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特点
2.7V至3.6V单电源
急流串行接口: 66 MHz最大时钟频率
- 兼容SPI模式0和3
用户可配置的页面大小
- 每页256字节
- 每页264字节
- 页面大小可在工厂预先配置为256字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 512页(二百六十四分之二百五十六字节/页)主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除( 256字节)
- 块擦除( 2字节)
- 擦除扇区(32字节)
- 芯片擦除( 1兆位)
一个SRAM数据缓冲区( 264分之256字节)
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 15 μA深度掉电典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性: 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项
1-megabit
2.7-volt
最低
数据闪存
AT45DB011D
1.描述
该AT45DB011D是2.7V ,串行接口闪存非常适合宽
各种数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据存储应用。该
AT45DB011D支持要求非常高的应用急流串行接口
速度操作。急流串行接口SPI的频率兼容多达66
兆赫。其1081344位存储器组织为512页,每页256字节或264
每个字节。除了在主存储器中, AT45DB011D还包含一个
的二百六十四分之二百五十六字节的SRAM缓存。 EEPROM仿真(位或字节变性)是很容易
带有自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。不像conven-
了与多个地址线和一个随机访问tional闪存
并行接口时,数据闪存
采用了急流串行接口依次
访问其数据。简单的顺序访问极大地降低了活动的引脚数,
有利于硬件布局,提高了系统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,
并降低了封装尺寸。
3639H–DFLASH–04/09
该装置被用在许多商业和工业应用的优化,其中高树突
sity ,低引脚数,低电压和低功耗是必不可少的。
以允许简单的系统重新编程,该AT45DB011D并不需要高输入
电压进行编程。该器件采用单电源供电, 2.7V至3.6V ,对于工作
两个程序和读取操作。该AT45DB011D通过片选引脚启用
( CS ),并通过一个三线接口,包括串行输入( SI )中,串行输出访问
(SO )和串行时钟(SCK ) 。
所有的编程和擦除周期都是自定时的。
2.引脚配置和引脚
表2-1 。
符号
销刀豆网络gurations
断言
状态
TYPE
名称和功能
片选:
断言CS引脚选择设备。当CS引脚置为无效,该设备将被取消
并且通常被放置在待机模式下(未深度掉电模式) ,并且在输出引脚(SO )将在一个
高阻抗状态。当设备被取消,数据不会被输入引脚( SI )接受。
在CS引脚从高电平到低电平的转换才能启动的操作,以及由低到高的转变要求
结束的操作。当结束一个内部自定时操作,如编程或擦除周期中,设备
不会进入待机模式,直到操作完成。
串行时钟:
该引脚用于提供一个时钟的装置和用于控制数据的流入和流出
该设备。命令,出现在SI引脚地址,并输入数据总是锁定在SCK的上升沿,
而在SO引脚输出数据总是同步输出SCK的下降沿。
串行输入:
SI引脚被用于将数据转移到器件中。 SI引脚用于所有的数据输入,包括
命令和地址序列。 SI引脚上的数据总是锁定在SCK的上升沿。
串行输出:
SO引脚用来转移数据从设备。在SO引脚上的数据总是同步输出
SCK的下降沿。
写保护:
当WP引脚置位,所有部门保护的扇区保护寄存器指定
将被保护,以防止程序和不管是否启用扇区保护擦除操作
命令已发出或没有。 WP引脚功能独立于软件控制的保护方法。
之后, WP引脚变为低电平,该部门保护寄存器的内容不能被修改。
CS
输入
SCK
输入
SI
SO
输入
产量
WP
如果一个编程或擦除命令被发出,而WP引脚被置设备,该设备将简单地忽略
该命令并执行任何操作。该设备将返回到空闲状态,一旦CS引脚一直
拉高。在启动扇区保护命令和部门锁定的命令,不过,将
认识到该设备时, WP引脚被置位。
WP引脚在内部上拉,高,可能会悬空,如果硬件控制的保护将不会被使用。
但是,我们建议在WP引脚也可以从外部连接到V
CC
只要有可能。
RESET :
在复位引脚( RESET )低的状态将终止正在进行的操作,并复位内部状态
机到空闲状态。该装置只要将保持在复位状态为低电平是存在于RESET
引脚。正常操作就可以恢复,一旦RESET引脚被拉回到较高水平。
该器件集成了一个内部上电复位电路,所以有在RESET引脚上没有任何限制
上电序列。如果此引脚和功能都没有使用,建议RESET引脚驱动为高电平
外部。
器件电源:
在V
CC
销是用来提供电源电压的装置。
在无效的V操作
CC
电压可能产生虚假的结果,不应该试图。
地面:
用于电源的接地参考。接地应连接到系统接地。
输入
RESET
输入
V
CC
GND
动力
2
AT45DB011D
3639H–DFLASH–04/09
AT45DB011D
图2-1 。
SOIC顶视图
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
图2-2 。
UDFN顶视图
(1)
SI
SCK
RESET
CS
1
2
3
4
8
7
6
5
SO
GND
VCC
WP
注意:
1.在UDFN封装底部的金属焊盘是浮动的。这种垫可以是“无连接”,或连接到GND 。
3.框图
WP
闪存阵列
页面(二百六十四分之二百五十六字节)
BUFFER (二百六十四分之二百五十六BYTES )
SCK
CS
RESET
VCC
GND
SI
I / O接口
