【特点单2.7V - 3.6V电源串行外设接口（SPI ）兼容20 MHz的最大时钟频率页编程操作- 】,IC型号AT45DB011B-CC,AT45DB011B-CC PDF资料,AT45DB011B-CC经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

20 MHz的最大时钟频率

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 512页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

一个264字节的SRAM数据缓冲区

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

快速页编程时间 - 7毫秒典型

120 μs的典型页面来缓冲传输时间

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

硬件数据保护功能

100 ％兼容AT45DB011

商用和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项

1-megabit

2.7伏只

数据闪存

AT45DB011B

描述

该AT45DB011B是2.7伏只，串行接口闪存非常适合

各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。

其1081344位存储器组织为512页，每页264字节。此外

灰到主存储器中， AT45DB011B还包含264一个SRAM数据缓冲区

字节。该缓冲器允许接收数据，而在主存储器中的页面正被

重新编程。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与处理

自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存

了与多个地址线和平行随机访问的存储器接口

面，该数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。 SPI

模式0和模式3的支持。简单的串行接口便于硬件

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

CBGA顶视图

通过包装

SCK

GND

VCC

CS RDY / BSY WP

RESET

串行输出

硬件页

写保护引脚

芯片复位

就绪/忙

SOIC

SCK

RESET

GND

VCC

TSSOP顶视图

类型1

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

AT45DB011B

初步16-

兆位2.7伏

只有串行

数据闪存

1984J–DFLASH–06/06

布局，提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和

活跃的引脚数。该装置被用在许多商业和工业应用中的优化

系统蒸发散需要高密度，低引脚数，低电压和低功耗是至关重要的。该装置

在时钟频率高达20 MHz的典型有效的读电流消耗工作

4毫安。

以允许简单的系统重新编程，该AT45DB011B不需要高输入

电压进行编程。该器件采用单电源供电， 2.7V至3.6V ，对于工作

两个程序和读取操作。该AT45DB011B通过片选使能

引脚（ CS ），并通过一个三线接口，包括串行输入（ SI ），串行输出的访问

放（SO ）和串行时钟（SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

当设备从Atmel公司出厂时，存储器阵列的最显著页面可

不被擦除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充为FFH。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器（ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB011B的存储器阵列被划分为三个等级

粒度包括部门，块和页面。内存架构图

示出了每一级的击穿，并详细说明的每个扇区和块的页数。

所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上;然而，可选的

擦除操作可在块或页级别来执行。

AT45DB011B

1984J–DFLASH–06/06

AT45DB011B

内存架构图

部门架构

0扇区= 2112字节（ 2K + 64 ）

扇区0

座建筑

块0

1座

BLOCK 2

3座

部门1

块0

8页

页面架构

第0页

第1页

第6页

第7页

第8页

29座

BLOCK 30

31座

BLOCK 32

BLOCK 33

34座

1座

第9页

1扇区= 65472字节（ 62K + 1984）

第14页

第15页

第16页

2区

第17页

第18页

部门2 = 67,584字节（ 64K + 2K ）

61座

BLOCK 62

BLOCK 63

块= 2112个字节

(2K + 64)

509页

510页

511页

页= 264个字节

(256 + 8)

