【特点单4.5V - 5.5V电源串行接口架构页编程操作- 单周期重新编程（擦除和编程）- 1024页】,IC型号AT45D021-JC,AT45D021-JC PDF资料,AT45D021-JC经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单4.5V - 5.5V电源

串行接口架构

页编程操作

- 单周期重新编程（擦除和编程）

- 1024页（ 264字节/页）主内存

两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

而非易失性存储器重新编程

内部的计划和控制的定时器

快速页编程时间 - 7毫秒典型

典型的页面，以缓冲传输时间

低功耗

- 15毫安有效的读电流典型

– 15

CMOS待机电流典型

10 MHz的最大时钟频率

硬件数据保护功能

串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3

CMOS和TTL兼容输入和输出

商用和工业温度范围

2-Megabit

5伏只有

串行

数据闪存

AT45D021

描述

该AT45D021是一个只有5伏，串行接口闪存适合于在系统

重新编程。其2162688位存储器组织为1024页264-

每个字节。除了在主存储器中， AT45D021还包含两个数据

每264字节的SRAM缓冲器。该缓冲器允许同时在一个页面接收数据的

主存储器进行重新编程。与传统闪存的

与多个地址线和并行接口，所述随机访问

数据闪存采用串行接口，以顺序地存取其数据。简单的串行

接口方便了硬件的布局，提高了系统的可靠性，减少了切换

（续）

销刀豆网络gurations

引脚名称

SCK

RESET

RDY / BUSY

功能

芯片选择

串行时钟

串行输入

串行输出

Harware页写

保护引脚

芯片复位

就绪/忙

TSOP顶视图

类型1

RDY / BUSY

RESET

VCC

GND

SCK

GND

SCK

PLCC

GND

VCC

注意：

PLCC封装引脚16和17

是请勿连接。

PLCC

VCC

RESET

RDY / BUSY

SCK

RESET

RDY / BUSY

牧师0869B - 07 / 98

噪音，并降低了封装尺寸和积极的引脚数。该

装置被用在许多商业和工业优化

试验应用高密度，低引脚数，低

电压和低功耗是必不可少的。典型应用

对于数据闪存的数字化语音存储，图像存储，

和数据的存储。该器件工作的时钟频率

高达10 MHz的典型有效的读电流消耗

化15毫安。

为了让简单的系统内可重编程中，

AT45D021不要求高输入电压为亲

编程。该器件采用单电源工作支持

P LY ， 5V 4 5 5V ，福尔波个T他的公关OGR是一个可怕

操作。该AT45D021通过芯片使能

通过三线接口选择引脚（ CS）和访问

由串行输入（ SI ）中，串行输出（ SO ）和

串行时钟（ SCK ）。

所有的编程周期是自定时的，并没有单独的

编程前擦除周期。

框图

闪存阵列

PAGE （ 264字节）

缓冲器1 （ 264字节）

缓冲液2 （ 264字节）

SCK

RESET

GND

RDY / BUSY

I / O接口

设备操作

该设备的操作是由从指令控制

主处理器。的指令和他们的相关的列表

操作码中包含的表1，表2，一种有效的指令

化开始的CS后跟了合下降沿

priate 8位操作码和所需的缓冲或主存储器

地址位置。当CS引脚为低电平，触发SCK信号

引脚控制的操作码和所需的装

通过SI缓存或主内存地址位置

（串行输入）引脚。所有的指令，地址和数据是

传送具有最显著位（MSB ）在前。

第5位地址被保留用于密度较大

设备（参见第8页上的说明），在接下来的10个地址位

（ PA9 - PA0 ）指定的页面地址，以及未来九个月

地址位（ BA8 - BA0 ）指定起始字节地址

