表
操作码是通过4.有效载于表1
指令开始的CS随后的下降沿
合适的8位操作码和所需的缓冲器或主
内存地址的位置。当CS引脚为低电平,触发
SCK引脚控制的操作码和加载
通过所需的缓冲区或主内存地址位置
在SI (串行输入)引脚。所有指令,地址和数据
转移最-显著位( MSB)开始。
寻址缓冲区中引用的数据表使用
术语BFA8 - BFA0表示九位地址
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主
内存寻址使用的术语引用
PA10 - PA0和BA8 - BA0 ,其中PA10 - PA0表示
必须指定一个页面地址11位地址位和
BA8 - BA0表示,以desig-所需的9位地址
奈特页面中的字节地址。
模式3.独立操作码(参考表1 8页
一个完整的列表) ,用于选择哪一个类别将是
用于读取。请参阅“详细位级
读时序“图本数据手册上的详细信息
时钟周期序列的每个模式。
连续阵列读取:
通过提供一个初始
起始地址的主存储器阵列,该Continu-
OU的阵列读命令可被用于顺序地
通过简单地从设备中读取的数据的连续流
提供一个时钟信号的装置;不需要额外的处理
信息或控制信号需要被提供。该
数据闪存集成了一个内部地址计数器
将自动增加在每个时钟周期,使
没有额外的需要一个连续的读操作
tional地址序列。要执行连续读取,
68H或E8H的操作码,必须移入器件
随后24个地址位和32无关位。第一
四个比特的24位地址序列被保留用于
向上和向下兼容性,较大和较小
密度设备(见命令序列下的“注意事项
读/写操作“图)。在接下来的11个地址位
( PA10 - PA0 )指定哪些页面的主存储器阵列
阅读,和24位的最后9位( BA8 - BA0 )
地址序列指定范围内的起始字节地址
该页面。 32不在乎遵循24地址位
位来初始化读操作。以下
32个无关位,额外的时钟脉冲的SCK
销将导致串行数据通过SO被输出(串行
输出)引脚。
读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以被读出
从主存储器或从所述两个数据中的任一个
缓冲区。该数据闪存支持两种类型的读取
模式相对于SCK信号。差异
在模式之间是相对于这些不活动状态
SCK信号,以及哪一个时钟周期数据将开始
要被输出。两类,这是由
四种模式总被定义为无效时钟极性低
或无效时钟极性高和SPI模式0或SPI
3
CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码,地址位,不在乎位,读
荷兰国际集团的数据。当一个页面中的主存储器的终端是
在连续阵列读取达到,该设备将
继续读取在与下一个页面的开始处没有
页边界交叉时发生的延迟(在
从一个页面的结束的开始交叉
下页) 。当主存储器阵列中的最后一个比特有
被读出,该设备将继续读回的
开始记忆的第一页。与交叉
在页面边界,没有延迟会发生时,
从阵列的端部到开始缠绕
阵列的。
在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。最大SCK
频率允许的连续阵列读取的
通过的F定义
汽车
规范。连续阵列
读绕过两个数据缓冲器和叶中的内容
的缓冲区不变。
BURST阵列中读取:
突发阵列读操作
功能几乎相同的连续阵列读
操作,但允许更高的读取吞吐量由泌尿道感染
lizing更快的时钟频率。突发阵列读
命令允许器件在突发数据的整个页面
出在由F定义的最大SCK频率
BAR
参数。突发阵列之间的差异和阅读
连续阵列读取操作仅限于时间
只。使用的操作码和操作码和寻址
序列为突发阵列读取相同的CON-
连续的阵列中读取。 68H或E8H的操作码必须是
移入器件后跟24个地址位和
32无关位。继32无关位,额外
tional时钟脉冲SCK引脚将导致串行数据
正对SO (串行输出)引脚输出。
与连续阵列读取, CS引脚必须
操作码的装载过程中保持为低电平时,地址
位,不在乎位,并且数据的读取。在一
脉冲串阵列的读取,当在主存储器中的页的结束
到达(在页面的最后一位被同步输出) ,
该系统必须由最小延迟下一个SCK脉冲
时间t
BRBD
。这个延迟是必要的,以允许该装置
足够的时间来跨越突发读取边界,这
被定义为一个页的结束在存储器到begin-
宁下一个页面。当在主存储器中的最后位
阵列已被读取时,装置将继续读回
在存储器中的第一页的开头。过渡
从阵列中的最后一位回的开头
阵列也被认为是一个突发读取边界。因此,
该系统必须延缓其将用于SCK脉冲
通过的最小时间读出的存储器阵列的第一比特
t
BRBD
.