设备

手术

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。指令列表

tions和它们相关联的操作码是通过4 （第11和12）中包含的表1 。一

有效的指令开始， CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

所需的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平，触发SCK信号

引脚控制操作码的加载和期望的缓冲器或主存储器地址位置

通过SI（串行输入）引脚。所有的指令，地址和数据传送与

最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA8 - BFA0表示

所需要的9个地址位到缓冲器内指定一个字节地址。主存储器

针对正在使用的术语引用PA8 - PA0和BA8 - BA0 ，其中PA8 - PA0

表示需要指定一个网页地址，并BA8 - BA0表示的10位地址

所需的9位地址的页面中指定一个字节的地址。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

数据缓冲。该数据闪存支持两种类型的阅读模式，相对于SCK显

宇空。模式之间的差异是在相对于SCK信号的无效状态

以及哪一个时钟周期的数据将开始被输出。两个类别，它们是的COM

珍贵的四种模式总被定义为无效时钟极性低或无效时钟极性

高和SPI模式0和SPI模式3.独立操作码（参考表1第11页上的

完整的列表），用于选择哪一个类别将用于读取。请参阅

本数据表“详细的位级读时序”图上的时钟周期的详细信息

序列的每个模式。

1984J–DFLASH–06/06

连续阵列读取：

通过对主存储器供给的初始起始地址

阵列，所述阵列的连续读指令可以被用来依次读出的连续

通过简单地提供一个时钟信号从设备的数据流;不需要额外的处理

信息或控制信号需要被提供。该数据闪存集成了一个内部

地址计数器，该计数器将自动增加在每个时钟周期，使一条连续

OU中无需额外的地址序列的需要的读操作。要执行

连续读， 68H或E8H的操作码，必须移入器件其次是24

地址位和32无关位。 24位的地址序列的第一个6位

保留用于向上和向下兼容到更大或更小的密度的设备（见

下笔记“读/命令序列写入操作”图）。下九

地址位（ PA8 - PA0 ）指定要读取的页的主存储器阵列，并在最后

9位（ BA8 - BA0 ）的24位地址的序列的指定范围内的起始字节地址

该页面。 32不小心遵循24地址位来初始化读该位

操作。继32无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致

串行数据在SO （串行输出）引脚为输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址位，则不在乎

位，并且数据的读取。当在一个被达到，主存储器中的页的结束

连续阵列读取，所述装置将继续读取下一个页面的开始

没有延迟页边界交叉（从一月底的交叉过程中发生的

翻页到下页的开头）。当主存储器阵列中的最后一个位已

读出时，所述装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。如

与跨越页边界，无延迟，将缠绕时，将发生

阵列到阵列的开头的末端。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态SO引脚。

最大SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和叶子的内容

的缓冲区不变。

主存储器页读：

读出的主存储器，用户可以直接从读出的数据

任一项所述的512页中的主存储器的，绕过数据缓冲器和离开CON组

缓冲区不变的帐篷。要启动页读取， 8位操作码， 52H或D2H ，必须

移入器件其次是24位地址位和32无关位。在

AT45DB011B ，第6位的地址是保留给大密度的设备（见注意事项

第15页），下九位地址（ PA8 - PA0 ）指定的页面地址，以及未来九个月

地址位（ BA8 - BA0 ）指定页面内的起始字节地址。 32不在乎

随后的24个地址位位被发送到初始化读操作。继32

无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据通过SO被输出（串行

输出）引脚。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，

和数据的读出。当在一个主要是达到在主存储器中的页的结束

存储器页读，该设备将继续读取在同一页的开头。一个低

到高的CS引脚转换将终止读操作和三态SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以使用54H或D4H的一个操作码的数据缓冲器中读出。对