内的页面。 32不在乎它跟随24位

地址位被发送到初始化读操作。跟着

哞哞叫的32无关位，在SCK脉冲的附加

结果以串行数据通过SO被输出（串行输出）

引脚。 CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，和数据的读出。当

在一个主达到在主存储器中的页的结束

内存页读取，该设备将继续阅读在

开始在同一页的。低到高的转变

CS引脚将终止读操作和三态的

SO引脚。

缓冲区中读取：

数据可以从的任一个被读

两个缓冲器，采用不同的操作码，以指定哪一个缓冲区

从阅读。 54H的一个操作码被用来从读出的数据

缓冲器1和56H的一个操作码被用来从读出的数据

缓冲区2.要执行的缓冲区读取，则8位的

读

通过指定适当的操作码，数据可以被读出

从主存储器或从所述两个数据中的任一个

缓冲区。

主存储器页读：

主存储器的读使

用户可以直接从1024中的任何一个读数据

在主存储器中的页面，绕过这两个数据缓冲的的

ERS和离开该缓冲器中的内容不变。对

启动读出的页， 8位的操作码， 52H ，其次是24

地址位和32无关位。在AT45D021中，

AT45D021

AT45D021

操作码必须跟15无关位， 9

地址位，以及8无关位。由于缓冲区大小

是264个字节，九位地址（ BFA8 - BFA0 ）是必需的

指定数据的第一个字节被从缓冲区中读出。

CS引脚必须的加载过程中保持低

操作码，地址位，不在乎位，读

荷兰国际集团的数据。当一缓冲器的末尾为止，该装置

将继续读回的缓冲区的开始。一

低到CS引脚将终止读高的转变

操作和三态SO引脚。

主内存页面缓冲转让：

一个页面

的数据可以从主存储器转移到任何

缓冲区1或2，缓冲8位操作码， 53H缓冲区1和

55H缓冲区2中，随后是5保留比特，10个

地址位（ PA9 - PA0 ），这在主指定页面

要传送的存储器即，和9无关位。

CS引脚必须为低电平，同时切换SCK引脚加载

操作码，地址位，而不会从不在乎位

SI引脚。数据的页的从主传送

内存缓冲区将开始在CS引脚转换时

从低到高状态。中的页面转移

数据（T

XFR

），状态寄存器可以读取来确定

是否传输已完成或没有。

主内存页面缓冲比较：

的页面

在主存储器中的数据可以进行比较，以在缓冲器中的数据

1或2，缓冲8位操作码， 60H缓冲区1 61H的

缓冲器2，之后是24个地址位组成的五

保留位， 10位地址（ PA9 - PA0 ）的指定

要被比较，在主存储器页

缓冲液中， 9无关位。操作码的加载

和地址位是相同的，如前所述。

CS引脚必须为低电平，同时切换SCK引脚加载

操作码，地址位，而不会从不在乎位

SI引脚。在低到CS引脚的高转换时，

在选定主存储器页264字节将被的COM

相比与264字节的缓冲区1或缓冲区2.在此

时间（t

XFR

），状态寄存器将指示该部分是

忙。在比较操作完成后，中位6

状态寄存器与所述比较的结果进行更新。

操作码83H为缓冲器1或86H为缓冲器2，其次是

五保留位， 10位地址（ PA9 - PA0 ）的光谱

IFY页面在主存储器中的写入，和9

另外无关位。当一个从低到高的转变

发生在CS引脚，该部分将首先删除所选

在主内存中，以全1页，然后程序中的数据

存储在缓冲器中复制到指定的页面在主

内存。同时擦除和页面的编程

在内部自定时的，应在一个马克西

吨的妈妈时间

。在此期间，状态寄存器

指示该部分正忙。

BUFFER主存储器页编程与 -

OUT BUILT -IN ERASE ：

在一个以前删除页面

主存储器可以与内容进行编程

无论是缓冲器1或2，缓冲8位操作码， 88H缓冲1

或89H缓冲区2中，随后是5保留比特，10个

地址位（ PA9 - PA0 ），在主指定页

存储器的写入，并且附加不在乎9位。

当一个从低到高的转变发生在CS引脚，部分

将程序存储在缓冲器中复制到指定的数据

在主存储器中的页面。必要的是，在页

被编程的是主存储器一直previ-