在CS引脚从低到高的转变将终止
读操作和三态SO引脚。最大SCK
对于突发阵列读取被定义频率允许
4
这架F
BAR
规范。突发阵列读绕过这两个
数据缓冲器和离开缓冲区的内容
不变。
主存储器页读:
主存储器页
读允许用户直接从中任一项读数据
在2048页中的主存储器,绕过两者的
数据缓冲器和离开缓冲区的内容
不变。要启动页读取, 52H或D2H的操作码
必须移入器件其次是24位地址
与32无关位。第4位的24位的
地址序列为保留位,下一个11地址
位( PA10 - PA0 )指定页地址,而下一个
9位地址( BA8 - BA0 )指定的起始字节
在页面内解决。 32不关心它请遵循位
低的24位地址位被发送到初始化读
操作。继32无关位,附加
在串行数据在SCK脉冲的结果是在SO输出
(串行输出)引脚。 CS引脚必须在保持低
装载操作码,地址位,则不在乎位,
和数据的读出。当在主页的结束
在主存储器页读达到内存,
装置将继续读取在相同的开始
页。在CS引脚从低到高的转变将终止
在读操作和三态SO引脚。
缓冲区中读取:
数据可以从的任一个被读
两个缓冲器,采用不同的操作码,以指定哪一个缓冲区
从阅读。 54H或D4H的一个操作码,用于读取数据
从缓冲器1中,并且56H或D6H的一个操作码,用于读取
从缓冲区2的数据要进行缓冲区读取,则8位
的操作码必须跟15无关位, 9
地址位,以及8无关位。由于缓冲区大小
是264个字节,九位地址( BFA8 - BFA0 )是必需的
指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。
CS引脚必须的加载过程中保持低
操作码,地址位,不在乎位,读
荷兰国际集团的数据。当一缓冲器的末尾为止,该装置
将继续读回的缓冲区的开始。一
低到高的CS引脚将终止读转型
操作和三态SO引脚。
状态寄存器读:
状态寄存器可
用于确定该设备的就绪/忙状态,则
主存储器页结果缓冲区操作比较
化,或装置的密度。读状态寄存器,
57H或D7H的操作码必须被加载到设备中。
之后的操作码的最后一位被移位,则8位的
状态寄存器,从最高位(第7位) ,将
在接下来的8个时钟周期移出SO引脚。
状态寄存器的五个最显著位将CON组
覃设备的信息,而剩余的三个least-
显著位被保留以供将来使用,将有
未定义的值。后位的状态寄存器的0已
移出,该序列将重演(只要CS
仍然很低, SCK正在切换)与再次启动
第7位在状态寄存器中的数据被不断更新,
所以每个重复序列将输出新的数据。
AT45DB041A
AT45DB041A
状态寄存器的格式
第7位
RDY / BUSY
第6位
COMP
第5位
0
4位
1
第3位
1
第2位
X
第1位
X
位0
X
Ready / Busy状态使用的状态第7位表示稳压
存器。如果第7位是1,那么该设备不忙并准备
以接受下一个命令。如果第7位是0 ,则该设备
处于忙碌状态。用户可以连续轮询位的7
状态寄存器停止SCK一次第7位被输出。
第7位的状态将继续通过SO引脚输出,
一旦设备不再忙,所以国家将
从0更改为1。有八种操作从而可以
导致设备处于繁忙状态:主存储器页
以缓冲传输,主存储器页到缓冲器比较,
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除,
缓冲区到主存储器页编程没有内置
擦除,页擦除,块擦除主存储器页亲
克和自动页重写。
最近期的主存储器页的结果缓冲区
比较操作使用的状态位6所示
注册。如果第6位是0,则在主存储器中的数据