执行读出的缓冲器，则8位的操作码的后面必须跟15无关位， 9

地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小是264字节， 9个地址位

（ BFA8- BFA0 ）都需要指定的数据被从缓冲区中读出的第一个字节。在CS

引脚必须的操作码，地址位，不在乎位的加载过程中保持较低水平，而

数据的读出。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读

备份在缓冲器的开头。在CS引脚从低到高的转变将终止

读操作和三态SO引脚。

AT45DB011B

1984J–DFLASH–06/06

AT45DB011B

状态寄存器读：

状态寄存器可用于确定设备的

准备/繁忙状态，主存储器页面的结果来缓冲比较操作，或

器件密度。读状态寄存器， 57H或D7H的操作码必须被加载到

装置。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的状态寄存器，开始

与MSB （第7位），在接下来的8个时钟周期将被移出SO引脚。该

状态寄存器的五个最显著位将包含设备的信息，而剩下

荷兰国际集团三个最显著位保留供未来使用，将有未定义的值。后

位状态寄存器的0已移出，该序列将重演（只要CS

仍然很低， SCK正在切换）再次与第7位，状态寄存器的起始数据

在不断更新，所以每个重复序列将输出新的数据。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则该设备

是不是很忙，准备接受下一个命令。如果第7位是0，则装置处于繁忙

状态。用户可以通过在一个低的水平停止SCK连续轮询位的状态寄存器的第7

一旦第7位被输出。第7位的状态将继续通过SO引脚输出，并

一旦设备不再忙，所以状态会改变，从0到1，有8

操作可导致设备处于繁忙状态：主存储器页到缓冲器

转让，主存储器页到缓冲区比较，缓冲到主存储器页编程与

内置擦除，缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除，页擦除，

块擦除，主存储器页编程和自动页重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示

在状态寄存器的第6位。如果第6位是0，则在主存储器页面匹配的数据

在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，数据在主存储器页面，然后在至少一个位

没有在缓冲器匹配的数据。

器件密度使用比特5 ， 4,3和2中的状态寄存器的指示。对于

AT45DB011B ，四个位是0， 0,1和1。这四个二进制位的十进制值的确

不等同于设备的密度;这三个位代表有关昼夜温差一个组合码

fering的串行数据闪存器件的密度，从而总共16个不同的密度

精读网络gurations 。

计划和

擦除命令

缓冲区写：

数据可以从SI引脚到数据缓冲区被移入。将数据加载到

的缓冲液， 84H的一个8位的操作码后面是15无关位和9位地址位

（ BFA8 - BFA0 ）。的9个地址位中指定要写入在缓冲器中的第一个字节。数据

进入下面的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将

绕回的缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器

直到低到高的转变上检测到CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

该缓冲器可被编程到主存储器中。 83H的8位操作码之后

六个保留位， 9位地址（ PA8 - PA0 ）表示在主存储器中指定页

要被写入，而附加不在乎9位。当低到高的转变发生在

CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1 ，然后程序

存储在缓冲器中复制到指定的页面在主存储器中的数据。无论是擦除和

在页面的编程是在内部自定时的，应该发生在一个最大

时间t

。在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。

1984J–DFLASH–06/06

特点

单2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

20 MHz的最大时钟频率

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 512页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

一个264字节的SRAM数据缓冲区

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

快速页编程时间 - 7毫秒典型

120 μs的典型页面来缓冲传输时间

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

硬件数据保护功能

100 ％兼容AT45DB011

商用和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装选项

1-megabit

2.7伏只

数据闪存

AT45DB011B

描述

该AT45DB011B是2.7伏只，串行接口闪存非常适合

各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。

其1081344位存储器组织为512页，每页264字节。此外

灰到主存储器中， AT45DB011B还包含264一个SRAM数据缓冲区

字节。该缓冲器允许接收数据，而在主存储器中的页面正被

重新编程。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与处理

自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存

了与多个地址线和平行随机访问的存储器接口

面，该数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。 SPI

模式0和模式3的支持。简单的串行接口便于硬件

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

CBGA顶视图

通过包装

SCK

GND

VCC

CS RDY / BSY WP

RESET

串行输出

硬件页

写保护引脚

芯片复位

就绪/忙

SOIC

SCK

RESET

GND

VCC

TSSOP顶视图

类型1

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

AT45DB011B

初步16-

兆位2.7伏

只有串行

数据闪存

牧师1984H - DFLSH - 10/04

布局，提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和

活跃的引脚数。该装置被用在许多商业和工业应用中的优化

系统蒸发散需要高密度，低引脚数，低电压和低功耗是至关重要的。该装置

在时钟频率高达20 MHz的典型有效的读电流消耗工作

4毫安。

以允许简单的系统重新编程，该AT45DB011B不需要高输入

电压进行编程。该器件采用单电源供电， 2.7V至3.6V ，对于工作

两个程序和读取操作。该AT45DB011B通过片选使能

引脚（ CS ），并通过一个三线接口，包括串行输入（ SI ），串行输出的访问

放（SO ）和串行时钟（SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

当设备从Atmel公司出厂时，存储器阵列的最显著页面可

不被擦除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充为FFH。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器（ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB011B的存储器阵列被划分为三个等级