SO
3
3639H–DFLASH–04/09
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性, AT45DB011D的存储器阵列被划分为三个等级
粒度,包括行业,块和页面。在“内存体系结构图” illus-
trates每个级别的故障,并详细说明的每个扇区和块的页数。所有
程序操作的数据闪存出现在页面上逐页的基础。在擦除操作
将在芯片,部门,块或页级执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
行业0A
行业0A = 8页
2048 / 2112字节
块0
1座
部门架构
页面架构
8页
块0
第0页
第1页
行业0B
BLOCK 2
第6页
第7页
第8页
行业0B = 120页
31744 / 32726字节
14座
15座
17座
1扇区= 128页
32,768 / 33,792字节
部门1
1座
16座
第9页
第14页
第15页
BLOCK 30
31座
部门2 = 128页
32,768 / 33,792字节
BLOCK 32
BLOCK 33
第16页
第17页
第18页
部门3 = 128页
32,768 / 33,792字节
BLOCK 62
BLOCK 63
510页
511页
块= 2048 / 2112字节
页=二百六十四分之二百五十六字节
5.设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表
与它们相关联的操作码中包含
表15-1至15-7 。
有效教学
开始于CS的下降沿后跟适当的8位的操作码和所需的缓冲
或主内存地址的位置。当CS引脚为低电平,触发SCK引脚控制
装载操作码,并通过在SI所需的缓冲器或主存储器地址位置
(串行输入)引脚。所有的指令,地址和数据传送的最显著
位( MSB)在前。
缓冲区寻址的数据闪存标准的页面大小( 264字节)的被引用
使用的术语BFA8数据表 - BFA0表示指定所需的9位地址
缓冲区内的字节地址。主内存寻址时使用的术语引用
PA8 - PA0和BA8 - BA0 ,其中PA8 - PA0表示指定所需的9位地址
网页地址和BA8 - BA0表示指定字节地址所需的9位地址
内的页面。
对于二进制页面大小(256字节)中的“第2电源”时,缓冲器寻址中所引用的
使用传统的术语BFA7数据表 - BFA0来表示8位地址
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主内存寻址引用
使用的术语A16 - A0 , A16在哪里 - A8表示,以desig-所需的9位地址
内特页地址和A7 - A0表示指定字节所需的8位地址
在页面中解决。
4
AT45DB011D
3639H–DFLASH–04/09
AT45DB011D
6.读取命令
通过指定适当的操作码,数据可以从主存储器或从读取
SRAM的数据缓冲器。该数据闪存支持模式0和模式3急流协议,请
请参阅“详细的位级读时序”图中这个数据表上的时钟细节
循环序列的每个模式。
6.1
连续阵列读取(旧命令 - E8H ):高达66 MHz的
通过提供一个初始地址的主存储器阵列,该阵列的连续读
命令可以被用来从该设备通过顺序地读出的数据的连续流
简单地提供一个时钟信号的装置;没有额外的寻址信息或控制信号需要
来提供。该数据闪存集成了一个内部地址计数器将自动
计数器每个时钟周期,使一个连续的读操作,而不需要
额外的地址序列。从数据闪存标准的页面进行连续读取
大小( 264字节) , E8H的操作码,必须移入器件后跟三个地址
个字节(它包括24位页和字节地址序列)和4-不在乎字节。该
第9位 - 18位地址序列( PA8 PA0 )指定主存的页面
阵列中读取数据,并在最后9位( BA8 - BA0 )的18位的地址序列的指定开始
在页面内的字节地址。从二进制文件页面大小进行连续读取( 256
字节) ,操作码( E8H )必须移入器件后跟三个地址字节和4
不在乎字节。第9位( A16 - A8 )的17位序列指定的页面
主存储器阵列读取,最后8位( A7 - A0 )的18位地址序列指定
在页面内的起始字节地址。不在乎后面的地址字节是字节
初始化读操作需要。继不在乎字节,额外的时钟脉冲
SCK引脚会导致数据上的SO (串行输出)引脚输出。
CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平,地址字节,不关心
字节,并且数据的读取。当在一个被达到,主存储器中的页的结束
连续阵列读取,所述装置将继续读取下一个页面的开始
没有延迟页边界交叉(从一个页面末尾的交叉过程中发生的
到下一个页面的开始处) 。当主存储器阵列中的最后一位被读出,
所述装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。与交叉
荷兰国际集团在页面边界,无延迟,将的结束缠绕时,将发生
阵列到阵列的开头。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出
引脚(SO ) 。对于连续阵列的最大SCK频率允许读取被定义
这架F
CAR1
规范。连续阵列读绕过数据缓冲器和离开
缓冲区不变的内容。
6.2
连续阵列读取(高频率模式 - 0BH ):高达66 MHz的
该命令可以用串行接口用于读取存储器阵列中顺序地在主
在高速模式中的任何时钟频率高达最大指定为f
CAR1
。要执行
与页大小连续读阵列设置为264字节时,CS必须首先被断言然后一个
操作码0BH必须移入器件后跟三个地址字节和一个虚拟的
字节。第9位( PA8 - PA0 )的18位的地址序列的指定主的哪一页
存储器阵列中读取数据,并在最后9位( BA8 - BA0 )的18位的地址序列的指定
在页面内起始字节地址。与页面大小设置为执行持续读
256字节的操作码, 0BH ,必须移入器件后跟三个地址字节
( A16 - A0 )和一个空字节。继空字节,额外的时钟脉冲的SCK
引脚将导致数据上的SO (串行输出)引脚输出。
5
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