页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1 ,则在
数据存储在主存储器页面的至少一个比特不
匹配在缓冲器中的数据。
器件密度使用比特5,4所示,和图3的
状态寄存器。为AT45DB041A ,三个位是0,
1 ,和1这三个二进制位的十进制值的确
不等同于设备的密度;三个比特表示
与串行不同密度的组合代码
数据闪存设备,允许总共八个不同密度
精读网络gurations 。
部分将首先删除选定的页面在主内存中的所有
1,并且然后程序存储在缓冲器中进入的数据
在主存储器中指定的页面。无论是擦除和
网页编程是内部自定时的
应于吨的最大时间
EP
。在这
时,状态寄存器将指示该部分正忙。
BUFFER主存储器页编程与 -
OUT BUILT -IN ERASE :
在一个以前删除页面
主存储器可以与内容进行编程
无论缓冲器1或缓冲液2.要启动的动作,一个8位的
操作码, 88H缓冲区1或89H缓冲区2 ,必须是
随后的四个保留位, 11位地址( PA10-
PA0 )表示在主存储器中指定的页面被写入
十,九附加无关位。当使用低到高
转变发生在CS引脚,该部分将编程
存储在缓冲器中复制到指定页中的主数据
内存。必要的是在主存储器中的页面,该页面
正被编程先前已被擦除。亲
网页编程是内部自定时的,应
发生在吨的最大时间
P
。在这段时间内,所述
状态寄存器将指示该部分正忙。
页擦除:
可选的页擦除命令即可
用于单独擦除任意页面在主存储器中
阵列允许在缓冲区中的主存储器页编程
无内置擦除命令在以后加以利用
时间。要执行页擦除, 81H的操作码必须是
由4个保留位加载到设备上,接着,
11位地址( PA10 - PA0 ) ,九无关位。该
9个地址位用于指定的哪一页
存储器阵列将被擦除。当使用低到高的跃迁
化发生在CS引脚,该部分将删除所选
页到1秒。擦除操作是内部自定时的
应于吨的最大时间
PE
。在这
时,状态寄存器将指示该部分正忙。
BLOCK ERASE :
八页的块可以被删除
一次允许在缓冲区中的主存储器页亲
克无内置擦除命令被用来
降低写入大量的编程时次
数据到该设备。要执行块擦除的操作码
50H必须被加载到设备中,然后由四个
保留位, 8位地址( PA10 - PA3 ) ,和12不要
关注位。八个地址位被用来指定哪些
的八页块是要被擦除。当使用低到高
转变发生在CS引脚,该部分将清除
八页,以1秒选定的块。擦除操作是
内部自定时的,应在最大
时间t
BE
。在此期间,状态寄存器将指示
该部分是忙。
5
编程和擦除命令
缓冲区写:
数据可以从SI引脚移入
无论是进入缓冲区1或缓冲区2.将数据加载到任何
缓冲器,一个8位的操作码, 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2,
必须跟15无关位和9地址
位( BFA8 - BFA0 ) 。九位地址指定第一
在缓冲器中的字节被写入。的数据被输入后续
荷兰国际集团的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止,
该设备将绕回的开始
缓冲区。数据将继续被加载到缓冲器中,直到
低到高的转变上检测到CS引脚。
缓冲区主要有记忆页编程
BUILT -IN ERASE :
数据写入缓冲区要么1或缓冲区
2可被编程到主存储器中。要启动
操作中,一个8位的操作码, 83H为缓冲器1或86H为
缓冲器2,必须跟四个保留比特,11个
地址位( PA10 - PA0 ) ,在主指定页
存储器的写入,并且附加不在乎9位。
当低到高的转变发生在CS引脚上,