粒度包括部门，块和页面。内存架构图

示出了每一级的击穿，并详细说明的每个扇区和块的页数。

所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上;然而，可选的

擦除操作可在块或页级别来执行。

AT45DB011B

1984H–DFLSH–10/04

AT45DB011B

内存架构图

部门架构

0扇区= 2112字节（ 2K + 64 ）

扇区0

座建筑

块0

1座

BLOCK 2

3座

部门1

块0

8页

页面架构

第0页

第1页

第6页

第7页

第8页

29座

BLOCK 30

31座

BLOCK 32

BLOCK 33

34座

1座

第9页

1扇区= 65472字节（ 62K + 1984）

第14页

第15页

第16页

2区

第17页

第18页

部门2 = 67,584字节（ 64K + 2K ）

61座

BLOCK 62

BLOCK 63

块= 2112个字节

(2K + 64)

509页

510页

511页

页= 264个字节

(256 + 8)

设备

手术

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。指令列表

tions和它们相关联的操作码是通过4 （第11和12）中包含的表1 。一

有效的指令开始， CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

所需的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平，触发SCK信号

引脚控制操作码的加载和期望的缓冲器或主存储器地址位置

通过SI（串行输入）引脚。所有的指令，地址和数据传送与

最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA8 - BFA0表示

所需要的9个地址位到缓冲器内指定一个字节地址。主存储器

针对正在使用的术语引用PA8 - PA0和BA8 - BA0 ，其中PA8 - PA0

表示需要指定一个网页地址，并BA8 - BA0表示的10位地址

所需的9位地址的页面中指定一个字节的地址。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

数据缓冲。该数据闪存支持两种类型的阅读模式，相对于SCK显

宇空。模式之间的差异是在相对于SCK信号的无效状态

以及哪一个时钟周期的数据将开始被输出。两个类别，它们是的COM

珍贵的四种模式总被定义为无效时钟极性低或无效时钟极性

高和SPI模式0和SPI模式3.独立操作码（参考表1第11页上的

完整的列表），用于选择哪一个类别将用于读取。请参阅

本数据表“详细的位级读时序”图上的时钟周期的详细信息

序列的每个模式。

1984H–DFLSH–10/04

连续阵列读取：

通过对主存储器供给的初始起始地址

阵列，所述阵列的连续读指令可以被用来依次读出的连续

通过简单地提供一个时钟信号从设备的数据流;不需要额外的处理

信息或控制信号需要被提供。该数据闪存集成了一个内部

地址计数器，该计数器将自动增加在每个时钟周期，使一条连续

OU中无需额外的地址序列的需要的读操作。要执行

连续读， 68H或E8H的操作码，必须移入器件其次是24

地址位和32无关位。 24位的地址序列的第一个6位

保留用于向上和向下兼容到更大或更小的密度的设备（见

下笔记“读/命令序列写入操作”图）。下九

地址位（ PA8 - PA0 ）指定要读取的页的主存储器阵列，并在最后

9位（ BA8 - BA0 ）的24位地址的序列的指定范围内的起始字节地址

该页面。 32不小心遵循24地址位来初始化读该位

操作。继32无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致

串行数据在SO （串行输出）引脚为输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址位，则不在乎

位，并且数据的读取。当在一个被达到，主存储器中的页的结束

连续阵列读取，所述装置将继续读取下一个页面的开始

没有延迟页边界交叉（从一月底的交叉过程中发生的

翻页到下页的开头）。当主存储器阵列中的最后一个位已

读出时，所述装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。如

与跨越页边界，无延迟，将缠绕时，将发生

阵列到阵列的开头的末端。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态SO引脚。

最大SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和叶子的内容

的缓冲区不变。

主存储器页读：

读出的主存储器，用户可以直接从读出的数据

任一项所述的512页中的主存储器的，绕过数据缓冲器和离开CON组

缓冲区不变的帐篷。要启动页读取， 8位操作码， 52H或D2H ，必须

移入器件其次是24位地址位和32无关位。在

AT45DB011B ，第6位的地址是保留给大密度的设备（见注意事项

第15页），下九位地址（ PA8 - PA0 ）指定的页面地址，以及未来九个月

地址位（ BA8 - BA0 ）指定页面内的起始字节地址。 32不在乎

随后的24个地址位位被发送到初始化读操作。继32

无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据通过SO被输出（串行

输出）引脚。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，

和数据的读出。当在一个主要是达到在主存储器中的页的结束

存储器页读，该设备将继续读取在同一页的开头。一个低

到高的CS引脚转换将终止读操作和三态SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以使用54H或D4H的一个操作码的数据缓冲器中读出。对

