AT42QT2160
4.2
突发削皮
是由它们的脉冲串长度设置为零来禁用键已经其脉冲串从除去
扫描序列,以节省扫描时间,因此电源。在QT2160工作在一个固定的16毫秒周期
并会全力以赴收购后睡觉,处理完成,直到下一个16ms的周期开始。
作为一个结果,更少的按键,所述较少的功率消耗。
4.3
CS采样电容操作
Cs的电容( CS0 ... CS1 )吸收电荷从键电极上各X的上升沿
脉搏。 X上的每个下降沿, Y矩阵行被钳位到地,使电极
和布线的费用,以中和在准备下一个脉冲。每个X的脉冲充电
积聚在铯使楼梯增加其差分电压。
脉冲串完成后,该装置夹住Y线到地使所述对端
去负。在Cs中的电荷,然后通过外部电阻斜坡改变测量
负端向上,直到过零来实现。需要零交叉的时间
变测量结果。
在CS电容应连接如图
图4-8第15页。
这些价值
电容并不重要,但4.7 nF的建议大多数情况下。它们应为10 %的
X7R陶瓷。如果从X中的横向电容耦合到Y是足够大的上的电压
Cs的电容可以达到饱和,破坏增益。在这种情况下,脉冲串长度应减少
和/或Cs的值增加。看
第4.4节。
如果不使用一个Y线及其相应的Cs的电容可被省略,并且引脚悬空。
4.4
采样电容饱和
在一个销YNB中示出铯电压饱和
图4-1 。
饱和开始发生时的
电压保持在YNB销变得比-0.25V更负的脉冲串的结束。这
非线性是在CS引起的过电压聚集在引脚诱导传导
保护二极管。这严重饱和的信号会破坏关键的增益,并介绍了强热
系数可引起幻象检测。这样做的原因是无论是从脉冲串长度
过长,在Cs值过小,或者在XY传递耦合过大。
解决方案包括松动的键结构体的交错,多个X和Y的分离
线在PCB上,从而增加Cs和减小脉冲串长度。
增加铯会使一部分较慢;减小脉冲串长度将使它不那么敏感。一
更好的PCB布局和宽松的按键结构(最高点)不会有负面影响。
Cs的电压应当与粘合到面板的基质层的示波器观测到
材料;如果任何Cs的坡道比-0.25伏更负在任何突发的一侧卢比(未
计数过冲尖峰它们探针工件) ,有一个潜在的饱和问题。
图4-2
示出了一个有缺陷的波形相似的
图4-1 ,
但在这种情况下
失真由从Y线到AC地过多的杂散电容耦合引起的;为
例如,从运行太近和太远旁边一个地线,接地平面,或其他
痕迹。过量的耦合引起的电荷转移作用消散的显著部
从钥匙进入的杂散电容所接收的电荷。这种现象是比较微妙;它
通过BL提高到一个较高的数量和看什么波形不一样可以检测到最好
它向下降及以下-0.25V 。波形将看似笔直的,但它会
慢慢的开始-0.25V水平达到甚至前压平。
正确的波形如图
图4-3 。
注意,下部曲线的底部边缘是
基本上是直的(忽略下行峰值) 。
5
9502A–AT42–07/08