32 - Mbit的数据闪存
描述
32 - Mbit的数据闪存是一块2.7伏只，串行接口闪存非常适合
各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。
它的34603008位的存储器被组织为8192页，每页528字节。此外
灰到主存储器，32兆位数据闪存还包含两个SRAM数据缓冲区
528字节每个。数据的缓冲器允许接收，而在主存储器中的页面是
被重新编程，以及读取或写入一个连续的数据流。 EEPROM
仿真（位或字节变性）被容易地与一个自包含三个步骤的处理
读 - 修改 - 写操作。与被访问的传统闪存
随机地与多个地址线和并行接口，所述数据闪存使用的SPI
串行接口以顺序地存取其数据。数据闪存支持SPI模式0和
模式三，简单的串行接口有利于硬件布局，提高了系统的可靠性
的能力，最大限度地降低开关噪声，并减少封装尺寸和积极的引脚数。该
装置被用在许多商业和工业应用中，高的优化
密度，低引脚数，低电压和低功耗是至关重要的。该器件工作在
时钟频率高达20MHz ，典型活性读为4 mA的电流消耗。
以允许简单的系统重新编程，32兆位数据闪存不
需要高输入电压进行编程。该装置由一个单电源工作
电源， 2.7V至3.3V ，为节目和读取操作。 32 - Mbit的数据闪存
通过芯片选择引脚（CS ）使能，并经由三线接口连接访问
sisting串行输入（ SI ） ，串行输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ）的。
所有的编程周期是自定时，之前没有单独的擦除周期是必需的
编程。当设备从Atmel公司的最显著页运
存储器阵列可以不会被擦除。换句话说，在最后一页中的内容可能不
被填充为FFH。
数据闪存
框图
WP
闪存阵列
PAGE （ 528字节）
缓冲器1 （ 528字节）
缓冲液2 （ 528字节）
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
存储阵列
为了提供最佳的柔软性，在32兆位数据闪存的存储器阵列被划分为
三个级别的粒度，包括部门，块和页面的。内存架构设计师用手工
tecture示意图示出每个级别的故障，并详细说明的页面数
每扇区和块。所有程序操作的数据闪存出现一个页面，通过页面上的
基础;然而，可选的擦除操作可在块或页来执行
的水平。
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AT45BR3214B
3356B–DFLASH–10/04
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