执行读出的缓冲器，则8位的操作码的后面必须跟15无关位， 9

地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小是264字节， 9个地址位

（ BFA8- BFA0 ）都需要指定的数据被从缓冲区中读出的第一个字节。在CS

引脚必须的操作码，地址位，不在乎位的加载过程中保持较低水平，而

数据的读出。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读

备份在缓冲器的开头。在CS引脚从低到高的转变将终止

读操作和三态SO引脚。

AT45DB011B

1984H–DFLSH–10/04

AT45DB011B

状态寄存器读：

状态寄存器可用于确定设备的

准备/繁忙状态，主存储器页面的结果来缓冲比较操作，或

器件密度。读状态寄存器， 57H或D7H的操作码必须被加载到

装置。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的状态寄存器，开始

与MSB （第7位），在接下来的8个时钟周期将被移出SO引脚。该

状态寄存器的五个最显著位将包含设备的信息，而剩下

荷兰国际集团三个最显著位保留供未来使用，将有未定义的值。后

位状态寄存器的0已移出，该序列将重演（只要CS

仍然很低， SCK正在切换）再次与第7位，状态寄存器的起始数据

在不断更新，所以每个重复序列将输出新的数据。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则该设备

是不是很忙，准备接受下一个命令。如果第7位是0，则装置处于繁忙

状态。用户可以通过在一个低的水平停止SCK连续轮询位的状态寄存器的第7

一旦第7位被输出。第7位的状态将继续通过SO引脚输出，并

一旦设备不再忙，所以状态会改变，从0到1，有8

操作可导致设备处于繁忙状态：主存储器页到缓冲器

转让，主存储器页到缓冲区比较，缓冲到主存储器页编程与

内置擦除，缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除，页擦除，

块擦除，主存储器页编程和自动页重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示

在状态寄存器的第6位。如果第6位是0，则在主存储器页面匹配的数据

在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，数据在主存储器页面，然后在至少一个位

没有在缓冲器匹配的数据。

器件密度使用比特5 ， 4,3和2中的状态寄存器的指示。对于

AT45DB011B ，四个位是0， 0,1和1。这四个二进制位的十进制值的确

不等同于设备的密度;这三个位代表有关昼夜温差一个组合码

fering的串行数据闪存器件的密度，从而总共16个不同的密度

精读网络gurations 。

计划和

擦除命令

缓冲区写：

数据可以从SI引脚到数据缓冲区被移入。将数据加载到

的缓冲液， 84H的一个8位的操作码后面是15无关位和9位地址位

（ BFA8 - BFA0 ）。的9个地址位中指定要写入在缓冲器中的第一个字节。数据

进入下面的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将

绕回的缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器

直到低到高的转变上检测到CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

该缓冲器可被编程到主存储器中。 83H的8位操作码之后

六个保留位， 9位地址（ PA8 - PA0 ）表示在主存储器中指定页

要被写入，而附加不在乎9位。当低到高的转变发生在

CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1 ，然后程序

存储在缓冲器中复制到指定的页面在主存储器中的数据。无论是擦除和

在页面的编程是在内部自定时的，应该发生在一个最大

时间t

。在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。

1984H–DFLSH–10/04

特点

单2.7V - 3.6V电源

串行外设接口（SPI ）兼容

20 MHz的最大时钟频率

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 512页（ 264字节/页）主内存