ously编程为全1 （擦除状态）。该编程

页面明在内部自定时的，应采取

放置在吨的最大时间

。在此期间，该状态

寄存器将指示该部分正忙。

主存储器页编程：

这个操作是

的缓冲区写缓冲区组合和主内存

页编程带内置擦除操作。数据是第一

移入缓冲区1或从SI引脚，然后缓存2亲

编程成在所述主存储器中的指定页面。一个8

位操作码， 82H缓冲区1 85H缓冲区2 ，接着

由5保留位和19个地址位。 10个最

显著地址位（ PA9 - PA0 ）选择在页面

主存储器，其中的数据是要被写入，而在下一个9

地址位（ BFA8 - BFA0 ）选择在缓冲器中的第一个字节

被写入。之后所有的地址位被移位，所述部分

将数据从SI引脚和把它存储在数据中的一个

缓冲区。如果缓冲区的末尾为止，该装置将

绕回的缓冲区的开始。当

有一个从低到高的转变CS引脚，该部分

首先删除在主存储所选择的页面，全1，

接着编程存储在缓冲器到指定的数据

在主存储器中的页面。无论是擦除和编程

页面铭在内部自定时的，应采取

放置在一个最大的时间t

。在此期间，该状态

寄存器将指示该部分正忙。

自动换页重写：

这种模式只需要多的话

内的数据的一个页面或多个页面的PLE字节是作案

田间以随机方式。此模式是两个组合

操作：主内存页，以缓冲传输和

缓冲区到主存储器页编程带内置擦除。

数据的页被首先从主存储器转移到

缓冲器1或缓冲区2中，然后将相同的数据（来自缓冲器1

节目

缓冲区写：

数据可以从SI引脚移入

无论是进入缓冲区1或缓冲区2.将数据加载到任何

缓冲器，一个8位的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，

之后是15无关位和9位地址位

（ BFA8 - BFA0 ）。的9个地址位中指定的第一个字节

该缓冲器被写入。的数据被输入后的

地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该

设备将环绕回缓冲区的开始。

数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到

高转换检测到CS引脚上。

缓冲区主要有记忆页编程

BUILT -IN ERASE ：

数据写入缓冲区要么1或缓冲区

2可被编程到主存储器中。一个8位

或缓冲液2 ）被编程入到原来的页面

主存储器。一个8位的操作码， 58H缓冲区1或59H为

缓冲器2，随后是5保留比特，10个地址

位（ PA9 - PA0 ）指定在主内存中的页面是

改写，九附加无关位。当使用低到

高转换发生在CS引脚上，部分会先传输

FER数据从主内存中的页面到缓冲区，然后

来自缓冲器的数据编写回的同一页

主存储器。该操作是内部自定时的

应于吨的最大时间

。在这

时，状态寄存器将指示该部分正忙。

如果主存储器进行编程或再编程

由页依次页，则编程algo-

在图1所示rithm建议。否则，如果

在一个页面或多个页面的多个字节被编程

随机地在主存储器中，那么编程algo-

在图2所示rithm建议。

状态寄存器：

状态寄存器可用于

确定设备的就绪/忙状态的结果

主内存页，以缓冲比较操作，或

器件密度。读状态寄存器的操作码

57H必须被加载到设备中。之后的最后位

操作码偏移，则8位的状态寄存器的

首先是MSB （第7位），将被移出到SO

在接下来的8个时钟周期的引脚。五大最显

状态寄存器的位倾斜将包含设备信息

化，而剩余的三个最小显著位

保留以供将来使用，将具有未定义的值。

后位的状态寄存器的0已移出时，

顺序将重演（只要CS仍然很低，

SCK正在切换）与第7位，再次启动中的数据

状态寄存器是不断更新的，所以每一个重复

序列将输出新的数据。

Ready / Busy状态使用的状态第7位表示稳压

存器。如果第7位是1，那么该设备不忙并准备

以接受下一个命令。如果第7位是0 ，则该设备

处于忙碌状态。用户可以连续轮询位的7

状态寄存器停止SCK一次第7位被输出。