支持页和块擦除操作

一个264字节的SRAM数据缓冲区

通过整个阵列连续读取功能

- 理想的代码映射应用程序

快速页编程时间 - 7毫秒典型

120 μs的典型页面来缓冲传输时间

低功耗

- 4毫安有效的读电流典型

- 2 μA CMOS待机电流典型

硬件数据保护功能

100 ％兼容AT45DB011

商用和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装选项

1-megabit

2.7伏只

数据闪存

AT45DB011B

描述

该AT45DB011B是2.7伏只，串行接口闪存非常适合

各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。

其1081344位存储器组织为512页，每页264字节。此外

灰到主存储器中， AT45DB011B还包含264一个SRAM数据缓冲区

字节。该缓冲器允许接收数据，而在主存储器中的页面正被

重新编程。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与处理

自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存

了与多个地址线和平行随机访问的存储器接口

面，该数据闪存使用SPI串行接口以顺序地存取其数据。 SPI

模式0和模式3的支持。简单的串行接口便于硬件

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

CBGA顶视图

通过包装

SCK

GND

VCC

CS RDY / BSY WP

RESET

串行输出

硬件页

写保护引脚

芯片复位

就绪/忙

SOIC

SCK

RESET

GND

VCC

TSSOP顶视图

类型1

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

AT45DB011B

初步16-

兆位2.7伏

只有串行

数据闪存

牧师1984H - DFLSH - 10/04

布局，提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和

活跃的引脚数。该装置被用在许多商业和工业应用中的优化

系统蒸发散需要高密度，低引脚数，低电压和低功耗是至关重要的。该装置

在时钟频率高达20 MHz的典型有效的读电流消耗工作

4毫安。

以允许简单的系统重新编程，该AT45DB011B不需要高输入

电压进行编程。该器件采用单电源供电， 2.7V至3.6V ，对于工作

两个程序和读取操作。该AT45DB011B通过片选使能

引脚（ CS ），并通过一个三线接口，包括串行输入（ SI ），串行输出的访问

放（SO ）和串行时钟（SCK ）。

所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的

编程。

当设备从Atmel公司出厂时，存储器阵列的最显著页面可

不被擦除。换句话说，在最后一页中的内容可能不被填充为FFH。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器（ 264字节）

SCK

RESET

VCC

GND

RDY / BUSY

I / O接口

存储阵列

以提供最佳的灵活性， AT45DB011B的存储器阵列被划分为三个等级

粒度包括部门，块和页面。内存架构图

示出了每一级的击穿，并详细说明的每个扇区和块的页数。

所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上;然而，可选的

擦除操作可在块或页级别来执行。

AT45DB011B

1984H–DFLSH–10/04

AT45DB011B

内存架构图

部门架构

0扇区= 2112字节（ 2K + 64 ）

扇区0

座建筑

块0

1座

BLOCK 2

3座

部门1

块0

8页

页面架构

第0页

第1页

第6页

第7页

第8页

29座

BLOCK 30

31座

BLOCK 32

BLOCK 33

34座

1座

第9页

1扇区= 65472字节（ 62K + 1984）

第14页

第15页

第16页

2区

第17页

第18页

部门2 = 67,584字节（ 64K + 2K ）

61座

BLOCK 62

BLOCK 63

块= 2112个字节

(2K + 64)

509页

510页

511页

页= 264个字节

(256 + 8)

设备

手术

该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。指令列表

tions和它们相关联的操作码是通过4 （第11和12）中包含的表1 。一

有效的指令开始， CS的后跟适当的8位操作码的下降沿

所需的缓冲器或主存储器地址位置。当CS引脚为低电平，触发SCK信号

引脚控制操作码的加载和期望的缓冲器或主存储器地址位置

通过SI（串行输入）引脚。所有的指令，地址和数据传送与

最显著位（ MSB）开始。

寻址缓冲区中引用的数据表中使用的术语BFA8 - BFA0表示

所需要的9个地址位到缓冲器内指定一个字节地址。主存储器

针对正在使用的术语引用PA8 - PA0和BA8 - BA0 ，其中PA8 - PA0

表示需要指定一个网页地址，并BA8 - BA0表示的10位地址

所需的9位地址的页面中指定一个字节的地址。

读取命令

通过指定适当的操作码，数据可以从主存储器或从读取

数据缓冲。该数据闪存支持两种类型的阅读模式，相对于SCK显

宇空。模式之间的差异是在相对于SCK信号的无效状态

以及哪一个时钟周期的数据将开始被输出。两个类别，它们是的COM

珍贵的四种模式总被定义为无效时钟极性低或无效时钟极性

高和SPI模式0和SPI模式3.独立操作码（参考表1第11页上的

完整的列表），用于选择哪一个类别将用于读取。请参阅

本数据表“详细的位级读时序”图上的时钟周期的详细信息

序列的每个模式。

1984H–DFLSH–10/04

连续阵列读取：

通过对主存储器供给的初始起始地址

阵列，所述阵列的连续读指令可以被用来依次读出的连续

通过简单地提供一个时钟信号从设备的数据流;不需要额外的处理

信息或控制信号需要被提供。该数据闪存集成了一个内部

地址计数器，该计数器将自动增加在每个时钟周期，使一条连续

OU中无需额外的地址序列的需要的读操作。要执行

连续读， 68H或E8H的操作码，必须移入器件其次是24

地址位和32无关位。 24位的地址序列的第一个6位

保留用于向上和向下兼容到更大或更小的密度的设备（见

下笔记“读/命令序列写入操作”图）。下九

地址位（ PA8 - PA0 ）指定要读取的页的主存储器阵列，并在最后

9位（ BA8 - BA0 ）的24位地址的序列的指定范围内的起始字节地址

该页面。 32不小心遵循24地址位来初始化读该位

操作。继32无关位，额外的时钟脉冲SCK引脚将导致

串行数据在SO （串行输出）引脚为输出。

CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，该地址位，则不在乎

位，并且数据的读取。当在一个被达到，主存储器中的页的结束

连续阵列读取，所述装置将继续读取下一个页面的开始

没有延迟页边界交叉（从一月底的交叉过程中发生的

翻页到下页的开头）。当主存储器阵列中的最后一个位已

读出时，所述装置将继续读回的存储器中的第一页的开头。如

与跨越页边界，无延迟，将缠绕时，将发生

阵列到阵列的开头的末端。

在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态SO引脚。

最大SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义

汽车

规范。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和叶子的内容

的缓冲区不变。

主存储器页读：

读出的主存储器，用户可以直接从读出的数据

任一项所述的512页中的主存储器的，绕过数据缓冲器和离开CON组

缓冲区不变的帐篷。要启动页读取， 8位操作码， 52H或D2H ，必须

移入器件其次是24位地址位和32无关位。在

AT45DB011B ，第6位的地址是保留给大密度的设备（见注意事项

第15页），下九位地址（ PA8 - PA0 ）指定的页面地址，以及未来九个月

地址位（ BA8 - BA0 ）指定页面内的起始字节地址。 32不在乎

随后的24个地址位位被发送到初始化读操作。继32

无关位，附加脉冲在SCK导致串行数据通过SO被输出（串行

输出）引脚。 CS引脚必须的操作码的加载过程中保持较低水平，地址位，

和数据的读出。当在一个主要是达到在主存储器中的页的结束

存储器页读，该设备将继续读取在同一页的开头。一个低

到高的CS引脚转换将终止读操作和三态SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以使用54H或D4H的一个操作码的数据缓冲器中读出。对