第7位的状态将继续通过SO引脚输出，

一旦设备不再忙，所以国家将

从0更改为1。有六种操作从而可以

导致设备处于繁忙状态：主存储器页

以缓冲传输，主存储器页到缓冲器比较，

缓冲区到主存储器页编程带内置擦除，

缓冲区到主存储器页编程没有内置

擦除，主存储器页编程和自动页面

重写。

最近期的主存储器页的结果缓冲区

比较操作使用的状态位6所示

页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1 ，则在

数据存储在主存储器页面的至少一个比特不

匹配在缓冲器中的数据。

器件密度使用比特5,4所示，和图3的

状态寄存器。对于AT45D021 ，三个比特是0，1，

这三个二进制位为0的十进制值不

不等同于设备的密度;三个比特表示

与串行不同密度的组合代码

数据闪存设备，允许总共八个不同密度

精读网络gurations 。

读/编程模式总结

上面列出的模式可以被分成两组

- 模式，这些模式利用所述快闪存储器阵列的

（ A组）和模式不使用闪光灯的

存储器阵列（ B组）。

A组的模式包括：

1.主存储器页读

2.主存储器页到缓冲器1 （或2 ）转让

3.主存储器页到缓冲器1 （或2 ）比较

4.缓冲1 （或2）主内存页编程与

内置擦除

5.缓冲液1 （或2）以主存储器页编程与 -

出内置擦除

6.主存储器页编程

7.自动页重写

B组的模式包括：

1.缓冲液1 （或2 ）读

2.缓冲液1 （或2）写入

3.状态读取

如果A组模式正在进行中（尚未完全竣工），然后

在A组的另一模式不应该被启动。不过，

在这段时间内，其中A组的方式进行时，

在B组的模式就可以开始。

这使得串行数据闪存的能力几乎

容纳一个连续的数据流。虽然数据

被编程到主存储器中，从缓冲存储器1中，数据

可以加载到缓冲器2（或反之亦然）。见应用

笔记AN- 4 （ “使用Atmel的串行数据闪存” ）以获取更多

详细信息。

硬件页面写入保护功能：

如果WP引脚

保持为低电平时，第一256页的主存储器的不可

重新编程。重新编程的第一个256的唯一途径

网页是第一驱动保护引脚为高电平，然后使用

程序命令前面所提到的。

状态寄存器的格式

第7位

RDY / BUSY

第6位

COMP

第5位

4位

第3位

第2位

第1位

位0

AT45D021

AT45D021

RESET ：

在复位引脚为低电平状态（ RESET）将终止

操作进行中和复位内部状态

机到空闲状态。该装置将保持在复位

只要调节为低电平是存在于RESET

引脚。正常操作就可以恢复，一旦RESET引脚

带回高电平。

该器件还集成了一个内部上电复位

电路;因此，存在于RESET没有限制

在上电序列的脚。

READY / BUSY ：

这种开漏输出引脚将被驱动

为低电平时，器件正忙于内部自定时能操作

通报BULLETIN 。该引脚，通常是在高状态（通过一

外部上拉电阻），编程时会被拉低

明操作，比较操作，并在页面用于─

缓冲区传输。

占线状态指示该闪速存储器阵列和

所述缓冲器中的一个不能被访问;读取和写入

操作到另一个缓冲器仍然可以进行。

上电/复位状态

当电源第一次施加到器件上时，或者当可收回

从复位状态荷兰国际集团，该设备将默认为SPI

模式3。此外， SO引脚将处于高阻抗

状态，以及前高后低stransition CS引脚将

开始一个有效的指令要求。 SPI模式将是

通过SAM-在CS的每一个下降沿自动选择

耦无效时钟状态。

绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间会影响器件的条件

可靠性。

直流和交流工作范围

AT45D021

COM 。

工作温度（外壳）

IND 。

电源

(1)

注意：

-40 ° C至85°C

4.5V至5.5V

0 ° C至70℃

1.电源后加和V

是在指定的最低数据表值时，系统应等待20毫秒的能操作之前，

憩模式被启动。