执行读出的缓冲器，则8位的操作码的后面必须跟15无关位， 9

地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小是264字节， 9个地址位

（ BFA8- BFA0 ）都需要指定的数据被从缓冲区中读出的第一个字节。在CS

引脚必须的操作码，地址位，不在乎位的加载过程中保持较低水平，而

数据的读出。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读

备份在缓冲器的开头。在CS引脚从低到高的转变将终止

读操作和三态SO引脚。

AT45DB011B

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AT45DB011B

状态寄存器读：

状态寄存器可用于确定设备的

准备/繁忙状态，主存储器页面的结果来缓冲比较操作，或

器件密度。读状态寄存器， 57H或D7H的操作码必须被加载到

装置。之后的操作码的最后一位被移位，则8位的状态寄存器，开始

与MSB （第7位），在接下来的8个时钟周期将被移出SO引脚。该

状态寄存器的五个最显著位将包含设备的信息，而剩下

荷兰国际集团三个最显著位保留供未来使用，将有未定义的值。后

位状态寄存器的0已移出，该序列将重演（只要CS

仍然很低， SCK正在切换）再次与第7位，状态寄存器的起始数据

在不断更新，所以每个重复序列将输出新的数据。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

Ready / Busy状态是使用位状态寄存器的第7所示。如果第7位是1，则该设备

是不是很忙，准备接受下一个命令。如果第7位是0，则装置处于繁忙

状态。用户可以通过在一个低的水平停止SCK连续轮询位的状态寄存器的第7

一旦第7位被输出。第7位的状态将继续通过SO引脚输出，并

一旦设备不再忙，所以状态会改变，从0到1，有8

操作可导致设备处于繁忙状态：主存储器页到缓冲器

转让，主存储器页到缓冲区比较，缓冲到主存储器页编程与

内置擦除，缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除，页擦除，

块擦除，主存储器页编程和自动页重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示

在状态寄存器的第6位。如果第6位是0，则在主存储器页面匹配的数据

在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，数据在主存储器页面，然后在至少一个位

没有在缓冲器匹配的数据。

器件密度使用比特5 ， 4,3和2中的状态寄存器的指示。对于

AT45DB011B ，四个位是0， 0,1和1。这四个二进制位的十进制值的确

不等同于设备的密度;这三个位代表有关昼夜温差一个组合码

fering的串行数据闪存器件的密度，从而总共16个不同的密度

精读网络gurations 。

计划和

擦除命令

缓冲区写：

数据可以从SI引脚到数据缓冲区被移入。将数据加载到

的缓冲液， 84H的一个8位的操作码后面是15无关位和9位地址位

（ BFA8 - BFA0 ）。的9个地址位中指定要写入在缓冲器中的第一个字节。数据

进入下面的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将

绕回的缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器

直到低到高的转变上检测到CS引脚。

缓冲区带内置擦除主存储器页编程：

数据写入

该缓冲器可被编程到主存储器中。 83H的8位操作码之后

六个保留位， 9位地址（ PA8 - PA0 ）表示在主存储器中指定页

要被写入，而附加不在乎9位。当低到高的转变发生在

CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1 ，然后程序

存储在缓冲器中复制到指定的页面在主存储器中的数据。无论是擦除和

在页面的编程是在内部自定时的，应该发生在一个最大

时间t

。在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。

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